Hallo, Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe bild)? Das Datenblatt zu dem treiber. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839 Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist: Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu drain in Durchlassrichtung brückt. Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann.
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So geht die Verschaltung schon mal nicht. Beim antiseriellen zusammenschalten musst Du die Sourcen zusammenschalten, wenn die Gates zusammen angesteuert werden sollen. Denn die Gates brauchen die Steuerspannung in Bezug auf Source. Dann muss natürlich auch der Pin 4 des Treibers an die gemeinsame Source. Wenn es nur um statisches Schalten geht und keine PWM im Spiel ist nehme ich hier gern Photovoltaic Optokopler wie APV 1121.
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Hallo Steffen, danke für die Antwort. Also ich müsste sowas aufbauen?
Ja, so müsste es gehen. Habe aber gerade kein Datenblatt vom IRS25752 da. Hatte mal Probleme mit einem anderen IRS Treiber, der wollte noch eine Schutzbeschaltung haben. Also noch mal genau ins Datenblatt sehen ob alles beachtet wurde.
Vielen Dank steffen. Das Datenblatt zu dem treiber. https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839 >>Hatte mal Probleme mit einem anderen IRS Treiber, der wollte noch >>eine Schutzbeschaltung haben. Also noch mal genau ins Datenblatt sehen >>ob alles beachtet wurde. Ja leider steht nix im Datenblatt dazu wie groß das R sein soll und das C. Ich habe jetzt einfach mal einen uF angenommen und 22R. Bei der Diode habe ich eine SCHOTTKY 40V 500MA genommen. Die Betriebsspannung (vcc) sind 18V. Und das Ub am transistor 12V .. 24V
Beim Kondensator kann man ruhig höher gehen so 2,2µ-4,7µ, der Gatewiderstand kann kleiner werden 4,7 Ohm reichen. Eins ist aber unbedingt zu beachten der Treiber kann nicht statisch ansteuern! Der ist dafür ausgelegt das die Ansteuerung mit Pulssignal erfolgt. Sonst wird kann die Bootstrapschaltung nicht funktionieren, denn der Kondensator muss ja ständig nachgeladen werden. Bein statischen Einschalten, wie bei einem normalen Geräteeinschalter, geht das nur mit einen Treiber mit selbstschwingender Ladungspumpe. Oder eben mit dem Photovoltaic Optokoppler. Auf jeden Fall muss ja sichergestellt sein das der Spannungspegel an Gate gegenüber Source ausreichend hoch ist auch wenn die FETs eingeschaltet sind. Also muss diese höher sein als Uin.
Ja statischer Betrieb bei einem high-side Gate driver, das habe ich nicht bedacht. So wie ich das verstehe, wird die Diode/C kombination nur benötigt, um den transistor auf high zu schalten ( nieder ohmig zu machen). Also auf hochohmig müsste doch immer gehen oder? Das ist das was ich zumindest auch brauche, entweder ich nutze PWM oder ich möchte das die FET´s hochohmig sind. Beim statischen betrieb schaue ich mir optokoppler an oder ich baue mir einen triber selber, aus z diode, 10k, und einen weiteren transistor.
nmos schrieb: > So wie ich das verstehe, wird die Diode/C kombination nur benötigt, um > den transistor auf high zu schalten ( nieder ohmig zu machen). > Also auf hochohmig müsste doch immer gehen oder? Ja: statisch ausschalten geht. Nur beim Einschalten klappt es nicht statisch, weil von Zeit zu Zeit der Bootstrap-Kondensator nachgeladen werden muss. Aber kannst du nochmal erklären, warum du einen zweiten, antiseriellen FET zu brauchen glaubst? Liefert die "Last" bei dir ggf. eine Spannung, die größer als V_in werden kann? Dann musst du auch aufpassen: der Bootstrap-Treiber funktioniert nur, wenn VS bei ausgeschaltetem Transistor von der Last weit genug unter Vcc gezogen wird. Wenn die Last das nicht macht (weil z.B. bei der Last ein Akku im Spiel ist), dann wird der Bootstrap-Kondensator ggf. auch nicht ausreichend aufgeladen.
Na ja von selbst schalten die sich ja nicht ein, die Spannungserhöhung brauchst Du schon. Über die Diode wird ja der Kondensator aufgeladen wenn pin 4 niedrigeres Potential hat und die Spannung wird dann zum Schalten des FETs genutzt. Zum Ausschaltem muss ja die Ladung des Gate abgebaut werden also muss die Gate mit Source verbunden werden damit der ausgeht. Nur mit Transistor und Zdiode wirst Du auch nichts entsprechendes hinbekommen. Du brauchst in jedem Fall eine Spannung die ausreichend höher ist als Uin um die FETs einzuschalten und auch so lang an zu lassen wie es gebraucht wird.
