Die Tage gab es einen Gurtabschnitt IRLML6344 vom Chinamann. Besser ist das ja, mal zu gucken, ob das wirklich ist was es sein soll. Marking "U", bleifrei, KW34/2018 sieht korrekt aus. Als Testaufbau ein Labornetzgerät als einstellbare Stromquelle und ein zweites für die Gatespannung. Die Meßpunkte sind so angelegt, dass Leitungsverluste nicht in die Messung eingehen, die kleine Leiterplatte wird ja wohl keinen nennenswerten Widerstand haben. Nicht wirklich schlecht, RDS(on) liegt aber deutlich höher als laut Datenblatt, 65 gegen 29 mOhm / 80 gegen 37 mOhm. Ich muß natürlich statisch messen, während IRF diese Werte mit sehr kurzen Pulsen ermittelt, was eine leichte Erhöhung durch Verlustwärme begründen kann, aber so viel? Hat schon jemand ähnliche Tests gefahren?
Miss den Spannungsabfall an D-S direkt an den Pins des MOSFET.
Vielleicht liegts an der Temperatur? Ggf. ist dein Multimeter nicht genau genug? Vielleicht hast du ne Strom bzw. Spannungsfehler messchaltung aufgebaut. Mess mal die Werte einzeln und nicht zeigleich...
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hinz schrieb: > direkt an den Pins des MOSFET Der Widerstand meiner Adapterplatine macht etwa 11mOhm aus, bleiben bei 1A @ 5V UGS noch immer 57mV, also rund das Doppelte des max.-Datenblattwertes.
Michael K. schrieb: > Vielleicht liegts an der Temperatur? Der Gedanke kam mir als erstes. Wenn ich in die Kurve schaue, müsste der für Faktor 2 so warm sein, dass er aus der Lötstelle fällt. Den thermischen Widerstand des Aufbaus kenne ich leider nicht, die im Datenblatt angegebenen 100K/W gelten nur, wenn genug Kupferfläche vorhanden ist. Es fallen knapp 70mW an, selbst bei 400K/W wäre ich noch immer unter 60°C. Wäre es deutlich mehr, müsste ich während der Messung Drift haben. > Ggf. ist dein Multimeter nicht genau genug? Ja, die messen alle in der gleichen Richtung falsch - vergiss es. > Vielleicht hast du ne Strom bzw. Spannungsfehler messchaltung aufgebaut. Was werde ich gemeint haben, warum hängen da so viele Klemmen an den Drähtchen: Manfred schrieb: > Die Meßpunkte sind so angelegt, dass > Leitungsverluste nicht in die Messung eingehen,
Manfred schrieb: > Der Widerstand meiner Adapterplatine macht etwa 11mOhm aus, bleiben bei > 1A @ 5V UGS noch immer 57mV, also rund das Doppelte des > max.-Datenblattwertes. Da hat man dir Fakes angedreht. Auch das undeutliche Marking sieht danach aus. Hab mal ein Original angehängt.
Manfred schrieb: > selbst bei 400K/W wäre ich noch > immer unter 60°C. Wäre es deutlich mehr, müsste ich während der Messung > Drift haben. Verheizt? Hmmpf. Deine mickrigen Leiterbahnen wirken wie zusätzliche Heizdrähte. Vorschlag: entnehme ein neues Exemplar aus dem Gurt, Löte zumindest direkt an das Drain ein ordentliches Stück dicken (>1,5mm2) Kupferdraht zur Entwärmung. Wiederhole die Messung.
2aggressive schrieb: > Verheizt? > Hmmpf. Deine mickrigen Leiterbahnen wirken wie zusätzliche Heizdrähte. > Vorschlag: entnehme ein neues Exemplar aus dem Gurt, Löte zumindest > direkt an das Drain ein ordentliches Stück dicken (>1,5mm2) Kupferdraht > zur Entwärmung. Wiederhole die Messung. Quatsch! Er hat doch eine 4-Leiter Messung gemacht.
hinz schrieb: > Er hat doch eine 4-Leiter Messung gemacht. Was hat das mit der Siliziumtemperatur zu tun?
hinz schrieb: > Da hat man dir Fakes angedreht. Auch das undeutliche Marking sieht > danach aus. Hab mal ein Original angehängt. Irgendwie mag ich nicht glauben, dass solche Cent-Teile wirklich gefälscht werden. Ich würde ja gerne Vergleichsmessungen machen, wenn ich denn Exemplare zuverlässiger Herkunft hätte. Wärst Du angemeldet, würde ich Dich anbetteln. hinz schrieb: > 2aggressive schrieb: >> Hmmpf. Deine mickrigen Leiterbahnen wirken wie zusätzliche Heizdrähte. >> Vorschlag: entnehme ein neues Exemplar aus dem Gurt, Löte zumindest >> direkt an das Drain ein ordentliches Stück dicken (>1,5mm2) Kupferdraht >> zur Entwärmung. Wiederhole die Messung. > > Quatsch! Er hat doch eine 4-Leiter Messung gemacht. Er will ja nicht Übergangswiderstände minimieren, sondern über den Kupferdraht Wärme abführen, die Idee ist nicht abwegig. Einen Erfolg mag ich mir aber nicht vorstellen, da ich auch bei nur 500mA schon deutlich daneben lag, da waren gerade mal 15mW über alles unterwegs.
