Hallo zusammen, ich suche einen selbstleitenden Transistor, der ca. 150 mA treiben kann. Ideal wäre natürlich ein P-Kanal (J)FET. Allerdings finde ich keinen, der 150 mA schafft. Deshalb bin ich beim N-Kanal gelandet. Dort muss V_GS zum Sperren allerdings negativ werden. Also benötige ich eine negative Spannung gegenüber Source, das ja normalerweise mit GND verbunden ist. Frage: Würde es funktionieren, wenn ich das Spannungsniveau an Source per Diode anhebe? Siehe Schaltbild im Anhang. (Ich befürchte, dass es nicht funktioniert, weil im Sperrzustand kein Strom fließt und folglich keine Spannung mehr über der Diode abfällt. Aber stimmt das?) Falls es nicht funktioniert: Kennt Ihr eine Alternative? Grüße Steffen
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Ansteuerung_N-Kanal_JFET.png
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Steffen H. schrieb: > Falls es nicht funktioniert: Kann nicht funktionieren da JFETs nicht solch hohe Ströme können. Mussdu nehmen MOSFET.
Steffen H. schrieb: > Ansteuerung_N-Kanal_JFET.png Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst.
Okay. Naheliegende nächste Frage: Funktioniert meine Schaltung mit einem selbstleitenden N-Kanal MOSFET?
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Steffen H. schrieb: > Funktioniert meine Schaltung mit einem selbstleitenden N-Kanal MOSFET? FETler schrieb: > Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst.
FETler schrieb: > Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst. Mittlerweile interessiert mich einfach nur die Funktionsweise und im Speziellen meine Schaltungsidee. Ausgangsproblem war: Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird). Mir ist klar, dass es noch andere Lösungen gibt. Beispielsweise über weitere Transistorstufen. Im Moment interessiert mich aber, wie gesagt, meine ursprüngliche Frage sehr.
Steffen H. schrieb: > Im Moment interessiert mich aber, wie gesagt, > meine ursprüngliche Frage sehr. FÜr solche abstrakt-akademischen Probleme habe ich leider keinen Sinn bzw. Drang so etwas zu lösen. Jemand anders bitte, wer mag ....
FETler schrieb: > Kann nicht funktionieren da JFETs nicht solch hohe Ströme können. Aha. https://www.mouser.com.gt/ds/2/196/Infineon-IJW120R070T1-DS-v02_00-en-776623.pdf Steffen H. schrieb: > Dort muss V_GS zum Sperren allerdings negativ werden. Also benötige ich > eine negative Spannung gegenüber Source, das ja normalerweise mit GND > verbunden ist. Und ? Wenn man sie nicht hat, kann man sie per Ladungspumpe erzeugen.
Steffen H. schrieb: > P-Kanal (J)FET. Allerdings finde ich keinen, > der 150 mA schafft. Wo ein Wille ist, ist ein Weg: Kaufe einen Hunderterpack JFET, suche Dir genügend zusammen, die nicht zu sehr voneinander abweichen und schalte diese parallel.
Steffen H. schrieb: > FETler schrieb: >> Erklär doch lieber mal was du eigentlich erreichen willst. > > Mittlerweile interessiert mich einfach nur die Funktionsweise und im > Speziellen meine Schaltungsidee. Häh? Was denn von beidem denn jetzt? > Ausgangsproblem war: > Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über > ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung > da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem > Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird). Dieser Satz ergibt keinen Sinn. Der Kontakt kann die Versorgung nur entweder aktivieren oder nicht. Ein monostabiles(!) Relais zieht nur so lange an, wie die Spule bestromt wird.
Die Schaltung ist ziemlicher Unsinn. Allein schon das floatende Gate. Nimm einen p-MOSFET (z.B. IRLML6402) und gut ist.
Uralte, schlecht sperrende, bipolare Germaniumtransistoren mit hohem C-E-Reststrom konnte man durch die eingezeichnete Diode tatsächlich sicher sperren. Der Strom im Kollektorwiderstand ging dann praktisch auf null zurück. Die Diode wurde auch gern vorgespannt, also mit eigenem hochohmigen Widerstand an Ub gelegt. Der Basis-Stromkreis durfte aber nicht unterbrochen sein (Richtung Masse). Hier würde das ähnlich funktionieren (erstes Schaltbild), wenn man den Eingang ähnlich vorspannt, der Taster dann direkt, ohne grossen extra Widerstand nach Masse geht. Rein theoretisch ;-)
Aaaaber: Abhängig davon, wie hoch die relativ gesehen "negative" Eingangsspannung in Volt dann sein muss, soviele Dioden in Reihe brauchst Du dann im "Emitterkreis". Diese werden aber vom Laststrom durchflossen und verheizen damit unnötig Energie. Die Versorgungsspannung muss dann auch höher sein, damit die eigentliche Last "ihre" richtige, volle Arbeitsspannung erhält. Deswegen machte mans damals Ende der Fünfziger ungern mit den Germaniumtransistoren so, und heutzutage, mit dem angedachten JFET wirkt es auch befremdlich. Aber "rein theoretisch..."
