Hallo zusammen, ich habe eine ganz kurze Verständnisfrage. Es geht um diesen p-Channel MOSFET: https://datasheet.lcsc.com/szlcsc/Anpec-Elec-APM4953KC-TRG_C20897.pdf Das ist ein Dual-Channel MOSFET. Die im Datenblatt angegebenen Werte, beziehen die sich auf das gesamte Bauteil oder auf einen der MOSFETs? Also maximal 4,9A pro Channel oder insgesamt? Und wenn es pro Channel ist, dann könnte ich das Gate von beiden mit dem gleichen Signal ansteuern und kann somit 9,8A bewegen? Danke! Tracer
Tracer schrieb: > Es geht um diesen p-Channel MOSFET: > https://datasheet.lcsc.com/szlcsc/Anpec-Elec-APM4953KC-TRG_C20897.pdf > > Die im Datenblatt angegebenen Werte, beziehen die sich auf das gesamte > Bauteil oder auf einen der MOSFETs? Die 4.9A gelten für einen MOSFET [1]. Allerdings bei unrealistischen Anforderungen an die Kühlung. T_a = 25°C kriegst du bei einem SO-8 Gehäuse nicht hin. Außerdem beruht das auf typischen Werten für R_ds_on. Die garantierten Werte sind schlechter. > Und wenn es pro Channel ist, dann könnte ich das Gate von beiden mit dem > gleichen Signal ansteuern und kann somit 9,8A bewegen? Unter Beachtung der vorgenannten Einschränkungen: ja. [1] einfach mal die Verlustleistung für den minimal erreichbaren R_ds_on (53mΩ @ 10V U_gs) ausrechnen und mit der maximalen Verlustleistung vergleichen.
Axel S. schrieb: > [1] einfach mal die Verlustleistung für den minimal erreichbaren R_ds_on > (53mΩ @ 10V U_gs) ausrechnen und mit der maximalen Verlustleistung > vergleichen. Puh, okay. Also bei 20V Ugs bleibt dann Ugs auch bei 53mOhm? Mein Anwendungsfall sieht max 20V und 3A vor. Wenn ich jetzt beide Channel parallel schalte, wären es ja 1,59W Verlustleistung. Meinst du das funktioniert oder ist das zu knapp? Danke!
Tracer schrieb: > Also bei 20V Ugs bleibt dann Ugs auch bei 53mOhm? Nein, weil Ugs eine Spannung ist, kein Widerstand. Tracer schrieb: > Mein Anwendungsfall sieht max 20V und 3A vor. Wenn ich jetzt beide > Channel parallel schalte, wären es ja 1,59W Verlustleistung. Wie kommst Du darauf? Weshalb muss es ein Dual-Mosfet sein?
Tracer schrieb: > Puh, okay. Nochmal: Die angegebene Gesamt-P_tot @ 25°C für dieses Case (durch zwei geteilt) ergibt den Wert für (1 Kanal und) irreale "Best-Bedingungen". Der Wert @ 100°C wiederum gilt für realistische "Schlecht-Bedingungen". Und das Rechnen kann man sich kaum mittels "puh" ersparen - mach es. (+ Wechsle zu "AOKE" - definiere Art und Ort/Kühlungs- und Einbaulage...)
Tracer schrieb: > Also bei 20V Ugs bleibt dann Ugs auch bei 53mOhm? Jetzt verstehe ich erst, was Du wohl beabsichtigtest: Nein. Aber: Höhere U_GS als die im DaBla für volles Einschalten spezifizierte (bzw. bei mehreren Angaben die höhere solche) bringt einem bzgl. R_DS-Reduktion kaum viel - vermutlich (!) würde ich das Gate an einen 1:1 Teiler mit jew. vielleicht 100R bis 1k (mow) legen. (Vermutlich = einfachster Fall, Speisung stabilisiert und auch "hart" aufgeschaltet, rudim. Schutz durch Teiler reicht völlig)
Jörg R. schrieb: > Nein, weil Ugs eine Spannung ist, kein Widerstand. Ich meinte natürlich: Also bei 20V Ugs bleibt dann R_ds_on auch bei 53mOhm? Jörg R. schrieb: > Wie kommst Du darauf? P-Töter schrieb: > Und das Rechnen kann man sich kaum mittels "puh" ersparen - mach es. Also ich habe max. 20V und 3A. Normalzustand sind 12V / 4A. Dann wäre:
Dann hätte ich ab 10V U_gs einen maximalen Strom von 3,53A für den 100°C Fall. Demnach wäre das für den Normalzustand 12V/4A zu knapp bemessen, richtig? Danke für eure Hilfe :)
