Verstärker für Atmega 318

Gast #6512451
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Hallo,

ich suche einen Verstärker um aus den Pions vom Arduino einen höheren 
Strom schalten zu können.

Benötige 6 Kanäle und würde gerne mindestens 1A@12V schalten, besser 
wären 2A@12V.

Sollte bitte SMD sein und möglichst klein...
Gelötet wird mittels Reflow bzw. es wird fertig bestückt bestellt.

Hat jemand einen Tip?
Gast #6512564
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Jut schrieb:
> Nur der hat eben auch nur 500mA.
> 333mA pro Kanal ... 6 Kanäle

Macht zusammen bis zu 2 Ampere

Die CE Sättigungsspannung beträgt bei dem IC bis zu 1,6 Volt.

2A x 1,6V = 3,2W

Ist ein bisschen viel für diese Gehäuseform, würde ich mal sagen. Selbst 
wenn wir auf die typische Sättigungsspannung von 1,2V hoffen dürfen, 
komme ich auf eine Verlustleistung, die ich nicht abzuführen wüsste.
Gast #6512588
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Es wird Zeit, dass mal ein Hersteller diese Serie mit MOSFETs auflegt, 
z.B. mit welchen ähnlich dem IRLML6344. (oder gibt es das schon und ich 
hab es bisher noch nicht bemerkt?)
Dann wäre nur noch der Maximalstrom durch den GND-Pin ggf. ein Problem.

An Stelle des TO würde ich die genannten Einzeltransistoren nehmen, der 
Platzbedarf dürfte für 6 Kanäle nur unwesentlich größer sein.
#6512680
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Jut schrieb:
> Hallo,
>
> ich suche einen Verstärker um aus den Pions vom Arduino einen höheren
> Strom schalten zu können.
>
> Benötige 6 Kanäle und würde gerne mindestens 1A@12V schalten, besser
> wären 2A@12V.

Sind das 2A/ Kanal oder in Summe?

> Sollte bitte SMD sein und möglichst klein...
> Gelötet wird mittels Reflow bzw. es wird fertig bestückt bestellt.

Also SOT23.

MOSFET-Übersicht

IRLML2502 oder ähnlich.
Gast #6512776
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Jut schrieb:
> Was sind denn die genannten?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> Du meinst wohl einen Transistor, zum Beispiel den IRLML6344.

Gut, Mehrzahl war nicht korrekt 😀. Danach kamen aber dann noch weitere, 
wobei der von Georg mit 5V angesteuert werden sollte, die andern gehen 
auch mit 3.3V:

Falk B. schrieb:
> IRLML2502 oder ähnlich.

Georg M. schrieb:
> https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMPB10XN.pdf
Gast #6512819
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Georg M. schrieb:
> Jut schrieb:
> möglichst klein...
>
> Es gibt sehr kleine MOSFETs, z.B. 2x2mm:
>
> https://assets.nexperia.com/documents/data-sheet/PMPB10XN.pdf

Danke dir. Sehe ich es richtig dass dieser mosfet bis zu 30 V kann (ich 
brauche ja nur 12V) und dann bis zu 13.5A?

Ebenfalls noch an die Profis, wie schließe ich den denn an. Bin da noch 
Laie und verstehe die Bezeichnung der Pins im Datenblatt noch nicht so 
ganz...
Gast #6512878
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Jut schrieb:
> Ebenfalls noch an die Profis, wie schließe ich den denn an. Bin da noch
> Laie und verstehe die Bezeichnung der Pins im Datenblatt noch nicht so
> ganz...

Gate an den Arduinoausgang.
Source an GND.
Drain an den Minusanschluss der Last. Deren Plusanschluss an die 12V.
Vergiss bei induktiver Last die Freilaufdiode nicht - bei LEDs ist die 
aber nicht notwendig.
Gast #6512938
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HildeK schrieb:
> Es wird Zeit, dass mal ein Hersteller diese Serie mit MOSFETs auflegt

Du meinst ein IC mit kleinen starken MOSFET?

Ich glaube das geht nicht, weil diese MOSFET ander hergestellt werden, 
als IC. Das müsste dann schon in Hybrid IC werden, was sich im Zeitalter 
von SMD und Bestückungsautomaten nicht mehr lohnt. Kein Mensch mit 
Verstand würde so ein IC für z.B. 15 € kaufen wollen.
Gast #6512950
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Stefan ⛄ F. schrieb:

> Ich glaube das geht nicht, weil diese MOSFET ander hergestellt werden,
> als IC.

Ich lach' mich tot. Die meisten heutigen ICs bestehen aus genau was? 
Einer mehr oder weniger großen Ansammlung von MOSFETs...

Und natürlich könnte man mit demselben Prozess, der einen Power-MOSFET 
auf das Silizium bannt, auch 8 davon erzeugen...
Gast #6513086
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HildeK schrieb:
> Jut schrieb:
> Ebenfalls noch an die Profis, wie schließe ich den denn an. Bin da noch
> Laie und verstehe die Bezeichnung der Pins im Datenblatt noch nicht so
> ganz...
>
> Gate an den Arduinoausgang. Source an GND.
> Drain an den Minusanschluss der Last. Deren Plusanschluss an die 12V.
> Vergiss bei induktiver Last die Freilaufdiode nicht - bei LEDs ist die
> aber nicht notwendig.

Danke dir!!!
Gast #6513440
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Stefan ⛄ F. schrieb:
> c-hater schrieb:
>> Und natürlich könnte man mit demselben Prozess, der einen Power-MOSFET
>> auf das Silizium bannt, auch 8 davon erzeugen...
>
> Warum tut es dann niemand?

Die meisten Käufer (die Stückzahlen abnehmen) wollen H-Brücken oder 
irgendwas mit Überwachung oder integriertem Gate-Treiber oder 
Audioverstärker oder Schaltregler oder... und keine "nackten" FETs. Das 
war sicherlich auch zu ULN2003-Zeiten schon so, nur gab es da wohl 
weniger spezielle Verstärker.

Oder nur ein-zwei Kanäle (Doppel-FETs gibt es, z.B. den hier: 
https://www.mouser.de/datasheet/2/427/si1902cdl-1764672.pdf) oder so 
viel Leistung, dass mehr als ein FET pro Gehäuse thermisch eh nicht mehr 
geht.

Am dichtesten an einem ULN2003 ist da noch das hier von TI: 
https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tpl7407la.pdf - mit integriertem 
Gate-Treiber.

MfG, Arno
#6513460
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Stefan ⛄ F. schrieb:
> Du meinst ein IC mit kleinen starken MOSFET?
>
> Ich glaube das geht nicht, weil diese MOSFET ander hergestellt werden,
> als IC. Das müsste dann schon in Hybrid IC werden, was sich im Zeitalter
> von SMD und Bestückungsautomaten nicht mehr lohnt. Kein Mensch mit
> Verstand würde so ein IC für z.B. 15 € kaufen wollen.

[ ] Du hast Ahnung von Halbleiterprozessen

https://www.ti.com/product/TPIC6595

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