Hi, der Umschaltverlust auf einem leistungsMOSFET kann total verzichtet werden nur wenn Uds and Ids nicht gleichzeitig von 0 verschieden sind. Ist dieser Zustand realistisch? Was ist mit IGBT?
Gast
#6520272
Jo T. schrieb: > Ist dieser Zustand realistisch Es gibt ZVS zero voltage switching z.B. in passend designten Spannungswandlern. Also nicht ganz unrealistisch, aber selten.
Gast
#6520346
Hallihallo, Schaltverluste entstehen im Kanal vom MOSFET/IGBT. Wenn die Ausgangskapazität des Schalters genügend groß ist, dann fließt beim Ausschalten der ganze Strom über das C und nicht dem Kanal und es entstehen keine Verluste. Dabei hat man aber erst mal nichts gewonnen, da die Ausgangskapazität beim harten Einschalten über dem Kanal entladen wird und dann die Verluste eben beim Ein- statt beim Ausschalten entstehen. Man verschiebt die Verluste dann nur zeitlich. Hier kommt dann Nullspannungs(ein)schalten ins Spiel. Einige Schaltungen nutzen gezielt Oszillationen der VDS/VCE oder das Leiten der parallelen (Body-)Diode, um bei nahezu Null-Spannung (VDS/VCE) auch verlustarm einzuschalten. Insgesamt aber sehr komplex solche Schaltungen richtig auszulegen. Grüße uiuiui
Jo T. schrieb: > der Umschaltverlust auf einem leistungsMOSFET kann total verzichtet > werden nur wenn Uds and Ids nicht gleichzeitig von 0 verschieden sind. Kannst du das bitte nochmal schreiben? Und dabei so formulieren, dass man erkennen kann, worauf deine Frage abzielt. Du darfst deinen Text vor dem Senden ruhig nochmal durchlesen und prüfen, ob du ihn auch dann verstehen würdest, wenn du nichts von deinem Problem wüsstest. Dann hättest du die Möglichkeit, noch fehlende Informationen nachzuliefern.
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