MOSFET npn/pnp Driver

usora1 schrieb:
> Bei LOW am Eingang habe
> ich das Problem, dass mir beide Transistoren leiten.

Ja, die Schaltung ist halt Mist. Auch bei jedem Umschalten fließt eine 
deftiger Querstrom. Nur die für einen schnellen Treiber viel zu 
hochohmigen 10k verhindern das Q2 und Q5 sterben. Aus gutem Grund baut 
man Treiber mit Emitterfolgern, nicht Emitterschaltungen.

hier siehst du, wie die Schaltung eigentlich aussehen müsste um zu 
funktionieren 
https://www.mikrocontroller.net/articles/Treiber#Beispiele_zu_Low-Side_Treibern

Danke.
Ja als Emitterfolger hat es bisher ganz gut geklappt.
Dann habe ich die Figure auf der WebSeite gesehen und wollte dies mal 
ausprobieren.

Ich schaue mir gleich den Artikel zu den LowSide Treibern an.

usora1 schrieb:
> Ich schaue mir gleich den Artikel zu den LowSide Treibern an.

Dort ging es mir auch nur um die Ermitterfolger, wenn du die schon 
kennst ist es nichts neues für dich.

usora1 schrieb:
> Dann habe ich die Figure auf der WebSeite gesehen und wollte dies mal
> ausprobieren.

ich denke auf der Website sollte es auch die gewohnte Schaltung mit 
Emitterfolger werden und würde falsch gezeichnet. in der Form kann die 
Schaltung nicht sinnvoll funktionieren. wir du schon selbst gefunden 
hast bräuchte man ein unsinniges Verhältnis von R3 zu R8 damit sich Q2 
überhaupt abschalten lässt.

Okay danke.
Habe das jetzt wie im Screenshot, aber noch nicht komplett ausgelegt.
Wie begrenzt man die Verlustleistung in den BJTs im Schaltvorgang.
Angenommen ich brauche keine schnellen Schaltvorgänge.

Eine Möglichkeit wäre ja die Erhöhung des Gate-Widerstandes.
Die andere wäre den C1 zu erhöhen.

usora1 schrieb:
> Wie legt man hier die Widerstände am besten aus? Bei LOW am Eingang habe
> ich das Problem, dass mir beide Transistoren leiten.

Es gibt doch fertige ICs fuer ca. 1€

https://www.reichelt.de/mosfet-treiber-1-fach-dip-8-mcp-1407-e-p-p90039.html?search=mcp1407

usora1 schrieb:
> Wie begrenzt man die Verlustleistung in den BJTs im Schaltvorgang.

eigentlich gar nicht. Das bisschen Verlustleistung zum Aufladen des 
Gates ist  für die BJT kein Problem. Wenn die Treiberschaltung insgesamt 
"sparsamer" werden soll kannst du R3 größer machen.

Wenn du den FET bremsen willst, wäre ein größerer R9 ein üblicher Weg. 
(Meist will man aber eher das Gegenteil)

Achim S. schrieb:
> usora1 schrieb:
>
>> Wie begrenzt man die Verlustleistung in den BJTs im Schaltvorgang.
>
> eigentlich gar nicht. Das bisschen Verlustleistung zum Aufladen des
> Gates ist  für die BJT kein Problem. Wenn die Treiberschaltung insgesamt
> "sparsamer" werden soll kannst du R3 größer machen.
> Wenn du den FET bremsen willst, wäre ein größerer R9 ein üblicher Weg.
> (Meist will man aber eher das Gegenteil)

In Ordnung, danke.
Den mosfet Slope verlangsame ich meistens mit einem Miller Integrator.

Von fertigen Mosfet Treibern lerne ich nicht viel. Deswegen die Fragen 
zum diskreten.

usora schrieb:
> Von fertigen Mosfet Treibern lerne ich nicht viel. Deswegen die Fragen
> zum diskreten.
?
Beitrag "Re: ltspice MOSFET- Model funktioniert nicht"
Beitrag "Vorverstärker: Miller Kompensation an gefalteter Kaskode nach Bob Cordells Vorschlag für LSK489"

usora schrieb:
> Von fertigen Mosfet Treibern lerne ich nicht viel. Deswegen die Fragen
> zum diskreten.

Gut - wenn du lernen willst - siehe Anhang.
Vielleicht ist dir ja damit gedient.

Die Datei ist von dieser Webseite:
https://toshiba.semicon-storage.com/eu/semiconductor/knowledge/application-note.html
Waehle "MosFets/Bipolar Transistors".Lass dir alles anzeigen und wenn du 
wilst auch alles gleichzeitig downloaden.

Ok super, sehe ich mir gleich an. Danke

usora schrieb:
> Von fertigen Mosfet Treibern lerne ich nicht viel.

Mit fertigen Mosfet-Treibern kannst Du noch viel mehr lernen, und zwar 
das, worauf es wirklich ankommt.
Und das, worauf es wirklich ankommt, ist, was der Mosfet als Schalter 
bewirkt, und nicht wie der Schalter betätigt wird.