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SiC-FET (Silizium Carbit) zu Si-FET falsch herum?
Gast
#6682727
Hallo, mein Sohn hat im Fernunterricht eine Vorlesung gehabt, bei dem der Unterschied von Si-FET und SiC-FET gezeigt wurden. Ein SiC-N-FET ist aufgebaut wie ein Si-P-FET und umgekehrt. Wieso ist ein SiC-N-FET ein umgedrehter Si-P-FET? Ist das SiC-Substrat "invertiert"? Ich habe dies nicht verstanden. Kann jemand dies mir bitte genauer erklären?
Gast
#6682739
Marc schrieb: > Ein SiC-N-FET ist aufgebaut wie ein Si-P-FET und umgekehrt. Wer erzählt denn so einen Quatsch?
Gast
#6682742
H. H. schrieb: > Marc schrieb: >> Ein SiC-N-FET ist aufgebaut wie ein Si-P-FET und umgekehrt. > > Wer erzählt denn so einen Quatsch? 1.) Der Dozent 2.) Google (einfach mal suchen) war selbst überrascht.
Gast
#6682747
Liefern muss schon du. Marc schrieb: > 1.) Der Dozent > 2.) Google (einfach mal suchen) Nö. DU willst was von UNS. Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird. Falk B. schrieb: > Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter > wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird. Es ist auch kein Hexenwerk, die URL in einem Browser-Tab zu kopieren und in das Textfeld für einen Beitrag zu pasten.
Gast
#6682851
H. H. schrieb: > Liefern muss schon du. Falk B. schrieb: > Nö. DU willst was von UNS. Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter > wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird. Ihr habt mich bei der Antwort falsch verstanden! Bitte um Entschuldigung! Ich habe auf die Antwort von Hinz geantwortet. Er hat gefragt: H. H. schrieb: > Wer erzählt denn so einen Quatsch? Also habe ich ihm geantwortet: Marc schrieb: > 1.) Der Dozent > 2.) Google (einfach mal suchen) > > war selbst überrascht. Hätte ich nicht überrascht sein dürfen? Ich kenne das nämlich nicht und hab auch nicht damit gerechnet.
Gast
#6682854
Axel S. schrieb: > Falk B. schrieb: >> Also musst DU die Bilder, Texte, Datenblätter >> wasauchimmer liefern, wo das so dargestellt wird. > > Es ist auch kein Hexenwerk, die URL in einem Browser-Tab zu > kopieren und in das Textfeld für einen Beitrag zu pasten. Ich versiche die URL zu finden, das war gestern Abend zu Hause und habe sie nicht mitgenomen. Sobald ich sie finde werde ich sie posten! Guten Abend! Ich bin auch schon mal über so etwas gestolpert. Habs aber ignoriert da ich damit nix anfangen konnte. Marc schrieb: > Ein SiC-N-FET ist aufgebaut wie ein Si-P-FET und umgekehrt. Ich kann nur anhand der Unterschiede in der Si-Technik erklären: Das am niedrigsten dotierte Grundmaterial ist N-Silizium. Es ist am einfachsten herstellbar. In dieses wird anschließend dann P (Basis) und N (Emitter) drüberdotiert. Die drüber dotierten Schichten entstehen dadurch, dass ihre Dotierung deutlich höherer ist als die der Grundschicht. Die Bilder von Transistoren hier im Forum sollte man da mal gründlich ansehen. P-Silizium Grundmaterial ist von vornherein kräftiger dotiert, sodass bei der Reihenfolge PNP beim gleicher Geometrie wie bei NPN ganz andre Daten des Ts herauskommen. Die C-B-E-Folge fängt dann ja von vornherein mit höherer Dotierung an als bei NPN. PNP-Si-Transistoren waren immmer schwerer herstellbar als NPN. Bei Si-J-FETs sind z.B. die N-Kanal üblich, P-Kanal J-FETs sind eine ausgesprochene Seltenheit. Bei MOS-FETS gibts da auch Unterschiede zwischen N-und P-Kanaltechnik. CMOS war eine höhere Entwicklungssstufe als p-MOS Also die Vermutung: Bei SiC- Material müsste also für den Grundaufbau P- oder N- Material mit gleicher Dotierungsdichte zur Verfügung stehen, wenn bei gleicher Geometrie gleiche P- oder N-Typen entstehen sollten.
Gast
#6686227
Peter R. schrieb: > Bei SiC- Material müsste also für den Grundaufbau P- oder N- Material > mit gleicher Dotierungsdichte zur Verfügung stehen, wenn bei gleicher > Geometrie gleiche P- oder N-Typen entstehen sollten. Bedeutet also, wenn ich die Dotierung höher setze, wird aus einem P ein N bzw aus einem N ein P?
Gast
#6686245
Marc schrieb: > Bedeutet also, wenn ich die Dotierung höher setze, wird aus einem P ein > N bzw aus einem N ein P? Nein.
Gast
#6686309
H. H. schrieb: > Marc schrieb: >> Bedeutet also, wenn ich die Dotierung höher setze, wird aus einem P ein >> N bzw aus einem N ein P? > > Nein. Sondern?
Gast
#6686313
Marc schrieb: > Sondern? Es steigt die Anzahl der Defektelektronen bzw. die Anzahl der Elektronen. Leitfähigkeit des Halbleiters wird größer. Marc schrieb: > Bedeutet also, wenn ich die Dotierung höher setze, wird aus einem P ein > N bzw aus einem N ein P? Das ist der übliche Vorgang bei der Transistorherstellung: N-Si-Grundmaterial. Dann Basis als P hineindotiert. Danach nochmals N-Dotierung als Emitter drüber. Die E-Schicht hat aber deutlich höhere Leitfähigkeit als die C-Schicht,wegen vieler PN-Störstellen. Den Ausspruch für Gleichheit von N- oder P-Kanal in der Sikarbidtechnik halte ich für grob vereinfacht, auch wenn ich die SiC-Technik nicht näher kenne. Aber rück halt mal mit der richtigen Information heraus, nämlich ob das über die "Gleichheit" schwarz auf weiß dasteht bzw. begründet ist. (Immer diese ......-Trolle.!) Antwort schreiben |
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