Halbleiterphysik : "Dicke" Dioden

Fragender Gast #6340145 
Hallo Leute,

ich habe mal eine Frage, die ggf. etwas Offtopic ist, mich aber einfach 
interessiert.

Durch Zufall bin ich auf richtig dicke Dioden gestoßen (sowohl Schottky 
als auch Standard Rectifier) - also Dioden, die drei.- bis vierstellige 
Ströme leiten können.

Beispielhaft z.B. diese: 
https://ixapps.ixys.com/DataSheet/MDO600-16N1.pdf, 
https://www.vishay.com/docs/93535/vs-sd1100cc.pdf oder 
http://www.smc-diodes.com/propdf/241NQ035-045(R)-1%20N1203%20REV.A.pdf

Ich frage mich allerdings, wie diese intern aufgebaut sind. Kann ich mir 
das vielleicht so ähnlich wie bei "Hex-FETs" vorstellen, wo sich viele 
gleichartige Halbleiter auf einem Die befinden? Oder ist das wirklich 
eine riesige monolithische (ist das das richtige Wort Hierfür?) Struktur 
einer einzelnen Diode?

Freu mich schon auf eure erklärenden Antworten :)

By the Way:
Wäre ja vielleicht mal was für "Richis-Lab", das ich wirklich gespannt 
verfolge :)
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Fragender Gast #6340207 
Also es ging mir nicht um die Größe des Wafer, aber Danke - da habe ich 
mich wohl falsch ausgedrückt.

Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel. 
:)
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HildeK Gast #6340262 
Fragender schrieb:
> Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel.

Parallele Dioden macht man nicht so gerne.
Obwohl, hier wären sie aus dem selben Fertigungsprozess und damit wäre 
deren Streuung geringer. Außerdem müssten sie thermisch perfekt 
gekoppelt sein.
Trotzdem hätte man noch eine ungleiche Stromaufteilung, wenn vielleicht 
auch nur im Bereich 40-60%.
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M. K. Gast #6340272 
Ungleiche Verteilung hat man schon innerhalb einer größeren Struktur.
Aber Du hast natürlich recht mit Deinen Anmerkung.

Fragender schrieb:
> Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel.
Spielt für die Betrachtung erstmal keine Rolle.
Das ist von Aussen weder erkennbar noch wichtig.

Um die Nachteile großer Dioden zu umgehen, verwendet man dann 
Synchrongleichrichter mit Fets + Steuer IC.
Deine Beispiel sind einfach nur fette Dioden.
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Fragender Gast #6341287 
Gerald B. schrieb:
> Durch Bestrahlung des Siliziums mit Neutronen erreichst du eine extrem
> gleichmäßige Dotierung mit Phosphor. Dadurch ist die Stromdichte im
> Kristall ebenfalls sehr gleichmäßig

Krass!
Ich hätte gedacht, das die eher "ungleichmäßig" also stochastisch 
verteilt wären - so halt wie nach Bestrahlung von Zellen üblich. Noch 
dazu ist nach Neutronenbeschuss normalerweise das Material noch eine 
Zeit lang radioaktiv (und damit weiterer Veränderung ausgesetzt) durch 
die eingebrachten "extra" Neutronen und muss erst eine Zeit lang 
abklingen. Interessant ist, das man das dotieren dann trotzdem noch so 
genau steuern kann! Aber vielleicht hilft da ja auch der extra 
Temperschritt der bei 700-800°C durchgeführt wird.

Danke Leute für eure Eingaben :)
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