Halbleiterphysik : "Dicke" Dioden

Fragender schrieb:
> wie diese intern aufgebaut sind

Größere Strukturen mit all ihren Nachteilen.
Du kannst auch einige 'normale' Dioden parallelschalten für den gleichen 
Effekt.
Nichts besonderes bei, nur fetter.

Also es ging mir nicht um die Größe des Wafer, aber Danke - da habe ich 
mich wohl falsch ausgedrückt.

Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel. 
:)

Fragender schrieb:
> Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel.

Parallele Dioden macht man nicht so gerne.
Obwohl, hier wären sie aus dem selben Fertigungsprozess und damit wäre 
deren Streuung geringer. Außerdem müssten sie thermisch perfekt 
gekoppelt sein.
Trotzdem hätte man noch eine ungleiche Stromaufteilung, wenn vielleicht 
auch nur im Bereich 40-60%.

Ungleiche Verteilung hat man schon innerhalb einer größeren Struktur.
Aber Du hast natürlich recht mit Deinen Anmerkung.

Fragender schrieb:
> Mich interessiert es eher, ob es eine "Diode" ist oder viele parallel.
Spielt für die Betrachtung erstmal keine Rolle.
Das ist von Aussen weder erkennbar noch wichtig.

Um die Nachteile großer Dioden zu umgehen, verwendet man dann 
Synchrongleichrichter mit Fets + Steuer IC.
Deine Beispiel sind einfach nur fette Dioden.

http://www.power-mag.com/pdf/feature_pdf/1222953773_PEE_Issue_8_2007_Power_Diodes-Surge_Current_Capability_of_Fast_Recovery_Diodes.pdf

Dort siehst du ein Bild. Ist zwar von einem IGBT, aber die Dioden sind 
auch sichtbar. Auf einem Die sind 6 Halbleiter (4 IGBTs, die mit dem 
Gateanschluss in der Ecke des Halbleiters und 2 Dioden) und und in einem 
HiPak Modul sechs solcher Dies

Gerald B. schrieb:
> Habe auch einen 2,5 Kiloampere Thyristor im Format eines Hockey-Puks :-)

Ha, die kenne ich noch von unseren Brennöfen mit eigener 
Mittelspannungsleitung zum Abspannwerk.
Lange her ...

Harald W. schrieb:
> Ich vermute mal, da waren nicht solche gemeint:

Nein, eher so das Format eines 20Fuß Containers.
7 Stück davon.
Großer Ferritehersteller der sowas jetzt nicht mehr in DE produziert.

Gerald B. schrieb:
> Durch Bestrahlung des Siliziums mit Neutronen erreichst du eine extrem
> gleichmäßige Dotierung mit Phosphor. Dadurch ist die Stromdichte im
> Kristall ebenfalls sehr gleichmäßig

Krass!
Ich hätte gedacht, das die eher "ungleichmäßig" also stochastisch 
verteilt wären - so halt wie nach Bestrahlung von Zellen üblich. Noch 
dazu ist nach Neutronenbeschuss normalerweise das Material noch eine 
Zeit lang radioaktiv (und damit weiterer Veränderung ausgesetzt) durch 
die eingebrachten "extra" Neutronen und muss erst eine Zeit lang 
abklingen. Interessant ist, das man das dotieren dann trotzdem noch so 
genau steuern kann! Aber vielleicht hilft da ja auch der extra 
Temperschritt der bei 700-800°C durchgeführt wird.

Danke Leute für eure Eingaben :)