Hallo,
ich würde gerne über meinen uC (ATmega2560) die Basis eines Transistors
ansteuern, der dann durchschalten soll.
Ich habe gelesen, dass man einen Basiswiderstand einbauen soll, damit
der Transitor nicht zu viel Strom zieht und dadurch den uC überlastet.
Ist das noch aktuell, also braucht man den Basiswiderstand tatsächlich?
LG
Jannik
hinz schrieb:> Ja, den braucht man.
Nur der Vollständigkeit halber für den TO:
Ein MOSFET ist auch ein Transistor, da braucht man keinen - der hat
allerdings keine Basis, sondern ein Gate 😀.
Und es gäbe auch sog. Digitaltransistoren, auch die benötigen keinen
(externen) Basiswiderstand; der ist dort eingebaut.
Bipolare Transistoren ohne weitere Besonderheiten brauchen ihn
tatsächlich und immer noch und auch in Zukunft.
Jannik schrieb:> Ist das noch aktuell, also braucht man den Basiswiderstand tatsächlich?
Also wenn ein altmodischer Bipolartransistor damit gemeint sein sollte,
ist der Basiswiderstand nach wie vor relevant.
mfg
Der Basiswiderstand hat mehrere Aufgaben
1. Begrenzung des Basisstromes, entweder um den Ts zu schützen oder um
die Signalquelle zu schützen.
2. Um Sättigung gering zu halten. Wenn ein TS mehr Basisstrom erhält als
für den momentanen Kollektorstrom notwendig ist, nennt man das
Sättigung. Die verlangsamt aber das Abschalten des Transistors.
3. Bei HF-Transistoren wird durch einen niedrigen Basisvorwiderstand
ungewünschtes parasitäres Schwingen verhindert.
Peter R. schrieb:> Wenn ein TS mehr Basisstrom erhält als> für den momentanen Kollektorstrom notwendig ist, nennt man das> Sättigung.
Nee, das nennt man Übersteuerung. Sättigung ist dann, wenn mehr gar
nichts mehr bringt.
HildeK schrieb:> Ein MOSFET ist auch ein Transistor, da braucht man keinen - der hat> allerdings keine Basis, sondern ein Gate 😀.
stimmt, es ist sogar UNMÖGLICH einen Basiswiderstand zu verwenden!
Aber ein Widerstand am Gate kann sinnvoll sein weil dicke MOSFET
reichlich Gatekapazität haben und bei schnellen Umladungen bei PWM auch
den µC stressen können.
Joachim B. schrieb:> Aber ein Widerstand am Gate kann sinnvoll sein weil dicke MOSFET> reichlich Gatekapazität haben und bei schnellen Umladungen bei PWM auch> den µC stressen können.
Ja, aber es ging weder um PWM noch um 'dicke' Transistoren, sonst wäre
die Verwendung eines bipolaren Transistors gar nicht in Betracht
gekommen: da reicht schnell der Basistrom aus einem μC nicht mehr.
michael_ (Gast)
>Erstmal wieder sollte gesagt werden, welche Betriebsspannung ist und was>geschalten werden soll.>Danach kann es weitergehen.
Du scheinst im falschen Thread zu sein, denn hier ist das für die Frage
des TO vollkommen wurscht.
HildeK schrieb:> Ja, aber es ging weder um PWM noch um 'dicke' Transistoren, sonst wäre> die Verwendung eines bipolaren Transistors gar nicht in Betracht> gekommen: da reicht schnell der Basistrom aus einem μC nicht mehr.
Ach?
Jannik schrieb:> ich würde gerne über meinen uC (ATmega2560) die Basis eines Transistors> ansteuern, der dann durchschalten soll.
Bevor man da irgendwelche Empfehlungen gibt, solltst Du sagen,
was Du mit dem Transistor schalten willst.
HildeK schrieb:> Ja, aber es ging weder um PWM noch um 'dicke' Transistoren
trotzdem erwähnenswert! ;-)
Pauschalantworten bei unbekannter Verwendung sind selten hilfreich.
Erstmal danke für die zahlreichen Antworten.
Ich merke ich hätte mich besser ausdrücken sollen. Es geht tatsächlich
um einen MOSFET der natürlich ein Gate hat, keine Basis.
Ich entnehme der Antwort von HildeK, dass ich also keinen Widerstand an
das Gate schalten muss und dem uC das quasi Wurst ist.
Besten Dank!
roehrenvorheizer schrieb:> Also wenn ein altmodischer Bipolartransistor damit gemeint sein sollte
Nur ein BJT besitzt eine Basis.
p.s. Ein FET entspricht in seiner Funktionsweise weitgehend einer
Elektronenröhre. Da kann man trefflich streiten, wer älter ist.
Lediglich die Umsetzung auf Halbleitermaterial ist neuer.
Chregu schrieb:> Sogenannte "Digitaltransistoren" sind die Einzigen, die (bei 5V) keinen> Basis-/Gatewiderstand benötigen!
So ist das bei integrierten Schaltungen. Bei einem "Digitaltransistoren"
ist die Basis des internen Transistors gar nicht heraus geführt, sondern
intern verdrahtet.
Jannik schrieb:> Ich entnehme der Antwort von HildeK, dass ich also keinen Widerstand an> das Gate schalten muss und dem uC das quasi Wurst ist.
Ohne Deine angedachte Schaltung zu kennen, wage ich trotzdem zu
behaupten, dass sie so einfach nicht zu realisieren sein wird. Was soll
denn genau wie geschaltet werden?
Wolfgang schrieb:> Ein FET entspricht in seiner Funktionsweise weitgehend einer> Elektronenröhre.
Das ist für Jannik garantiert der entscheidende Hinweis.
SCNR
Udo S. schrieb:> Wolfgang schrieb:> Ein FET entspricht in seiner Funktionsweise weitgehend einer> Elektronenröhre.
Warum kam der nicht von mir? Nur weil man den FET nicht vorzuheizen
braucht?
mfg
Christian S. schrieb:> Warum kam der nicht von mir? Nur weil man den FET nicht vorzuheizen> braucht?
Je eben! Finde dich damit ab, dass du arbeitslos wirst ... 😀
Jannik schrieb:> Ich entnehme der Antwort von HildeK, dass ich also keinen Widerstand an> das Gate schalten muss und dem uC das quasi Wurst ist.
du entnimmst falsch, schade eigentlich!
Joachim B. schrieb:> Aber ein Widerstand am Gate kann sinnvoll sein weil dicke MOSFET> reichlich Gatekapazität haben und bei schnellen Umladungen bei PWM auch> den µC stressen können.Joachim B. schrieb:> trotzdem erwähnenswert! ;-)> Pauschalantworten bei unbekannter Verwendung sind selten hilfreich.Jannik schrieb:> Ich habe gelesen
lese mehr!