Hallo,
Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s
befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe
bild)?
Das Datenblatt zu dem treiber.
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839
Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist:
Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund
der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen
eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt
fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu
drain in Durchlassrichtung brückt.
Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr
problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am
Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte
ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem
anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann.
So geht die Verschaltung schon mal nicht. Beim antiseriellen
zusammenschalten musst Du die Sourcen zusammenschalten, wenn die Gates
zusammen angesteuert werden sollen. Denn die Gates brauchen die
Steuerspannung in Bezug auf Source.
Dann muss natürlich auch der Pin 4 des Treibers an die gemeinsame
Source.
Wenn es nur um statisches Schalten geht und keine PWM im Spiel ist nehme
ich hier gern Photovoltaic Optokopler wie APV 1121.
Ja, so müsste es gehen. Habe aber gerade kein Datenblatt vom IRS25752
da. Hatte mal Probleme mit einem anderen IRS Treiber, der wollte noch
eine Schutzbeschaltung haben. Also noch mal genau ins Datenblatt sehen
ob alles beachtet wurde.
Vielen Dank steffen.
Das Datenblatt zu dem treiber.
https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839>>Hatte mal Probleme mit einem anderen IRS Treiber, der wollte noch>>eine Schutzbeschaltung haben. Also noch mal genau ins Datenblatt sehen>>ob alles beachtet wurde.
Ja leider steht nix im Datenblatt dazu wie groß das R sein soll und das
C. Ich habe jetzt einfach mal einen uF angenommen und 22R. Bei der Diode
habe ich eine SCHOTTKY 40V 500MA genommen. Die Betriebsspannung (vcc)
sind 18V. Und das Ub am transistor 12V .. 24V
Beim Kondensator kann man ruhig höher gehen so 2,2µ-4,7µ, der
Gatewiderstand kann kleiner werden 4,7 Ohm reichen.
Eins ist aber unbedingt zu beachten der Treiber kann nicht statisch
ansteuern!
Der ist dafür ausgelegt das die Ansteuerung mit Pulssignal erfolgt.
Sonst wird kann die Bootstrapschaltung nicht funktionieren, denn der
Kondensator muss ja ständig nachgeladen werden.
Bein statischen Einschalten, wie bei einem normalen Geräteeinschalter,
geht das nur mit einen Treiber mit selbstschwingender Ladungspumpe.
Oder eben mit dem Photovoltaic Optokoppler.
Auf jeden Fall muss ja sichergestellt sein das der Spannungspegel an
Gate gegenüber Source ausreichend hoch ist auch wenn die FETs
eingeschaltet sind.
Also muss diese höher sein als Uin.
Ja statischer Betrieb bei einem high-side Gate driver, das habe ich
nicht bedacht.
So wie ich das verstehe, wird die Diode/C kombination nur benötigt, um
den transistor auf high zu schalten ( nieder ohmig zu machen).
Also auf hochohmig müsste doch immer gehen oder? Das ist das was ich
zumindest auch brauche, entweder ich nutze PWM oder ich möchte das die
FET´s hochohmig sind.
Beim statischen betrieb schaue ich mir optokoppler an oder ich baue mir
einen triber selber, aus z diode, 10k, und einen weiteren transistor.
nmos schrieb:> So wie ich das verstehe, wird die Diode/C kombination nur benötigt, um> den transistor auf high zu schalten ( nieder ohmig zu machen).> Also auf hochohmig müsste doch immer gehen oder?
Ja: statisch ausschalten geht. Nur beim Einschalten klappt es nicht
statisch, weil von Zeit zu Zeit der Bootstrap-Kondensator nachgeladen
werden muss.
Aber kannst du nochmal erklären, warum du einen zweiten, antiseriellen
FET zu brauchen glaubst? Liefert die "Last" bei dir ggf. eine Spannung,
die größer als V_in werden kann?
Dann musst du auch aufpassen: der Bootstrap-Treiber funktioniert nur,
wenn VS bei ausgeschaltetem Transistor von der Last weit genug unter Vcc
gezogen wird. Wenn die Last das nicht macht (weil z.B. bei der Last ein
Akku im Spiel ist), dann wird der Bootstrap-Kondensator ggf. auch nicht
ausreichend aufgeladen.
Na ja von selbst schalten die sich ja nicht ein, die Spannungserhöhung
brauchst Du schon. Über die Diode wird ja der Kondensator aufgeladen
wenn pin 4 niedrigeres Potential hat und die Spannung wird dann zum
Schalten des FETs genutzt. Zum Ausschaltem muss ja die Ladung des Gate
abgebaut werden also muss die Gate mit Source verbunden werden damit der
ausgeht.
Nur mit Transistor und Zdiode wirst Du auch nichts entsprechendes
hinbekommen. Du brauchst in jedem Fall eine Spannung die ausreichend
höher ist als Uin um die FETs einzuschalten und auch so lang an zu
lassen wie es gebraucht wird.
>Aber kannst du nochmal erklären, warum du einen zweiten, antiseriellen>FET zu brauchen glaubst? Liefert die "Last" bei dir ggf. eine Spannung,>die größer als V_in werden kann?
Ja genau das wird passieren.
>Dann musst du auch aufpassen: der Bootstrap-Treiber funktioniert nur,>wenn VS bei ausgeschaltetem Transistor von der Last weit genug unter Vcc>gezogen wird. Wenn die Last das nicht macht (weil z.B. bei der Last ein>Akku im Spiel ist), dann wird der Bootstrap-Kondensator ggf. auch nicht>ausreichend aufgeladen.
Das hörst sich nach einem Problem für mich an.
