PMOS-Mosfet Schutzbeschaltung

[Schnee (Gast)]

Hallo zusammen,

ich möchte mit der Schaltung im Anhang eine GND Verbindung überprüfen. 
Eingesetzt wird sie, um Gehäuse mit Masseanschluss zu testen.

Jetzt dachte ich erst ein Pullup würde reichen, dass bei keiner 
Kontaktierung am Eingang das PMOS Mosfet sperrt und erst bei Eingang = 
0V in den leitenden Zustand geht.

Jetzt könnte natürlich der Fall auftreten, dass auf dem Gehäuse 
plötzlich +24V anliegen und mein FET beschädigt wird. Dafür habe ich 
jetzt die TVS-Diode D1 (im Anhang) eingezeichnet (>6V Durchbruch).

Bräuchte eine zweite Meinung ob das so i.O ist, bin mir einfach nicht 
mehr sicher... Vielleicht hat ja jemand eine bessere Idee?

Danke.

[Jens (Gast)]

Die Z-Diode kommt parallel zum 10k Widerstand und am Eingang noch ein 
Schutzwiderstand, damit die Z-Diode keinen Schaden nimmt.

[Schnee (Gast)]

Wieso denn Z-Diode ? Ist eine TVS-Diode. Die braucht normalerweise 
keinen Widerstand da sie einen scharfen Knick hat und ab der 
Schwellenspannung so schlagartig niederohmig wird. Ein Widerstand wird 
hier eigentlich nicht verbaut. Vorallem kann sie das ja nacheinander 
ohne dass sie kaputt geht.

Klar, bei Z-Dioden muss er rein. Muss mal schauen, vllt nehme ich doch 
eine Spannungsbegrenzung. Die Platine dafür soll eben sehr klein werden. 
Die VCC Spannung wird extern schon stabilisiert.

[Jens (Gast)]

Schnee schrieb:
> Wieso denn Z-Diode ?

Die Z-Diode hätte noch den Vorteil, dass sie die gefährliche 
Reversespannung vom Gate fern hält, da in umgekehrter Richtung nur 0,7 
Volt an ihr abfallen.
Man weiß ja nie genau welches Potential gerade am Eingang anliegt.

[123 (Gast)]

Ein Serienwiderstand sollte dringend an das Gate um Ströme ins Gate zu 
limitieren. Je nach benötigter Geschwindigkeit respektive 
Flankensteilheit irgendwas zwischen 100R und 3,3k. Wie groß ist VCC , 
wie groß die Spannung am Eingang? Wieso klemmst du mit der TVS gegen 
Masse und nicht die Drain-Gate Strecke?

[Schnee (Gast)]

Hab die Schaltung jetzt nochmal geändert. Nach langer Überlegung war mir 
die Spannungsbegrenzung jetzt doch lieber, vor allem da ich die Bauteile 
schon alle da habe. Jetzt habe ich auch einen 1kR zum Gate und vor die 
Z-Diode geschaltet. Finde ich jetzt auch die beste Lösung. Wenn jetzt 
die Spannung auf ein Mal auf 24V steigt (Falsche Verdrahtung etc), 
begrenzt die Zenerdiode und das Mosfet bleibt gesperrt und das auch noch 
definiert/stabilisiert.

Danke euch!