Hallo, Zum gleichen Artikel wie in der vorherigen Frage (extra ein neues Thema damit das nicht durcheinander gerät, da zwei leicht andere Probleme) ist mir bei dem folgenden Beispiel eventuell ein kleiner Fehler aufgefallen: https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand#Beispiel_Transistor_BC547B_.28von_NXP.29_mit_max._40_mA_Last Speziell dieser Punkt: >Etwa 0,78 V fallen an der BE-Strecke ab (Datenblatt des BC547B, aus Kennlinie geschätzt) Das Datenblatt von BC547B NXP (der Link im Artikel geht nicht): https://www.mouser.com/datasheet/2/302/BC847_BC547_SER-254771.pdf Da es das Modell B ist, nehme ich den Graphen auf Seite 8, Fig. 6 bzw. Fig. 8. Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV. Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen? Dann würde sich eher 850mV ergeben.
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>Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen? >Dann würde sich eher 850mV ergeben. Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht, wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin) Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel, und ist auserdem stark temperaturabhängig, herstellerabhängig und exemplarabhängig. Auserdem designed man seine Schaltung so, daß diese von Ube- und hbe-Streuungen und anderen ähnlich streuenden Parameter weitgehend unabhängig ist.
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Peter T. schrieb: > ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV. So oft ich da gemessen habe, waren es immer ca. 0,6 Volt.
Jens G. schrieb: > Auserdem designed man seine Schaltung so, daß diese von Ube- und > hbe-Streuungen und anderen ähnlich streuenden Parameter weitgehend > unabhängig ist. Der Artikel versucht das ja, in dem er "konservativ" schätzt. Dann mach doch mal einen Vorschlag wie man es richtig macht, anstatt eine klare Frage abzuwerten und nur zu raten. Entweder ist der Lehrartikel unklar oder fehlerhaft. Die Antwort hilft hier wenig. >Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht, Wann ist es denn der Fall? Es geht schließlich um Sättigung, der andere Graph wohl eher für den linearen Fall. Da es ums Schalten, nicht Verstärken geht, ist das eine sinnvolle Annahme.
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In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht. Wozu braucht man das? Vielleicht ein Halbleiter-Physiker. Aber der fragt hier nicht.
Und wozu ist die Quengelei gut? Erst mal eigenes Köpfchen einschalten!!! Um wieviel ändert sich der errechnete Rb, wenn man 0,7 V, statt 0,78 V U_BE annimmt? Versuch doch mal zu VERSTEHEN (!) und dich an guten Beispielen zu ORIENTIEREN und daran ein wenig zu experimentieren, statt sklavisch nachzuahmen. Damals beim Laufen- und Fahrradfahren-Lernen hast du das doch auch gekonnt! (Ja - und man verheizt auch mal ein, oder zwei Transistoren - das nennt man Lehrgeld...)
Jonnie schrieb: > Und wozu ist die Quengelei gut? > Erst mal eigenes Köpfchen einschalten!!! Rat an dich zurück. Lesen und Frage verstehen. > Versuch doch mal zu VERSTEHEN (!) und dich an guten Beispielen > zu ORIENTIEREN und daran ein wenig zu experimentieren, statt > sklavisch nachzuahmen. Genau das tue ich, aber dafür musst du auch die Frage verstehen. Was du vorschlägst ist genau das Gegenteil. Es geht um THEORETISCH korrekt, nicht irgendwie erraten/probiert/nachgeahmt. Konkrete Werte messen bringt nichts, wenn der Schaltkreis möglichst unabhängig von diesen konkreten Werten sein soll, und mit anderen Transistoren funktionieren soll (trotz Varianz der Werte). Und es geht darum Datenblätter richtig zu interpretieren. > Damals beim Laufen- und Fahrradfahren-Lernen hast du das doch > auch gekonnt! > (Ja - und man verheizt auch mal ein, oder zwei Transistoren > - das nennt man Lehrgeld...) Ja genau, weil man so die Mechanik und Physik versteht. Nicht... Schreib doch einfach nicht wenn du es nicht verstehst. Ernsthaft.
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michael_ schrieb: > In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht. > Wozu braucht man das? Also, wenn ich einen Emitterverstärker mit RE-Gegenkopplung dimensioniere und mir sinnvollerweise den Emitterstrom (und damit das Emitterpotential Ue vorgebe), dann macht es schon Sinn, bei der Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. Alles andere wäre .....unsinnig?
