fall time bei NPN-PNP Stufe

Stephan S. schrieb:

> ich habe ein kleines Problem mit der angehängten NPN-PNP Schaltung.
> Die Schaltspannung beträgt 5V. Vdd in der Schaltung sind 12V.

> Wenn die Schaltspannung aber auf GND gezogen wird, fallen die 12V recht
> gemächlich auf 0V (fall time >>2us).
>
> Ich habe mir jetzt damit beholfen, dass ich an den Ausgang einen
> Lastwiderstand lege. Dann sieht die fall time schon sehr viel besser
> aus, aber noch nicht ideal.

Na ja. Wie soll denn der Ausgang ohne Last überhaupt auf 0V kommen? Da 
muß in jedem Fall eine Last hin. Idealerweise die Last, die du damit 
schalten willst. Und falls das eine LED sein sollte, dann wird die 
Spannung auch nicht auf 0 fallen. Muß sie dann aber auch nicht.

> Wie kann ich die fall time beschleunigen?

Ganz generell:

- den Ableitwiderstand zwischen Basis und Emitter möglichst klein 
machen, das gilt besonders für den pnp, denn dessen Ansteuerung kann die 
Basis[1] ja gar nicht entladen. Der npn wird ja wohl mit einem 0V/5V 
Logiksignal angesteuert, da wird bei L die Basis ja über den 1K 
Vorwiderstand mit entladen.

- den Transistoren nur soviel Basisstrom geben, wie nötig. Bei 
Schaltstufen übersteuert man ja gern mit Faktor 3-10, um auf eine 
geringe U_ce_sat zu kommen. Der Geschwindigkeit ist das aber nicht 
dienlich. Und beim npn ist es auch vollkommen egal, ob der auf 1V oder 
0.2V U_ce runter kommt.


[1] die effektive Basis-Emitterkapazität. Das schließt die 
Millerkapazität mit ein (die ist typischerweise dominierend)

Ergänzend: Da mit Abschaltung der Transistoren der Ausgang offen ist, 
hängt die fall time nicht nur von der Transistorschaltung ab, sondern 
eben auch von der Last, inklusive Leitung und Lastkapazität. Weshalb 
Logikbausteine, bei denen das Tempo relevant ist, eine Push-Pull-Stufe 
verwenden, also den Ausgang aktiv runterziehen.

>Wie kann ich die fall time beschleunigen?

Mach je eine kleine Schottkydiode in Sperrrichtung zw. B und C eines 
jeden Transistors. Des hilft, die Sättigung der Transistoren zu 
vermeiden, was sicherlich die Ursache der Abschaltverzögerung ist.

Anbei noch einmal ein Bild ohne Lastwiderstand.

Anbei noch einmal ein Bild ohne Lastwiderstand.

und noch einmal ein Bild mit Lastwiderstand.

Und wie sieht das Eingangssignal im Vergleich zum Ausgangssignal aus?
Und mach mal die Zeitbasis breiter, damit man auch wirklich was von den 
Flanken sieht.

Stephan S. schrieb:
> Anbei noch einmal ein Bild ohne Lastwiderstand.

Hängt hier ausser dem Scope trotzdem noch irgendwas am Ausgang?

Argh, ich hatte nur das Scope dran hängen und den Chip vergessen, damit 
ist das erste Bild natürlich unsinnig. :(

Idealerweise möchte ich eigentlich die Zustände 12V/0V und hochohmig 
haben. Die Schaltung ist aber so entworfen, dass ursprünglich nur 12V 
geschaltet werden können und eben hochohmig, wobei das Problem auftritt, 
dass beim abschalten der 12V die fall time eben sehr hoch ist, da die 
angeschlossene Last nicht ausreicht (es ist ein Intel 2107 mit seinem CE 
Eingang).

Wenn ich das vernünftig haben möchte, muss ich evtl. doch noch einen 
NPN-Transistor dazu schalten, der den Ausgang auf 0V zieht.

CE bei diesem Urvieh (4Kb DRAM) benötigt <=1V low, >=11V high. Obige 
Push-Pull-Stufe ist also etwas knapp.

was möchtest du den schalten?

Schreibt er doch: Das Intel 2107 4kbit-DRAM mit 12V/5V/-5V Versorgung 
und einem sehr speziellen CE-Pin. Der Rest ist TTL.

So machte man das anno Altair 8800. "Z" ist ein 7406.
http://www.s100computers.com/Hardware%20Manuals/MITS/4K%20Dynamic%20RAM%20Schematic.pdf

MaWin schrieb:

>> es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang
> Mann gehen mir diese Salamischeiben auf den Geist.

Entschuldigung dafür, ich hatte das nicht als relevant angesehen. Die 
Beschreibung wäre sehr viel länger geworden und es ging mir nur um die 
fall time. Ich werde nächstes Mal von vorne herein ausführlicher sein.

A. K. schrieb:
> So machte man das anno Altair 8800. "Z" ist ein 7406.
> 
http://www.s100computers.com/Hardware%20Manuals/MITS/4K%20Dynamic%20RAM%20Schematic.pdf

Vielen Dank für das Schaltbild. So wie das aussieht, ist es genau das, 
was ich benötige. Der 2107 ist schon sehr speziell. Ich werde mir das 
nachher einmal aufbauen und unter dem Scope ansehen.

Indel schrieb:
>> Der 2107 ist schon sehr speziell.
> Der 1103 ist noch sehr viel spezieller!

Stimmt, der ist unschlagbar (noch schlimmer als der 1101).

btw: Schönes Datenbuch über den 1103:
http://www.decadecounter.com/vta/pdf/Intel%20Memory%20Design%20Handbook%20[1973-08].pdf

Stephan S. schrieb:
> MaWin schrieb:
>
>>> es ist ein Intel 2107 mit seinem CE Eingang
>> Mann gehen mir diese Salamischeiben auf den Geist.
>
> Entschuldigung dafür, ich hatte das nicht als relevant angesehen. Die
> Beschreibung wäre sehr viel länger geworden

So. Du meinst also, der eine Satz: "es geht um die Erzeugung des CE 
Signals für einen Intel 2107 DRAM" hätte die Größenbeschränkung für ein 
Posting gesprengt?


Stephan S. schrieb:
> Vielen Dank für das Schaltbild. So wie das aussieht, ist es genau das,
> was ich benötige. Der 2107 ist schon sehr speziell.

Er ist vor allem museumsreif. Mir erschließt sich nicht, warum man eine 
Ansteuerung für einen 2107 neu entwerfen wollen würde. Man würde evtl. 
ein historisches Gerät, in dem er verbaut ist, reparieren wollen.

Oder (bei entsprechender Veranlagung und unter Beachtung der durch 
Corona neuerdings verlängerten Freizeit) würde man ein historisches 
Gerät evtl. nachbauen wollen.

Aber in beiden Fällen hätte man schon eine passende Ansteuerschaltung. 
Entwickelt von Ingenieuren aus der gleichen Zeit.