Hallo, ich habe ein kleines Problem mit der angehängten NPN-PNP Schaltung. Die Schaltspannung beträgt 5V. Vdd in der Schaltung sind 12V. Wenn die 5V angelegt werden, dann schaltet der PNP schnell durch und die 12V liegen praktisch sofort an (rise time im ns Bereich). Wenn die Schaltspannung aber auf GND gezogen wird, fallen die 12V recht gemächlich auf 0V (fall time >>2us). Beim schnellen Schalten werden 0V nicht mehr erreicht. Ich habe mir jetzt damit beholfen, dass ich an den Ausgang einen Lastwiderstand lege. Dann sieht die fall time schon sehr viel besser aus, aber noch nicht ideal. Wie kann ich die fall time beschleunigen? Vielen Dank, slabbi
Stephan S. schrieb: > ich habe ein kleines Problem mit der angehängten NPN-PNP Schaltung. > Die Schaltspannung beträgt 5V. Vdd in der Schaltung sind 12V. > Wenn die Schaltspannung aber auf GND gezogen wird, fallen die 12V recht > gemächlich auf 0V (fall time >>2us). > > Ich habe mir jetzt damit beholfen, dass ich an den Ausgang einen > Lastwiderstand lege. Dann sieht die fall time schon sehr viel besser > aus, aber noch nicht ideal. Na ja. Wie soll denn der Ausgang ohne Last überhaupt auf 0V kommen? Da muß in jedem Fall eine Last hin. Idealerweise die Last, die du damit schalten willst. Und falls das eine LED sein sollte, dann wird die Spannung auch nicht auf 0 fallen. Muß sie dann aber auch nicht. > Wie kann ich die fall time beschleunigen? Ganz generell: - den Ableitwiderstand zwischen Basis und Emitter möglichst klein machen, das gilt besonders für den pnp, denn dessen Ansteuerung kann die Basis[1] ja gar nicht entladen. Der npn wird ja wohl mit einem 0V/5V Logiksignal angesteuert, da wird bei L die Basis ja über den 1K Vorwiderstand mit entladen. - den Transistoren nur soviel Basisstrom geben, wie nötig. Bei Schaltstufen übersteuert man ja gern mit Faktor 3-10, um auf eine geringe U_ce_sat zu kommen. Der Geschwindigkeit ist das aber nicht dienlich. Und beim npn ist es auch vollkommen egal, ob der auf 1V oder 0.2V U_ce runter kommt. [1] die effektive Basis-Emitterkapazität. Das schließt die Millerkapazität mit ein (die ist typischerweise dominierend)
Ergänzend: Da mit Abschaltung der Transistoren der Ausgang offen ist, hängt die fall time nicht nur von der Transistorschaltung ab, sondern eben auch von der Last, inklusive Leitung und Lastkapazität. Weshalb Logikbausteine, bei denen das Tempo relevant ist, eine Push-Pull-Stufe verwenden, also den Ausgang aktiv runterziehen.
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>Wie kann ich die fall time beschleunigen?
Mach je eine kleine Schottkydiode in Sperrrichtung zw. B und C eines
jeden Transistors. Des hilft, die Sättigung der Transistoren zu
vermeiden, was sicherlich die Ursache der Abschaltverzögerung ist.
Jens G. schrieb: > Mach je eine kleine Schottkydiode in Sperrrichtung zw. B und C eines > jeden Transistors. Des hilft, die Sättigung der Transistoren zu > vermeiden, was sicherlich die Ursache der Abschaltverzögerung ist. Richtig, das ist Ursache für die Verzögerung, nicht aber für die fall time.
Anbei noch einmal ein Bild ohne Lastwiderstand.
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Beitrag #6381517 wurde vom Autor gelöscht.
Und wie sieht das Eingangssignal im Vergleich zum Ausgangssignal aus? Und mach mal die Zeitbasis breiter, damit man auch wirklich was von den Flanken sieht.
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Stephan S. schrieb: > Anbei noch einmal ein Bild ohne Lastwiderstand. Hängt hier ausser dem Scope trotzdem noch irgendwas am Ausgang?
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Stephan S. schrieb: > Wenn die Schaltspannung aber auf GND gezogen wird, fallen die 12V recht > gemächlich auf 0V (fall time >>2us Dein Ausgang wird gar nicht auf 0V gezogen. Der schaltet einfach nur auf hochohmig. Wenn du am Ausgang auf (fast) 0V gezogen werden willst, musst du was hinzubauen, was das tut. Stephan S. schrieb: > einen Lastwiderstand lege. Dann sieht die fall time schon sehr viel > besser aus Ja nun, wird der niederohmig genug, wird beim Einschalten auch ständig Strom verbraucht. Der klassische Weg sind push pull Endstufen, wenn es nicht ganz 12V und 0V sein müssen tut es auch eine Diode.
