Bei einer MOSFET-Vollbrücke betreibe ich eine Halbbrücke ja gerne im Gegentakt, damit beim Abschalten von Q1 der Kreisstrom nicht über die Bodydiode von Q2 fließen muss - wenn ich nun eine IGBT-Vollbrücke habe, behalte ich dann dieses Ansteuerschema bei, um ebenso die Wärmeverluste zu minimieren oder ist es keine gute Idee, den Transistor von Q2 dann ja im reversen Betrieb zu betreiben? Hab' dazu bislang nichts im Net finden können, vermutlich fehlt mir bislang der passende Suchbegriff!? Thx
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Uli N. schrieb: > ist es keine gute Idee, den Transistor von Q2 dann ja im reversen > Betrieb zu betreiben? Es juckt den Mosfet nichts, wie herum der Strom fließt. Die DS-Strecke eines N-Kanal-Fet ist einfach niederohmig, solange die Spannung am Gate positiver ist als die an Source. Beim "üblichen" Verpolschutz fließt der Strom auch "rückwärts" durch den Mosfet: http://www.lothar-miller.de/s9y/categories/39-Verpolschutz
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Wenn ich ein MOSFET-Vollbrücke habe, ist das klar - ich frage aber, wie schaut das aus, wenn ich statt der MOSFET-Vollbrücke ein IGBT-Vollbrücke habe, wo der Leistungsschalter dann eben ein Transistor ist?
Uli N. schrieb: > den Transistor von Q2 dann ja > im reversen Betrieb zu betreiben? Es kommt auf den IGBT an, manche sind rückwärts leitend(er) wenn man sie ansteuert, bei manchen bewirkt die Ansteuerung garnichts und der Strom fließt nur über die Inversdiode. Is also wirklich model- bzw. typabhängig.
Uli N. schrieb: > Bei einer MOSFET-Vollbrücke betreibe ich eine Halbbrücke ja gerne im > Gegentakt, damit beim Abschalten von Q1 der Kreisstrom nicht über die > Bodydiode von Q2 fließen muss Das ist der Normalfall jeder Halbbrücke, sonst braucht man ja keine. > - wenn ich nun eine IGBT-Vollbrücke habe, > behalte ich dann dieses Ansteuerschema bei, um ebenso die Wärmeverluste > zu minimieren Geht nicht. >oder ist es keine gute Idee, den Transistor von Q2 dann ja > im reversen Betrieb zu betreiben? Geht nicht, der IGBT ist nicht invers leitfähig wie ein MOSFET. Der Strom kann nur über die antiparallele Diode, welche KEINE Bodydiode ist, vom Emitter zum Kollektor fließen.
Ingo Less schrieb: > Es kommt auf den IGBT an, manche sind rückwärts leitend(er) wenn man sie > ansteuert, bei manchen bewirkt die Ansteuerung garnichts und der Strom > fließt nur über die Inversdiode. Is also wirklich model- bzw. > typabhängig. Quark.
Falk B. schrieb: > Ingo Less schrieb: >> Es kommt auf den IGBT an, manche sind rückwärts leitend(er) wenn man sie >> ansteuert, bei manchen bewirkt die Ansteuerung garnichts und der Strom >> fließt nur über die Inversdiode. Is also wirklich model- bzw. >> typabhängig. > > Quark. Hast du Recht, ich hatte das Applikationshandbuch von Semikron falsch interpretiert.
> ... welche KEINE Bodydiode ist, ...
ok - hab' da, da die Dioden auf meinem Modul vorhanden sind,
geschlossen, dass die wie bei den MOSFETs "mitgeliefert" werden - wieder
was dazugelernt!
Falk B. schrieb: > Geht nicht, der IGBT ist nicht invers leitfähig wie ein MOSFET. Der > Strom kann nur über die antiparallele Diode, welche KEINE Bodydiode ist, > vom Emitter zum Kollektor fließen. Das stimmt so nicht mehr unbedingt: Aus dem Applikationshandbuch von Semikron: RC-IGBT Unter der Bezeichnung Reverse Conducting IGBT (RC-IGBT) werden von verschiedenen Herstellern rückwärts leitende IGBT-Chips entwickelt, die im IGBT- und Diodenmodus mit gleicher Stromdichte belastet werden können. Ziel ist die Einsparung der antiparallelen (im Modul hybrid verschalteten) Freilaufdiodenchips mit folgenden Vorteilen: -- Leistungserhöhung pro Modulfläche --Erhöhung der Überlastbarkeit (Stoßstromfestigkeit) --Verbesserung des Parallelschaltvermögens --Vergrößerung des Verhältnisses Rth(j-c) Diode/IGBT --Reduzierung des Temperaturripples je Chip --Erhöhung der Freiheitsgrade für optimales thermisches Moduldesign /Ende
Von Reverse Conducting steht im Datenblatt des hier eingesetzten Moduls (FP100R06KE3) nichts, werde es also besser bleiben lassen, die leitende Didoe zu "überbrücken".
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Uli N. schrieb: > Von Reverse Conducting steht im Datenblatt des hier eingesetzten Moduls > (FP100R06KE3) nichts, werde es also besser bleiben lassen, die leitende > Didoe zu "überbrücken". Das ist doch egal. Wenn die Diode da ist, kann man den IGBT auch einschalten. Bei inversem Stromfluß sieht der IGBT dann halt ca. -1V zwischen Kollektor und Emitter, das tut ihm nicht weh, es fließt auch kein Strom durch den IGBT. Irgendwo bei -30V (?) wird es dann langsam kritisch, dann kommt man an die inverse Durchbruchsspannung.
https://de.wikipedia.org/wiki/Bipolartransistor_mit_isolierter_Gate-Elektrode#Eigenschaften "Der IGBT ist in Rückwärtsrichtung nur begrenzt sperrfähig. Meist ist bereits im Gehäuse eine Freilaufdiode mit kurzen Schaltzeiten zwischen Emitter und Kollektor eingebaut, die in Rückwärtsrichtung leitet. Andernfalls muss bei Bedarf eine externe Freilaufdiode ergänzt werden." https://www.elektronikpraxis.vogel.de/igbt-wie-funktioniert-ein-insulated-gate-bipolar-transistor-a-804200/ "Mit der Ausgangscharakteristik des Bipolartransistors gehen weitere charakteristische Eigenschaften des Bauteils einher. Der IGBT kann Strom nur in einer Richtung führen und weist bei Stromfluss immer eine Vorwärtsspannung auf, die der eines PN-Überganges entspricht." "Anders als beim MOSFET entsteht bei der Herstellung von IGBTs keine Freilaufdiode, auch Body-Diode genannt. Diese ist aber in fast allen Applikationen notwendig, um den Schalter vor Strom in Rückwärtsrichtung zu schützen und den Freilaufpfad herzustellen."
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Ich kenn jetzt die Werte von reverse cunducting IGBT nicht. Aber selbst wenn du einen "normalen" IGBT in Vorwärtsrichtung parallel zu der Diode hättest, der hilft nicht. Ein IGBT hat irgendwas zwischen 1,8V bis 3V Vorwärtsspannung in Leitrichtung. Das ist duetlich mehr als die Diode mit villeicht 1V unter Last. Da fließt dann trotzdem kein signifikanter Strom durch den IGBT.
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