Hallo Liebe Community,
ich habe aktuelle eine Platine mit einem selbstgemachten Layout wo sich
darauf MosFETs: IRLB8721PBF befinden, die ich mit dem GPIO eines
Raspberry Pi durchschalten will. Dies funktioniert auch, wenn die zu
schaltende Spannungsquelle aus ist, jedoch raucht mir der Raspberry ab,
wenn ich eine Spannung schalte(Sekundärspannung). Ich habs auch ohne
Raspberry mit einer 12V Spannungsversorgung direkt auf die GPIO Ausgänge
versucht und da hats dann auch geklappt(mit Sekundärspannung). Das
MosFET hab ich verwendet, da es mir empfohlen wurde, jedoch finde ich es
jetzt stutzig das der RG - Gate Resistance 2.3Ohm ist (laut Datenblatt),
das wäre laut meinem verständnis viel zu wenig, jedoch würde der
Raspberry ja dann schon abrauchen, wenn ich das MosFET ohne
Sekundärspannung schalte. Ich hätte es jetzt einfach mit einem 100OHm
Wiederstand vor dem Gate kontakt probiert, aber ich will nicht schon
wieder ein Raspberry verlieren und ich konnte bisher nicht ausrechnen
was dann noch für eine Spannung am Gate anliegt, da ich den Wiederstand
vom Gate nicht kenne.
Zur Grundinformation:
Diode: SB560 DO-201
Kondensator: ist aktuell nicht verlötet
Schalteinheit: Raspberry Pi 4B
MosFET: IRLB8721PBF
Pull-Down Wiederstand: 10kOhm
Schaltung und einzel Schaltplan sind im Anhang
Danke und mit freundlichen Grüßen
Martin
Ein IRLB8721 ist zwar LogicLevel nur für 4.5V spezifiziert, aber der rPi
liefert nur 3.3V, er reicht also nicht.
Mit dem Defekte beim Ausschalten hat das nichts zu tun und die 2.3 Ohm
Gatewiderstand sind normal und ok.
black cable schrieb:> Ich hätte es jetzt einfach mit einem 100OHm Wiederstand vor dem Gate> kontakt probiert
Kann man machen, auch egal, hilft nix macht aber auch nix kaputt.
black cable schrieb:> Kondensator: ist aktuell nicht verlötet
Welcher auch immer, den zwischen + und - der 24V kann ein Problem sein,
wenn der beim Abschalten fehlt.
Hallo MaWin,
vielen Dank für deine schnelle Antwort.
lt. dem Datenblatt vom MosFET ist der Gate Treshold Voltage zwischen
1.35 - 2.35V. Hab ich da was falschen verstanden? Sollte der MosFET dann
nicht bei 2.35V zuverlässig durchschalten?
LINK zum Datenblatt:
https://asset.conrad.com/media10/add/160267/c1/-/en/000161166DS01/datenblatt-161166-infineon-technologies-irlb8721pbf-mosfet-1-n-kanal-65-w-to-220ab.pdf
Der Wiederstand wär dann ja dafür da das der Raspberry nicht gleich
durchbrennt, das wird angeblich gerne bei Bastelschaltungen verwendet.
Ich bin mir nicht sicher aber der Raspberry muss ja fast durch den GPIO
kontakt durchbrennen.
Der Kondensator ist nur zum Glätten einer PWM auf der Netzteill Seite,
jedoch wäre ich zunächst mal froh wenn der Raspberry das MosFET mit der
Last durchschaltet.
Der mosfet fängt bei Ugsth erst an zu leiten. Wann er sicher welchen
Stom schaltet findet man meist in den Diagrammen.
Was mich wundert ist GND an-24V.
Ist das ein Fehler, oder so gewollt?
Hallo Kenny,
ok, also ist dieser MosFET für mein Bedürfnis der falsche?
Ich muss nur 2.5A für 500ms und dann 1.25A schalten, ist diesr dann
Trotzdem Termisch überlastet?
Die 24V- hab ich nur gezeichnet das man erkennt das diese zu den 24V+
gehören.
Hast du eine Ahnung warum der Raspberry durchbrennt?
MaWin schrieb:> Ein IRLB8721 ist zwar LogicLevel nur für 4.5V spezifiziert, aber der rPi> liefert nur 3.3V, er reicht also nicht.
