Hi,
Ich habe folgendes Design wie im Anhang und ich messe einen Ruhestrom
von etwa 170uA, was für einen Batteriebetrieb zu viel ist.
Der Ruhestrom ist hier so definiert, dass wenn der LDO durch den
Under-Voltage Lockout IC ausgeschaltet wird, noch so viel Strom fließt.
Der LDO sollte nach Datenblatt maximal 1uA brauchen im ausgeschalteten
Zustand. Die Widerstände R6 und R15 habe ich zum testen mal abgelötet,
das ganze zieht aber immer noch 130uA und ich sehe nicht, woher das
kommt.
Ein Messfehler ist soweit ausgeschlossen, ich habe 2 Multimeter
verwendet und speise das ganze nun sogar mit einem Nucleo LPM01A zur
Strommessung bis in den nA Bereich. Alles führt zum gleichen Resultat.
Jemand eine Idee, was den hohen Ruhestrom verursachen könnte?
> Der Ruhestrom ist hier so definiert, dass wenn der LDO durch den> Under-Voltage Lockout IC ausgeschaltet wird, noch so viel Strom fließt.
Wo wird gemessen? VUSB oder VBAT? Oder VBAT_IN? Oder ganzwoanders? Was
hängt noch so alles rum/dran? Reverse-Leakage der Dioden berücksichtigt
(die liegt durchaus im zweistelligen µA-Bereich, abhängig davon was wo
wie angeschlossen ist).
> Ein Messfehler ist soweit ausgeschlossen
Immer sehr gut wenn man wichtige Komponenten einfach und pragmatisch
ignorieren kann.
Bert S. schrieb:> Ich habe folgendes Design wie im Anhang und ich messe einen Ruhestrom> von etwa 170uA,
Womit wird den gemessen? Mit dem Voltcraft Multimeter oder einem China
Kracher für 10 Euro? Meiner Erfahrung nach kann man so kleine Ströme nur
mit Fluke HAMEG Geräten messen die sehr teuer sind. Bei den billigen
hast Du einen viel zu großen Serienwiderstand. Mein China Gerät misst da
nur Fahrkarten unter 1mA
Habe ich mal manuel gemacht, immer noch 100uA drauf. Der Strom kann so
eigentlich nur durch IC3(Ist ja direkt mit der Batterie verbunden, hat
aber kein Supply), IC5 (braucht aber nur 700nA) oder IC4 verursacht
werden, sonst sind alle Widerstände abgelötet. IC4 bracht aber gemäss
Datenblatt nur etwa 1uA mit EN auf LOW.
g457 schrieb:> Wo wird gemessen? VUSB oder VBAT? Oder VBAT_IN? Oder ganzwoanders? Was> hängt noch so alles rum/dran? Reverse-Leakage der Dioden berücksichtigt> (die liegt durchaus im zweistelligen µA-Bereich, abhängig davon was wo> wie angeschlossen ist).
Es wird direkt mit dem Nucelo in VBAT_IN eingespeist, wobei ich hier
genau die Stromaufnahme messen kann, bis in den nA Bereich.
VUSB ist nicht angeschlossen und auch kein SWD, nur VBAT_IN und GND vom
Nucleo.
g457 schrieb:> Immer sehr gut wenn man wichtige Komponenten einfach und pragmatisch> ignorieren kann.
Das habe ich nicht gemacht, sondern evaluiert. 3 verschiedene
Messgeräte, alle das gleiche Resultat. Wenn ich den Schalter S2 auf Off
lege, dann messe ich noch 0.2uA, das funktioniert schon.
Christian J. schrieb:> Womit wird den gemessen? Mit dem Voltcraft Multimeter oder einem China> Kracher für 10 Euro? Meiner Erfahrung nach kann man so kleine Ströme nur> mit Fluke HAMEG Geräten messen die sehr teuer sind. Bei den billigen> hast Du einen viel zu großen Serienwiderstand. Mein China Gerät misst da> nur Fahrkarten unter 1mA
Einem LPM01A:
https://www.st.com/en/evaluation-tools/x-nucleo-lpm01a.html
Mach erstmal nen vernünftigen Schaltplan. Da braucht man ja Stunden, um
zu erkennen, was wo lang fließt.
Oder soll sich das jeder erstmal alles ausdrucken, zusammen kleben und
verbinden?
Und man darf auch über die ICs Text schreiben, der die Funktion nennt.
Dann muß nicht jeder erst danach googlen.
Christian J. schrieb:> Mein China Gerät misst da nur Fahrkarten unter 1mA
Kann man das leicht nachprufen: bekannte Spannung und bekannter
Widerstand z.B. 9V Batterie und ein 1 MOhm Widerstand sollten rund 9uA
ergeben.
Christian J. schrieb:> Meiner Erfahrung nach kann man so kleine Ströme nur> mit Fluke HAMEG Geräten messen die sehr teuer sind.
Quatsch.
Selbst mein altes A-Z M3900 hat nen 20µA Bereich und der funktioniert
auch.
Schade, daß es diese einfachen und robusten DMMs nicht mehr gibt.
Um bei Stromanstieg eine Überlastung zu vermeiden, schaltet man eine
1N4148 parallel. Die begrenzt auf 0,7V und sperrt noch beim Endwert
(0,2V).
Ok, es ist tatsächlich D3 mit Leckstrom. Wenn ich den LDO auf Reset
behalte und D3 ablöte, dann zieht das ganze noch 27uA, die kommen
wahrscheinlich von R18, der auf GND anliegt. Daher werde ich wohl R18
und R15 auf 470kOhm erhöhen.
Wie genau kann ich aber den Leckstrom durch D3 verringern? Jemand eine
Idee, durch was ich das ersetzen könnte?
Bert S. schrieb:> Wie genau kann ich aber den Leckstrom durch D3 verringern? Jemand eine> Idee, durch was ich das ersetzen könnte?
Durch ein Nicht-Schottky Diode
Bert S. schrieb:> Ok, es ist tatsächlich D3 mit Leckstrom.
Schottky-Dioden sind Teufelszeug. Ich hatte mal ne Anwendung, da mußte
ich sie kühlen, weil die Sperrverluste so hoch waren (mehrere mA).
Seitdem nehme ich die nicht mehr.
Für geringe Durchlaßverluste eignen sich MOSFETs besser.
Bert S. schrieb:> Wie genau kann ich aber den Leckstrom durch D3 verringern? Jemand eine> Idee, durch was ich das ersetzen könnte?
Andere Diode an der USB Versorgung verwenden. Bei Schottkydioden ist
bekannt, dass sie hohe Leckströme aufweisen. Schottkydiode nach diesem
Parameter aussuchen (Blick ins Datenblatt: Reversal Voltage) oder
Si-Diode verwenden. Auch ein MOS-FET wäre überlegenswert.
Christian J. schrieb:> Bert S. schrieb:>> Ich habe folgendes Design wie im Anhang und ich messe einen Ruhestrom>> von etwa 170uA,> Meiner Erfahrung nach kann man so kleine Ströme nur> mit Fluke HAMEG Geräten messen die sehr teuer sind.
Troll oder wirklich so unbedarft?
Bert S. schrieb:> Maximal 0.8uA reverse current, sehe ich richtig oder?
Ich würde noch einen Blick auf die zweite Kurve machen. Da sieht man das
Temperaturverhalten. Die Diode sollte passen.
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