Umschaltverlust Frage

[Jo T. (j_thalbach)]

Hi,

der Umschaltverlust auf einem leistungsMOSFET kann total verzichtet 
werden nur wenn Uds and Ids nicht gleichzeitig von 0 verschieden sind. 
Ist dieser Zustand realistisch? Was ist mit IGBT?

[MaWin (Gast)]

Jo T. schrieb:
> Ist dieser Zustand realistisch

Es gibt ZVS zero voltage switching z.B. in passend designten 
Spannungswandlern.
Also nicht ganz unrealistisch, aber selten.

[uiuiui (Gast)]

Hallihallo,

Schaltverluste entstehen im Kanal vom MOSFET/IGBT. Wenn die 
Ausgangskapazität des Schalters genügend groß ist, dann fließt beim 
Ausschalten der ganze Strom über das C und nicht dem Kanal und es 
entstehen keine Verluste.

Dabei hat man aber erst mal nichts gewonnen, da die Ausgangskapazität 
beim  harten Einschalten über dem Kanal entladen wird und dann die 
Verluste eben beim Ein- statt beim Ausschalten entstehen. Man verschiebt 
die Verluste dann nur zeitlich.

Hier kommt dann Nullspannungs(ein)schalten ins Spiel. Einige Schaltungen 
nutzen gezielt Oszillationen der VDS/VCE oder das Leiten der parallelen 
(Body-)Diode, um bei nahezu Null-Spannung (VDS/VCE) auch verlustarm 
einzuschalten.

Insgesamt aber sehr komplex solche Schaltungen richtig auszulegen.

Grüße
uiuiui

[Lothar M. (Firma: Titel) (lkmiller) (Moderator)]

Jo T. schrieb:
> der Umschaltverlust auf einem leistungsMOSFET kann total verzichtet
> werden nur wenn Uds and Ids nicht gleichzeitig von 0 verschieden sind.
Kannst du das bitte nochmal schreiben?
Und dabei so formulieren, dass man erkennen kann, worauf deine Frage 
abzielt. Du darfst deinen Text vor dem Senden ruhig nochmal durchlesen 
und prüfen, ob du ihn auch dann verstehen würdest, wenn du nichts von 
deinem Problem wüsstest. Dann hättest du die Möglichkeit, noch fehlende 
Informationen nachzuliefern.