Die Kurve im Datenblatt zeigt, das bei 3V typisch 2A geschaltet werden
können, oder irre ich mich?
Ich würde zum Schutz des RPI zwei Schottky Dioden mit möglichst geringem
Uf mit Vorwiderstand vorsehen.
Eine Diode mit Anode am IO und Kathode an +3V3 und die zweite Diode mit
Kathode am IO und mit der Anode an GND. Wenn keine PWM dann, sollen 1k
(zw. Gate und 10k)in Ordnung sein.
Hallo Gerald,
wo genau sollten die Schottkey Dioden verbaut werden?
Gerald K. schrieb:> MaWin schrieb:>> Ein IRLB8721 ist zwar LogicLevel nur für 4.5V spezifiziert, aber der rPi>> liefert nur 3.3V, er reicht also nicht.>> Die Kurve im Datenblatt zeigt, das bei 3V typisch 2A geschaltet werden> können, oder irre ich mich?
Die MosFETs wären eh nur kurze Zeit eines Spannung ausgesetzt und
könnten sich dann wieder abkühlen, falls diese warm werden.
> Ich würde zum Schutz des RPI zwei Schottky Dioden mit möglichst geringem> Uf mit Vorwiderstand vorsehen.> Eine Diode mit Anode am IO und Kathode an +3V3 und die zweite Diode mit> Kathode am IO und mit der Anode an GND.
Ok, also die zwei Dioden sollten vermeiden das der Strom in den
Raspberry fließen soweit ich das verstanden hab?
> Wenn keine PWM dann, sollen 1k (zw. Gate und 10k)in Ordnung sein.
Ich würde jedoch gerne ein PWM Signal darüber schalten, was müsste ich
dann noch beachten
black cable schrieb:> Sollte der MosFET dann nicht bei 2.35V zuverlässig durchschalten?
Nein, wie geschrieben fängt er da erst an schwach zu leiten.
Keine Ahnung, warum dieser Datenblattlesefehler so hartnäckig in den
Köpfen der Hobbyisten rumgeistert.
Gerald K. schrieb:> Die Kurve im Datenblatt zeigt, das bei 3V typisch 2A geschaltet werden> können, oder irre ich mich?
Ja. Kurven sind 'typisch'. Fur die 3V Kurve können je nach Exemplar auch
2.1 oder 4.2V nötig sein
Garantiert ist nur der RDS(on) Wert bei angegebener UGS Spannung.
black cable schrieb:> wo genau sollten die Schottkey Dioden verbaut werden?
siehe Beilage
black cable schrieb:> Ok, also die zwei Dioden sollten vermeiden das der Strom in den> Raspberry fließen soweit ich das verstanden hab?
Die Durchlassspannung der Substratdioden des MC sollte höher sein als
die der Schottkydioden ( z.B. MBR0520LT1G Very Low Forward Voltage
(0.38 V Max @ 0.5 A, 25°C)
black cable schrieb:> Ok, also die zwei Dioden sollten vermeiden das der Strom in den> Raspberry fließen soweit ich das verstanden hab?
Dazu muss Durchlassspannung der Schottkydioden kleiner als die der
Substratdioden sein.
black cable schrieb:> Ich würde jedoch gerne ein PWM Signal darüber schalten, was müsste ich> dann noch beachten
Dann muss der Vorwiderstand kleiner sein, um das Gate möglichst schnell
umladen zu können. Die Frage ist ob der Ausgang des MC's ausreichend
ist.
Der FET hat laut Datenblatt über 1nF Gatekapazität. Diese muss vom
Ausgange über den 1k Widerstand umgeladen werden. Damit ist die
Schaltzeit übern Daumen ~ 1nF x 1k > 1us !!!
black cable schrieb:> ich habe aktuelle eine Platine mit einem selbstgemachten Layout
Und wo ist der Schaltplan dazu
> Schaltung_einzeln.png
EINMAL bei der Wahl des Dateiformates nachzudenken, ist doch wohl nicht
sooh schwierig. Keiner legt hier Wert auf die verlustfreie Reproduktion
der Textur deiner Malstiftspitze.
> Schaltung_Platine.png
Da hast du die falsche Datei erwischt. Das ist ein Layout - dazu auch
noch völlig vergittert.