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Jens G. schrieb: > Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht, > wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin) > Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu > wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel,... Also, um physikalisch genau zu sein - das ist schon das eigentliche Ziel (und damit eben kein "Quatsch"), denn der Transistor ändert auch in diesem Betriebszustand nicht seine grundlegenden Eigenschaften (spannungsgesteuert). Allerdings, wie erwähnt, gibt es bei Ube große Unsicherheiten, Streuungen, Temperatur-Abhängigkeiten, welche dazu führen, dass wir uns mit einem großen Verhältnis Ic/Ib "auf die sichere" Seite begeben und also gar nicht mehr wissen müssen, wie groß Ube nun ist bzw. sein sollte. Und deshalb ist es auch "wurscht", ob wir bei der Berechnung des Basis-Vorwiderstandes mit Ube=0.75 oder 0.8 rechnen. (So wie es im Verstärkerbetrieb mit RE-Gegenkopplung auch keine wesentliche Rolle spielt, ob wir mit 0,65 oder 0,7V rechnen). Das Verhältnis Ic/Ib ist jetzt natürlich nicht mehr das, was wir unter "Stromverstärkung" verstehen, denn die drastische Abnahme dieses Verhältnisses resultiert daraus, dass die K-B-Diode zunehmend geöffnet wird und ein großer Teil des Basisstroms gar nicht mehr den "normalen" Weg zum Emitter nimmt.
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Peter T. schrieb: > Wann ist es denn der Fall? Es geht schließlich um Sättigung
@ Peter T. Naja. Alles furchtbar kompliziert. Hi hi. Deswegen gibt es auch verschieden tiefe Erklärungen. :-) Der von Dir verlinkte Artikel ist eine "Beschreibung" der praktischen Berechnung und soll (anscheinend) auch gar nicht viel mehr als das sein. Siehe dazu weiter unten. Die "Erklärung" beschränkt sich darauf, dass sich aus dem Ziel, den Transistor möglichst voll durchzusteuern (zu "öffnen") von den "schlechtesten" Bedingungen ausgegangen wird; und das ist die niedrigste Stromverstärkung bei dem "ungünstigeren" (hohen) Kollektorstrom. In der Praxis des Bastlers, - und mehr hat man mir über diesen Aspekt des Schaltbetriebes des Transistors in meiner Facharbeiter-Ausbildung auch nicht erzählt -, reicht das hin, um funktionierende Schalter, im Kleinleistungsbereich, bei "relativ" niedrigen Frequenzen, zu dimensionieren. In der Theorie ist das alles wesentlich verzwickter. Da ist zum einen die eminente Bedeutung der Tatsache, dass bei einem Transistor (und nicht nur da) wortwörtlich "Alles von Allem" abhängt. Z.B., dass gilt nicht nur, dass der Kollektorstrom vom Basisstrom abhängt, - das allein wäre durch eine konstante Stromverstärkung erklärt -, sondern auch , dass die Stromverstärkung selbst, vom Basisstrom abhängt. Die Stromverstärkung hängt aber auch von dem Kollektorstrom unabhängig vom Basisstrom ab. Die Stromverstärkung hängt also von (mindestens) zwei Faktoren ab. Es gilt die zusätzliche Sichtweise, der selben Tatsache, dass diese beiden Faktoren (Basisstrom und Kollektorstrom) sich, wegen der durch sie bewirkten Änderung der Stromverstärkung, gegenseitig beeinflussen. Kurz nochmal: 1. Alle Faktoren beeinflussen sich gegenseitig. 2. Diese Einflüsse könne auf verschiedene Weise betrachet werden. Diese Zusammenhänge bilden, wenn man Ursache-Wirkungsketten aufstellt, einen bzw. mehrere Kreise (sprich: Rückkopplungen). Manche davon wirken ihrer Ursache entgegen, andere verstärken die Wirkung der Ursache. Das ist wirklich verdammt verwickelt. ;-} Ich will jetzt hier nicht in die konkrete Transistor-Theorie einsteigen. Offen gesagt, müsste ich dazu auch erstmal Einiges selbst nochmal lesen und das Nachvollziehen wiederholen. Ich begnüge mich in der Regel auch mit den "Bastler-Regeln", weil ich sie für hinreichend genau halte. Die Antworten hier, die darauf verweisen, dass der reale Unterschied zu einer "perfekten" Berechnung zu vernachlässigen ist, sind, trotz der Lakonie und der burschikosen Ausdrucksweise, dennoch relevant. Aber das musst Du Dir mal selbst ausklämüsern. Deswegen gibt es für die zwei Fälle, den Schaltbetrieb und den linearen Betrieb bestimmte Vorgehensweisen, die theoretische begründet, _an einer bestimmten Stelle_ der eben erwähnten Ursache-Wirkungs-Kreise beginnen und an einer bestimmten Stelle anhalten (weil man sonst nie zum Ende kommt). OK. Genug von Abstraktem. Ich hoffe aber Du kannst daraus Nutzen ziehen. --- Ich stimme Dir zu, dass zwei Punkte in dem Artikel wert sind hinterfragt zu werden. 