Hat jemand hier ein paar Informationen zum FRAM-Markt? Mir geht es speziell um FRAM mit 1MBit (128kBx8), SPI, SO-8 (oder kleiner). Ich bin da aufgrund einer Abkündigung von Fujitsu schon einmal zu Rohm gewechselt, die haben jetzt ebenfalls anscheinend alle(?) FRAMs zu 2025 abgekündigt. Ist diese Speicherklasse generell am Ende?
Beitrag #6764018 wurde von einem Moderator gelöscht.
Mouser schreibt auch für MRAM: Nicht empfohlenen für neue Designs. https://www.mouser.de/ProductDetail/Everspin-Technologies/MR25H10CDC?qs=lzGMqP3RDOLXrZdAYUtitA%3D%3D FRAM, MRAM kamen einfach zu spät, um sich durchzusetzen. Es kann auch sein, daß Vorbehalte bezüglich Zuverlässigkeit bestehen (Einfluß äußerer Magnetfelder bzw. zerstörendes Lesen). Daher nimmt man lieber bewährte günstige Technologien (EEPROM, Flash) als nichflüchtiger Speicher.
Harald A. schrieb: > Rohm Du (?, finde den Fred jetzt gerade nicht) hattest Rohm vor ein paar Wochen schon mal erwähnt. Ist da wirklich Rohm drin? Wir setzen FRAM schon sehr lange (10Jahre+++) ein; die lange Weiterentwicklungslinie von Ramtron->Cypress und jetzt Infineon hat m.E. das breiteste Produktspektrum und auch die größte Produkterfahrung. Ein Problem ist natürlich der Preis in gerade kleinen Stückzahlen (<1000), aber FRAM hat eben einmalige Produktvorteile (auch was z.B. hohe Strahlungsfestigkeit angeht), sodass ich nicht annehme, dass das Produkt generell verschwindet. FRAN bleibt sicherlich (siehe Preis) ein Spezialist, der aber Usecases ermöglicht, die sonst schlicht nicht möglich wären (ohne einen Produkt-Aspekt drastisch zu verändern). (https://www.cypress.com/products/f-ram-nonvolatile-ferroelectric-ram) VG Stephan
EERAM gibts von Microchip. Wir verwenden ansonsten Cypress FRAM. Und Peter D. scheint nicht zu wissen wofür man FRAM oder EERAM benötigt.. Ansonsten würde er nicht auf EEPROM / Flash verweisen...
Danke für deine Rückmeldung, Peter. Ich kann in dem Projekt recht einfach auf Microchip SRAM 23LCV1024 wechseln, da eine Batterie vorhanden ist. Schade, ich fand diese Speicherklasse gut. EEPROM/Flash würde grundsätzlich auch funktionieren, würde aber aufgrund der begrenzten Schreibzyklen zeitfressende Abgleichzyklen erfordern, da ich an dieser Stelle keine Hoheit über die tatsächlich geschriebenen Inhalte bzw. Änderungszeitpunkte habe. No Y. schrieb: > Ansonsten würde er nicht auf EEPROM / Flash verweisen... Äh ja, so ungefähr, trotzdem danke ich für jede Rückmeldung.
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> zerstörendes Lesen
das gibt es auch bei Flash! Zwar nur datenzerstörend, aber damit ähnlich
verheerend. Bei SD-Karten ist der Inhalt einer Zelle nach z.T nur
einigen Zehntausend Zugriffen korrumpiert. Alte Karten mit weniger hoch
integrierten Chips halten sehr viel länger durch.
Wir hatten da in einer Anwendung mal sehr unangenehme Erfahrungen
gemacht...
Stephan schrieb: > Du (?, finde den Fred jetzt gerade nicht) hattest Rohm vor ein paar > Wochen schon mal erwähnt. Ist da wirklich Rohm drin? Ah, Du hattest in der Zwischenzeit geantwortet, wollte dich nicht ignorieren. Es handelt sich um den MR45V100A von Lapis (Rohm Group). Kann sein, dass ich das mal irgendwo geschrieben habe. Zu dem Zeitpunkt wusste ich noch nichts von der Abkündigung.
Christoph Z. schrieb: >> zerstörendes Lesen > > das gibt es auch bei Flash! "Read Disturb Errors in MLC NAND Flash Memory" https://users.ece.cmu.edu/~omutlu/pub/flash-read-disturb-errors_dsn15.pdf
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war TI nicht der Entwickler dieser Technologie? Die haben jedenfalls auch FRAM und noch neue Controller aus der MSP430 Serie die gleich FRAM eingebaut haben.