> Dies funktioniert auch, wenn die zu> schaltende Spannungsquelle aus ist, jedoch raucht mir der Raspberry ab,> wenn ich eine Spannung schalte(Sekundärspannung).
Dann solltest du vielleicht den KOMPLETTEN Schaltplan inklusive
Anschluss an der RaspberryPi und Verdrahtung der Stromversorgung zeigen,
oder meinst du, irgend jemand kann den aus deinem vergitterten Layout
extrahieren.
black cable schrieb:> lt. dem Datenblatt vom MosFET ist der Gate Treshold Voltage zwischen> 1.35 - 2.35V. Hab ich da was falschen verstanden?
Ja, die U_GS_th sagt, ab wann der FET ANFÄNGT zu leiten, nicht wann er
durchgeschaltet ist.
Forist schrieb:> Ja, die U_GS_th sagt, ab wann der FET ANFÄNGT zu leiten, nicht wann er> durchgeschaltet ist.
Im Datenblatt ist sogar angegeben welcher Strom bei U_GS_th fließt:
ID = 25μA
black cable schrieb:> Schottkey Dioden
Der Namensgeber des Diodentyps hieß Walter Hans Schottkyblack cable schrieb:> Wiederstand> ...> Wiederstand> ...> Pull-Down Wiederstand: 10kOhmblack cable schrieb:> Wiederstand
widerlich :-(
Hast du mal geprüft, ob du die FET (S1..S7 ?) richtig rum angeschlossen
hast? Von welcher Seite bestückst du die - hoffentlich von unten?
Gerald K. schrieb:> Im Datenblatt ist sogar angegeben welcher Strom bei U_GS_th fließt:> ID = 25μA
Umgekehrt wird da ein Schuh draus.
V_GS(th) ist als diejenige Spannung definiert, die für einen I_D von
25µA angelegt werden muss.
Forist schrieb:> black cable schrieb:>> ich habe aktuelle eine Platine mit einem selbstgemachten Layout>> Und wo ist der Schaltplan dazu
Auf dem PCB Layout sind alle Verbindungen der Platine ersichtlich, ich
kann mein Schaltplan Layout gerade nicht finden, daher hab ich bei der
einzelnen Schaltung mich auf einfache Mittel verlassen.
>> Schaltung_einzeln.png> EINMAL bei der Wahl des Dateiformates nachzudenken, ist doch wohl nicht> sooh schwierig. Keiner legt hier Wert auf die verlustfreie Reproduktion> der Textur deiner Malstiftspitze.
Da muss ich dir leider recht geben, ein Profi macht das gewieß anders.
Ich hoffe jedoch das Ihr meine gedanken zu meinem Layout versteht.
>> Schaltung_Platine.png> Da hast du die falsche Datei erwischt. Das ist ein Layout - dazu auch> noch völlig vergittert.
ok, welches Format verlangst du den?
>> Dies funktioniert auch, wenn die zu>> schaltende Spannungsquelle aus ist, jedoch raucht mir der Raspberry ab,>> wenn ich eine Spannung schalte(Sekundärspannung).>> Dann solltest du vielleicht den KOMPLETTEN Schaltplan inklusive> Anschluss an der RaspberryPi und Verdrahtung der Stromversorgung zeigen,> oder meinst du, irgend jemand kann den aus deinem vergitterten Layout> extrahieren.
okok, ich habs jetzt verstanden
> black cable schrieb:>> lt. dem Datenblatt vom MosFET ist der Gate Treshold Voltage zwischen>> 1.35 - 2.35V. Hab ich da was falschen verstanden?>> Ja, die U_GS_th sagt, ab wann der FET ANFÄNGT zu leiten, nicht wann er> durchgeschaltet ist.
black cable schrieb:> Auf dem PCB Layout sind alle Verbindungen der Platine ersichtlich
Man darf schon anfangen zu suchen, was dein MOSFETs sind. Und von
welcher Seite du die bestückst hast, ist völlig unklar.
> ok, welches Format verlangst du den?
Ich verlange gar nichts. Ich gebe dir nur den Tipp, deine Daten
möglichst handlich und übersichtlich zu präsentieren. Der beim Hochladen
von Dateianhängen gezeigte Hinweis verrät dir die Dateiformate. Für
deine Malerei mit nicht klaren Linien empfiehlt sich JPG, für das Layout
ist PNG ok. Das merkst du schon an der Dateigröße, wenn du es mal anders
speicherst und dir die Bildqualität im Verhältnis zur Größe ansiehst.