1. Der Satz über den möglichen Strom, den der AVR liefert, halte ich für unglücklich formuliert. Denn er hat eine Lesart, die bedeutet, dass er maximal 2 mA liefern kann. Das stimmt so nicht. Z.B. kann der ATMega169 bei 4,5 V ca. 20 mA liefern. (Siehe Datenblatt eines AVRs). Der Autor hat diese Lesart aber vermutlich nicht beabsichtigt. 2. Die Wahl von 20 als Stromverstärkung ohne genaue Angabe der Stelle im Datenblatt scheint mir wegen der fehlenden Angabe problematisch. Weiter halte ich sie für problematisch, falls sie auf der Figur 7 beruht. Denn das dort angegebene Verhältnis von Ic zu Ib ist der oben erwähnten Tatsache geschuldet, dass sich alles gegenseitg beeinflusst und man also bestimmte Werte bei der Messung fixiert. Viel wird Dir das im Moment für die Praxis noch nicht sagen. Dazu noch weiter unten ein Hinweis. --- Dein Einwand in Deinem Eröffnungspost, man müsse, oder könne doch wenigsten, Figur 8 anstelle von Figur 6 benutzen, ist aus dem selben Grund, nämlich der gegenseitigen Abhängigkeiten, problematisch. Der Unterschied zwischen den Figuren ist, dass bei der Messung für die beiden Figuren unterschiedliche Parameter (nämlich F.6: Vce und F.8: Ic/Ib) fixiert wurden. Und zwar bei Werten die, nach den Unterschieden bei der Ablesung von Ubesat zu folgen, nicht vergleichbar sind. --- Hier nun ein Hinweis, wie Du Dich der Theorie auf praktische Weise nähern kannst. Ich habe mal im Internet nach "Messung von Transistorparametern" gesucht. In alten Transistordatenbüchern aus den 80er Jahren wirst Du dazu auch noch konkrete Schaltungen finden (siehe archive.org). Aber hier ist ein Link, wo das konkret erklärt wird: https://www.elektroniktutor.de/bauteilkunde/transkl.html Man findet bestimmt noch mehr dazu. Vielleicht willst Du Dich damit mal beschäftigen. Ich weiß gerade nicht wie genau die üblichen Spice-Modelle sind. Das könntest Du aber mal probieren. Echte Messungen (ACHTUNG: Auf die Temperatur achten!) wären natürlich noch besser. Viel Erfolg und Freude beim Forschen.
Lutz V. (lvw) schrieb: >michael_ schrieb: >> In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht. >> Wozu braucht man das? >Also, wenn ich einen Emitterverstärker mit RE-Gegenkopplung >dimensioniere und mir sinnvollerweise den Emitterstrom (und damit das >Emitterpotential Ue vorgebe), dann macht es schon Sinn, bei der >Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu >erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. Alles andere >wäre .....unsinnig? Das macht nur Sinn, wenn man eine knappe Betriebsspannung hat. Dann sollte man sich aber auch Gedanken machen über ihren Temperaturgang, wenn man schon die Ube auf 1/100V genau bemessen will. Bei 12V oder sowas ist die genaue Ube eher uninteressant. >Jens G. schrieb: >> Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht, >> wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin) >> Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu >> wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel,... >Also, um physikalisch genau zu sein - das ist schon das eigentliche Ziel >(und damit eben kein "Quatsch"), denn der Transistor ändert auch in Was - das Erreichen einer bestimmten Ube ist das Ziel? Was ist denn das für eine Strategie? >Allerdings, wie erwähnt, gibt es bei Ube große Unsicherheiten, >Streuungen, Temperatur-Abhängigkeiten, welche dazu führen, dass wir uns >mit einem großen Verhältnis Ic/Ib "auf die sichere" Seite begeben und >also gar nicht mehr wissen müssen, wie groß Ube nun ist bzw. sein >sollte. >Und deshalb ist es auch "wurscht", ob wir bei der Berechnung des >Basis-Vorwiderstandes mit Ube=0.75 oder 0.8 rechnen. >(So wie es im Verstärkerbetrieb mit RE-Gegenkopplung auch keine >wesentliche Rolle spielt, ob wir mit 0,65 oder 0,7V rechnen). Na endlich hat er's ...
