Hallo, ich sitze gerade an einer H-Brücke für einen Kunden, gegeben sind: Trafo (50Hz) Eingangsseite 25V / ca. 160A / 4kVA Ausgangsseite 400V 230V 120V / 50Hz die H-Brücke wird mit einer Sinus PWM angesteuert. Die Versorgungsspannung kommt aus einem Batteriepack 36V / 1200Ah. meine Frage zum Aufbau der Brücke: Besteht ein Unterschied (technisch) zwischen dem Aufbau der Brücke mit 4 (bzw. 2x4) IRFN360N10 (100V / 200A) , welche mit CU-Schienen verbunden sind und einem Aufbau auf Leiterplatte mit z.B. 5 IRFP4110 (100V / 120A) je Brückenviertel (gesamt 20Stück) Ich habe auch nach einer fertigen FET-H-Brücke gesucht, jedoch finde ich bei diesen Strömen keine mit Schraubanschlüssen.. Bei den FET-Modulen könnte ich den gesamten Leistungsteil "auslagern" und mit dicken CU-Scheinen aufbauen, diese kann ich selbst fertigen. Von dem Teil wird es vermutlich insgesamt nur 2 Stück geben... Vielen Dank!
Stefan schrieb: > Besteht ein Unterschied (technisch) zwischen dem Aufbau > der Brücke mit 4 (bzw. 2x4) IRFN360N10 Sagt mir nichts. > (100V / 200A) , welche mit > CU-Schienen verbunden sind und einem Aufbau auf Leiterplatte mit z.B. 5 > IRFP4110 (100V / 120A) je Brückenviertel (gesamt 20Stück) Na ja, du wirst dich bemühen, die Streuinduktivität, also vor allem die Impedanz der Leitung zwischen Source der MOSFETs und der MOSFET Treiber (IC oder Ansteuertrafo) so klein wie möglich zu halten, zudem möchte man bei knapp (200A für 160A) ausgelegen MOSFETs eine schnell wirkende Überstrommessung (shunt) und Erkennung (Komparator) haben damit man den MOSFET vor Überstrom schützen kann.
Stefan schrieb: > Ich habe auch nach einer fertigen FET-H-Brücke gesucht, jedoch finde ich > bei diesen Strömen keine mit Schraubanschlüssen.. Bei Littlefuse/IXYS gibts sowas, aber, wie du schon schreibst, nicht für 160A. Generell würde ich den Aufbau mit CU-Schienen bevorzugen, weil das leichter zu warten ist und die Ströme auch besser handhabbar sind. So haben wir das auch bei unseren 4kW Steuerungen gemacht und wenig Probleme gehabt. Wichtig sind vor allem kräftige Gatetreiber, denn man möchte die MOSFet nicht im linearen Bereich haben. Aber da erzähle ich dir nichts neues. Die Gatezuleitungen kurz halten und evtl. über einen modularen Aufbau der Halbbrücke mit Treiber nachdenken. Wir haben Platinen mit Treiber und Gateanschlüssen senkrecht auf die Powermodule montiert und die Speiseleitungen und Phasenausgängen auf die Stirnseite so vorgesehen, das man da die Kupferschienen raufschrauben konnte und damit die Module quer verbunden hat.
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OK, dann werde ich auf den Aufbau mit FET Modulen aufbauen, ein FET ist für die Leistung recht knapp, werde je 2 parallel betreiben. Stelle mir aktuell einen schichtweisen Aufbau vor, Kühlkörper, FETS, CU-Schienen, Abschirmplatte, Steuerplatine. die Steuersignale möchte ich dann mit Schraubbolzen (ca 30mm) übertragen. Gate Treiber irgendwo IR2110 o. glw., 15V / 2A. Überstromüberwachung kommt natürlich mit rein. Muss jetzt noch auf den Trafo warten, den lässt mein Kunde speziell anfertigen, .. wiegt etwa 60kg..
Beitrag #6606284 wurde vom Autor gelöscht.
Matthias S. schrieb: > Bei Littlefuse/IXYS gibts sowas Genau wie bei Semikron, was auch zu schwach ausfiele, und ich glaube, NRND sind beide. Stefan schrieb: > dann werde ich auf den Aufbau mit FET Modulen aufbauen, Wie jetzt? H-Brücken-Module sind keine passenden greifbar. MaWin schrieb: > IRFN360N10 > > Sagt mir nichts. Vermutung: Gemeint war eher https://www.mouser.de/ProductDetail/IXYS/IXFN360N10T/?qs=cvHLLyFtoE0OGpMJsgNJXA%3D%3D DaBla: https://ixapps.ixys.com/DataSheet/DS100088(IXFN360N10T).pdf Recht hochstromtauglich anbindbar ist das Package ja schon.
ich meinte natürlich IXFN360N10T, (..hatte da wieder was anderes im Kopf.. sorry), Die Module habe Schraubanschlüsse, die kann ich gut mit Stehbolzen und CU-Schienen verarbeiten.
Stefan schrieb: > Gate Treiber irgendwo IR2110 o. glw., 15V / 2A. Du denkst also wirklich das der schmächtige IR2110 mit den 36nF Ciss zurandekommt? Und - bei der Durchlaufzeit bzw. Rise/Fallzeiten die der 2110 hat kannst Du an einer schnellen Strombegrenzung vorsehen was Du willst - bis die beim Gate angekommen ist heben bereits die ersten (durchs Plasma beschleunigten) Gehäuseteile ab und der Lichtbogen wird gerade sichtbar. Viel Spaß beim Aufräumen der Trümmer wenn Dir der schwachbrüstige IR die FETs gehimmelt hat.... oder anders gesagt: Du brauchst da einen gehörigen Gatestrom, rechne mit 10-15A... in beide Richtungen. Und Du solltest über eine sauschnelle Stromabschaltung nachdenken, vom Erkennen bis zum Gate in max. 150ns oder so. Im Datenblatt Deines FETs steht das der mit ca. 10A angesteuert wird um die gemessenen Daten zu erhalten..
>Trafo (50Hz) >Eingangsseite 25V / ca. 160A / 4kVA >Ausgangsseite 400V 230V 120V / 50Hz >die H-Brücke wird mit einer Sinus PWM angesteuert. Das klingt nach einem Schweißtrafo den man zweckentfremden will. Für deine Auslegung ist die Schaltfrequenz der PWM wichtig. Du wirst mit FETs arbeiten müssen, die hohe Ausgangskapazitäten haben. Die Schaltverluste werden schnell zu einem großen Problem. Ich kenne Systeme aus dem Bereich PV-Batteriespeicher mit ähnlicher Eingangsspannung. Dort verwendet man resonant schaltende DCDC-Wandler um auf eine Zwischenkreisspannung >400 V hochzusetzen und mit gängigen IGBT-Modulen die AC-Spannung zu erzeugen. Den Trafo kannst du dann weglassen, das Filter hinter dem IGBT-Modul fällt deutlich leichter aus als ein 4 kVA-Trafo. Durch den Wandler stellst du auch die notwendige Isolation zur Batterie her. Einen Strom mit einem Effektivwert von 160 A zu handhaben bleibt als Herausforderung aber erhalten ;-)
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