Hallo Leute, ich habe mal eine Frage, die ggf. etwas Offtopic ist, mich aber einfach interessiert. Durch Zufall bin ich auf richtig dicke Dioden gestoßen (sowohl Schottky als auch Standard Rectifier) - also Dioden, die drei.- bis vierstellige Ströme leiten können. Beispielhaft z.B. diese: https://ixapps.ixys.com/DataSheet/MDO600-16N1.pdf, https://www.vishay.com/docs/93535/vs-sd1100cc.pdf oder http://www.smc-diodes.com/propdf/241NQ035-045(R)-1%20N1203%20REV.A.pdf Ich frage mich allerdings, wie diese intern aufgebaut sind. Kann ich mir das vielleicht so ähnlich wie bei "Hex-FETs" vorstellen, wo sich viele gleichartige Halbleiter auf einem Die befinden? Oder ist das wirklich eine riesige monolithische (ist das das richtige Wort Hierfür?) Struktur einer einzelnen Diode? Freu mich schon auf eure erklärenden Antworten :) By the Way: Wäre ja vielleicht mal was für "Richis-Lab", das ich wirklich gespannt verfolge :)
Fragender schrieb: > Oder ist das wirklich eine riesige monolithische einer einzelnen Diode? Was verstehst Du unter "riesig"? Da man inzwischen Wafer mit 18 Zoll herstellt, ist es nichts besonderes, Siliziumscheiben auch für grosse Dioden dort rauszuschneiden.
Fragender schrieb: > wie diese intern aufgebaut sind Größere Strukturen mit all ihren Nachteilen. Du kannst auch einige 'normale' Dioden parallelschalten für den gleichen Effekt. Nichts besonderes bei, nur fetter.
Also es ging mir nicht um die Größe des Wafer, aber Danke - da habe ich mich wohl falsch ausgedrückt. Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel. :)
Das ist 1 Diode (p-n-Schicht), ähnlich wie eine Solarzelle. Die Kühlung erfolgt großflächig über den Anschluß. Meist nur für 50 Hz geeignet.
Fragender schrieb: > Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel. Parallele Dioden macht man nicht so gerne. Obwohl, hier wären sie aus dem selben Fertigungsprozess und damit wäre deren Streuung geringer. Außerdem müssten sie thermisch perfekt gekoppelt sein. Trotzdem hätte man noch eine ungleiche Stromaufteilung, wenn vielleicht auch nur im Bereich 40-60%.
Ungleiche Verteilung hat man schon innerhalb einer größeren Struktur. Aber Du hast natürlich recht mit Deinen Anmerkung. Fragender schrieb: > Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel. Spielt für die Betrachtung erstmal keine Rolle. Das ist von Aussen weder erkennbar noch wichtig. Um die Nachteile großer Dioden zu umgehen, verwendet man dann Synchrongleichrichter mit Fets + Steuer IC. Deine Beispiel sind einfach nur fette Dioden.
M. K. schrieb: > Deine Beispiel sind einfach nur fette Dioden. Richtig Fett sind zB. diese: http://www.pwrx.com/pwrx/docs/rds8__80.pdf
http://www.power-mag.com/pdf/feature_pdf/1222953773_PEE_Issue_8_2007_Power_Diodes-Surge_Current_Capability_of_Fast_Recovery_Diodes.pdf Dort siehst du ein Bild. Ist zwar von einem IGBT, aber die Dioden sind auch sichtbar. Auf einem Die sind 6 Halbleiter (4 IGBTs, die mit dem Gateanschluss in der Ecke des Halbleiters und 2 Dioden) und und in einem HiPak Modul sechs solcher Dies
Durch Bestrahlung des Siliziums mit Neutronen erreichst du eine extrem gleichmäßige Dotierung mit Phosphor. Dadurch ist die Stromdichte im Kristall ebenfalls sehr gleichmäßig https://de.wikipedia.org/wiki/Neutronen-Transmutationsdotierung Habe auch einen 2,5 Kiloampere Thyristor im Format eines Hockey-Puks :-)
Gerald B. schrieb: > Habe auch einen 2,5 Kiloampere Thyristor im Format eines Hockey-Puks :-) Ha, die kenne ich noch von unseren Brennöfen mit eigener Mittelspannungsleitung zum Abspannwerk. Lange her ...
M. K. schrieb: > Ha, die kenne ich noch von unseren Brennöfen mit eigener > Mittelspannungsleitung zum Abspannwerk. Ich vermute mal, da waren nicht solche gemeint: https://images-na.ssl-images-amazon.com/images/I/61j2rQf6BvL._AC_SL1000_.jpg
Harald W. schrieb: > Ich vermute mal, da waren nicht solche gemeint: Nein, eher so das Format eines 20Fuß Containers. 7 Stück davon. Großer Ferritehersteller der sowas jetzt nicht mehr in DE produziert.
Gerald B. schrieb: > Durch Bestrahlung des Siliziums mit Neutronen erreichst du eine extrem > gleichmäßige Dotierung mit Phosphor. Dadurch ist die Stromdichte im > Kristall ebenfalls sehr gleichmäßig Krass! Ich hätte gedacht, das die eher "ungleichmäßig" also stochastisch verteilt wären - so halt wie nach Bestrahlung von Zellen üblich. Noch dazu ist nach Neutronenbeschuss normalerweise das Material noch eine Zeit lang radioaktiv (und damit weiterer Veränderung ausgesetzt) durch die eingebrachten "extra" Neutronen und muss erst eine Zeit lang abklingen. Interessant ist, das man das dotieren dann trotzdem noch so genau steuern kann! Aber vielleicht hilft da ja auch der extra Temperschritt der bei 700-800°C durchgeführt wird. Danke Leute für eure Eingaben :)
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