Harald A. schrieb: > Danke für deine Rückmeldung, Peter. Ich kann in dem Projekt recht > einfach auf Microchip SRAM 23LCV1024 wechseln, da eine Batterie > vorhanden ist. Schade, ich fand diese Speicherklasse gut. > EEPROM/Flash würde grundsätzlich auch funktionieren, würde aber aufgrund > der begrenzten Schreibzyklen zeitfressende Abgleichzyklen erfordern, da > ich an dieser Stelle keine Hoheit über die tatsächlich geschriebenen > Inhalte bzw. Änderungszeitpunkte habe. > > No Y. schrieb: >> Ansonsten würde er nicht auf EEPROM / Flash verweisen... > Äh ja, so ungefähr, trotzdem danke ich für jede Rückmeldung. Oder die angesprochenen EERAM https://www.mouser.de/ProductDetail/Microchip-Technology/48LM01-I-SM?qs=byeeYqUIh0OE6InDfW8Cwg==
Uwe D. schrieb: > Oder die angesprochenen EERAM Schon mal am Rande wahrgenommen vor Jahren, schaue ich mir noch einmal an! Hast Du persönliche Erfahrungen damit? Gerade auch in Bezug auf den Kondensator und Temperatur?
Generell vielen Dank für die Nennung von Alternativen. Aber ich würde gerne noch einmal zurück zur ursprünglichen Frage, vlt. hat hier ja jemand einen guten Draht zu Herstellern und Distris und weiß, was da los ist bzw. wer noch weitermacht.
Nicht wirklich. Meine privaten Projekte mache ich "nur" mit den schon genannten 1MBit SPI-sRAM und dem EERAM. FRAM hatte ich noch auf dem Plan, weil meine Solar-versorgten Messstellen manchmal Daten verloren hatten (schlicht vergessen zu prüfen, Schnee ode Dreck auf dem Panel). Ausfälle hatte ich nie, kann Glück sein. Die Teile hängen alle draußen. Also im Winter auch mal -20°C und im Sommer auch mal >>40°C (direkte Sonne).
Harald A. schrieb: > Generell vielen Dank für die Nennung von Alternativen. Aber ich würde > gerne noch einmal zurück zur ursprünglichen Frage, vlt. hat hier ja > jemand einen guten Draht zu Herstellern und Distris und weiß, was da los > ist bzw. wer noch weitermacht. Ich weiß, unpopuläre Meinung, abre was hindert einen daran den Telefonhörer in die Hand zu nehmen und selbst nachzuforschen? Da arbeiten überall auch nur Menschen die nicht beißen. Zumindest bei TI und Infineon hab ich bisher immer schnell das Erfahren/bekommen was ich brauchte/wollte. ;)
Uwe D. schrieb: > Oder die angesprochenen EERAM > https://www.mouser.de/ProductDetail/Microchip-Technology/48LM01-I-SM?qs=byeeYqUIh0OE6InDfW8Cwg== Sieht sehr interessant aus und ist auch preisgünstig. Aber wer sucht schon unter "Multichip-Gehäuse" nach nichtflüchtigen Speichern.
Johannes S. schrieb: > war TI nicht der Entwickler dieser Technologie? Die haben jedenfalls > auch FRAM und noch neue Controller aus der MSP430 Serie die gleich FRAM > eingebaut haben. Doch TI ist der Entwickler dieser Technologie. Das die FRAM auf Magnetische Fehlder reagieren ist ein Mytos, (Das unterscheidet die Technologie zu Kernspeicher und Bubble RAM) Verschiedene EL. RD. und Mag Feldertests haben auch gezeigt, das FRAM stabiler sind wie andere Programmierbare Festspeicher Medien. Auch was die Dataretension Zeit anbelangt, halten sie den Inhalt wesentlich länger als beispielsweise FLASH oder EEPROM. Wiederbeschreibzyclen von 1x10^15 sind auch eine sehr bemerkenswerte Eigenschaft von FRAM. Schneller als FLASH oder EEPROM sind sie auch. und "but not last" brauchen sie auch weniger Strom. Aussterben werden FRAM wohl eher nicht. Bedingt durch ihre höheren Herstellungs- und Verkaufs-kosten sind sie einiges teurer als andere Speichermedien das ist richtig(Leider). Das einige wegen Nachfrage->Markt sie auch nicht mehr Produzieren werden ist auch absehbar. Die Packungsdichte von FRAM ist leider auch (noch) nicht so hoch, wie bei anderen Speichermedien. Aber dennoch glaube ich (Und einige meiner Lieferanten) nicht das sie Aussterben bis sie nicht durch eine Alternative ersetzt werden, und das ist ja immer möglich (der Fortschritt wird es zeigen)
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alopecosa schrieb: > abre was hindert einen daran den > Telefonhörer in die Hand zu nehmen und selbst nachzuforschen? Da > arbeiten überall auch nur Menschen die nicht beißen. Ganz besonderen Dank auch für diesen Tip! Echt prima Leute im Forum, die hier so ganz nebenbei auch ohne bezahlte Therapiestunden praktisch anwendbare Lebenshilfe geben.