Lutz V. schrieb: > dann macht es schon Sinn, bei der > Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu > erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. Bei Si-Transis brauchst du das nicht mehr. Auch die Temperaturabhängigkeit kann man vernachlässigen. Bei Ge-Transis haben wir es damals berechnet. Da gelten sowieso andere Werte. Praktisch gebraucht habe ich das nie.
Du handelst Dich an belanglosen Details entlang. So wirst Du niemals zur Quelle der Erkenntnis vorstoßen.
Nochmal. Du hangelst Dich an belanglosen Details entlang. So wirst du niemals zur Quelle der Erkenntnis vorstoßen.
Das ist ein typisches Symptom für Kleinkinder im Vorschulalter.
michael_ schrieb: > Lutz V. schrieb: >> dann macht es schon Sinn, bei der >> Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu >> erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. > > Bei Si-Transis brauchst du das nicht mehr. Auch die > Temperaturabhängigkeit kann man vernachlässigen. > Bei Ge-Transis haben wir es damals berechnet. > Da gelten sowieso andere Werte. > Praktisch gebraucht habe ich das nie. Was meinst Du denn mit "brauchst Du das nicht mehr"...?? Das ist doch keine technische Aussage...sag doch mal konkret, wie Du vorgehst...Ube=0 Volt? Temperaturabhängigkeit "vernachlässigen"? Und wozu dann ein Emitterwiderstand?
letallec (Gast) >Peter T. schrieb: >> Und es geht darum Datenblätter richtig zu interpretieren. >Du hast keine Ahnung. Tolle Erkenntnis. Deswegen ist er ja hier in der Rolle des TO. >Das ist ein typisches Symptom für Kleinkinder im Vorschulalter. Du meinst Dein Geschwafel?
Jens G. schrieb: > Na endlich hat er's ... Ich will mal nicht auf den eigentlichen technischen Inhalt eingehen (Jens G. sollte m.E. etwas mehr auf den Unterschied zwischen Physik und Laborpraxis achten),aber etwas allgemeines endlich loswerden. Ich bin seit Jahren auch in drei internationalen (englischsprachigen) Elektronik-Foren aktiv - und ich muss sagen: Dort herrscht ein anderer Ton als hier, und man hat deutlich mehr Respekt vor den Beiträgen der anderen - auch wenn sie falsch sein sollten. Man ist einfach hölich im Umgang mit den anderen. Auch einen "schnoddrigen" Ton kann ich durchaus mal akzeptieren, aber hier ist es oft so (ich lese ja auch mal Beiträge, bei denen ich nichts zu sagen habe), dass man sich "von oben herab" lustig macht über vermeintlich falsche oder nicht ganz zum Thema passende Beiträge. Meine Erfahrung: Wer meint, durch solche forschen Formulierungen (wie oben zitiert) seine (scheinbare?) Überlegenheit demonstrieren zu müssen, beweist oft eigentlich etwas ganz anderes.... (Ich lese gerade im letzten Beitrag: "Du hast keine Ahnung"...", "Kleinkinder", ...Geschwafel".......ja, so etwas meine ich!)