Keiner, der vielleicht mit begrenztem Datenvolumen, Übertragungsrate
oder schlechter Anbindung hier liest, hat Lust, unnötig Daten herunter
zu laden.
Und je handlicher dein Anliegen rüber kommt, um so mehr Hilfe kannst du
erwarten.
Dein Layout zeige einfach ohne die hier völlig nutzlosen Gitterlinien.
Die interessieren im Zusammenhang mit deiner Fragestellung wirklich
niemanden und sorgen nur für unnötiges Wirrwarr im Bild.
black cable schrieb:>> Ja, die U_GS_th sagt, ab wann der FET ANFÄNGT zu leiten, nicht wann er>> durchgeschaltet ist.
Genau genommen kann bei U_GS_th = 0, abhängig von der
Sperrschichttemperatur (Tj=125°C), schon ein Leckstrom von bis zu 150µA
fließen (siehe Datenblatt). Es ist immer die Frage was man als leitend
bezeichnet.
Gerald K. schrieb:> Genau genommen kann bei U_GS_th = 0, abhängig von der> Sperrschichttemperatur (Tj=125°C), schon ein Leckstrom von bis zu 150µA> fließen (siehe Datenblatt).
Genau genommen bezieht sich Datenblattangabe zur U_GS_th (1.35 - 2.35V)
auf eine Temperatur von 25°C, wie dick und fett in der
Tabelleüberschrift angegeben ("Static @ TJ = 25°C (unless otherwise
specified)") und spezifiziert die Spannung bei einem I_D von 25µA.
Gerald K. schrieb:> Forist schrieb:>> Ja, die U_GS_th sagt, ab wann der FET ANFÄNGT zu leiten, nicht wann er>> durchgeschaltet ist.>> Im Datenblatt ist sogar angegeben welcher Strom bei U_GS_th fließt:> ID = 25μGerald K. schrieb:> black cable schrieb:>> wo genau sollten die Schottkey Dioden verbaut werden?>> siehe Beilage>> black cable schrieb:>> Ok, also die zwei Dioden sollten vermeiden das der Strom in den>> Raspberry fließen soweit ich das verstanden hab?>> Die Durchlassspannung der Substratdioden des MC sollte höher sein als> die der Schottkydioden ( z.B. MBR0520LT1G Very Low Forward Voltage> (0.38 V Max @ 0.5 A, 25°C)
ok, meinst du damit das für die Dioden D1 und D2 (lt. deinem Schaltbild)
z.B.: ein MBR0520LT1G verbaut werden sollte?
Und welche Funktion übernehmen diese zwei Dioden im Detail?
> black cable schrieb:>> Ok, also die zwei Dioden sollten vermeiden das der Strom in den>> Raspberry fließen soweit ich das verstanden hab?>> Dazu muss Durchlassspannung der Schottkydioden kleiner als die der> Substratdioden sein.
Was genau ist den jetzt eine Substratdiode? Ist diese im Mosfet drinen?
Und ist meine Freilaufdiode für meinen Einsatzzweck die richtige?
> black cable schrieb:>> Ich würde jedoch gerne ein PWM Signal darüber schalten, was müsste ich>> dann noch beachten>> Dann muss der Vorwiderstand kleiner sein, um das Gate möglichst schnell> umladen zu können. Die Frage ist ob der Ausgang des MC's ausreichend> ist.
Was genau meinst du mit dem Ausgang des MC's?
> Der FET hat laut Datenblatt über 1nF Gatekapazität. Diese muss vom> Ausgange über den 1k Widerstand umgeladen werden. Damit ist die> Schaltzeit übern Daumen ~ 1nF x 1k > 1us !!!
Ok, der Vorwiedertand könnte ich jedoch falls nötig auf 100Ω reduzieren
oder ist dieser dann zu klein für den Raspberry.
Danke und mfg
Martin
MaWin schrieb:> Ein IRLB8721 ist zwar LogicLevel nur für 4.5V spezifiziert,
Das liegt daran, dass Logic Level vor 30 jahren eben 5V waren und nicht
3,3V
Und auch da hat schon nur gerade so funktioniert.
