Aufbau H-Brücke für Spannungswandler

Stefan schrieb:
> Besteht ein Unterschied (technisch) zwischen dem Aufbau
> der Brücke mit 4 (bzw. 2x4) IRFN360N10

Sagt mir nichts.

> (100V / 200A) , welche mit
> CU-Schienen verbunden sind und einem Aufbau auf Leiterplatte mit z.B. 5
> IRFP4110 (100V / 120A) je Brückenviertel (gesamt 20Stück)

Na ja, du wirst dich bemühen, die Streuinduktivität, also vor allem die 
Impedanz der Leitung zwischen Source der MOSFETs und der MOSFET Treiber 
(IC oder Ansteuertrafo) so klein wie möglich zu halten, zudem möchte man 
bei knapp (200A für 160A) ausgelegen MOSFETs eine schnell wirkende 
Überstrommessung (shunt) und Erkennung (Komparator) haben damit man den 
MOSFET vor Überstrom schützen kann.

OK,
dann werde ich auf den Aufbau mit FET Modulen aufbauen,
ein FET ist für die Leistung recht knapp, werde je 2 parallel betreiben.

Stelle mir aktuell einen schichtweisen Aufbau vor,
Kühlkörper, FETS, CU-Schienen, Abschirmplatte, Steuerplatine.

die Steuersignale möchte ich dann mit Schraubbolzen (ca 30mm) 
übertragen.
Gate Treiber irgendwo IR2110 o. glw., 15V / 2A.

Überstromüberwachung kommt natürlich mit rein.

Muss jetzt noch auf den Trafo warten, den lässt mein Kunde speziell 
anfertigen,
.. wiegt etwa 60kg..

Matthias S. schrieb:
> Bei Littlefuse/IXYS gibts sowas

Genau wie bei Semikron, was auch zu schwach ausfiele,
und ich glaube, NRND sind beide.

Stefan schrieb:
> dann werde ich auf den Aufbau mit FET Modulen aufbauen,

Wie jetzt? H-Brücken-Module sind keine passenden greifbar.

MaWin schrieb:
> IRFN360N10
>
> Sagt mir nichts.

Vermutung: Gemeint war eher

https://www.mouser.de/ProductDetail/IXYS/IXFN360N10T/?qs=cvHLLyFtoE0OGpMJsgNJXA%3D%3D

DaBla:

https://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100088(IXFN360N10T).pdf

Recht hochstromtauglich anbindbar ist das Package ja schon.

ich meinte natürlich IXFN360N10T, (..hatte da wieder was anderes im 
Kopf.. sorry),
Die Module habe Schraubanschlüsse, die kann ich gut mit Stehbolzen und 
CU-Schienen verarbeiten.

Stefan schrieb:

> Gate Treiber irgendwo IR2110 o. glw., 15V / 2A.

Du denkst also wirklich das der schmächtige IR2110 mit den 36nF Ciss 
zurandekommt?

Und - bei der Durchlaufzeit bzw. Rise/Fallzeiten die der 2110 hat kannst 
Du an einer schnellen Strombegrenzung vorsehen was Du willst - bis die 
beim Gate angekommen ist heben bereits die ersten (durchs Plasma 
beschleunigten) Gehäuseteile ab und der Lichtbogen wird gerade sichtbar.

Viel Spaß beim Aufräumen der Trümmer wenn Dir der schwachbrüstige IR die 
FETs gehimmelt hat....

oder anders gesagt: Du brauchst da einen gehörigen Gatestrom, rechne mit 
10-15A... in beide Richtungen. Und Du solltest über eine sauschnelle 
Stromabschaltung nachdenken, vom Erkennen bis zum Gate in max. 150ns 
oder so.

Im Datenblatt Deines FETs steht das der mit ca. 10A angesteuert wird um 
die gemessenen Daten zu erhalten..

>Trafo (50Hz)
>Eingangsseite 25V / ca. 160A / 4kVA
>Ausgangsseite 400V    230V  120V / 50Hz
>die H-Brücke wird mit einer Sinus PWM angesteuert.

Das klingt nach einem Schweißtrafo den man zweckentfremden will.

Für deine Auslegung ist die Schaltfrequenz der PWM wichtig.
Du wirst mit FETs arbeiten müssen, die hohe Ausgangskapazitäten haben.
Die Schaltverluste werden schnell zu einem großen Problem.

Ich kenne Systeme aus dem Bereich PV-Batteriespeicher mit ähnlicher 
Eingangsspannung.
Dort verwendet man resonant schaltende DCDC-Wandler um auf eine 
Zwischenkreisspannung >400 V hochzusetzen und mit gängigen
IGBT-Modulen die AC-Spannung zu erzeugen.

Den Trafo kannst du dann weglassen, das Filter hinter dem IGBT-Modul 
fällt deutlich leichter aus als ein 4 kVA-Trafo.

Durch den Wandler stellst du auch die notwendige Isolation zur Batterie 
her.
Einen Strom mit einem Effektivwert von 160 A zu handhaben bleibt als 
Herausforderung aber erhalten ;-)