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Lutz V. (lvw) >Was meinst Du denn mit "brauchst Du das nicht mehr"...?? >Das ist doch keine technische Aussage...sag doch mal konkret, wie Du >vorgehst...Ube=0 Volt? Im Schaltbetrieb wird der T sowieso deutlich übersteuert (das mehrfache dessen, was eigentlich notwendig wäre). Wenn Du über einen Basisvorwiderstand ein Schaltsignal von 5V anlegst, und legst ein Ic/Ib=20 fest, während der T eine Verstärkung von 100 hat, dann isses doch reichlich egal, ob Du bei der Berechnung mit oder ohne Ube einen Fehler von 10% oder gar 20% reinbekommst. Dann haste eben ein Verhältnis von 24, oder 16, was vollkommen wurscht ist, und was sowieo mit der Temperatur schwankt. >Temperaturabhängigkeit "vernachlässigen"? So legt man eben eine Schaltung aus, damit die nicht mehr stört. Z.B. mit oben erwähnter reichlicher Überstzeuerung im Schaltbetrieb. Oder mit Gegenkopplung bei analogen Schaltungen. >Und wozu dann ein Emitterwiderstand? Das ist die gerade erwähnte Gegenkopplung ...
Ach ja, evtl. habe ich anfangs wirklich an der eigentlichen Frage vorbei geantwortet, denn dem TO ging es wohl nur um die Bestätigung, ob der Artikelschreiber nicht hätte in Figure 8 schauen müssen (auch wenn das in der Praxis eher wurscht wäre). Es geht also nur um eine prinzipielle Frage zum Datenblatt-Interpretieren: >Da es das Modell B ist, nehme ich den Graphen auf Seite 8, Fig. 6 bzw. >Fig. 8. >Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich >ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV. >Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen? >Dann würde sich eher 850mV ergeben. Antwort: ja, hätte er. denn Figure 6 stellt den Linearbetrieb dar (erkennbar an der dort definierten Uce=5V), während Figure 8 für den Schaltbetrieb gedacht ist (erkennbar an den definierten Ic/Ib=10, was klare Übersteuerung bedeutet). Aber das sind nur Beispielkurven, noch dazu mit "typischen" Werten, und die Praxis kann dann ganz anders aussehen.
Jens G. schrieb: > Wenn Du über einen Basisvorwiderstand ein Schaltsignal von 5V anlegst, > und legst ein Ic/Ib=20 fest, während der T eine Verstärkung von 100 hat, > dann isses doch reichlich egal, ob Du bei der Berechnung mit oder ohne > Ube einen Fehler von 10% oder gar 20% reinbekommst. Dann haste eben ein > Verhältnis von 24, oder 16, was vollkommen wurscht ist, und was sowieo > mit der Temperatur schwankt. Ja, genau DAS ist es, was ich meinte, wenn ich schrieb, dass man bei einer solchen Diskussion zwischen physikalischer Realität und Laborpraxis unterscheiden sollte. Wenn Du mal vom "eigentlichen" Ziel sprachst, dann ist dieses "eigentliche Ziel" für mich ein durchgeschalteter Transistor mit möglichst wenig Restspannung. Und dazu braucht man (als eigentliches Ziel) eine entsprechende Basis-Emitter-Spannung, deren Wert man aber nicht genau kennen kann, da die zusätzlich geöffnete B-K-Diode zu einer sehr steilen Kenlinie am Eingang führt. Und jetzt kommt die Laborpraxis: Da man das Schalten oft mit 5V auslösen will, realisiert man einen Spannungsteilung zwischen einem Vorwiderstand RB und dem Basis-Eingangswiderstand (den man aber nicht genau kennt). Und das ist zum Glück auch kein Problem....wegen der steilen Kennlinie rechnet man eben mit den geschätzten 780 oder 800 mV (meinetwegen auch mit mehr oder weniger) und dimensioniert RB für den angenommenen Strom (mit Sicherheitsfaktor). Jetzt hab ich also mal versucht, den Zusammenhang zwischen Theirie und Laborpraxis zu erläutern....nicht ganz unwichtig für denjenigen, der Schaltungen entwerfen will und nicht nur fertige Faustformeln nutzen will.
Lutz V. schrieb: > rechnet man eben mit den geschätzten 780 oder 800 mV (meinetwegen auch > mit mehr oder weniger) und dimensioniert RB für den angenommenen Strom > (mit Sicherheitsfaktor). und deswegen lernt man in der Praxis mit vorsichtigen niedrigen ß zu rechnen und den Ib mit 5-10x so groß als Rechengröße für den benötigten Basiswiderstand zu nutzen. Uce sat min mit Ib ~ 5x bis 10x Ic/hfe wo soll hier ein Problem sein?
