Hallo, Beim Betrachten im Internet ist mir aufgefallen, dass fast jede Schaltung, die die Verwendung eines N-Kanal-MOSFET anzeigt, die Last vor dem Drain hat und der Source-Pin mit Masse verbunden ist. Soweit ich weiß, ist Folgendes wahr: Vgs ist die Spannungsdifferenz zwischen dem Gate und der Source, die erforderlich ist, um den MOSFET vollständig einzuschalten, wodurch er wie eine Verbindung mit sehr niedriger Impedanz zwischen den Drain- und Source-Pins wirkt. Ich gehe von Folgendem aus: Aus diesem Grund ist es viel einfacher, den Source-Pin zu erden und mindestens Vgs in das Gate einzugeben, um es einzuschalten. Ist das richtig oder gibt es einen anderen Grund, die Quelle an den Boden zu binden?
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Mahmmd D. schrieb: > Ist das richtig oder gibt es einen anderen Grund, die Quelle an den > Boden zu binden? Ein Grund ist u.a. dass die Spannung für die Last viel höher sein kann wie die Steuerspannung, also Vgs. Anders gesagt reicht eine kleine Steuerspannung, z.B. 3,3V, aus um eine Last zu schalten die z.B. 24V benötigt.
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Mahmmd D. schrieb: > Aus diesem Grund ist es viel einfacher, den Source-Pin zu erden und > mindestens Vgs in das Gate einzugeben, um es einzuschalten. > > Ist das richtig Richtig. Wobei es high side driver für NMOSFETs gibt, die kein Problem damit haben, wenn Darin an plus hängt, sie erzeugen einfach eine Spannung von plus+10V für das Gate. Z.B. https://www.daedalus.ei.tum.de/attachments/article/257/IR2110_IR2110S_IR2113_IR2113S.pdf Einfach eine geschickte Schaltung.
Ein N Kanal Mosfet als High side switch (Mosfet in der + Leitung) benötigt eine Gatespannung die größer als die Versorgungspannung der last ist und damit idR auch größer als die versorgungspannung ist. Die Gatespannung zu erzeugen ist natürlich möglich (z.B mit Ladungspumpe oder isoliertem DCDC Wandler) aber aufwändig. Für die, die den Aufwand scheuen, gibt es Halbleiter, die Leistungsmosfet und High side Ansteuerungsschaltung incl. Ladungspumpe und Strommessung schon integriert haben. Z.B. BTS50010-TAE von Infineon VND5027 von ST
Frederic S. schrieb: > Ein N Kanal Mosfet als High side switch (Mosfet in der + Leitung) > benötigt eine Gatespannung die größer als die Versorgungspannung der > last ist und damit idR auch größer als die versorgungspannung ist. Die > Gatespannung zu erzeugen ist natürlich möglich (z.B mit Ladungspumpe > oder isoliertem DCDC Wandler) aber aufwändig. > > Für die, die den Aufwand scheuen, gibt es Halbleiter, die > Leistungsmosfet und High side Ansteuerungsschaltung incl. Ladungspumpe > und Strommessung > schon integriert haben. > Z.B. BTS50010-TAE von Infineon > VND5027 von ST Der ZusatzAufwand zur gate-Ansteuerung besteht aus einer Diode und einem Stützkondensator. Ist also durchaus überschaubar und weit verbreitete Praxis in Brückenschaltungen mit N-PowerMOSFETs.
>Der ZusatzAufwand zur gate-Ansteuerung besteht aus einer Diode und einem >Stützkondensator. Ist also durchaus überschaubar und weit verbreitete >Praxis in Brückenschaltungen mit N-PowerMOSFETs. Wenn nur gelegentlich geschaltet werden soll, wäre das allerdings zu wenig ...
was wäre wenn ich P-Kanal auch einsetzen soll, wo ich auch Source nicht auf fesete Potential Schalten kann.
Ich habe mal gelernt dass die Beweglichkeit von Elektronen im Halbleiter ca. 3 mal so hoch ist wie die von Löchern und desswegen npn-Transistoren und n-Kanal Mosfets bei gleichen Rahmenbedingungen bessere Werte haben, so leichter/billiger/mit besserer Leistungsdichte produziert werden können und dadurch bevorzugt eingesetzt werden, bitte korrigiert mich wenn ich da daneben liege
Mahmmd D. schrieb: > die die Verwendung eines N-Kanal-MOSFET anzeigt, die Last vor > dem Drain hat und der Source-Pin mit Masse verbunden ist. und Mahmmd D. schrieb: > Aus diesem Grund ist es viel einfacher, den Source-Pin zu erden Was ist denn für dich der Unterschied zwischen - Source-Pin erden, und - Source-Pin mit Masse verbinden oder was verstehe ich an deiner Frage nicht?
Mahmmd D. schrieb: > was wäre wenn ich P-Kanal auch einsetzen soll, wo ich auch Source nicht > auf fesete Potential Schalten kann. Wenn ein uC involviert ist würde ich P-Ch empfehlen in OpenDrain Schaltung.
Mahmmd D. schrieb: > Ist das richtig oder gibt es einen anderen Grund, die Quelle an den > Boden zu binden? Ist das eine Google-Übersetzung aus irgendwoher, wo Quelle=Source und Boden=Ground sowie binden=anschließen bedeutet? > Vgs ist die Spannungsdifferenz zwischen dem Gate und der Source, die > erforderlich ist, um den MOSFET vollständig einzuschalten Beim "normalen" N-Kanal Mosfet muss die Gatespannung positiver sein als die Sourcespannung, um den Mosfet durchzuschalten. Mahmmd D. schrieb: > was wäre wenn ich P-Kanal auch einsetzen soll, wo ich auch Source nicht > auf fesete Potential Schalten kann. Beim P-Kanal muss das Gate negativer als die Source sein, um den Mosfet einzuschalten. Das wars im Großen und Ganzen. Ach ja: wenn man Drain und Source vertauscht, dann leitet der Mosfet immer. Denn zwischen Drain und Source ist eine Diode.
Mahmmd D. schrieb: > was wäre wenn ich P-Kanal auch einsetzen soll, wo ich auch Source nicht > auf fesete Potential Schalten kann. Dann nimmt an einen zweiten Transistor dazu, wie in http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf Kapitel 3.4.4 allerdings mit einer Zenerdiode anstelle von R3.
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