Forist schrieb:> black cable schrieb:>> Vorwiedertand>> https://de.wikipedia.org/wiki/Elektrischer_Widerstand>> Hast du inzwischen mal geprüft, ob der FET in der richtigen Orientierung> eingelötet ist (Photo)?
ja, hab ich mehrfach geprüft. Da hab ich beim Layout der Platine einen
Fehler gemacht und den S8 um 180° verkehrt gezeichnet, jedoch hab ich
den richtig rum verlötet.
Ich weiß zwar nicht wieso über das Gate ein so großer Impuls an den
Raspi kommt und diesen zerstört (kann ja nur über die
Gate-Drain-Kapazität kommen, sollte aber von der Freilaufdiode
unterdrückt werden), aber die Beschaltung mit Schottky-Dioden als
"stärkere" Substratdioden ist genauso ungünstig, weil der Impuls dann
über D1 in die 3,3V-Versorgungsspannung gepumpt wird. Diese wird von
einem Schaltregler erzeugt, welcher jedoch nur Strom liefern, aber nicht
ableiten kann. Somit wird der Raspi wieder zerstört.
Besser wäre eine Suppressordiode am IO nach GND, die den Impuls
ableitet. Ich habe jetzt nicht nach einer passenden gesucht, es müßte
eine für 3,3V sein. Sind die Raspi-IOs eigentlich 5V-tolerant?
5V-Suppressordioden gibt es auf jeden Fall.
Stefan H. schrieb:> Diese wird von einem Schaltregler erzeugt, welcher jedoch nur Strom> liefern, aber nicht ableiten kann.
Das mag richtig sein, aber die Kondensatoren und dIe Last des Prozessor
dämpfen die Spannungspitzen erheblich. Bei 24V über 1k sind es 20mA, die
werden vom Prozessor übernommen, also das NG um diesen Betrag entlastet.
Es braucht kein Strom ins NG abfließen.
Die internen Schutzdioden im Prozessor machen nichts anderes, schaffen
aber bei weitem den Strom nicht. Diesen übernehmen dann die externen
Schottkydioden.
Stefan H. schrieb:> eine für 3,3V sein. Sind die Raspi-IOs eigentlich 5V-tolerant?
NEIN, auf keinen Fall.
Hast Du mal geprüft ob einer der FET's "ein Ding weg hat"? Was auch sein
kann: Eine Brücke zwischen der 24V Schiene und einem der
RasPi-Anschlüsse. (Stichwort: Durchmessen der Platine)
black cable schrieb:> Forist schrieb:>> black cable schrieb:>> Hast du inzwischen mal geprüft, ob der FET in der richtigen Orientierung>> eingelötet ist (Photo)?>> ja, hab ich mehrfach geprüft. Da hab ich beim Layout der Platine einen> Fehler gemacht und den S8 um 180° verkehrt gezeichnet, jedoch hab ich> den richtig rum verlötet.
Hast Du für den RasPi auf der GPIO_OUT Seite Lötstifte und auch etwas
drauf? Vielleicht bin ich ja zu blind, aber für mich sieht das komisch
aus mit den zwei Steckerleisten - weil dort permanent die Gefahr besteht
das ein Pin das falsche Signal bekommt. (3,3V und 5V liegen einander
gegenüber)
NACHTRAG: Bild angehangen. Der Stift 1 ist bei beiden Leisten links!
1. ein GPIO vom Raspberry darf nur mit max. 5mA belastet werden, sonst
kaputt
2. ein GPIO vom Raspberry kann nur 3,3V liefern, eine höhere
Eingangsspannung als 4,2V -> kaputt ( auch bei nur kurzen Pulsen )
3. ein GPIO eines R-Pi kann man nur selten direkt zum Treiben eines FETs
benutzen, ein OpAmp als Impendanzwandler dazwischenschalten ist Pflicht.
Spannungserhöhung auf 5V und Stromausgang von 125mA ist damit leicht
möglich und man kann dann N-FETs schalten ( Bezug zu Gnd ). P-FETs sind
eine andere Geschichte/Beschaltung.
4. die Grenzspannung am Gate "FET zu/offen" ist kein Durchschalten des
FETs.
