Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Basiswiderstand-Artikel, eventuell Fehler im Beispiel


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von Peter T. (bjtnpn)


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Hallo,

Zum gleichen Artikel wie in der vorherigen Frage (extra ein neues Thema 
damit das nicht durcheinander gerät, da zwei leicht andere Probleme) ist 
mir bei dem folgenden Beispiel eventuell ein kleiner Fehler aufgefallen:

https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand#Beispiel_Transistor_BC547B_.28von_NXP.29_mit_max._40_mA_Last

Speziell dieser Punkt:
>Etwa 0,78 V fallen an der BE-Strecke ab (Datenblatt des BC547B, aus Kennlinie 
geschätzt)

Das Datenblatt von BC547B NXP (der Link im Artikel geht nicht):
https://www.mouser.com/datasheet/2/302/BC847_BC547_SER-254771.pdf

Da es das Modell B ist, nehme ich den Graphen auf Seite 8, Fig. 6 bzw. 
Fig. 8.

Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich 
ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV.

Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen?
Dann würde sich eher 850mV ergeben.

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von Jens G. (jensig)


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>Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen?
>Dann würde sich eher 850mV ergeben.

Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht, 
wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin)
Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu 
wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel, und ist auserdem stark 
temperaturabhängig, herstellerabhängig und exemplarabhängig.
Auserdem designed man seine Schaltung so, daß diese von Ube- und 
hbe-Streuungen und anderen ähnlich streuenden Parameter weitgehend 
unabhängig ist.

: Bearbeitet durch User
von Sven S. (schrecklicher_sven)


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Peter T. schrieb:
> ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV.

So oft ich da gemessen habe, waren es immer ca. 0,6 Volt.

von Peter T. (bjtnpn)


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Jens G. schrieb:
> Auserdem designed man seine Schaltung so, daß diese von Ube- und
> hbe-Streuungen und anderen ähnlich streuenden Parameter weitgehend
> unabhängig ist.
Der Artikel versucht das ja, in dem er "konservativ" schätzt.

Dann mach doch mal einen Vorschlag wie man es richtig macht, anstatt 
eine klare Frage abzuwerten und nur zu raten.

Entweder ist der Lehrartikel unklar oder fehlerhaft. Die Antwort hilft 
hier wenig.

>Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht,
Wann ist es denn der Fall? Es geht schließlich um Sättigung, der andere 
Graph wohl eher für den linearen Fall. Da es ums Schalten, nicht 
Verstärken geht, ist das eine sinnvolle Annahme.

: Bearbeitet durch User
von michael_ (Gast)


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In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht.
Wozu braucht man das?
Vielleicht ein Halbleiter-Physiker. Aber der fragt hier nicht.

von Jonnie (Gast)


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Und wozu ist die Quengelei gut?
Erst mal eigenes Köpfchen einschalten!!!

Um wieviel ändert sich der errechnete Rb, wenn man 0,7 V,
statt 0,78 V U_BE annimmt?

Versuch doch mal zu VERSTEHEN (!) und dich an guten Beispielen
zu ORIENTIEREN und daran ein wenig zu experimentieren, statt
sklavisch nachzuahmen.
Damals beim Laufen- und Fahrradfahren-Lernen hast du das doch
auch gekonnt!

(Ja - und man verheizt auch mal ein, oder zwei Transistoren
- das nennt man Lehrgeld...)

von Peter T. (bjtnpn)


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Jonnie schrieb:
> Und wozu ist die Quengelei gut?
> Erst mal eigenes Köpfchen einschalten!!!
Rat an dich zurück. Lesen und Frage verstehen.

> Versuch doch mal zu VERSTEHEN (!) und dich an guten Beispielen
> zu ORIENTIEREN und daran ein wenig zu experimentieren, statt
> sklavisch nachzuahmen.
Genau das tue ich, aber dafür musst du auch die Frage verstehen.
Was du vorschlägst ist genau das Gegenteil.
Es geht um THEORETISCH korrekt, nicht irgendwie 
erraten/probiert/nachgeahmt.
Konkrete Werte messen bringt nichts, wenn der Schaltkreis möglichst 
unabhängig von diesen konkreten Werten sein soll, und mit anderen 
Transistoren funktionieren soll (trotz Varianz der Werte).
Und es geht darum Datenblätter richtig zu interpretieren.