Ich hab euch mal ein Bild und eine Simulation einer Teilschaltung
hochgeladen. Ich benötige im anschluss noch mehr solche schalter,
allerdings werden die anderen nur statisch geschalten und nicht wie
diese in der simulation, mit PWM.
Da ich kein treiber-modell hatte, baute ich mir eines simplerweise
zusammen (ist natürlich kein richtiger treiber, da kann nur gut nach
unten ziehen aber nicht gut nach oben).
>hinz schrieb:>> Schau dir TLP520 an.>>Sorry, TLP152.
Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann.
Ich glaube ich benötige einen anderen Treiber oder ich muss mir selbst
einen Bauen (eine push pull mit bootstrap).
nmos schrieb:> Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann.>> Ich glaube ich benötige einen anderen Treiber oder ich muss mir selbst> einen Bauen (eine push pull mit bootstrap).
Viel einfacher wird es mit dem APV1121 oder wen man SMD nicht kann
APV1122
Da braucht man nur die OK-LED anzusteuern da ist es egal welche
Spannung man zur Verfügung hat. Das Teil gibt es sogar bei C.
hinz schrieb:> Viel zu wenig Ausgangsstrom!
Die Erfahrung zeigt was anderes. Es geht ja nicht darum super schnell
das Gate umzuladen. Zur statischen Ansteuerung reicht es. Hab sogar
schon mal Einen FET durch der gut 10A schalten musste mit 200 Hz PWM
angesteuert, funktionierte auch.
Wenn es un normale PWM geht hast Du natürlich recht. Doch darum geht es
hier ja ganz offenbar nicht.
>nmos schrieb:>> Den TLP152 kann ich leider nicht beutzen, da das IC nur bis 7 Volt kann.>>Quatsch!
Hinz, ich habe ins falsche Datenblatt geschaut :) Der TLP152 kann von 10
is 30V
nmos schrieb:> Hallo,>> Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s> befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe> bild)?>> Das Datenblatt zu dem treiber.> https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839>> Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist:>> Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund> der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen> eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt> fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu> drain in Durchlassrichtung brückt.> Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr> problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am> Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte> ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem> anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann.
Irgendwie vestehe ich das Problem gerade nicht. Du möchtest v
nmos schrieb:> Hallo,>> Ist es möglich mit dem gatedriver IRS25752 zwei in Reihe N-MOSFET´s> befindliche aber mit jeweils veratuschen Source/Gate zu betrieben (siehe> bild)?>> Das Datenblatt zu dem treiber.> https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IRS25752L-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d462533600a40153567b388b2839>> Der Hintergrund ist, weshalb ich zwei verdrehte n-mos nutzen möchte ist:>> Ich benötige mehrere parallel geschaltene Highside Schalter. Aufrgund> der höheren Ströme (2-40A) und PWM (1us .. 1ms, D=0,2 .. 0,9 ) kommen> eigentlich nur N-mosfets in frage. Nun stelle ich aber im Datenblatt> fest, dass alle Mosfets eine Body-diode enthalten, welche source zu> drain in Durchlassrichtung brückt.> Bei parallel geschalten highside Schaltern sind diese Dioden aber sehr> problematisch, da die Diode Leitfähig wird, sobald die Spannung am> Source größer wird als am Drain ... Um das Problem zu vermeiden, schalte> ich jeweils einen weiteren Mosfet S und D vertausch in Reihe zu dem> anderen, sodass die Body-Diode nicht wirken kann.
Hallo,
vielleicht habe ich das Problem nicht ganz verstanden.
Mein Verständnis: Du möchtest verhindern, daß die Body-Diode eines
High-Side-Fet leitend wird.
Um wieviel V wird sich der Fußpunkt denn erhöhen? Könnte es eine Idee
sein, jedem MOSFET eine Diode mit entsprechender Sperrpannung "in Serie"
zu schalten? Man muß dann nur aufpassen, daß auch der Strom in
Flußrichtung durch alle Dioden fließt (sonst: The diode with lowest
Flußspannung takes it all).
Ich gehe schon davon aus, daß Du weißt, das die Energie die
normalerweise durch die Body-Diode "abgebaut" wird (d.h. dort einen
Strom fließen lässt) irgendwo hin muß. Im Zweifel wird die Spannung an
diesem Punkt (source) recht schnell ziemlich hoch.
Vielleicht kannst Du nochmal genauer erklären was Du vorhast, dann kann
man besser helfen. Oder verstehe nur ich es nicht ganz.
Nun streitet euch nicht :D
Ihr habt mir beide sehr geholfen.
Den TLP werde ich für die PWM sache benutzen. 250khz sollten mit teil
drinn sein. Und für die statischen sachen funktioniert auch folgendes --
(siehe bild)
nicht wundern der gatewiderstand .. viel zu groß aber geht:D
nmos schrieb:> Ich hab euch mal ein Bild und eine Simulation einer Teilschaltung> hochgeladen.
Soll das irgendeine Art Ladungspumpe werden? Wie auch immer: der
Bootstrap-Kondensator wird nur auf Vcc-Vlast-0,7V aufgeladen. Wenn die
Spannung an der Last nicht weit genug unter Vcc geht, kannst du den nFET
nicht sauber einschalten.
nmos schrieb:> Und für die statischen sachen funktioniert auch folgendes --> (siehe bild)
Um die n-FETs sauber durchzuschalten funktioniert das ganz bestimmt
nicht. Wenn es dich nicht stört, dass ein paar V über die FETs abfallen
und diese aufheizen, dann funktioniert es.
irs25752.png
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