Axel S. schrieb: >> Ausgangsproblem war: >> Ich habe einen mechanischen Kontakt, der eine Versorgungsspannung über >> ein selbsthaltendes Relais einschalten kann. Ist die Versorgungsspannung >> da, soll der Kontakt deaktiviert werden (damit bei weiterhin gedrücktem >> Kontakt kein Strom mehr in der Relaisspule "verbraucht" wird). > > Dieser Satz ergibt keinen Sinn. Der Kontakt kann die Versorgung nur > entweder aktivieren oder nicht. Ein monostabiles(!) Relais zieht nur so > lange an, wie die Spule bestromt wird. Deshalb nehme ich kein monostabiles, sondern das erwähnte selbsthaltende Relais. Ist die Versorgung einmal aktiviert, bleibt sie erhalten. Larry schrieb: > Die Schaltung ist ziemlicher Unsinn. Allein schon > das floatende Gate. Was noch? Warum ist sie, abgesehen vom fehlenden Pullup, Unsinn?
Nichtverzweifelter schrieb: > Hier würde das ähnlich funktionieren (erstes Schaltbild), wenn man den > Eingang ähnlich vorspannt, der Taster dann direkt, ohne grossen extra > Widerstand nach Masse geht. > > Rein theoretisch ;-) Okay, dann werde ich ausprobieren, was mit der Theorie in der Praxis passiert! Vielen Dank für Deine (und Eure) Hilfe.
Die Schaltung wird nicht funktionieren. Unabhängig von der Geschichte mit dem Gate kann man sich das auch leicht selbst überlegen. Wenn du abschalten willst, ziehst du das Gate auf Masse, um eine negative Ugs zu bekommen. Wenn der Drainstrom dann aber gegen null gehen würde, dann würde auch die Spannung an der Diode gegen null sinken, sodass dein negatives Ugs ebenfalls wieder nach null geht. Dann würde der JFET aber wieder leitend werden. Wenn der JFET aber wieder leitet, dann würde aber Ugs wieder sinken. Es muss sich also ein Zwischenzustand einstellen, welcher irgendwo zwischen offen und geschlossen befindet. Den Punkt könnte man, zumindest für typische Werte, aus der Diodenkennlinie und der Transferkennlinie des JFET grafisch ermitteln. JFET und Diode haben den Strom als gemeinsame Größe. Würde man die Diodenkennlinie in die Transferkennlinie einzeichnen, dann wäre der Schnittpunkt beider Kennlinien der Punkt, welcher sich für Id und Ugs einstellt. Dieser hängt dann von den konkret gewählten Komponenten ab.
Christian L. schrieb: > Wenn du abschalten willst, ziehst du das Gate auf Masse, um eine > negative Ugs zu bekommen. Wenn der Drainstrom dann aber gegen null gehen > würde, dann würde auch die Spannung an der Diode gegen null sinken, > sodass dein negatives Ugs ebenfalls wieder nach null geht. Dann würde > der JFET aber wieder leitend werden. Wenn der JFET aber wieder leitet, > dann würde aber Ugs wieder sinken. Ja, stimmt. Nichtverzweifelter hatte ja vorgeschlagen, die Diode mit einem (hochohmigen) Widerstand vorzuspannen. Das würde den von Dir beschriebenen Effekt verringern. . Ich habe aber inzwischen einen Verarmungstyp gefunden und meine Schaltung in der Praxis ausprobiert! Grundsätzlich funktioniert sie so, wie hier vermutet. Das heißt, prinzipiell passiert das, was ich in meinem Ausgangspost angenommen hatte. Allerdings sperrt der FET nicht komplett und es fließt ein Reststrom. -> Erstens, weil der sperrende FET die U_GS wieder reduziert (wie oben von Christian L. beschrieben). Das bessert sich, wenn ich den (von Nichtverzweifelter vorgeschlagenen) Widerstand zur Diode dazuschalte. -> Zweitens reicht der Spannungsabfall einer einzelnen Diode nicht aus, um eine genügend hohe U_GS zu erhalten, die den FET komplett sperrt. Das passiert erst bei etwa zwei bis drei Dioden. Vielen Dank für Eure Hilfe! Steffen
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