Also Mouser ist für mich die Quelle für selten gebrauchte Teile und die Preise sind OK. Besser als immer nur "angegraute" Technologie beim deutschen Günstiglieferanten zu beziehen... Und eine Musteranfrage wäre aus gewerblicher Sicht auch eine meiner ersten Aktivitäten.
Interessant sind die EERAM schon, nur leider habe ich keine Anwendung, die entsprechend viele Schreibzyklen benötigt. Ich benutze EEPROM, um die Geräte abzugleichen und default Settings zu speichern. Über die Lebensdauer der Geräte werden daher kaum 100 Schreibzyklen zusammen kommen, eher unter 10.
EERAM / FRAM setzen wir ein wenn ein Kunde Prozessdaten permanent sichern will, also zyklisch (jede 1s oder so..) Prozessdaten sichern und diese auch bei Stromausfall behalten werden sollen. Quasi Beispiel Stickmaschine: Sichern bei welchem Stich des Musters man gerade ist und wenn dann in China der Strom ausfällt, muss das Muster genau an der Stelle wieder anfangen werden, damit man die 10m Teppich davor nicht entsorgen muss. Und da ist FRAM gut geeignet. Oder wenn es günstiger sein muss EERAM.. Bisher gute Erfahrungen damit gemacht. Bzgl. Kondensator beim EERAM: Der ist ja nur dazu da, dem EERAM die Zeit zu verschaffen, bei Spannungsausfall, um die Daten sicher aus dem RAM ins ROM zu schreiben. Daher eher unktritisch.
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Christoph Z. schrieb: >> zerstörendes Lesen > > das gibt es auch bei Flash! Zwar nur datenzerstörend, aber damit ähnlich > verheerend. Bei SD-Karten ist der Inhalt einer Zelle nach z.T nur > einigen Zehntausend Zugriffen korrumpiert. Da stellt das aber eher einen Defekt dar, der nach längerer Zeit eintreten kann. Bei DRAM und FRAM (und Magnetkernspeicher, falls die noch jemand kennt) ist zerstörendes Lesen die Regel. Man "liest" eine Speicherzelle, indem man eine Eins reinschreibt und schaut wieviel Energie dafür benötigt wurde. Wenn schon eine Eins drinstand ist das weniger als wenn eine Null drin war und man die Zelle umpolen musste. Nach dem Lesen wird dann der ursprüngliche Inhalt zurückgeschrieben. So ist dann jeder Lesezugriff gleichzeitig auch ein Schreibzugriff ("refresh cycle"), und deren Anzahl ist durch die Lebensdauer begrenzt. Wobei bzgl Lebensdauer für FRAM das gleiche gilt wie für EEPROM/FlashROM: "kaputt" ist per definitionen wenn die spezifizierte Data Retention Time nicht mehr eingehalten wird. Wer seine Daten nicht 20 Jahre lang braucht, sondern deutlich eher wieder überschreibt, der kann 10-100x mehr Zyklen machen als im Datenblatt angegeben.
Soul E. schrieb: > Man "liest" eine Speicherzelle, indem > man eine Eins reinschreibt und schaut wieviel Energie dafür benötigt > wurde. Wenn schon eine Eins drinstand ist das weniger als wenn eine Null > drin war und man die Zelle umpolen musste. Nach dem Lesen wird dann der > ursprüngliche Inhalt zurückgeschrieben. Das habe ich hier im Wiki MSP430 auch schon beschrieben -) aber ja genau so geht dass :-) Dieses Verfahren ist bei Mehreren Speichertypen Normal. Bsbw. Kernspeicher, Bubblememmory, FRAM und auch damals schon Sogenannte Stabspeicher oder auch Magnetstabspeicher (Lang ist's Her). Es gibt auch noch andere Medien die auf der Basis Schreiben um zu Lesen funktionieren.
Patrick L. schrieb: > Es gibt auch noch andere Medien die auf der Basis Schreiben um zu Lesen > funktionieren. Interessanterweise hat ein toter Chinese das Patent darauf. https://patents.google.com/patent/US2708722 https://en.wikipedia.org/wiki/An_Wang
Sehe gerade, dass Cypress/Infineon das FRAM Programm noch schön ausbaut, wird dann aber langsam aber sicher auch Single Source für den Baustein, den ich möchte. Dazu noch der Preis von 8.45@1k, schon heftig. Noch vor 1..2 Jahren waren für SO8 drei Hersteller benennbar, wenn mal mal von Kleinigkeiten absieht (Option Register, max. Frequenz und Spannungsbereich). Lieferbarkeit ist mal wieder traumhaft, aber das ist ja momentan ein anderes Thema.
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