5V Bauteil mit NPN-Transistor ein-/aus- schalten

Johannes schrieb:
> Ist es so wie im Anhang dargestellt möglich?

Nein.

Da die 5V höher sind als die 3.3V der Ansteuerung, braucht man 
mindestens 2 Transistoren, als high side switch.
Ausserdem nutzt man besser einen LogicLevel P-Kanal MOSFET um hohe 
Ströme mit geringer Ansteuerleistung zu schalten.
Und der 74HC125 darf entfallen, wenn man vor dem Abschalten den 
Datenanschluss aus LOW schaltet

Nein, das geht nicht so!

MaWin schrieb:
> Ausserdem nutzt man besser einen LogicLevel P-Kanal MOSFET um hohe
> Ströme mit geringer Ansteuerleistung zu schalten

Ein N-Kanal Mosfet hatte ich noch hier, daher dieser versuch.
Wäre denn folgende Änderung dann so richtig?

Johannes schrieb:
> MaWin schrieb:
>> Ausserdem nutzt man besser einen LogicLevel P-Kanal MOSFET um hohe
>> Ströme mit geringer Ansteuerleistung zu schalten
>
> Ein N-Kanal Mosfet hatte ich noch hier

Was genau war an P-Kanal nicht zu verstehen ?

MaWin schrieb:
> Was genau war an P-Kanal nicht zu verstehen ?

Habe ich doch geändert

Habe die Schaltung nochmal angepasst und überarbeitet.

R1 kann noch auf 10k vergrößert werden.

R2 könnte man auch noch auf 3k3 erhöhen, denn T1 muss ja keine 
großartigen Ströme schalten.

MaWin schrieb:
> Und der 74HC125 darf entfallen, wenn man vor dem Abschalten den
> Datenanschluss aus LOW schaltet

Auch mit 74HC125 wird man dafür sorgen müssen, dass vor dem Abschalten 
der WS2812-Versorgung deren Dateneingang auf 0V gelegt wird.

Wolfgang schrieb:
> Auch mit 74HC125 wird man dafür sorgen müssen, dass vor dem Abschalten
> der WS2812-Versorgung deren Dateneingang auf 0V gelegt wird.

Das würde ich in der Software machen.
Zunächst Daten alles auf 0 setzen und raus schicken und dann spannund 
vom LED-Streifen abschalten.

Aber wenn so die Schaltung jetzt mal passt, kann ich das mal einbauen

Ach Du grüne Neune schrieb:
> R1 kann noch auf 10k vergrößert werden.

Würde ich nicht machen. Das Gate muss ja nicht unnötig langsam geladen 
werden.

Energieverheizer schrieb:
> Würde ich nicht machen. Das Gate muss ja nicht unnötig langsam geladen
> werden.

Wenn schon, dann entladen.
Ich gehe sogar noch einen Schritt weiter und würde R2 mit 1k so lassen, 
ihn aber dafür nicht vor der Basis einsetzen, sondern zwischen Emitter 
und GND. Das erhöht automatisch den Eingangswiderstand von T1 und bremst 
gleichzeitig noch den Ladestrom vom Gate von Q3.
Falls die 3,3 Volt vorzeitig abgeschaltet werden sollten, könnte man 
noch einen 47k Widerstand von der Basis von T1 nach GND schalten, damit 
da nix floatet.

Ach Du grüne Neune schrieb:
> Ich gehe sogar noch einen Schritt weiter und würde R2 mit 1k so lassen,
> ihn aber dafür nicht vor der Basis einsetzen, sondern zwischen Emitter
> und GND. Das erhöht automatisch den Eingangswiderstand von T1 und bremst
> gleichzeitig noch den Ladestrom vom Gate von Q3.

Dir ist aber schon klar das man "Schnell" schalten will wenn man 
schaltet?

Energieverheizer schrieb:
> Dir ist aber schon klar das man "Schnell" schalten will wenn man
> schaltet?

Ja schon klar. Aber er schaltet doch nur einmal am Tag und nicht 
zehntausend mal in der Sekunde.

Ach Du grüne Neune schrieb:
> Aber er schaltet doch nur einmal am Tag und nicht
> zehntausend mal in der Sekunde.

Woher weist du denn das?

Man kann es ja auch gleich richtiger machen, auch wenn die Anforderungen 
jetzt noch gering sein mögen.
Sonst wandert genau so eine Schaltung irgendwann in eine PWM Steuerung 
und dann wird sich gewundert warum der FET so heiss wird.

Energieverheizer schrieb:
> Man kann es ja auch gleich richtiger machen, auch wenn die Anforderungen
> jetzt noch gering sein mögen.

Na gut, hast Recht. Dann nehme ich alles wieder zurück.