> Damals beim Laufen- und Fahrradfahren-Lernen hast du das doch
> auch gekonnt!
> (Ja - und man verheizt auch mal ein, oder zwei Transistoren
> - das nennt man Lehrgeld...)
Ja genau, weil man so die Mechanik und Physik versteht. Nicht...

Schreib doch einfach nicht wenn du es nicht verstehst. Ernsthaft.

: Bearbeitet durch User
von Lutz V. (lvw)


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michael_ schrieb:
> In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht.
> Wozu braucht man das?

Also, wenn ich einen Emitterverstärker mit RE-Gegenkopplung 
dimensioniere und mir sinnvollerweise den Emitterstrom (und damit das 
Emitterpotential Ue vorgebe), dann macht es schon Sinn, bei der 
Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu 
erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. Alles andere 
wäre .....unsinnig?

: Bearbeitet durch User
von Lutz V. (lvw)


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Jens G. schrieb:
> Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht,
> wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin)
> Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu
> wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel,...

Also, um physikalisch genau zu sein - das ist schon das eigentliche Ziel 
(und damit eben kein "Quatsch"), denn der Transistor ändert auch in 
diesem Betriebszustand nicht seine grundlegenden Eigenschaften 
(spannungsgesteuert).
Allerdings, wie erwähnt, gibt es bei Ube große Unsicherheiten, 
Streuungen, Temperatur-Abhängigkeiten, welche dazu führen, dass wir uns 
mit einem großen Verhältnis Ic/Ib "auf die sichere" Seite begeben und 
also gar nicht mehr wissen müssen, wie groß Ube nun ist bzw. sein 
sollte.
Und deshalb ist es auch "wurscht", ob wir bei der Berechnung des 
Basis-Vorwiderstandes mit Ube=0.75 oder 0.8 rechnen.
(So wie es im Verstärkerbetrieb mit RE-Gegenkopplung auch keine 
wesentliche Rolle spielt, ob wir mit 0,65 oder 0,7V rechnen).
Das Verhältnis Ic/Ib ist jetzt natürlich nicht mehr das, was wir unter 
"Stromverstärkung" verstehen, denn die drastische Abnahme dieses 
Verhältnisses resultiert daraus, dass die K-B-Diode zunehmend geöffnet 
wird und ein großer Teil des Basisstroms gar nicht mehr den "normalen" 
Weg zum Emitter nimmt.

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von Georg M. (g_m)


Angehängte Dateien:

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Peter T. schrieb:
> Wann ist es denn der Fall? Es geht schließlich um Sättigung

von Theor (Gast)


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@ Peter T.

Naja. Alles furchtbar kompliziert. Hi hi. Deswegen gibt es auch 
verschieden tiefe Erklärungen. :-)

Der von Dir verlinkte Artikel ist eine "Beschreibung" der praktischen 
Berechnung und soll (anscheinend) auch gar nicht viel mehr als das sein. 
Siehe dazu weiter unten.

Die "Erklärung" beschränkt sich darauf, dass sich aus dem Ziel, den 
Transistor möglichst voll durchzusteuern (zu "öffnen") von den 
"schlechtesten" Bedingungen ausgegangen wird; und das ist die niedrigste 
Stromverstärkung bei dem "ungünstigeren" (hohen) Kollektorstrom.

In der Praxis des Bastlers, - und mehr hat man mir über diesen Aspekt 
des  Schaltbetriebes des Transistors in meiner Facharbeiter-Ausbildung 
auch nicht erzählt -, reicht das hin, um funktionierende Schalter, im 
Kleinleistungsbereich, bei "relativ" niedrigen Frequenzen, zu 
dimensionieren.

In der Theorie ist das alles wesentlich verzwickter.

Da ist zum einen die eminente Bedeutung der Tatsache, dass bei einem 
Transistor (und nicht nur da) wortwörtlich "Alles von Allem" abhängt.
Z.B., dass gilt nicht nur, dass der Kollektorstrom vom Basisstrom 
abhängt, - das allein wäre durch eine konstante Stromverstärkung erklärt 
-, sondern auch , dass die Stromverstärkung selbst, vom Basisstrom 
abhängt. Die Stromverstärkung hängt aber auch von dem Kollektorstrom 
unabhängig vom Basisstrom ab.
Die Stromverstärkung hängt also von (mindestens) zwei Faktoren ab.

