Forum: Analoge Elektronik und Schaltungstechnik Zu großer Mosfet Gibt's das?


von MosfetKiller (Gast)


Lesenswert?

Guten Abend,

Ich Fall gleich mit der Tür ins Haus,
Ich habe mangels Lagerplatz nur IRLZ44 n Channel LL Mosfets auf Lager. 
Jetzt muss ich damit einen 12V 3W Lüfter mit einem Atmega 8
Ein und aus schalten (KEINE PWM)

ist natürlich ein totaler Overkill, wollte eigentlich IRLML2505
nehmen, aber ich hab momentan keine.

Um das ganze bisschen zu verallgemeinern,
Kosten, Platzbedarf auf der Platine Mal aussen vor...
Gehe ich Recht in der Annahme dass es keinen zu großen Mosfets gibt 
solange man mit der Gate Kapazität und Ugs TH zurecht kommt?oder handelt 
man sich mit dieser überdimensionierung andere Probleme ein?

Wär super nett wenn da jemand bisschen Licht ins Dunkel bringen kann!

Gruß MK

von meckerziege (Gast)


Lesenswert?

Schau ins Datenblatt. Ich würde erwarten dass auch der Strom im 
gesperrten Bereich zunimmt.
Wenn der mosfet passt, dann passt er.

von Patrick L. (Firma: S-C-I DATA GbR) (pali64)


Lesenswert?

MosfetKiller schrieb:
> Wär super nett wenn da jemand bisschen Licht ins Dunkel bringen kann!

Nein Prinzipiell schadet es dem FET nicht wenn er nur auf "Sparflamme"
betrieben wird.
Wen wir Schaltungen bauen, geben wir (Wenn der Kunde es nicht anders 
Wünscht) gerne mindestens 100% Reserve zu, sofern es die Schaltung 
zulässt.

von MaWin (Gast)


Lesenswert?

MosfetKiller schrieb:
> Gehe ich Recht in der Annahme dass es keinen zu großen Mosfets gibt
> solange man mit der Gate Kapazität und Ugs TH zurecht kommt

Richtig.

Die insbesondere bei PWM umzuladende Gate-Kapazität ist der grösste 
Nachteil von überdimensionierten MOSFETs.

Der Sperrstrom steigt eher mit geringer UGSth, also bei LogicLevel.

Extreme Niederohmigkeit geht bei manchen Gehäusen schlechter, hat aber 
mit dem Kaliber der MOSFETs nicht direkt zu tun.

Eine hohe Kapazität von Drain nach Gate kann bei hohen 
Spannungsschwankungen am ausgeschalteten Drain und hochohmigen Treibern 
dazu führen, dass der Drain aufs Gate zurückwirkt und den MOSFET 
durchschaltet, aber das ist auch eine Folge hoher Gate-Kapazität, haben 
wir also als Nachteil schon gesehen.

von Jens G. (jensig)


Lesenswert?

Patrick L. schrieb:
> Wen wir Schaltungen bauen, geben wir (Wenn der Kunde es nicht anders
> Wünscht) gerne mindestens 100% Reserve zu, sofern es die Schaltung
> zulässt.

Nun ja, 100% Reserve sind nicht 10000% Reserve wie beim TO.
Aber egal - auch dabei gibt's eigentlich nix zu bemängeln, solange die 
Schaltung nicht für irgendwas optimiert sein muß. So gesehen spricht nix 
dagegen, den genannten Mosfet zu nehmen.

Manchmal können zu große Transistoren aber auch mal Vorteile bringen, 
z.B. haben Leistungs-BJT's ziemlich gute Rauschwerte aufgrund ihrer rel. 
großen aktiven Fläche. Könnte man also als Vorstufentransistoren in der 
Analogtechnik nehmen (wenn deren rel. großen parasitären Cs keine Rolle 
spielen würden).

: Bearbeitet durch User
von Ben B. (Firma: Funkenflug Industries) (stromkraft)


Lesenswert?

> Die insbesondere bei PWM umzuladende Gate-Kapazität ist
> der grösste Nachteil von überdimensionierten MOSFETs.
Schönen guten Morgen, der TE hat extra groß hingeschrieben, daß er keine 
PWM damit machen möchte.

Ich dimensioniere FETs auch immer extrem großzügig, aber ich habe 
meistens richtig viel Strom, so daß die Durchleitverluste der weit 
größte Teil sind. Das bißchen, was ich da zusätzlich an Treiberleistung 
verliere, holt der Gewinn beim Rds(on) locker wieder auf.

Also ich sehe da kein Problem, so einen großen FET zu verwenden. Würde 
ich nicht bei Serienproduktion machen, aber wenn ich aus den Teilen 
"leben" muß, die gerade vorhanden sind, dann auf jeden Fall.

von Manfred (Gast)


Lesenswert?

