Leon schrieb:> Gibt es eine vergleichbare Schaltung für N-MOS?
Was heißt "vergleichbar"? Willst Du weiterhin High-Side, also den
Pluspol der Last schalten, oder Low Side, den Minuspol?
Low Side ist banal. High-Side erfordert eine Ladungspumpe. Source ist
dann am Pluspol der Versorgung der Last, und das Gate muss dann nochmal
eine um 3 bis 10V höhere Spannung bezüglich Grund haben, um
durchzuschalten.
Es gibt spezielle High-Side-Treiber, die genau das machen. Sowas z.B.
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/lm5060.pdf
fchk
Danke dir für deine Antwort!
Frank K. schrieb:> Was heißt "vergleichbar"? Willst Du weiterhin High-Side, also den> Pluspol der Last schalten, oder Low Side, den Minuspol?
Den Minuspol, aber 5V-PWM reichen nicht, damit es sauber funktioniert.
Der Transistor wird heiß.
Es soll immer dieselbe Spannung am Gate sein (egal ob ich 12V oder 24V
"oben" habe). Das geht bestimmt auch mit zwei oder drei Transistoren.
Oder?
Ich wollte ohne spezielle Schaltkreise auskommen.
wer schrieb:> Warum sollte man die Schaltung für einen N-FET ändern müssen?
Müssen nicht. Wollen schon, weil beim P-MOS sich Löcher bewegen, beim
N-MOS sind es Elektronen, und da selbige eine höhere Mobilität haben,
haben N-MOS Transistoren immer bessere Eigenschaften als die
dazugehörigen P-MOS Transistoren. Aus diesem Grund setzt man lieber
N-MOS ein, wenn es um Leistung, Rdson, Wärmeentwicklung etc geht. Die
Schaltungskomplexität wird in entsprechende Treiber-ICs verpackt.
fchk
Leon schrieb:> Frank K. schrieb:>> Was heißt "vergleichbar"? Willst Du weiterhin High-Side, also den>> Pluspol der Last schalten, oder Low Side, den Minuspol?>> Den Minuspol, aber 5V-PWM reichen nicht, damit es sauber funktioniert.> Der Transistor wird heiß.
Dann wähle einfach einen geeigneteren Transistor.
Nenne mal konkrete Randbedingungen:
VGS=?
VDS= min? max?
IDS=?
fchk
Frank K. schrieb:> Müssen nicht. Wollen schon, weil beim P-MOS sich Löcher bewegen, beim> N-MOS sind es Elektronen, und da...
Was hat das mit meinem Kommentar zu tun. Die Schaltung eignet sich
sowohl für High-Side-P-FET als auch für Low-Side-N-FET.
Also nochmal:
wer schrieb:> Warum sollte man die Schaltung für einen N-FET ändern müssen?
wer schrieb:> Warum sollte man die Schaltung für einen N-FET ändern müssen?
Ich habe das so verstanden, dass die Schaltung immer von "oben" also von
der Versorgung eine konstante Spannung "abzieht".
Für einen N-MOS brauche ich doch aber einen "Deckel", damit bei 12V
Versorgung 10V am N-MOS sind, bei 18V oder 24V aber auch "nur" 10V (und
nicht mehr) oder verstehe ich das falsch?
Leon schrieb:> verstehe ich das falsch?
Tust du, du kannst auch mit 30V am Gate einen 1V Lastkreis schalten
(sofern der FET für 30V am Gate gemacht ist, versteht sich)
Oder, vielleicht hast du das so gemeint: Ja, du musst die Gate-Drain
Spannung in einem für der FET verträglichen Bereich halten.
Das gilt aber für P- und N-FET gleichermaßen
Leon schrieb:> Gibt es eine vergleichbare Schaltung für N-MOS?
Wie schnell, mit welcher Frequenz und wieviel Strom willst du schalten?
Davon hängt der Aufwand ab, den du treiben musst.
Leon schrieb:> wer schrieb:>> Warum sollte man die Schaltung für einen N-FET ändern müssen?>> Ich habe das so verstanden, dass die Schaltung immer von "oben" also von> der Versorgung eine konstante Spannung "abzieht".>> Für einen N-MOS brauche ich doch aber einen "Deckel", damit bei 12V> Versorgung 10V am N-MOS sind, bei 18V oder 24V aber auch "nur" 10V (und> nicht mehr) oder verstehe ich das falsch?
Das hängt vom Transistor ab. Schau im Datenblatt nach VGS.
So, jetzt nochmal: welchen Strom willst DU schalten? Welchen
Spannungsbereich?
fchk
SO, schau Dir mal den hier an:
https://www.vishay.com/docs/77821/sqs840cenw.pdf
Dieser Transistor ist bei VGS=4.5V schon komplett durchgeschaltet und
hat dann einen Innenwiderstand von 22mOhm. Er ist für 12A spezifiziert.
Reicht das?
fchk
Leon schrieb:> Für einen N-MOS brauche ich doch aber einen "Deckel", damit bei 12V> Versorgung 10V am N-MOS sind, bei 18V oder 24V aber auch "nur" 10V (und> nicht mehr) oder verstehe ich das falsch?
Für die Ansteuerung eines nMOS sieht das schon ein wenig anders aus.
Außer du beziehst die mit der Ansterungs-VCC auf die 18V oder 24V. Dann
wird aus dem Q1 ein PNP mit dem Emitter über R1 nach VCC, die GNDs sind
dann aber nicht mehr die selben!
Zur Ansteuerung eines nMOS wäre ein wichtiges Element eine Z-Diode mit
dem Wert der Gatespannung, die du zulassen willst. Beispiel siehe
Anhang.
Frank K. schrieb:> Das hängt vom Transistor ab. Schau im Datenblatt nach VGS.
Ja eben! Die soll in seinem Design die 10V nicht überschreiten, egal
welche Spannung für die Last genommen wird. Beim Beispiel oben für pMOS
ist Q1 eine Stromquelle und bestimmt R2 den Spannungsabfall und damit
den Hub am Gate.
> So, jetzt nochmal: welchen Strom willst DU schalten? Welchen> Spannungsbereich?
Strom ist doch völlig egal. Danach muss er den FET auslegen.
Den Spannungsbereich hat er genannt: 12V oder 18V oder 24V, variabel
eben, ohne die maximale oder die von ihm gewünschte Gatespannung zu
überschreiten.
Harald W. schrieb:> Diese Schaltung würde ich so nicht verwenden. Einen Fet, der nur> 20V am Gate verträgt, mit 18V anzusteuern, ist m.E. zu riskant.
Der FET wird nicht mit 18V angesteuert in dieser Schaltung.
Q1 ist eine Stromquelle (5V-0.7V)/2k2 ≈ 2mA; Gatespannung damit max. 2mA
* 3k3 ≈ 6.5V.