Es gilt die zusätzliche Sichtweise, der selben Tatsache, dass diese 
beiden Faktoren (Basisstrom und Kollektorstrom) sich, wegen der durch 
sie bewirkten Änderung der Stromverstärkung, gegenseitig beeinflussen.

Kurz nochmal: 1. Alle Faktoren beeinflussen sich gegenseitig. 2. Diese 
Einflüsse könne auf verschiedene Weise betrachet werden.

Diese Zusammenhänge bilden, wenn man Ursache-Wirkungsketten aufstellt, 
einen bzw. mehrere Kreise (sprich: Rückkopplungen). Manche davon wirken 
ihrer Ursache entgegen, andere verstärken die Wirkung der Ursache.

Das ist wirklich verdammt verwickelt. ;-}

Ich will jetzt hier nicht in die konkrete Transistor-Theorie einsteigen. 
Offen gesagt, müsste ich dazu auch erstmal Einiges selbst nochmal lesen 
und das Nachvollziehen wiederholen. Ich begnüge mich in der Regel auch 
mit den "Bastler-Regeln", weil ich sie für hinreichend genau halte.

Die Antworten hier, die darauf verweisen, dass der reale Unterschied zu 
einer "perfekten" Berechnung zu vernachlässigen ist, sind, trotz der 
Lakonie und der burschikosen Ausdrucksweise, dennoch relevant. Aber das 
musst Du Dir mal selbst ausklämüsern.

Deswegen gibt es für die zwei Fälle, den Schaltbetrieb und den linearen 
Betrieb bestimmte Vorgehensweisen, die theoretische begründet, _an einer 
bestimmten Stelle_ der eben erwähnten Ursache-Wirkungs-Kreise beginnen 
und an einer bestimmten Stelle anhalten (weil man sonst nie zum Ende 
kommt).

OK. Genug von Abstraktem. Ich hoffe aber Du kannst daraus Nutzen ziehen.

---
Ich stimme Dir zu, dass zwei Punkte in dem Artikel wert sind hinterfragt 
zu werden.

1. Der Satz über den möglichen Strom, den der AVR liefert, halte ich für 
unglücklich formuliert. Denn er hat eine Lesart, die bedeutet, dass er 
maximal 2 mA liefern kann. Das stimmt so nicht. Z.B. kann der ATMega169 
bei 4,5 V ca. 20 mA liefern. (Siehe Datenblatt eines AVRs). Der Autor 
hat diese Lesart aber vermutlich nicht beabsichtigt.

2. Die Wahl von 20 als Stromverstärkung ohne genaue Angabe der Stelle im 
Datenblatt scheint mir wegen der fehlenden Angabe problematisch. Weiter 
halte ich sie für problematisch, falls sie auf der Figur 7 beruht. Denn 
das dort angegebene Verhältnis von Ic zu Ib ist der oben erwähnten 
Tatsache geschuldet, dass sich alles gegenseitg beeinflusst und man also 
bestimmte Werte bei der Messung fixiert.

Viel wird Dir das im Moment für die Praxis noch nicht sagen. Dazu noch 
weiter unten ein Hinweis.

---

Dein Einwand in Deinem Eröffnungspost, man müsse, oder könne doch 
wenigsten, Figur 8 anstelle von Figur 6 benutzen, ist aus dem selben 
Grund, nämlich der gegenseitigen Abhängigkeiten, problematisch.
Der Unterschied zwischen den Figuren ist, dass bei der Messung für die 
beiden Figuren unterschiedliche Parameter (nämlich F.6: Vce und F.8: 
Ic/Ib) fixiert wurden. Und zwar bei Werten die, nach den Unterschieden 
bei der Ablesung von Ubesat zu folgen, nicht vergleichbar sind.

---

Hier nun ein Hinweis, wie Du Dich der Theorie auf praktische Weise 
nähern kannst.

Ich habe mal im Internet nach "Messung von Transistorparametern" 
gesucht. In alten Transistordatenbüchern aus den 80er Jahren wirst Du 
dazu auch noch konkrete Schaltungen finden (siehe archive.org).

Aber hier ist ein Link, wo das konkret erklärt wird: 
https://www.elektroniktutor.de/bauteilkunde/transkl.html
Man findet bestimmt noch mehr dazu.

