Hallo, ich habe mehrere Fragen zu P Kanal MOSFETS als Highside Schalter. Man schaltet ja mit dem Gate, wenn die Spannung von Gate gemessen zu Source hoch ist, dann soll der P Kanal sperren. Wenn Gatespannung = Sourcespannung, dann soll er leiten. Jetzt ist es ja so, beim Highside Schalter, dass ich den Verbraucher hinter dem MOSFET habe. Die Sourcespannung ist also ähnlich der Drainspannung wenn der durchgeschaltet ist weil R_DS_ON niedrig ist. Ich kann den MOSFET also nicht ausschalten wenn ich das Gate auch auf High ziehe, dann liegen nämlich alle drei Anschlüsse in etwa auf dem gleichen Potential. Wenn der MOSFET aber zu Beginn aus ist, dann ist die Drainspannung hoch, die Sourcespannung niedrig. Das Gate hat eine hohe Spannung im Vergleich zu Source. Jetzt kann ich Gate einmalig auf die Sourcespannung runterziehen. Der MOSFET leitet dann,V_Source wird zu V_Drain und ich kann ihn nicht mehr ausschalten indem ich V_Gate auf V_Drain hochziehe. Ist die Überlegung korrekt? Ich möchte nämlich einen Strom ein und aussschalten, highside und habe nur eine Spannung die als Steuerspannung am Gate und am Drain verwendet wird. Geht das überhaupt? Ich verwende gerade zum experimentieren einen https://www.infineon.com/dgdl/BSS83P_Rev1%206.pdf?fileId=5546d46147a9c2e40147f7eba9ec0a51 . Die Spannung die ich verwenden möchte sind 3,3 V und 0 V. Wenn ich V_G auf 3,3 V hochziehe, dann geht V_S auch etwas nach unten, aber nicht viel. Bei V_G = V_D = 3,3 V habe ich V_S = ca. 2,2 V und bei V_G = 3.3 V habe ich V_S = ca. 3,3 V. Was habe ich noch nicht verstanden oder was mache ich falsch?
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Gustl B. schrieb: > Wenn der MOSFET aber zu Beginn aus ist, dann ist die Drainspannung hoch, > die Sourcespannung niedrig. Nö, ist sie nicht. Beim P-Kanal ist die Sourcespannung hoch, denn die ist an deine positive Versorgung angeschlossen. Der MOSFet sperrt, wenn das Gate nahe dem Sourcepotenzial ist. Zieht man nun das Gate gegen Masse, wird die GS Spannung negativ, der MOSFet beginnt zu leiten. Ich hänge dir mal einen generischen Highsideschalter mit ansteuerndem Transistor mit an, dann wirds evtl. klarer. Bedenke, das der MOSFet nichts von dem drumherum weiss. Für ihn zählt nur die GS Spannung, die an ihm liegt.
Danke. Oh man, da hatte ich mich so gefreut, dass die Bauteilanschlüsse im SOT23 gleich benannt sind wie beim N-Kanal und an der gleichen Stelle liegen und habe leider nicht nachgedacht. ARGH!!!!! Danke!
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Gustl B. schrieb: > Man schaltet ja mit dem Gate, wenn die Spannung von Gate gemessen zu > Source hoch ist, dann soll der P Kanal sperren. Wenn Gatespannung = > Sourcespannung, dann soll er leiten. Nein, das ist falsch. Der P-Kanal MOSFET leitet, wenn eine ausreichend hohe negative Spannung am Gate relativ zu Source anliegt. Deine Rückschlüsse sind entsprechend auch falsch. Siehe http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf Kapitel 2.2
Gustl B. schrieb: > Man schaltet ja mit dem Gate, wenn die Spannung von Gate gemessen zu > Source hoch ist, dann soll der P Kanal sperren. Wenn Gatespannung = > Sourcespannung, dann soll er leiten Nein. Gustl B. schrieb: > Ist die Überlegung korrekt Lerne nochmal Grundlagen. Plus und Minus nicht durcheinanderbringen.