5. die Gatespannung am FET muss die Spannung erreichen an dem der
Durchgangswiderstand Drain-Source im FET am niedrigsten ist wenn man den
FET als Schalter verwenden will ( Daumenwert: maximale Gatespannung/2 )
drm schrieb:> ein OpAmp als Impendanzwandler dazwischenschalten
Das würde ich nur machen, wenn ich einen OpAmp aus der Bastelkiste
unbedingt "verbasteln" will, die meisten können auch keine hohen Ströme
liefern bzw. fangen bei Überlastung an zu schwingen. Für diesen Zweck
gibt es Gate-Treiber-IC's, und die sind auch nicht viel teurer. Nicht zu
vergessen ist daß der Gate-Treiber bei PWM-Ansteuerung die gesamte
Steuerleistung in Wärme umwandelt, weswegen viele Treiber-IC's ein
Wärmeableitpad an der Unterseite haben. Die Verlustleistung ist dann
P=U*Qg*f
wobei U die Treiberspannung, Qg die Gateladung und f die PWM-Frequenz
ist.
drm schrieb:> RTF datenblatt
Ist eine "Ultra-Low Gate Impedance" wirklich eine "Benefit"?
Die Ursache ist die große Gatefläche und damit die große Kapazität.
>Ist eine "Ultra-Low Gate Impedance" wirklich eine "Benefit"?
der TO wäre schon froh wenn er seinen R-Pi nicht killt und der FET ganz
durchschaltet, alles andere ist erst mal egal
drm schrieb:>>Ist eine "Ultra-Low Gate Impedance" wirklich eine "Benefit"?> der TO wäre schon froh wenn er seinen R-Pi nicht killt und der FET ganz> durchschaltet, alles andere ist erst mal egal
Der FET ist doch nur dann ein Problem, wenn die Peaks über 30V liegen.
Aber beim Einschalten ohne aktive Relais?
Also ich glaube das der TO hat entweder die Platine noch nicht
vollständig geprüft oder einen Dreher bei den Steckern...
Zwischen Raspi und Gate würde ich 330Ω Widerstände schalten, damit
dessen Ausgänge durch das Umladen der Gate-Kapazitäten nicht überlastet
werden.
Lass mich raten: Der Raspi geht erst kaputt, wenn viele Ausgänge
gleichzeitig geschaltet werden, richtig?
Man könnte das "schalten" ja erstmal ganz ohne Last testen und dabei die
Spannungen an den GPIO Pins mit einem Oszilloskop prüfen. Wenn du den
trigger auf steigende Flanke 4V einstellst, wird das Oszilloskop
wunderbare Schnappschüsse von der Überspannung machen, falls vorhanden.
Danach nochmal mit einer einfachen kleinen ohmschen Last testen (z.B.
LEDS mit Vorwiderstand).
Danach ist man schon viel schlauer.
>Zwischen Raspi und Gate würde ich 330Ω Widerstände schalten, damit
der FET auch wirklich langsam schaltet und an der Verlustleistung stirbt
>mit einer einfachen kleinen ohmschen Last testen
ob es bei einer induktiven Last keine Probleme gibt. Super Plan.
>Danach ist man schon viel schlauer.
Nein
drm schrieb:>> Zwischen Raspi und Gate würde ich 330Ω Widerstände schalten,> damit>> der FET auch wirklich langsam schaltet und an der Verlustleistung stirbt>>> mit einer einfachen kleinen ohmschen Last testen>> ob es bei einer induktiven Last keine Probleme gibt. Super Plan.>>> Danach ist man schon viel schlauer.>> Nein
Hatte leider viel um die Ohren und habs jetzt verschwitz euch zu
antworten. Ohne Last(ohne Spule) schaltete das MosFET wunderbar, die
Platine hab ich durchgemoßen, selbstverständlich auch die Mosfets, war
aber alles nach meinem Verständnis OK. Die Pins an dem Raspberry Stecker
an der Platine sind alle ok und haben auch keine Verbindung zueinander.
Bei einem Test konnte ich mit einem 1kOhm Wiederstand am Raspberry GPio
Pin, sowie auf GND die Spule wunderbar durchschalten. Ich denke mal das
ich die Verbindung vom RPI-GND zur Platine herausnehme und diese mit
einer Verbindung mit einem 1kOhm Wiederstand ersetzte. Danach kann ich
dann mal testen ob PWM klappt und wie heiß die MosFETs werden, im
schlimmsten Fall werd ich eben nur klüger;)
Schaltung_einzeln.png
(1 MB)
Schaltung_Platine.png
(360 KB)
