Hallo zusammen, ich habe aktuell ein Problem mit der Simulation einer Schaltung die ich in der Praxis erfolgreich verwende. Ich möchte ein paar Aspekte in der Simulation genauer untersuchen, bekomme aber widersprüchliche Ergebnisse. Bei der Schaltung handelt es sich um die Auslesung von Strahlungssensoren auf Halbleiterbasis, das Signal wird als Ladung auf der Sperrschicht gespeichert. Ich habe das mit einer Spannungsquelle und dem Kondensator sowie 2 Schaltern realisiert. Die Schaltung ist im wesentlichen ein Integrator mit Reset. Soweit funktioniert alles.Komischerweise habe ich mit dem Modell vom BF862 einen Gate-Strom von etwa 1.6nA was bei den 22pF über ca. 5ms dann die 400mV Drift erklärt. Kann mir jemand weiterhelfen? Grüße und Danke
Seit wann haben j-fets denn statische gateströme in der Größenordnung
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