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>Aber kannst du nochmal erklären, warum du einen zweiten, antiseriellen >FET zu brauchen glaubst? Liefert die "Last" bei dir ggf. eine Spannung, >die größer als V_in werden kann? Ja genau das wird passieren. >Dann musst du auch aufpassen: der Bootstrap-Treiber funktioniert nur, >wenn VS bei ausgeschaltetem Transistor von der Last weit genug unter Vcc >gezogen wird. Wenn die Last das nicht macht (weil z.B. bei der Last ein >Akku im Spiel ist), dann wird der Bootstrap-Kondensator ggf. auch nicht >ausreichend aufgeladen. Das hörst sich nach einem Problem für mich an. Ich hab euch mal ein Bild und eine Simulation einer Teilschaltung hochgeladen. Ich benötige im anschluss noch mehr solche schalter, allerdings werden die anderen nur statisch geschalten und nicht wie diese in der simulation, mit PWM. Da ich kein treiber-modell hatte, baute ich mir eines simplerweise zusammen (ist natürlich kein richtiger treiber, da kann nur gut nach unten ziehen aber nicht gut nach oben). >hinz schrieb: >> Schau dir TLP520 an. > >Sorry, TLP152. Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann. Ich glaube ich benötige einen anderen Treiber oder ich muss mir selbst einen Bauen (eine push pull mit bootstrap).
nmos schrieb: > Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann. > > Ich glaube ich benötige einen anderen Treiber oder ich muss mir selbst > einen Bauen (eine push pull mit bootstrap). Viel einfacher wird es mit dem APV1121 oder wen man SMD nicht kann APV1122 Da braucht man nur die OK-LED anzusteuern da ist es egal welche Spannung man zur Verfügung hat. Das Teil gibt es sogar bei C.
Steffen W. schrieb: > Viel einfacher wird es mit dem APV1121 oder wen man SMD nicht kann > APV1122 Viel zu wenig Ausgangsstrom!
hinz schrieb: > Viel zu wenig Ausgangsstrom! Die Erfahrung zeigt was anderes. Es geht ja nicht darum super schnell das Gate umzuladen. Zur statischen Ansteuerung reicht es. Hab sogar schon mal Einen FET durch der gut 10A schalten musste mit 200 Hz PWM angesteuert, funktionierte auch. Wenn es un normale PWM geht hast Du natürlich recht. Doch darum geht es hier ja ganz offenbar nicht.
>nmos schrieb: >> Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann. > >Quatsch! Hinz, ich habe ins falsche Datenblatt geschaut :) Der TLP152 kann von 10 is 30V
Steffen W. schrieb: > Zur statischen Ansteuerung reicht es. Der TE will aber sehr schnelle PWM machen. nmos schrieb: > PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 )
nmos schrieb: > Hallo, > > Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s > befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe > bild)? > > Das Datenblatt zu dem treiber. > https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839 > > Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist: > > Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund > der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen > eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt > fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu > drain in Durchlassrichtung brückt. > Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr > problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am > Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte > ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem > anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann. Irgendwie vestehe ich das Problem gerade nicht. Du möchtest v nmos schrieb: > Hallo, > > Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s > befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe > bild)? > > Das Datenblatt zu dem treiber. > https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839 > > Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist: > > Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund > der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen > eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt > fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu > drain in Durchlassrichtung brückt. > Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr > problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am > Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte > ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem > anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann. Hallo, vielleicht habe ich das Problem nicht ganz verstanden. Mein Verständnis: Du möchtest verhindern, daß die Body-Diode eines High-Side-Fet leitend wird. Um wieviel V wird sich der Fußpunkt denn erhöhen? Könnte es eine Idee sein, jedem MOSFET eine Diode mit entsprechender Sperrpannung "in Serie" zu schalten? Man muß dann nur aufpassen, daß auch der Strom in Flußrichtung durch alle Dioden fließt (sonst: The diode with lowest Flußspannung takes it all). Ich gehe schon davon aus, daß Du weißt, das die Energie die normalerweise durch die Body-Diode "abgebaut" wird (d.h. dort einen Strom fließen lässt) irgendwo hin muß. Im Zweifel wird die Spannung an diesem Punkt (source) recht schnell ziemlich hoch. Vielleicht kannst Du nochmal genauer erklären was Du vorhast, dann kann man besser helfen. Oder verstehe nur ich es nicht ganz.
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Nun streitet euch nicht :D Ihr habt mir beide sehr geholfen. Den TLP werde ich für die PWM sache benutzen. 250khz sollten mit teil drinn sein. Und für die statischen sachen funktioniert auch folgendes -- (siehe bild) nicht wundern der gatewiderstand .. viel zu groß aber geht:D
Steffen W. schrieb: > hinz schrieb: >> Der TE will aber sehr schnelle PWM machen. > > Ursprünglich nicht die Rede. Nur im Anfangsposting....
nmos schrieb: > Und für die statischen sachen funktioniert auch folgendes -- > (siehe bild) Das funktioniert in der Realität aber nicht.
nmos schrieb: > Ich hab euch mal ein Bild und eine Simulation einer Teilschaltung > hochgeladen. Soll das irgendeine Art Ladungspumpe werden? Wie auch immer: der Bootstrap-Kondensator wird nur auf Vcc-Vlast-0,7V aufgeladen. Wenn die Spannung an der Last nicht weit genug unter Vcc geht, kannst du den nFET nicht sauber einschalten. nmos schrieb: > Und für die statischen sachen funktioniert auch folgendes -- > (siehe bild) Um die n-FETs sauber durchzuschalten funktioniert das ganz bestimmt nicht. Wenn es dich nicht stört, dass ein paar V über die FETs abfallen und diese aufheizen, dann funktioniert es.
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