Manfred schrieb: > Wärst Du angemeldet, würde ich Dich anbetteln. Die Aussage ist Fake, denn dazu muesstest Du auch angemeldet sein. Bist auch nur Gast. :))
Manfred schrieb: > Einen Erfolg mag > ich mir aber nicht vorstellen, da ich auch bei nur 500mA schon deutlich > daneben lag, da waren gerade mal 15mW über alles unterwegs. Das allerdings klingt nach einem Killerargument. Falls du mit 500mA angefangen hast. Und den Strom auch nicht wesentlich überschritten hast, mögliche Falle: aufgeladener Elko am Ausgang des Strombegrenzenden LNT. Wie immer im Zweifelsfall: An deiner Stelle würde ich mindestens ein weiteres Exemplar vermessen, das nächste Messergebnis (bei 2,5V am Gate) könnte möglicherweise (Fake) noch schlechter ausfallen.
Manfred schrieb: > Nicht wirklich schlecht, RDS(on) liegt aber deutlich höher als laut > Datenblatt, 65 gegen 29 mOhm / 80 gegen 37 mOhm. Lies die Note(2), im Datenblatt auf Seite 10, die für die 29/37mOhm gilt: (2) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2% Hast du diese Voraussetzung erfüllt?
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Lothar M. schrieb: > Manfred schrieb: >> Nicht wirklich schlecht, RDS(on) liegt aber deutlich höher als laut >> Datenblatt, 65 gegen 29 mOhm / 80 gegen 37 mOhm. > Lies die Note(2), im Datenblatt auf Seite 10, die für die 29/37mOhm > gilt: > (2) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2% > Hast du diese Voraussetzung erfüllt? Hat er natürlich nicht, aber auch mit seiner Methode dürfte bei weitem nicht das doppelte zu messen sein.
Lothar M. schrieb: > (2) Pulse width ≤ 400μs; duty cycle ≤ 2% > Hast du diese Voraussetzung erfüllt? Du meinst das dies bei 500mA eine Rolle spielt? Leuchtet mir nicht ein, und Manfred hatte im Eröffnungspost ja genau dieses Problem thematisiert. Vorschlag zur Güte: ein Besitzer eines ungefakten Teils könnte (unter Dauerlastbedingungen, einen Schaden am Bauteil halte ich bei so kleinen Leistungen für ausgeschlossen) Manfreds Messung ja mal nachturnen. 2,5V ans Gate, Drainstrom langsam auf 500mA hochjodeln, Uds messen.
hinz schrieb: > dürfte Einer der seltenen Fälle bei denen wir uns auf Anhieb einig sind :D Einen Freiwilligen zwecks Messung an einem Originalteil hatte ich ja schon gesucht... auf der anderen Seite: mir fehlt primär die Wiederholungsmessung an einem -noch niemals überlastetem- Exemplar seitens Manfred. Ich hol jetzt erstmal Bier und Chips :D
2aggressive schrieb: > Ich hol jetzt erstmal Bier und Chips :D Beware of counterfeit beer and chips!
