Hallo zusammen,
ich suche einen selbstleitenden Transistor, der ca. 150 mA treiben kann.
Ideal wäre natürlich ein P-Kanal (J)FET. Allerdings finde ich keinen,
der 150 mA schafft.
Deshalb bin ich beim N-Kanal gelandet. Dort muss V_GS zum Sperren
allerdings negativ werden. Also benötige ich eine negative Spannung
gegenüber Source, das ja normalerweise mit GND verbunden ist.
Frage:
Würde es funktionieren, wenn ich das Spannungsniveau an Source per Diode
anhebe? Siehe Schaltbild im Anhang.
(Ich befürchte, dass es nicht funktioniert, weil im Sperrzustand kein
Strom fließt und folglich keine Spannung mehr über der Diode abfällt.
Aber stimmt das?)
Falls es nicht funktioniert: Kennt Ihr eine Alternative?
Grüße
Steffen
Steffen H. schrieb:> Funktioniert meine Schaltung mit einem selbstleitenden N-Kanal MOSFET?FETler schrieb:> Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst.
FETler schrieb:> Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst.
Mittlerweile interessiert mich einfach nur die Funktionsweise und im
Speziellen meine Schaltungsidee.
Ausgangsproblem war:
Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über
ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung
da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem
Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird).
Mir ist klar, dass es noch andere Lösungen gibt. Beispielsweise über
weitere Transistorstufen. Im Moment interessiert mich aber, wie gesagt,
meine ursprüngliche Frage sehr.
Steffen H. schrieb:> Im Moment interessiert mich aber, wie gesagt,> meine ursprüngliche Frage sehr.
FÜr solche abstrakt-akademischen Probleme habe ich leider
keinen Sinn bzw. Drang so etwas zu lösen.
Jemand anders bitte, wer mag ....
Steffen H. schrieb:> P-Kanal (J)FET. Allerdings finde ich keinen,> der 150 mA schafft.
Wo ein Wille ist, ist ein Weg:
Kaufe einen Hunderterpack JFET, suche Dir genügend zusammen, die nicht
zu sehr voneinander abweichen und schalte diese parallel.
Steffen H. schrieb:> FETler schrieb:>> Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst.>> Mittlerweile interessiert mich einfach nur die Funktionsweise und im> Speziellen meine Schaltungsidee.
Häh? Was denn von beidem denn jetzt?
> Ausgangsproblem war:> Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über> ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung> da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem> Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird).
Dieser Satz ergibt keinen Sinn. Der Kontakt kann die Versorgung nur
entweder aktivieren oder nicht. Ein monostabiles(!) Relais zieht nur so
lange an, wie die Spule bestromt wird.
Uralte, schlecht sperrende, bipolare Germaniumtransistoren mit hohem
C-E-Reststrom konnte man durch die eingezeichnete Diode tatsächlich
sicher sperren.
Der Strom im Kollektorwiderstand ging dann praktisch auf null zurück.
Die Diode wurde auch gern vorgespannt, also mit eigenem hochohmigen
Widerstand an Ub gelegt.
Der Basis-Stromkreis durfte aber nicht unterbrochen sein (Richtung
Masse).
Hier würde das ähnlich funktionieren (erstes Schaltbild), wenn man den
Eingang ähnlich vorspannt, der Taster dann direkt, ohne grossen extra
Widerstand nach Masse geht.
Rein theoretisch ;-)
Aaaaber:
Abhängig davon, wie hoch die relativ gesehen "negative" Eingangsspannung
in Volt dann sein muss, soviele Dioden in Reihe brauchst Du dann im
"Emitterkreis". Diese werden aber vom Laststrom durchflossen und
verheizen damit unnötig Energie. Die Versorgungsspannung muss dann auch
höher sein, damit die eigentliche Last "ihre" richtige, volle
Arbeitsspannung erhält.
Deswegen machte mans damals Ende der Fünfziger ungern mit den
Germaniumtransistoren so, und heutzutage, mit dem angedachten JFET wirkt
es auch befremdlich.