Tracer schrieb: > Also bei 20V Ugs bleibt dann Ugs auch bei 53mOhm? Als Maximalwert steht bei 10V U_GS 60mΩ. Worst Case musst du also mit dem Wert rechnen. Kann sein, dass bei 20V U_GS der R_DSon noch ein kleine wenig kleiner wird, das ist aber nicht mehr spezifiziert. > Mein Anwendungsfall sieht max 20V und 3A vor. Wenn ich jetzt beide > Channel parallel schalte, wären es ja 1,59W Verlustleistung. Die Rechnung wäre I²*R_DSon, ich erhalte dann für 3A 0.54W. Das Gehäuse schafft bei 100°C Umgebungstemperatur noch 1W, bei TA von 25°C sind es 2.5W. Also gehen 3A. Gerade so auch noch 4A bis zu TA = 100°C. Bei niedrigeren Umgebungstemperaturen noch etwas mehr. Ob die 3A durch nur einen der beiden Transistoren oder durch beide parallel (also je 1.5A) fließt, spielt dabei keine Rolle. Die 20V aus deiner Anwendung kommen in der Rechnung nicht vor - im Schaltbetrieb! Unterscheide bitte zwischen der U_GS und der U_DS. Letztere spielt nur im linearen Betrieb eine Rolle. Im ausgeschalteten Zustand ist I=0, also P=0, im eingeschalteten Zustand gilt die obige Rechnung, wenn U_GS mindestens 10V beträgt. Bei Linearbetrieb liegst du irgendwo dazwischen und dann geht sehr viel weniger. Im schlechtesten Fall hast du UB/2 zwischen D und S und bei 1W und UB=20V (→ U_DS = 10V) dürften dann nur insgesamt 100mA fließen. Tracer schrieb: > Die im Datenblatt angegebenen Werte, beziehen die sich auf das gesamte > Bauteil oder auf einen der MOSFETs? > Also maximal 4,9A pro Channel oder insgesamt? Es bezieht sich auf einen Transistor. Dass hier ein Wert angegeben wird, der für statischen Betrieb gar nicht möglich ist bei realen Umgebungstemperaturen, liegt daran, dass man auch Pulsbetrieb machen kann. Damit wird die Verlustleistung im Mittel geringer, hinzu kommt die Wärmekapazität des Chips und so sind sehr kurzzeitig auch höhere Ströme möglich - bis zu den 4.9A. Das letzte Diagramm im Datenblatt zeigt die Verhältnisse.
HildeK schrieb: > ... Danke dir für die umfassende Erklärung, jetzt habe ich es komplett verstanden :-) Tracer schrieb: > Dann hätte ich ab 10V U_gs einen maximalen Strom von 3,53A für den 100°C > Fall. Hier hab ich mich verrechnet. Bis 100°C gehen 4,34A. Das deckt sich dann auch mit Hildes Rechnung. Danke euch, dann kann ich den Transistor ja nehmen :-) Jörg R. schrieb: > Weshalb muss es ein Dual-Mosfet sein? Den gibts bei JLCPCB als Standardbauteil. Und ich mags dort gern gleich komplett bestückt ordern. Und da die bei den Basic Parts ohne Zusatzkosten nicht viel Auswahl haben, bleibt leider nur ein Dual-Mosfet in der Leistungskategorie übrig... Prämisse ist so zu konstruieren, dass ich es dort komplett bestückt (ohne THT) ordern kann. Das ergibt schon die ein oder andere knifflige Stelle :-D Danke nochmal!
HildeK schrieb: > Ob die 3A durch nur einen der beiden Transistoren oder durch beide > parallel (also je 1.5A) fließt, spielt dabei keine Rolle. Natürlich spielt das eine Rolle. Wenn beide MOSFET parallel geschaltet sind, dann hat man nur den halben effektiven R_ds_on und bei gleichem Strom auch nur die halbe Verlustleistung. Vielleicht meintest du: es wird sowohl mit einem der MOSFET als auch mit beiden parallel funktionieren. Ja. Aber wenn man die Wahl hat, den einen MOSFET im Gehäuse gar nicht zu benutzen oder beide parallel zu schalten und damit Verlustleistung einzusparen bzw. mehr Reserve beim erlaubten Strom zu haben, dann wird man letzteres tun.
Axel S. schrieb: > Natürlich spielt das eine Rolle. Wenn beide MOSFET parallel geschaltet > sind, dann hat man nur den halben effektiven R_ds_on und bei gleichem > Strom auch nur die halbe Verlustleistung. Ja, du hast recht. Schnellschuss meinerseits, sorry. Entweder in nur einem Transistor z.B. 4A durch R_DSon von 60mΩ ergibt 960mW. Oder z.B. durch zwei Transistoren je 2A durch 60mΩ ergibt zwei mal 240mW, also 480mW und somit die Hälfte. Und damit hast du auch recht, in dem Fall natürlich beide parallel zu nutzen.
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