Gatebeschaltung Treiber

Gast #6480103
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Hallo Leute

ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den 
Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne. Er ist derzeit in einer 
Halbbrücke verschaltet mit einer f_schalt von 400kHz.

Oder wie kommen meine Vorgänger (siehe Abbildung Anhang) auf einen 
Widerstand von 3,5Ohm. Der 1EDN751 ist ein Low-Side Treiber.
Der Aufbau sollte möglichst Energie effizient sein.

MfG Christoph
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#6480172
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Christoph schrieb:
> Hallo Leute
>
> ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den
> Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne.

Den gibt es nicht, bestenfalls einen N-Kanal MOSFET.

> Er ist derzeit in einer
> Halbbrücke verschaltet mit einer f_schalt von 400kHz.

Verdammt schnell.

> Oder wie kommen meine Vorgänger (siehe Abbildung Anhang) auf einen
> Widerstand von 3,5Ohm.

Vermutlich durch Probieren. Denn das ist alles von den Bauteilen, dem 
Layout, dem MOSFET und der Last abhängig.

> Der 1EDN751 ist ein Low-Side Treiber.
> Der Aufbau sollte möglichst Energie effizient sein.

Dabei spielt der Gatewiderstand keine Rolle. Er soll die parasitären 
Schwingungen des Gatekreises auf ein erträgliches Maß dämpfen.
Gast #6480210
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Christoph schrieb:
> ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den
> Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne.

Toshiba hat eventuell eine fuer dich passende Antwort darauf...
siehe Anhang - page 15
Die pdf ist unter der Rubrik "MOSFETs / Bipolar Transistors" 
downgeloaded von folgender Toshib-Webseite.Dort kannst du noch mehr 
downloaden....

https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/application-note.html
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