Ben B. schrieb:
>> Die insbesondere bei PWM umzuladende Gate-Kapazität ist
>> der grösste Nachteil von überdimensionierten MOSFETs.
> Schönen guten Morgen, der TE hat extra groß hingeschrieben, daß er keine
> PWM damit machen möchte.

Hätte er sich sparen können, da kaum jemand wirklich liest.

> Also ich sehe da kein Problem, so einen großen FET zu verwenden.

Ich auch nicht.

> Würde ich nicht bei Serienproduktion machen,

Da musst Du auf Bauteilekosten gucken. Die Diskussion Serie gegen 
Einzelstück gibt es im Forum öfter mal, beim Einzelstück  interessieren 
Bauteilekosten erst, wenn diese heftig teuer sind.

In der Serie kann es auch mal passieren, dass man überdimensionieren 
muß, nämlich dann, wenn das Bauteil in großen Mengen eingekauft wird, 
sogenannte Vorzugsbauteile.

Bevorzugt bilde ich auch auf meine Basteleien ab: Das verwenden, was 
lagerhaltig ist anstatt neu zu kaufen.

> aber wenn ich aus den Teilen "leben" muß,
> die gerade vorhanden sind, dann auf jeden Fall.

Hier laufen TO-220 24A PFETs, um über einen Spannungsteiler den Akku 
zwecks Spannungsmessung an den µC zu schalten, etwa Faktor 24.000 
überdimensioniert. Die passen gut in Lochraster und, vor allem, ich habe 
die in Menge vorrätig.

von MosfetKiller (Gast)


Lesenswert?

Hallo zusammen,

vielen Dank für Eure Antworten!
Sehe es Mal als beantwortet an :-)

Für eure Zeit und Unterstützung herzlichen Dank!!!

Beitrag #6828922 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #6828938 wurde von einem Moderator gelöscht.
von Harald W. (wilhelms)


Lesenswert?

MaWin schrieb:

> Die insbesondere bei PWM umzuladende Gate-Kapazität ist der grösste
> Nachteil von überdimensionierten MOSFETs.

Da dieser Thread nicht nur vom TE, sondern auch von anderen
FET-Nutzern gelesen wird, schadet es nicht, wenn man noch
mal darauf hinweist.

von Thomas (kosmos)


Lesenswert?

anstatt einfach einen größeren/stärkeren FET zu nehmen kann es eben 
besser sein einem mit geringerem RDSon zu nehmen, dann muss dieser 
garnicht so viel Wärme abführen.

von M. K. (sylaina)


Lesenswert?

MosfetKiller schrieb:
> Gehe ich Recht in der Annahme dass es keinen zu großen Mosfets gibt

Was glaubst du, warum es kleine MOSFETs gibt, wenn es keine zu großen 
MOSFETs geben könnte? Einmal scharf drüber nachdenken und man weiß: Ja, 
es gibt auch zu große MOSFETs. In deinem Falle aber, bei deiner 
Anwendung, kann man auch den IRLZ44n nehmen, auch wenn dieser eigentich 
zu groß für die Anwendung ist. Ich würde mir für solche Anwendungen bei 
begrenzten Lagerplatz auch nicht extra nen neuen FET ins Lager holen 
wenn ich schon sowas wie einen IRLZ44n im Lager habe.

von Stefan F. (Gast)


Lesenswert?

MosfetKiller schrieb:
> ist natürlich ein totaler Overkill

Na und?

Besser als für jeden Furz das scheinbar ideale Bauteil zu bevorraten. 
Bei geringen Stückzahlen spielt es keine Rolle, ob der Transistor 10 
oder 30 Cent kostet.

Wir benutzen ja auch BC548 für Ströme unter 1 mA, obwohl der Transistor 
mehr als das 100 Fache verträgt. Solange er geeignet ist, würde ich den 
Begriff "Overkill" vermeiden.

Wir fahren auch gerne mit unnötig stark motorisierten Autos herum. So 
what? Ein PKW mit angemessenen 40 kW wäre sogar teurer und scherer zu 
beschaffen, als was derzeit Standard ist.

von Falk B. (falk)


Lesenswert?

Lieber Dr. Sommer,

mein MOSFET ist zu groß. Kann ich damit beim Schalten Probleme kriegen, 
vor allem wenn ich kleine LEDs schalten will?

Irritierte Grüße
Ein Leser

P S Ich frage nur für einen Freund.

von Dr. Sommers elektronisch versierte Freundin (Gast)


Lesenswert?

Falk B. schrieb:
> Lieber Dr. Sommer,
>
> mein MOSFET ist zu groß. Kann ich damit beim Schalten Probleme kriegen,
> vor allem wenn ich kleine LEDs schalten will?
>
> Irritierte Grüße
> Ein Leser
>
> P S Ich frage nur für einen Freund.

Aha, wie so oft.

Die Unterschiede zur elektron. Betrachtung sind nicht gerade klein.
(Bis auf die gemeinsame Relation R_Einsch zu Sperrspannung jdfs.)

Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.