Aber "rein theoretisch..."
Axel S. schrieb:>> Ausgangsproblem war:>> Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über>> ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung>> da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem>> Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird).>> Dieser Satz ergibt keinen Sinn. Der Kontakt kann die Versorgung nur> entweder aktivieren oder nicht. Ein monostabiles(!) Relais zieht nur so> lange an, wie die Spule bestromt wird.
Deshalb nehme ich kein monostabiles, sondern das erwähnte selbsthaltende
Relais. Ist die Versorgung einmal aktiviert, bleibt sie erhalten.
Larry schrieb:> Die Schaltung ist ziemlicher Unsinn. Allein schon> das floatende Gate.
Was noch? Warum ist sie, abgesehen vom fehlenden Pullup, Unsinn?
Nichtverzweifelter schrieb:> Hier würde das ähnlich funktionieren (erstes Schaltbild), wenn man den> Eingang ähnlich vorspannt, der Taster dann direkt, ohne grossen extra> Widerstand nach Masse geht.>> Rein theoretisch ;-)
Okay, dann werde ich ausprobieren, was mit der Theorie in der Praxis
passiert!
Vielen Dank für Deine (und Eure) Hilfe.
Die Schaltung wird nicht funktionieren. Unabhängig von der Geschichte
mit dem Gate kann man sich das auch leicht selbst überlegen.
Wenn du abschalten willst, ziehst du das Gate auf Masse, um eine
negative Ugs zu bekommen. Wenn der Drainstrom dann aber gegen null gehen
würde, dann würde auch die Spannung an der Diode gegen null sinken,
sodass dein negatives Ugs ebenfalls wieder nach null geht. Dann würde
der JFET aber wieder leitend werden. Wenn der JFET aber wieder leitet,
dann würde aber Ugs wieder sinken.
Es muss sich also ein Zwischenzustand einstellen, welcher irgendwo
zwischen offen und geschlossen befindet.
Den Punkt könnte man, zumindest für typische Werte, aus der
Diodenkennlinie und der Transferkennlinie des JFET grafisch ermitteln.
JFET und Diode haben den Strom als gemeinsame Größe. Würde man die
Diodenkennlinie in die Transferkennlinie einzeichnen, dann wäre der
Schnittpunkt beider Kennlinien der Punkt, welcher sich für Id und Ugs
einstellt. Dieser hängt dann von den konkret gewählten Komponenten ab.
Christian L. schrieb:> Wenn du abschalten willst, ziehst du das Gate auf Masse, um eine> negative Ugs zu bekommen. Wenn der Drainstrom dann aber gegen null gehen> würde, dann würde auch die Spannung an der Diode gegen null sinken,> sodass dein negatives Ugs ebenfalls wieder nach null geht. Dann würde> der JFET aber wieder leitend werden. Wenn der JFET aber wieder leitet,> dann würde aber Ugs wieder sinken.
Ja, stimmt. Nichtverzweifelter hatte ja vorgeschlagen, die Diode mit
einem (hochohmigen) Widerstand vorzuspannen. Das würde den von Dir
beschriebenen Effekt verringern.
.
Ich habe aber inzwischen einen Verarmungstyp gefunden und meine
Schaltung in der Praxis ausprobiert! Grundsätzlich funktioniert sie so,
wie hier vermutet. Das heißt, prinzipiell passiert das, was ich in
meinem Ausgangspost angenommen hatte.
Allerdings sperrt der FET nicht komplett und es fließt ein Reststrom.
-> Erstens, weil der sperrende FET die U_GS wieder reduziert (wie oben
von Christian L. beschrieben). Das bessert sich, wenn ich den (von
Nichtverzweifelter vorgeschlagenen) Widerstand zur Diode dazuschalte.
-> Zweitens reicht der Spannungsabfall einer einzelnen Diode nicht aus,
um eine genügend hohe U_GS zu erhalten, die den FET komplett sperrt.
Das passiert erst bei etwa zwei bis drei Dioden.
Vielen Dank für Eure Hilfe!
Steffen