Peter T. schrieb: > Entweder ist der Lehrartikel unklar oder fehlerhaft. Die Antwort hilft > hier wenig. Peter T. schrieb: > Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich > ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV. Also mal anders: Ein BJT ist stromgesteuert. Was schert dich da U_BE? Die ändert sich sowieso mit der Temperatur. Oder willst du immer daneben stehen und anhand einer Thermometeranzeige die Schaltung umbauen?
Gruss zum Wochenende. Zwischen Theorie und Praxis gibt es dann noch die Spice Simulationen. In analogen Anwendungen (z.B.)sind die Transistoren, anhand des Simulationsmodells, alle ideal gematcht, und das entspricht nicht dem real Vorhandenem. Mein Respekt für Profis die anhand gemessener Parameter dies zu Dateien zur Simulation umsetzen können. Im Internet sind die erhältlichen Simulationsdateien manchmal sogar etwas reduziert. Dirk St
Wolfgang schrieb: > Ein BJT ist stromgesteuert. Was schert dich da U_BE? > Die ändert sich sowieso mit der Temperatur. Oder willst du immer daneben > stehen und anhand einer Thermometeranzeige die Schaltung umbauen? Wenn man so "forsch" formuliert, muss man sich schon ganz sicher fühlen....? Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst, wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist - und man sich sehr wohl um U_BE "scheren" sollte. Jedenfalls dann, wenn man eine Schaltung und ihre Funktion verstehen möchte... Es stimmt auch nicht, dass sich U_BE automatisch ändert mit der Temperatur...wenn Du die Definition genau liest, heißt es: TK=d(U_BE)/dT=-2mV/K (für Ic=const). In Worten: Ic steigt mit der Temperatur, weil Ic,o in der Spannungs-Steuerfunktion Ic=Ic,o*[exp(U_BE/Ut)-1] extrem temperatur-empfindlich ist. Diese exponentielle Formel für die Spannungssteuerung findet man in den meisten Lehrbüchern zur Transistortechnik! Deshalb sagt der Temp-Koeffizient TK, dass man U_BE um 2mV extern reduzieren muss, damit Ic wieder auf den vorherigen Wert zurückgeführt wird (Ic=const).
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Lutz V. schrieb: > Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst, > wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und > Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist - und man > sich sehr wohl um U_BE "scheren" sollte. Jetzt sag nur, das hfe sich auf U_BE bezieht. Natürlich hast du über die Eingangskennlinie eine Beziehung zwischen I_B und U_BE.
Lutz V. schrieb: > Es stimmt auch nicht, dass sich U_BE automatisch ändert mit der > Temperatur...wenn Du die Definition genau liest, heißt es: > TK=d(U_BE)/dT=-2mV/K (für Ic=const). > > In Worten: Ic steigt mit der Temperatur, weil Ic,o in der Komischerweise gilt das aber auch für die Uf einer Diode, und die hat gar keinen Ic. > Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst, > wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und > Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist Ja?
Wolfgang schrieb: > Jetzt sag nur, das hfe sich auf U_BE bezieht. > Natürlich hast du über die Eingangskennlinie eine Beziehung zwischen I_B > und U_BE. Wenn man sich die Verstärkungsformel anschaut - und sie interpretiert - wird man feststellen, dass die Spannungs-Verstärkung nur von den Schaltwiderständen und der STEILHEIT gm=Ic/Ut abhängt. Und diese Steilheit ist die Steigung der Spannungs-Steuerkennlinie. Zwei Transistoren mit hfe=100 bzw. hfe=200 erzeugen deshalb bei gleichem Arbeitspunkt auch die gleiche Spannungs-Verstärkung. Unterschiedliche B- bzw, hfe-Werte betreffen nur den Eingangswiderstand der Schaltung (da die leider nicht vermeidbaren Eingangsströme unterschiedlich sind). Viele für den Praktiker geschriebene Bücher reden nur von Stromsteuerung (Ic=B*Ib)- und bei der Auslegung vieler einfacherer Schaltungen kann man ja auch durchaus so tun als ob....aber schon bei der Einfügung eines Emitterwiderstandes (zur Gegenkopplung) macht man Gebrauch von der physikalisch richtigen Spannungssteuerung (vielleicht, ohne sich darüber im Klaren zu sein). Ganz klar wird das beim einfachen Stromspiegel, dessen Funktion man nun mit Ic=B*Ib überhaupt nicht erklären kann.
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