Gustl B. schrieb: > Hallo, ich habe mehrere Fragen zu P Kanal MOSFETS > > Man schaltet ja mit dem Gate, wenn die Spannung von Gate gemessen zu > Source hoch ist, dann soll der P Kanal sperren. Wenn Gatespannung = > Sourcespannung, dann soll er leiten. Nein. Das wäre ein selbstleitender MOSFET. Die sind selten, als p-Kanal praktisch gar nicht erhältlich. Ein p-Kanal MOSFET verhält sich zum n-Kanal MOSFET wie ein pnp Transistor zu einem npn Transistor. Der p-Kanal MOSFET wird leitend, wenn am Gate eine negative Spannung gegenüber Source anliegt. > Ich möchte nämlich einen Strom ein und aussschalten, highside und habe > nur eine Spannung die als Steuerspannung am Gate und am Drain verwendet > wird Die Steuerspannung liegt nicht an Drain an, sondern am Gate. Und der Bezugspunkt ist Source. Beim H-Side Schalter also die zu schaltende Spannung. An Drain liegt der Verbraucher. > Was habe ich noch nicht verstanden Die Funktionsweise eines p-Kanal MOSFET
Stefan ⛄ F. schrieb: > Nein, das ist falsch. Der P-Kanal MOSFET leitet, wenn eine ausreichend > hohe negative Spannung am Gate relativ zu Source anliegt. Tatsache, hatte Gate und Source verwechselt. Für mich war bisher immder Drain das wo der Strom hinein geht, und Source das aus dem der Strom herauskommt. Eben so wie es die englischen Worte beschreiben. Aber das ist nicht so, wieder was gelernt. Damit ist beim P-Kanal also Source immer auf einem hohen Potential und ich kann das Gate (bei nur einer Versorgungsspannung) nur zwischen Masse und V_S verschieben. Damit ist also V_GS immer kleinergleich Null. Hier der Transistor hat eine V_GS_th von -1,5 V, der sollte also wunderbar leiten wenn ich Source auf 3,3 V und Gate auf 0 V lege. Und Tatsache, das macht dder jetzt auch. Was ich im Datenblatt vermitte ist der R_DS_OFF Widerstand. Oder gibt es da typische Werte? Ich will nämlich eine Schaltung die nur ca. 100 uA zieht von der Versorgung trennen. Stefan ⛄ F. schrieb: > Siehe Schicke Handreichung oder wie man das nennt! Danke, wird abgespeichert. MaWin schrieb: > Plus und Minus nicht durcheinanderbringen. War durch die Benennung verwirrt. Jetzt habe ich die FETs anders herum eingelötet und die Schaltung funktioniert.
Gustl B. schrieb: > Was ich im Datenblatt vermitte ist der R_DS_OFF Widerstand. Oder gibt es > da typische Werte? Na ja, Leckstrom bei UGS=0V, das können schon mal 100uA sein, je niedriger die UGS(th), um so schlechter, um so überdimensionierter er ist auch und um so heisser er ist ebenfalls. Gustl B. schrieb: > Jetzt habe ich die FETs anders herum eingelötet und die Schaltung > funktioniert. Kaum macht man's richtig, schon geht's. Allerdings sollte Elektronikbasteln nicht trial&error sein..
Gustl B. schrieb: > Damit ist beim P-Kanal also Source immer auf einem hohen Potential Source ist sowohl bei N als auch bei P da wo Bulk angeschlossen ist ;)
Gustl B. schrieb: > Ich will nämlich eine Schaltung die nur ca. 100 uA zieht von der > Versorgung trennen. TPS22860, 20nA.
Gustl B. schrieb: > War durch die Benennung verwirrt. Jetzt habe ich die FETs anders herum > eingelötet und die Schaltung funktioniert. Wenn du Drain und Source vertauschst, dann sperrt der MOSFET niemals. Da ist nämlich die Body-Diode zwischen Drain und Source. > Was ich im Datenblatt vermitte ist der R_DS_OFF Widerstand. Der ist üblicherweise nicht als Widerstand spezifiziert, sondern als Leckstrom bei U_gs=0. Für deinen BSS83 max 1µA bei Raumtemperatur, aber bis 100µA bei 125°C. > Ich will nämlich eine Schaltung die nur ca. 100 uA > zieht von der Versorgung trennen. Womit steuerst du den MOSFET an? Wenn das ein CMOS-Gegentakt Ausgang ist, dann kann der die 100µA vermutlich auch direkt liefern.
MaWin schrieb: > Kaum macht man's richtig, schon geht's. Allerdings sollte > Elektronikbasteln nicht trial&error sein.. Stimmt. Bis auf die vertauschten D/S funktioniert meine Schaltung. Jetzt sogar 100%. Es geht um mein ESP Lernprojekt. Da habe ich mehrere IOs an denen mehrere Sensoren gleichzeitig dran hängen. Damit aber nicht alle Sensoren gleichzeitig ein Signal treiben kann ich über FETs einmal die Temperatursensoren und dann getrennt die Freuchtigkeitssensoren mit Strom beliefern. Ich messe also mit sehr wenigen IOs dafür aber zeitlich versetzt mehrere Werte. MaWin schrieb: > TPS22860, 20nA. Genial! Vielen Dank, wird eingebaut.
Gustl B. schrieb: > Für mich war bisher immer Drain das wo der Strom hinein geht, > und Source das aus dem der Strom herauskommt. Selbst wenn wir das richtig drehen, hätte ich damit schon ein Problem weil nicht klar ist, in welche Richtung Strom eigentlich fließt. Merke Dir lieber: Source (=Quelle) gehört an die Spannungsquelle
Gustl B. schrieb: > Was ich im Datenblatt vermitte ist der R_DS_OFF Widerstand. Oder gibt es > da typische Werte? Ich will nämlich eine Schaltung die nur ca. 100 uA > zieht von der Versorgung trennen. Tatsächlich findest du eher eine konkrete Angabe zum Leckstrom als zum Widerstand. Aber leider nicht bei jedem Transistor. Je kleiner (und empfindlicher) der Transistor ist, umso geringer der Leckstrom. Die kleineren Transistoren erkennt man auch ganz gut daran, dass sie weniger Kapazität haben.
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