Vielleicht willst Du Dich damit mal beschäftigen.
Ich weiß gerade nicht wie genau die üblichen Spice-Modelle sind. Das 
könntest Du aber mal probieren.
Echte Messungen (ACHTUNG: Auf die Temperatur achten!) wären natürlich 
noch besser.


Viel Erfolg und Freude beim Forschen.

von Jens G. (jensig)


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Lutz V. (lvw) schrieb:

>michael_ schrieb:
>> In den letzten 60 Jahren habe ich Ube nie gebraucht.
>> Wozu braucht man das?

>Also, wenn ich einen Emitterverstärker mit RE-Gegenkopplung
>dimensioniere und mir sinnvollerweise den Emitterstrom (und damit das
>Emitterpotential Ue vorgebe), dann macht es schon Sinn, bei der
>Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu
>erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen. Alles andere
>wäre .....unsinnig?

Das macht nur Sinn, wenn man eine knappe Betriebsspannung hat. Dann 
sollte man sich aber auch Gedanken machen über ihren Temperaturgang, 
wenn man schon die Ube auf 1/100V genau bemessen will.
Bei 12V oder sowas ist die genaue Ube eher uninteressant.


>Jens G. schrieb:
>> Das gilt nur für Ic/Ib=10. Ist das bei Dir der Fall? Vermutlich nicht,
>> wenn ich das verlinkte Beispiel so sehe (da ist was von 20 drin)
>> Ansonsten ist es sowieso Quatsch, eine bestimmte Ube erreichen zu
>> wollen, denn das ist ja nie das eigentliche Ziel,...

>Also, um physikalisch genau zu sein - das ist schon das eigentliche Ziel
>(und damit eben kein "Quatsch"), denn der Transistor ändert auch in

Was - das Erreichen einer bestimmten Ube ist das Ziel? Was ist denn das 
für eine Strategie?

>Allerdings, wie erwähnt, gibt es bei Ube große Unsicherheiten,
>Streuungen, Temperatur-Abhängigkeiten, welche dazu führen, dass wir uns
>mit einem großen Verhältnis Ic/Ib "auf die sichere" Seite begeben und
>also gar nicht mehr wissen müssen, wie groß Ube nun ist bzw. sein
>sollte.
>Und deshalb ist es auch "wurscht", ob wir bei der Berechnung des
>Basis-Vorwiderstandes mit Ube=0.75 oder 0.8 rechnen.
>(So wie es im Verstärkerbetrieb mit RE-Gegenkopplung auch keine
>wesentliche Rolle spielt, ob wir mit 0,65 oder 0,7V rechnen).

Na endlich hat er's ...

von michael_ (Gast)


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Lutz V. schrieb:
> dann macht es schon Sinn, bei der
> Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu
> erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen.

Bei Si-Transis brauchst du das nicht mehr. Auch die 
Temperaturabhängigkeit kann man vernachlässigen.
Bei Ge-Transis haben wir es damals berechnet.
Da gelten sowieso andere Werte.
Praktisch gebraucht habe ich das nie.

von letallec (Gast)


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Peter T. schrieb:
> Und es geht darum Datenblätter richtig zu interpretieren.

Du hast keine Ahnung.

von letallec (Gast)


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Du handelst Dich an belanglosen Details entlang. So wirst Du niemals zur 
Quelle der Erkenntnis vorstoßen.

von letallec (Gast)


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Nochmal.
Du hangelst Dich an belanglosen Details entlang. So wirst du niemals 
zur Quelle der Erkenntnis vorstoßen.

von letallec (Gast)


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Das ist ein typisches Symptom für Kleinkinder im Vorschulalter.

von Lutz V. (lvw)


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michael_ schrieb:
> Lutz V. schrieb:
>> dann macht es schon Sinn, bei der
>> Berechnung der Basisversorgung einen halbwegs korrekten Wert für das zu
>> erzeugende Basispotential (zB 0,7 V über Ue) anzunehmen.
>
> Bei Si-Transis brauchst du das nicht mehr. Auch die
> Temperaturabhängigkeit kann man vernachlässigen.
> Bei Ge-Transis haben wir es damals berechnet.
> Da gelten sowieso andere Werte.
> Praktisch gebraucht habe ich das nie.

