SiC-FET (Silizium Carbit) zu Si-FET falsch herum?

Marc schrieb:
> 1.) Der Dozent
> 2.) Google (einfach mal suchen)

Nö. DU willst was von UNS. Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter 
wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird.

Falk B. schrieb:
> Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter
> wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird.

Es ist auch kein Hexenwerk, die URL in einem Browser-Tab zu
kopieren und in das Textfeld für einen Beitrag zu pasten.

Guten Abend!

Ich bin auch schon mal über so etwas gestolpert. Habs aber ignoriert da 
ich damit nix anfangen konnte.

Marc schrieb:
> Ein SiC-N-FET ist aufgebaut wie ein Si-P-FET und umgekehrt.

Ich kann  nur anhand der Unterschiede in der Si-Technik erklären:

Das am niedrigsten dotierte Grundmaterial ist N-Silizium. Es ist am 
einfachsten herstellbar. In dieses wird anschließend dann P (Basis) und 
N (Emitter) drüberdotiert. Die drüber dotierten Schichten entstehen 
dadurch, dass ihre Dotierung deutlich höherer ist als die der 
Grundschicht. Die Bilder von Transistoren hier im Forum sollte man da 
mal gründlich ansehen.

P-Silizium Grundmaterial ist von vornherein kräftiger dotiert, sodass 
bei der Reihenfolge PNP beim gleicher Geometrie wie bei NPN ganz andre 
Daten des Ts herauskommen. Die C-B-E-Folge fängt dann ja von vornherein 
mit höherer Dotierung an als bei NPN. PNP-Si-Transistoren waren immmer 
schwerer herstellbar als NPN.

Bei Si-J-FETs sind z.B. die N-Kanal üblich, P-Kanal J-FETs sind eine 
ausgesprochene Seltenheit.

Bei MOS-FETS gibts da auch Unterschiede zwischen N-und P-Kanaltechnik. 
CMOS  war eine höhere Entwicklungssstufe als p-MOS

Also die Vermutung:

Bei SiC- Material müsste also für den Grundaufbau P- oder N- Material 
mit gleicher Dotierungsdichte zur Verfügung stehen, wenn bei gleicher 
Geometrie gleiche P- oder N-Typen entstehen sollten.

Marc schrieb:

> Bedeutet also, wenn ich die Dotierung höher setze, wird aus einem P ein
> N bzw aus einem N ein P?

Das ist der übliche Vorgang bei der Transistorherstellung: 
N-Si-Grundmaterial. Dann Basis als P hineindotiert. Danach nochmals 
N-Dotierung als Emitter drüber.
Die E-Schicht hat aber deutlich höhere Leitfähigkeit als die 
C-Schicht,wegen vieler PN-Störstellen.

Den Ausspruch für Gleichheit von N- oder P-Kanal in der Sikarbidtechnik 
halte ich für grob vereinfacht, auch wenn ich die SiC-Technik nicht 
näher kenne.

Aber rück halt mal mit der richtigen Information heraus, nämlich ob das 
über die "Gleichheit" schwarz auf weiß dasteht bzw. begründet ist.

(Immer diese ......-Trolle.!)