hinz schrieb: > Er hat doch eine 4-Leiter Messung gemacht. na ja, mit 3 Messgeräte sogar eine 6 Leitermessung, aber zugegeben selbst so gemessen rechtfertigt es keine 100% Abweichung, also glaube ich du hast Recht: hinz schrieb: > Da hat man dir Fakes angedreht. Auch das undeutliche Marking sieht > danach aus. Hab mal ein Original angehängt. der folgende Tip ist trotzdem gut: 2aggressive schrieb: > Hmmpf. Deine mickrigen Leiterbahnen wirken wie zusätzliche Heizdrähte. > Vorschlag: entnehme ein neues Exemplar aus dem Gurt, Löte zumindest > direkt an das Drain ein ordentliches Stück dicken (>1,5mm2) Kupferdraht > zur Entwärmung. Wiederhole die Messung. Ich würde sogar an alle Beine mit >=1,5mm² gehen
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Gerade gemessen: IRLML6344 von Reichelt Gatespannung: 2,5V Strom Drain - Source: 1A Widerstand Drain - Source: 27,27mOhm Widerstand Drain - Source: 27,71mOhm nach einer Minute (+5K) Widerstand Drain - Source: 27,55mOhm nach 10 Minuten (+7K) Erwärmung des MOSFETs nach einer Minute um ca. 5K - gemessen mit Wärmebildkamera. Nach 10 Minuten ist der MOSFET nochmal um ca. 2K wärmer geworden. Gruß Daniel
Weil ich gerade so am Messen war, hier noch eine Messung bei 4A. IRLML6344 von Reichelt Gatespannung: 2,5V Strom Drain - Source: 4A Widerstand Drain - Source: 35,76mOhm nach ca. 5Min Temperatur des MOSFETs nach 5 Minuten ca. 70°C bei 23°C Raumtemperatur - gemessen mit Wärmebildkamera. Temperatur und Widerstand bleiben jetzt auch bei längerer Messung weitgehend konstant. Gruß Daniel
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Dieter schrieb: > dazu muesstest Du auch angemeldet sein. Das wäre keine unüberwindbare Hürde :-) Angemeldet seit 28.10.2017
Daniel B. schrieb: > Strom Drain - Source: 1A > Widerstand Drain - Source: 27,27mOhm > Widerstand Drain - Source: 27,71mOhm nach einer Minute (+5K) > Widerstand Drain - Source: 27,55mOhm nach 10 Minuten (+7K) Hmmmm, wird 2K wärmer und niederohmiger? Jedenfalls hat Deiner fast den typischen Datenblattwert. Du hast +7K bei 28mW - also hat Dein Aufbau 250K/W. Daniel B. schrieb: > Strom Drain - Source: 4A > Widerstand Drain - Source: 35,76mOhm nach ca. 5Min Gibt 143mV UDS und 570mW Verlustleistung. > Temperatur des MOSFETs nach 5 Minuten ca. 70°C bei 23°C Raumtemperatur - Laut Datenblatt erreicht der Kleine 100K/W bei Montage auf einem Quadratinch Kupfer - damit errechne ich 80°C bei 23°C Raum. Für Deine 70°C ergeben sich 82K/W. Mit den vom ersten Aufbau (+7K) gerechneten 250K/W würde der bei 4A 165°C erreichen, was hast Du verändert? Dass ein FET bei höherem Strom hochohmiger wird, in Deinen Messungen 27mOhm @ 1A / 36mOhm @ 4A, habe ich schon an anderer Stelle beobachtet, muß wohl so sein. Damit erreichst Du den gerade noch zulässigen RDSon.
Daniel B. schrieb: > Gerade gemessen Vielen Dank für die Zahlen und für das aussagekräftige Bild des Testaufbaus :-) SCNR; Bei 4A würde man beim Manfredschen Aufbau wohl auch ohne Wärmebildkamera die Leiterbahnen leuchten sehen
Manfred schrieb: > Hmmmm, wird 2K wärmer und niederohmiger? Ja, da habe ich auch ein bisschen gestaunt. Der Widerstand stieg mit der Erwärmung und als sich die Temperatur dann eingependelt hatte, sank der Widerstand wieder leicht. Wobei wir hier über minimale Werte reden (160uOhm) und diese auch leicht schwankten. Manfred schrieb: > Mit den vom ersten Aufbau (+7K) gerechneten 250K/W würde der bei 4A > 165°C erreichen, was hast Du verändert? Ich habe nichts verändert. Es ist immer der gleiche Aufbau wie auf dem Foto (MOSFET auf Lochrasterplatine mit vielen Korokoklemmen). Vielleicht liegt es mitunter daran, dass bei steigender Temperaturdifferenz der Wärmeaustausch zwischen MOSFET und Umgebung besser wird. Manfred schrieb: > Damit erreichst Du den gerade noch zulässigen RDSon. Bedenke, die Datenblattangaben wurden bei kurzen Pulsen und geringem duty cycle und somit wahrscheinlich bei kaltem MOSFET gemacht. Bei mir waren es 100% duty cycle und heißem MOSFET. Und bevor du jede Zahl auf die Goldwaage legst bedenke bitte, dies war keine Messung unter "sterilen" Bedingungen. Es war nur grob um die Daten auf Plausibilität zu prüfen ob dir Fälschungen geliefert wurden (oder mir vielleicht auch - Reichelt liefert auch nicht immer Originale). Und bei Temperaturmessungen mit der Wärmebildkamera muss man bei absoluten Werten sowieso immer ein großes "circa" vor die Temperaturwerte schreiben. 2aggressive schrieb: > Vielen Dank für die Zahlen und für das aussagekräftige Bild des > Testaufbaus :-) Bitte, gerne :-) Gruß Daniel
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