Was meinst Du denn mit "brauchst Du das nicht mehr"...??
Das ist doch keine technische Aussage...sag doch mal konkret, wie Du 
vorgehst...Ube=0 Volt?
Temperaturabhängigkeit "vernachlässigen"?
Und wozu dann ein Emitterwiderstand?

von Jens G. (jensig)


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letallec (Gast)

>Peter T. schrieb:
>> Und es geht darum Datenblätter richtig zu interpretieren.

>Du hast keine Ahnung.

Tolle Erkenntnis. Deswegen ist er ja hier in der Rolle des TO.

>Das ist ein typisches Symptom für Kleinkinder im Vorschulalter.

Du meinst Dein Geschwafel?

von Lutz V. (lvw)


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Jens G. schrieb:
> Na endlich hat er's ...

Ich will mal nicht auf den eigentlichen technischen Inhalt eingehen 
(Jens G. sollte m.E. etwas mehr auf den Unterschied zwischen Physik und 
Laborpraxis achten),aber etwas allgemeines endlich loswerden.
Ich bin seit Jahren auch in drei internationalen (englischsprachigen) 
Elektronik-Foren aktiv - und ich muss sagen: Dort herrscht ein anderer 
Ton als hier, und man hat deutlich mehr Respekt vor den Beiträgen der 
anderen  - auch wenn sie falsch sein sollten. Man ist einfach hölich im 
Umgang mit den anderen.

Auch einen "schnoddrigen" Ton kann ich durchaus mal akzeptieren, aber 
hier ist es oft so (ich lese ja auch mal Beiträge, bei denen ich nichts 
zu sagen habe), dass man sich "von oben herab" lustig macht über 
vermeintlich falsche oder nicht ganz zum Thema passende Beiträge.

Meine Erfahrung: Wer meint, durch solche forschen Formulierungen (wie 
oben zitiert) seine (scheinbare?) Überlegenheit demonstrieren zu müssen, 
beweist oft eigentlich etwas ganz anderes....

(Ich lese gerade im letzten Beitrag: "Du hast keine Ahnung"...", 
"Kleinkinder", ...Geschwafel".......ja, so etwas meine ich!)

: Bearbeitet durch User
von Jens G. (jensig)


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Lutz V. (lvw)

>Was meinst Du denn mit "brauchst Du das nicht mehr"...??
>Das ist doch keine technische Aussage...sag doch mal konkret, wie Du
>vorgehst...Ube=0 Volt?

Im Schaltbetrieb wird der T sowieso deutlich übersteuert (das mehrfache 
dessen, was eigentlich notwendig wäre).
Wenn Du über einen Basisvorwiderstand ein Schaltsignal von 5V anlegst, 
und legst ein Ic/Ib=20 fest, während der T eine Verstärkung von 100 hat, 
dann isses doch reichlich egal, ob Du bei der Berechnung mit oder ohne 
Ube einen Fehler von 10% oder gar 20% reinbekommst. Dann haste eben ein 
Verhältnis von 24, oder 16, was vollkommen wurscht ist, und was sowieo 
mit der Temperatur schwankt.

>Temperaturabhängigkeit "vernachlässigen"?

So legt man eben eine Schaltung aus, damit die nicht mehr stört. Z.B. 
mit oben erwähnter reichlicher Überstzeuerung im Schaltbetrieb.
Oder mit Gegenkopplung bei analogen Schaltungen.

>Und wozu dann ein Emitterwiderstand?

Das ist die gerade erwähnte Gegenkopplung ...

von Jens G. (jensig)


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Ach ja, evtl. habe ich anfangs wirklich an der eigentlichen Frage vorbei 
geantwortet, denn dem TO ging es wohl nur um die Bestätigung, ob der 
Artikelschreiber nicht hätte in Figure 8 schauen müssen (auch wenn das 
in der Praxis eher wurscht wäre). Es geht also nur um eine prinzipielle 
Frage zum Datenblatt-Interpretieren:

>Da es das Modell B ist, nehme ich den Graphen auf Seite 8, Fig. 6 bzw.
>Fig. 8.

>Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich
>ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV.

>Aber wäre es nicht sinnvoller den Graphen für Vbe(sat) zu nehmen?
>Dann würde sich eher 850mV ergeben.