1 | +12V |
2 | | | |
3 | 4k7 | |
4 | | | |
5 | +-----|< NPN |
6 | | |E |
7 | +--|<|--+-- out |
8 | | |
9 | --1k--|< |
10 | |E |
11 | GND |
Beitrag #6381536 wurde vom Autor gelöscht.
Argh, ich hatte nur das Scope dran hängen und den Chip vergessen, damit ist das erste Bild natürlich unsinnig. :( Idealerweise möchte ich eigentlich die Zustände 12V/0V und hochohmig haben. Die Schaltung ist aber so entworfen, dass ursprünglich nur 12V geschaltet werden können und eben hochohmig, wobei das Problem auftritt, dass beim abschalten der 12V die fall time eben sehr hoch ist, da die angeschlossene Last nicht ausreicht (es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang). Wenn ich das vernünftig haben möchte, muss ich evtl. doch noch einen NPN-Transistor dazu schalten, der den Ausgang auf 0V zieht.
Stephan S. schrieb: > Idealerweise möchte ich eigentlich die Zustände 12V/0V und hochohmig > haben. Stephan S. schrieb: > es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang Mann gehen mir diese Salamischeiben auf den Geist.
CE bei diesem Urvieh (4Kb DRAM) benötigt <=1V low, >=11V high. Obige Push-Pull-Stufe ist also etwas knapp.
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Schreibt er doch: Das Intel 2107 4kbit-DRAM mit 12V/5V/-5V Versorgung und einem sehr speziellen CE-Pin. Der Rest ist TTL. So machte man das anno Altair 8800. "Z" ist ein 7406. http://www.s100computers.com/Hardware%20Manuals/MITS/4K%20Dynamic%20RAM%20Schematic.pdf
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MaWin schrieb: >> es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang > Mann gehen mir diese Salamischeiben auf den Geist. Entschuldigung dafür, ich hatte das nicht als relevant angesehen. Die Beschreibung wäre sehr viel länger geworden und es ging mir nur um die fall time. Ich werde nächstes Mal von vorne herein ausführlicher sein.
A. K. schrieb: > So machte man das anno Altair 8800. "Z" ist ein 7406. > http://www.s100computers.com/Hardware%20Manuals/MITS/4K%20Dynamic%20RAM%20Schematic.pdf Vielen Dank für das Schaltbild. So wie das aussieht, ist es genau das, was ich benötige. Der 2107 ist schon sehr speziell. Ich werde mir das nachher einmal aufbauen und unter dem Scope ansehen.
> Der 2107 ist schon sehr speziell.
Der 1103 ist noch sehr viel spezieller!
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Indel schrieb: >> Der 2107 ist schon sehr speziell. > Der 1103 ist noch sehr viel spezieller! Stimmt, der ist unschlagbar (noch schlimmer als der 1101). btw: Schönes Datenbuch über den 1103: http://www.decadecounter.com/vta/pdf/Intel%20Memory%20Design%20Handbook%20[1973-08].pdf
Stephan S. schrieb: > MaWin schrieb: > >>> es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang >> Mann gehen mir diese Salamischeiben auf den Geist. > > Entschuldigung dafür, ich hatte das nicht als relevant angesehen. Die > Beschreibung wäre sehr viel länger geworden So. Du meinst also, der eine Satz: "es geht um die Erzeugung des CE Signals für einen Intel 2107 DRAM" hätte die Größenbeschränkung für ein Posting gesprengt? Stephan S. schrieb: > Vielen Dank für das Schaltbild. So wie das aussieht, ist es genau das, > was ich benötige. Der 2107 ist schon sehr speziell. Er ist vor allem museumsreif. Mir erschließt sich nicht, warum man eine Ansteuerung für einen 2107 neu entwerfen wollen würde. Man würde evtl. ein historisches Gerät, in dem er verbaut ist, reparieren wollen. Oder (bei entsprechender Veranlagung und unter Beachtung der durch Corona neuerdings verlängerten Freizeit) würde man ein historisches Gerät evtl. nachbauen wollen. Aber in beiden Fällen hätte man schon eine passende Ansteuerschaltung. Entwickelt von Ingenieuren aus der gleichen Zeit.
Beitrag #6382050 wurde von einem Moderator gelöscht.
Stephan S. schrieb: > Indel schrieb: >>> Der 2107 ist schon sehr speziell. >> Der 1103 ist noch sehr viel spezieller! > > Stimmt, der ist unschlagbar (noch schlimmer als der 1101). > > btw: Schönes Datenbuch über den 1103: > http://www.decadecounter.com/vta/pdf/Intel%20Memory%20Design%20Handbook%20[1973-08].pdf Ja danke, ich hab hier das original Valvo-Signetics Databook von 1979(?) und auch schon praktisch (erfolgreich) mit dem 1103 zu tun gehabt.
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