Hallo, ich habe eine Schaltung für folgende Eigenschaften gezeichnet: - Ansteuerung mit 3.3V PushPull-Signal eines µC - Treiben zweier Relais 12V (ca 500mA) - Freilaufdiode - Kurzschlusschutz Die BAV70 kann 4,5A non repetitive current. Der FDN hat bei 2.5V einen RDSon von 0.1 Ohm. Als PTC-Sicherung hätte ich eine rückstellende Sicherung mit 750mA und 16V genutzt. Passt das soweit? Danke
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Keine Ahnung seit wann man zwei Relaisspulen nicht mehr Parallel schalten kann. anm. hab versucht mich so deutlich auszudrücken wie du.
I FRM 450mA. Sehr eng für ein 500er Relais. Ich würde sogar soweit gehen und nur den normalen Strom der Diode ansetzen, nicht den getricksten. Nimm 2 4001er. Bei 12V Kurzschluss wir der FDN m.E. eher die Reißleine ziehen als die PTCs...
Jens M. schrieb: > Ich würde sogar soweit gehen und nur den normalen Strom der Diode > ansetzen, nicht den getricksten. Je nach Datenblatt kann die BAV70 aber sogar 1,0A für 1 Sekunde und dann muss ausreichend Zeit gegeben werden fürs Abkühlen: https://www.onsemi.com/pub/Collateral/BAV74-D.pdf Man braucht für die Freilaufdiode aber auch keine Ultraschnelle, weil es da nicht auf die Sperrverzugszeit ankommt. Aber auch ich würd da einfach pro Seite die Dioden parallel schalten und käme auf 400mA Dauerstrom wie z.B. dort im DB unter der Note 7: https://www.mouser.de/datasheet/2/115/ds30042-60730.pdf > Bei 12V Kurzschluss wir der FDN m.E. eher die Reißleine ziehen als die > PTCs... Denke ich auch: so ein winziger Silizium-Die gegenüber so viel Sintermaterial. Da hat beim I²t auf jeden Fall der Mosfet verloren. Danach ziehen aber die PTC die Reißleine... ;-)
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Lothar M. schrieb: > Je nach Datenblatt kann die BAV70 aber sogar 1,0A für 1 Sekunde und dann > muss ausreichend Zeit gegeben werden fürs Abkühlen: Ich hatte "non-repetitive" immer als "einmal darf man das, öfter klappt normalerweise nicht" interpretiert. Gilt das immer wieder, wenn man von "ausreichend lange auf Raumtemperatur abgekühlt" ausgeht? Dann hab ich wohl immer größer ausgelegt als es müsste...
Jens M. schrieb: > Ich hatte "non-repetitive" immer als "einmal darf man das, öfter klappt > normalerweise nicht" interpretiert. Ja nun, nachdem der Wert in den Absolute Maximum Ratings steht, bewegt man sich im Grunde schon auf unsicherem Gebiet und man tut idR. gut daran, noch gut Luft zu lassen... ;-) Aber solche Stromspitzen hat man ja mit so ziemlich jeder Diode, hinter der ein Kondensator sitzt: wenn man z.B. eine Verpolschutzdiode hat und einen "leeren" Verbraucher an ein eingeschaltetes Netzteil steckt, dann hat man da ratzfatz ganz ansehnliche Umladeströme. Und wenn das nur 1x ginge, wäre das ungünstig. > Gilt das immer wieder, wenn man von "ausreichend lange auf > Raumtemperatur abgekühlt" ausgeht? Bis zu einer gewissen Grenze schon. Und irgendwann kommen dann die thermischen Hotspots, die verhindern, dass ich ohne Schaden 1kA für 1ps auf die Diode loslassen kann. In manchen Datenblättern ist sogar ein Tastverhältnis für diese Wiederholdauer und der Pulsdauer samt Stromstärke angegeben. Das ist dann natürlich Luxus.
Ich würde die Polyfuse in die Batterieleitung legen, denn im Schadensfall hat man schnell mal die Kabel mit irgendeiner Masse kurzgeschlossen und dann würden sie (so wie du sie platziert hast) gar nicht nützen.
Jedes Mal, wenn ich Batterien und Dioden im Versorgungszweig sehe, muss ich die Stirn runzeln. Irgendwann bekomme ich wohl Fältchen und Du unnötig 'ne leere Batterie.
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Sebastian S. schrieb: > Jedes Mal, wenn ich Batterien und Dioden im Versorgungszweig sehe, muss > ich die Stirn runzeln. Naja, die Diode sind ja nicht im Versorgungszweig. Es sind die Freilaufdioden. Die Last, zwei Relais, sitzen an Out1 und Out2 gegen +Batt.