Antwort: ja, hätte er. denn Figure 6 stellt den Linearbetrieb dar 
(erkennbar an der dort definierten Uce=5V), während Figure 8 für den 
Schaltbetrieb gedacht ist (erkennbar an den definierten Ic/Ib=10, was 
klare Übersteuerung bedeutet).
Aber das sind nur Beispielkurven, noch dazu mit "typischen" Werten, und 
die Praxis kann dann ganz anders aussehen.

von Lutz V. (lvw)


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Jens G. schrieb:
> Wenn Du über einen Basisvorwiderstand ein Schaltsignal von 5V anlegst,
> und legst ein Ic/Ib=20 fest, während der T eine Verstärkung von 100 hat,
> dann isses doch reichlich egal, ob Du bei der Berechnung mit oder ohne
> Ube einen Fehler von 10% oder gar 20% reinbekommst. Dann haste eben ein
> Verhältnis von 24, oder 16, was vollkommen wurscht ist, und was sowieo
> mit der Temperatur schwankt.

Ja, genau DAS ist es, was ich meinte, wenn ich schrieb, dass man bei 
einer solchen Diskussion zwischen physikalischer Realität und 
Laborpraxis unterscheiden sollte.
Wenn Du mal vom "eigentlichen" Ziel sprachst, dann ist dieses 
"eigentliche Ziel" für mich ein durchgeschalteter Transistor mit 
möglichst wenig Restspannung.
Und dazu braucht man (als eigentliches Ziel) eine entsprechende 
Basis-Emitter-Spannung, deren Wert man aber nicht genau kennen kann, da 
die zusätzlich geöffnete B-K-Diode zu einer sehr steilen Kenlinie am 
Eingang führt.
Und jetzt kommt die Laborpraxis: Da man das Schalten oft mit 5V auslösen 
will, realisiert man einen Spannungsteilung zwischen einem Vorwiderstand 
RB und dem Basis-Eingangswiderstand (den man aber nicht genau kennt). 
Und das ist zum Glück auch kein Problem....wegen der steilen Kennlinie 
rechnet man eben mit den geschätzten 780 oder 800 mV (meinetwegen auch 
mit mehr oder weniger) und dimensioniert RB für den angenommenen Strom 
(mit Sicherheitsfaktor).
Jetzt hab ich also mal versucht, den Zusammenhang zwischen Theirie und 
Laborpraxis zu erläutern....nicht ganz unwichtig für denjenigen, der 
Schaltungen entwerfen will und nicht nur fertige Faustformeln nutzen 
will.

von Joachim B. (jar)


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Lutz V. schrieb:
> rechnet man eben mit den geschätzten 780 oder 800 mV (meinetwegen auch
> mit mehr oder weniger) und dimensioniert RB für den angenommenen Strom
> (mit Sicherheitsfaktor).

und deswegen lernt man in der Praxis mit vorsichtigen niedrigen ß zu 
rechnen und den Ib mit 5-10x so groß als Rechengröße für den benötigten 
Basiswiderstand zu nutzen.

Uce sat min mit Ib ~ 5x bis 10x Ic/hfe
wo soll hier ein Problem sein?

von batman (Gast)


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850mV UBE bei 2mA IBE? Passt das?

von Wolfgang (Gast)


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Peter T. schrieb:
> Entweder ist der Lehrartikel unklar oder fehlerhaft. Die Antwort hilft
> hier wenig.

Peter T. schrieb:
> Wählt man x = 40mA in Fig. 6 (und Kurve 2 mit Tamb=25°C) ergibt sich
> ungefähr der Wert der im Artikel geschätzt wurde y = Vbe = 780mV.

Also mal anders:
Ein BJT ist stromgesteuert. Was schert dich da U_BE?
Die ändert sich sowieso mit der Temperatur. Oder willst du immer daneben 
stehen und anhand einer Thermometeranzeige die Schaltung umbauen?

von dirk (Gast)


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Gruss
 zum Wochenende.

Zwischen Theorie und Praxis gibt es dann noch die Spice Simulationen.
In analogen Anwendungen (z.B.)sind die
Transistoren, anhand des Simulationsmodells, alle ideal gematcht, und 
das entspricht nicht dem real Vorhandenem.
Mein Respekt für Profis die anhand gemessener Parameter
dies zu Dateien zur Simulation
umsetzen können.
Im Internet sind die erhältlichen
Simulationsdateien manchmal sogar etwas reduziert.

