Hi, Im Datenblatt jedes MOSFETs gibt es ja verschiedene Parameter unter Dynamic, dazu gehören alle parasitären Ladungen und eben die Rise Time, Turn-On Delay, Turn-Off Delay und die Fall Time. Was genau hat es mit diesen 4 Parametern auf sich? Bei MOSFETs mit 80V Durchschlagspannung sind diese Werte meist massiv schlechter als bei 60V Durchschlagspannung und ich finde irgendwie nichts ähnliches. Z.B https://www.vishay.com/docs/77478/sir680ldp.pdf und https://www.mouser.ch/datasheet/2/196/Infineon_BSC0702LS_DataSheet-1770891.pdf
Bert S. schrieb: > Durchschlagspannung Als Hinweis: die reale "Durchschlagspannung" ist höher als die Spannung, die als Grenzwert unter "Absolute Maximum Ratings" auftaucht. > Bei MOSFETs mit 80V Durchschlagspannung sind diese Werte meist massiv > schlechter als bei 60V Durchschlagspannung Sie sind von einer anderen Firma mit anderer Beschaltung gemessen. Natürlich kommen da andere Werte heraus. Du solltest auch besser nicht diese "Sekundärparameter" ansehen und vergleichen, sondern die Gateladung und die Gatekapazität. Und da sind die nicht soooo arg weit auseinander, allerdings hat der 60V-FET hat die Nase leicht vorn. > und ich finde irgendwie nichts ähnliches. Was suchst du denn?
Lothar M. schrieb: > Was suchst du denn? Ok, danke dir. Ich suche einen ähnlichen MOSFET wie der 60V Typ, aber mit 80V Durchschlagspannung. Etwa gleiches Cgd, Rdson, Is und Id.
Gast
#6727557
Bert S. schrieb: > Ich suche einen ähnlichen MOSFET wie der 60V Typ, aber mit 80V > Durchschlagspannung. Etwa gleiches Cgd, Rdson, Is und Id. Gibts nicht.