Gatebeschaltung Treiber

[Christoph (Gast)]

Hallo Leute

ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den 
Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne. Er ist derzeit in einer 
Halbbrücke verschaltet mit einer f_schalt von 400kHz.

Oder wie kommen meine Vorgänger (siehe Abbildung Anhang) auf einen 
Widerstand von 3,5Ohm. Der 1EDN751 ist ein Low-Side Treiber.
Der Aufbau sollte möglichst Energie effizient sein.

MfG Christoph

[Falk B. (falk)]

Christoph schrieb:
> Hallo Leute
>
> ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den
> Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne.

Den gibt es nicht, bestenfalls einen N-Kanal MOSFET.

> Er ist derzeit in einer
> Halbbrücke verschaltet mit einer f_schalt von 400kHz.

Verdammt schnell.

> Oder wie kommen meine Vorgänger (siehe Abbildung Anhang) auf einen
> Widerstand von 3,5Ohm.

Vermutlich durch Probieren. Denn das ist alles von den Bauteilen, dem 
Layout, dem MOSFET und der Last abhängig.

> Der 1EDN751 ist ein Low-Side Treiber.
> Der Aufbau sollte möglichst Energie effizient sein.

Dabei spielt der Gatewiderstand keine Rolle. Er soll die parasitären 
Schwingungen des Gatekreises auf ein erträgliches Maß dämpfen.

[Toxic (Gast)]

Christoph schrieb:
> ich wollte mal nachfragen, ob mir jemand erklären kann ,wie ich den
> Gatewiderstand von einem NPN MOSFET berechne.

Toshiba hat eventuell eine fuer dich passende Antwort darauf...
siehe Anhang - page 15
Die pdf ist unter der Rubrik "MOSFETs / Bipolar Transistors" 
downgeloaded von folgender Toshib-Webseite.Dort kannst du noch mehr 
downloaden....

https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/application-note.html

[Christoph (Gast)]

Super, Danke!
Ihr habt mir beide weitergeholfen.

Ich werde erst mal versuchen den Widerstand mit Hilfe der PDF zu 
ermitteln, wenn das jedoch nicht funktionieren sollte, werde ich den 
Widerstand anhand von Messungen/ probieren usw. auslegen.

Grüße Christoph