Dirk St

von Lutz V. (lvw)


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Wolfgang schrieb:
> Ein BJT ist stromgesteuert. Was schert dich da U_BE?
> Die ändert sich sowieso mit der Temperatur. Oder willst du immer daneben
> stehen und anhand einer Thermometeranzeige die Schaltung umbauen?

Wenn man so "forsch" formuliert, muss man sich schon ganz sicher 
fühlen....?
Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst, 
wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und 
Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist - und man 
sich sehr wohl um U_BE "scheren" sollte. Jedenfalls dann, wenn man eine 
Schaltung und ihre Funktion verstehen möchte...
Es stimmt auch nicht, dass sich U_BE automatisch ändert mit der 
Temperatur...wenn Du die Definition genau liest, heißt es: 
TK=d(U_BE)/dT=-2mV/K (für Ic=const).

In Worten: Ic steigt mit der Temperatur, weil Ic,o in der 
Spannungs-Steuerfunktion Ic=Ic,o*[exp(U_BE/Ut)-1] extrem 
temperatur-empfindlich ist.

Diese exponentielle Formel für die Spannungssteuerung findet man in den 
meisten Lehrbüchern zur Transistortechnik!
Deshalb sagt der Temp-Koeffizient TK, dass man U_BE um 2mV extern 
reduzieren muss, damit Ic wieder auf den vorherigen Wert zurückgeführt 
wird (Ic=const).

: Bearbeitet durch User
von Wolfgang (Gast)


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Lutz V. schrieb:
> Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst,
> wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und
> Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist - und man
> sich sehr wohl um U_BE "scheren" sollte.

Jetzt sag nur, das hfe sich auf U_BE bezieht.
Natürlich hast du über die Eingangskennlinie eine Beziehung zwischen I_B 
und U_BE.

von batman (Gast)


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Lutz V. schrieb:
> Es stimmt auch nicht, dass sich U_BE automatisch ändert mit der
> Temperatur...wenn Du die Definition genau liest, heißt es:
> TK=d(U_BE)/dT=-2mV/K (für Ic=const).
>
> In Worten: Ic steigt mit der Temperatur, weil Ic,o in der

Komischerweise gilt das aber auch für die Uf einer Diode, und die hat 
gar keinen Ic.

> Wenn Du Dich wirklich für die (physikalische) Realität interessierst,
> wirst Du bei Konsultation zuverlässiger (guter) Bücher genug Beweise und
> Erklärungen dafür finden, dass der BJT spannungsgesteuert ist

Ja?

von Lutz V. (lvw)


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Wolfgang schrieb:
> Jetzt sag nur, das hfe sich auf U_BE bezieht.
> Natürlich hast du über die Eingangskennlinie eine Beziehung zwischen I_B
> und U_BE.

Wenn man sich die Verstärkungsformel anschaut - und sie interpretiert - 
wird man feststellen, dass die Spannungs-Verstärkung nur von den 
Schaltwiderständen und der STEILHEIT gm=Ic/Ut abhängt. Und diese 
Steilheit ist die Steigung der Spannungs-Steuerkennlinie.
Zwei Transistoren mit hfe=100 bzw. hfe=200 erzeugen deshalb bei gleichem 
Arbeitspunkt auch die gleiche Spannungs-Verstärkung.
Unterschiedliche B- bzw, hfe-Werte betreffen nur den Eingangswiderstand 
der Schaltung (da die leider nicht vermeidbaren Eingangsströme 
unterschiedlich sind).

Viele für den Praktiker geschriebene Bücher reden nur von Stromsteuerung 
(Ic=B*Ib)- und bei der Auslegung vieler einfacherer Schaltungen kann man 
ja auch durchaus so tun als ob....aber schon bei der Einfügung eines 
Emitterwiderstandes (zur Gegenkopplung) macht man Gebrauch von der 
physikalisch richtigen Spannungssteuerung (vielleicht, ohne sich darüber 
im Klaren zu sein). Ganz klar wird das beim einfachen Stromspiegel, 
dessen Funktion man nun mit Ic=B*Ib überhaupt nicht erklären kann.

: Bearbeitet durch User

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