In dem Artikel von Lothar Miller steht sinngemaess, keinerlei Leiterbahnen, genaugenommen garnichts unter der Induktivitaet anzuordnen, wegen induzierten irgendwas. Nun gut. In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau unter der Spule. Kann das gut gehen? Beispiele liefere ich ggfls. morgen. Muss frueh aufstehen, nun ab in die Heya. Gruesse Gert
Gert P. schrieb: > In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau > unter der Spule. Kann das gut gehen? Es geht nicht um Gutgehen oder nicht Gutgehen, sondern darum, welche Qualitätsparameter man erreichen will, bzw. wie weit man das optimieren will. Wenn man diese oder jene Hinweise für ein gutes Layout beachtet, hat man auch schon mal gute Voraussetzngen, daß es einigermaßen paßt. Wenn Du diesen oder jenen Hinweis mißachtest, mußt Du damit rechnen, daß irgendwelche Qualitätsparameter eher schlecht ausfallen ... irgendwie funktionieren tut's meistens trotzdem, aber eben nur irgendwie ...
Die räumliche Lage des FET zur Spule ist dem eigentlich egal, solange seine Gate-Leitung nicht unfreiwillig Teil der Spule wird.
Gert P. schrieb: > In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau > unter der Spule. Kann das gut gehen? Wer so fragt, ist schon gescheitert. Da kombiniert sich Arroganz mit Ahnungslosigkeit, keine gute Kombination. Arroganz ist, einen GAN-FET zu brauchen, und dann eine Frage so zu stellen...
Gert P. schrieb: > wegen induzierten irgendwas. Induktiver Einstreuung. Gert P. schrieb: > In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau > unter der Spule. Kann das gut gehen? Kann. Es gibt viele unterschiedliche Ursachen warum ein Schaltregler mal besser und mal schlechter funktioniert. Magnetische Einsteuung ist nur eine davon, und je nach Spule (geschirmt, ungeschirmt, Garnrolle oder Ringkern) und deren Orientierung kann sie ein grösseres oder kleineres Streufeld erzeugen. Insgesamt spielt die Bauteilauswahl bis hin in die Nebenwerte eine entscheidende Rolle.
Gert P. schrieb: > In meinem Layout ist der groesste Stoerer (der Schalt-GAN-FET) genau > unter der Spule. Kann das gut gehen? Genau genommen ist der FET nicht der Störer, sondern die steilen Flanken in der Spannung, welcher der FET beim Schalten verursacht. Diese sind aber doch auch "nur" dann besonders schlecht, wenn der Schaltknoten (also FET, Spule und Pufferung) besonders groß ausgedehnt ist und als Antenne funken kann. Das kann man dann so weit ausdehnen, dass der FET nicht mehr unter der Spule ist. Störaussendung wird dann aber bestimmt schlechter sein, als wenn der FET unter der Spule sitzt. Funktionieren wird aber beides (bis zu gewissen Grenzen). Also was genau ist die Anforderung bzw. das Problem? Zudem gibt es auch mehrlagige Platinen, bei welchem man unter der Spule auf einer inneren Lage eine Fläche zur "Schirmung" platzieren kann. Damit reduziert sich die Auswirkung auf Bauteile auf der anderen Platinenseite.
Hallo, vielen Dank fuer eure Rueckmeldungen. Ich werd Euch mal mein Konstrukt zeigen ... Die Induktivtaet muss genauso wie die Kondensatoren selber sehen, wie sie ihre Waerme wegbekommt. Immerhin liegen sie im Luftstrom. Die Transistoren auf der Rueckseite werden aktiv gekuehlt. Primaer sind vier heftige LiFePO4-Akkus vorgesehen, sekundaer sollen knapp 100W rauskommen ... Nun schlagt zu ... Wer eine Diskussion zu D2 und D3 anfaengt, hat schon verloren. Das sind lediglich Platzhalter. Gruesse Gert
Chris schrieb: > Genau genommen ist der FET nicht der Störer, sondern die steilen Flanken > in der Spannung, welcher der FET beim Schalten verursacht. Diese sind > aber doch auch "nur" dann besonders schlecht, wenn der Schaltknoten > (also FET, Spule und Pufferung) besonders groß ausgedehnt ist und als > Antenne funken kann. "Nur"? Es gibt auch "leitungsgebunden"... ;) Eigentlich sind GaN Fets in allen Belangen besser als simple SI Fets - niedrigerer R_ON möglich, und das ganze auch noch bei niedrigeren parasitären Kapazitäten. Weswegen sie auch bei höheren Frequenzen noch hocheffizient arbeiten können. Nimmt man aber GaN für relativ niedrige f_Schalt, sinken ja dabei die Anforderungen an die Schaltgeschwindigkeit (bzw. Flankensteilheit beim Schaltvorgang). Das erlaubt nicht nur sehr wenig Ansteuerleistung, sondern verringert noch zusätzlich den Störpegel, weil ja dann die nur äußerst geringen paras. Cs auch noch ziemlich langsam umgeladen werden. Vielleicht werden irgendwann noch in sensitiven Bereichen lauter GaN Fets in bisher noch mit SI Fet ausgestatteten Resonanzwandler-Topologien verwendet, als Nonplusultra von effizientestmöglich wie auch extrem störarm - wer weiß. Via GaN warten imho interessante Zeiten und Entwicklungen.
Name: schrieb: > Wer so fragt, ist schon gescheitert. > > Da kombiniert sich Arroganz mit Ahnungslosigkeit, keine gute > Kombination. > Arroganz ist, einen GAN-FET zu brauchen, und dann eine Frage so zu > stellen... Du bist schon etwas auffällig hier im Forum! Schreibst von Arroganz mit Ahnungslosikgkeit - bist Du krank? Anscheinend leidest Du unter einer Neurose...
Mani W. schrieb: > Anscheinend leidest Du unter einer Neurose... Schwierig zu sagen (aus der Ferne, und aus Laiensicht). Doch Diagnose unnötig, er sollte das einfach nur lassen. (Seine Privatprobleme können uns theoretisch egal sein. Auch wird er ja ganz bestimmt auf keinen von uns hören. Blöd ist nur, daß diese sich hier niederschlagen - aber höchstens könntest Du -als registrierter User- Meldung machen, um den aktuellen Schrieb evtl. zu beseitigen. Etwas besseres fällt mir leider auch nicht ein.)-:
LCL/CLC schrieb: > Blöd ist nur, daß diese sich hier niederschlagen - aber > höchstens könntest Du -als registrierter User- Meldung > machen, um den aktuellen Schrieb evtl. zu beseitigen. Ja, könnte ich - tue ich aber nicht! Solche Aussagen von diversen Leuten kommentiere ich mit meinen Gedanken, aber ich stelle sie nicht an den Pranger... Außerdem ist es kontraproduktiv, wenn Beiträge nur wegen diversen Vorstellungen oder Ansichten einfach gelöscht werden - es verliert sich schnell der Faden...
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