HB-Gatetreiber L6387E überlastet?

[M. Gander (Gast)]

Servus,

Wir nutzen für einen DC/DC offline-230V converter eine MOSFET-Halbbrücke 
mit zwei STW20N65M5.
Als Treiber verwenden wir einen L6387E mit 12V Versorgung bei 50kHz 
Schaltfrequenz. Wie im Bild gezeigt sind zwei Pfade für Laden und 
Entladen der Gates vorgesehen.
Beim Temperaturtest von 45°C Umgebungstemperatur hat sich D1, R1 und der 
Treiber verabschiedet.

Im Datenblatt ist ein maximaler Treiberstrom von 400mA source und 650mA 
sink angegeben, in Theorie zieht der Treiber jedoch bei Abschaltung 
circa 12V/3ohm, also um die 4A peak-Strom.

Ist die Belastung für den Treiber hier zu hoch?

[M. Gander (Gast)]

Servus,
Hat einer eine Idee ob die Auslegung korrekt ist?
Danke!

[Jens G. (jensig)]

Und wo ist der Bootstrap-Kondensator?
Wie schon immer: ordentlichen Schaltplan, und möglichst auch Bild vom 
realen Aufbau (PCB von oben und unten) bräuchte man ...
Aber so wie ich das DB deute, ist der Treiber so hochohmig, daß er bei 
15V ohnehin nur die angegebenen 400/650mA schafft. Da macht auch die 
Gatebeschaltung keinen großen Unterschied mehr.
Und wenn es auch die Diode zerlegt hat, und Du fragst uns, warum die D 
und der R durchgebrannt sind, dann solltest Du auch mal mit angeben, was 
für eine Diode, und was für Rs (Bauform, Ptot) da verbaut worden sind.
Und der Transistor ist noch heile?

[M. Gander (Gast)]

Jens G. schrieb:
> Aber so wie ich das DB deute, ist der Treiber so hochohmig, daß er bei
> 15V ohnehin nur die angegebenen 400/650mA schafft

Danke für die Info, komme gerade nicht an Bilder des PCB, der Pfad zu T1 
liegt jedoch auf der Unterseite, hätte somit etwas mehr Induktivität.

Der Transistor war heile, Diode ist eine BAT754, Widerstand ist 0805 
1/8W. Der mittlere Strom sollte theoretisch so um die 5mA liegen, peaks 
setzen jedoch mehr Leistung um.

[M. Gander (Gast)]

Könnte es vom FET irgendwelche Rückwirkungen auf das Gate geben 
(Spannungsdurchschläge) die die Treiberstufe lahmlegen?