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Danke schon mal vielmals für eure hilfreichen Beiträge. Ich habe das Relais nochmals vermessen und es hat einen 35 Qhm Spule. Damit fließen dann etwa 350 mA. Ich werde dann 2 Diode parallel schalten. Lothar M. schrieb: >> Bei 12V Kurzschluss wir der FDN m.E. eher die Reißleine ziehen als die >> PTCs... > Denke ich auch: so ein winziger Silizium-Die gegenüber so viel > Sintermaterial. Da hat beim I²t auf jeden Fall der Mosfet verloren. > Danach ziehen aber die PTC die Reißleine... ;-) Ich habe das Datenblatt zur Polyfuse angehängt und den Mosfet zu einem IRLML6346TRPbF geändert. Bei max pulsed drain current von 17 A, sollte die Sicherung doch ausreichend schnell auslösen. Selbst der FDN lag danach noch im grünen Bereich.
Dennis schrieb: > Ich habe das Relais nochmals vermessen und es hat einen 35 Qhm Spule. > Damit fließen dann etwa 350 mA. Bei 12V? Dann ist das aber schon ein ganz schön dicker Brummer. > Ich werde dann 2 Diode parallel schalten. Das ist unzweckmäßig. Nimm eine 1N400x, die reicht auf jeden Fall. > Ich habe das Datenblatt zur Polyfuse angehängt und den Mosfet zu einem > IRLML6346TRPbF geändert. Bei max pulsed drain current von 17 A, sollte > die Sicherung doch ausreichend schnell auslösen. Schneller als der FET? Glaub ich nicht.
Wie würde man denn allgemein eine Polyfuse einsetzen? Oder macht es eher keinen Sinn in Kombination mit einem Mosfet? Harald W. schrieb: >> Ich habe das Relais nochmals vermessen und es hat einen 35 Qhm Spule. >> Damit fließen dann etwa 350 mA. > > Bei 12V? Dann ist das aber schon ein ganz schön dicker Brummer. Ich meinte hier eine Ventilspule. Ich weiß gar nicht, warum ich dauernd Relais sage.
Jens M. schrieb: > Bei 12V Kurzschluss wir der FDN m.E. eher die Reißleine ziehen als die > PTCs... So ein MOSFET tendiert dann allerdings zu Dauerdurchlass. Ein PTC hält in solch einem Fall den Strom auf ungefährlichem Niveau.
Dennis schrieb: > Ich habe das Datenblatt zur Polyfuse angehängt Die dort markierte Sicherung hat laut https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/C400/POLYSWITCH-SMD_ENG_TDS.pdf aber nur einen Haltestrom (also der Strom, wo die Sicherung sicher noch nicht auslöst) von 0,2A. Das wird aber schon spannend mit den 350mA. Du solltest bei der Polyfuse auch auf das Derating bei höheren Temperaturen achten. Bei 60° Leiterplattentemperatur hat die z.B. gerade noch einen Haltestrom von 0,13A. Und der Itrip wird da dann in ähnlichem Maß niedriger. Man sollte solche Schaltungen also immer auch im Klimaschrank braten. > Bei max pulsed drain current von 17 A, sollte die Sicherung doch > ausreichend schnell auslösen. Sollte, hätte, wäre, könnte... ;-) Wenn das Relais einen Kurzschluss hat, dann werden da dank des Rmin der Polyfuse bei voll durchgeschaltetem Mosfet und hinreichend leistungsfähigem Netzteil um die 20A fließen. Der Mosfet ist damit von vornherein überlastet. Wenn der Strom nun durch glückliche Umstände z.B. nur 10A ist, dann hält der das gerade mal für 10ms aus. Bis dahin kratzt sich die Polyfuse nicht mal den Bart. Egal wie es kommt: die Polyfuse wird (z.B. auch bei ungünstiger Gate-Ansteuerung) den Mosfet nicht schützen können, denn das thermische Volumen (schon erwähnt: I²t) der Polyfuse bis zur Reaktion ist viel größer als das des Transistors bis zum Durchlegieren. Die Polyfuse schützt nur den Rest der Schaltung vor dem Abbrand. Das ist dann auch der eigentliche Einsatzzweck von Sicherungen.
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Lothar M. schrieb: > die Polyfuse wird (z.B. auch bei ungünstiger > Gate-Ansteuerung) den Mosfet nicht schützen können ... > Die Polyfuse > schützt nur den Rest der Schaltung vor dem Abbrand. Das ist > dann auch der eigentliche Einsatzzweck von Sicherungen. Ganz recht. Das würde ich hier genauso sehen. Wenn irgendein Dödel da einen Kurzschluß reinbaut, dann springt der MOSFET über die Wupper. Aber die Polyfuse verhindert zumindest, daß das Netzteil hinterher springt. Man kann diese Schaltung nicht unkaputtbar auslegen. Nicht mit einem MOSFET im SOT-23 Gehäuse. Die (Auto)Industrie hat aber extra für sowas die SmartSwitches a'la ProFET erfunden. Gibt es auch L-Side. 3.3V kompatibel vermutlich auch.
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