Moin, hier mal eine weitere Frage zum Überhitzen von Mosfets. Die Bisherigen haben keine richtige Antowort gegeben. Der angehängte Schaltplan ist nur ein kleiner Ausschnitt. Die Mosfets BUZ11 sollen durch zwei zueinander invertierte Schaltsignale mit etwa 10kHz eine 9V Gleichspannung in eine 9V Rechteckwechselspannung umwandeln. Anschließend wird ein Trafo gefüttert. Soweit funktioniert alles. Das Problem ist, dass Q6 so heiß wird, dass ich einen Kühlkörper verwenden müsste. Die anderen Mosfets bleiben bei Raumtemperatur. -Gatespannung ist ca. 7V -die 10kHz Schaltsignale kommen aus einem NE555 Ich habe überprüft: -TRIG und NEGTRIG sind zueinander invertiert -kein Kurzschluss -alles richtig angeschlossen -alle Mosfets funktionieren und werden angesteuert Zudem -Mosfets ausgetauscht -Schaltfequenz verändert Die Mosfets steuern zwar wegen der nidrigen Gatespannung nicht komplett durch, kann aber meiner Meinung nach nicht die Ursache sein, weil alle die gleiche Gatespannung bekommen. Was habe ich übersehen? Mfg
Era D. schrieb: > Gatespannung ist ca. 7V Gegenüber Masse ? Era D. schrieb: > Was habe ich übersehen? Dass die Gate-Spannung gegenüber Source anzulegen ist und dein Source auf 9V hochschnellen soll, du also 16V am high side MOSFET brauchst Übrigens könntest du die BUZ11 mal deinem Opa zurückgeben und dir modernete MOSFETs holen, die machen das Leben leichter, weniger Verluste, weniger cross conduction weil schneller umschaltend Dank geringerer Gate-Kapazität.
MaWin schrieb: > 16V am high side MOSFET brauchst Verstehe ich. Dann dürften Q6 und Q3 aber gar nicht schalten. Q3 macht das gleiche wie Q6 nur etwa 0,1ms später.
Era D. schrieb: > Dann dürften Q6 und Q3 aber gar nicht schalten. Doch schon, denn im Moment des Einschaltens ist die Source ja noch genügend negativ gegenüber dem Gate. Nun schaltet er ein, kommt aber nur so weit, das er so viel Strom durchlässt, wie die Regelschleife Ugs zu Us erlaubt, er liegt also irgendwo im linearen Bereich und verbrät Leistung. Nimm da lieber P-Kanaler in der Highside, wenn du dir die Ladungspumpen sparen willst. Im Anhang siehst du, wie ich das mache.
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Matthias S. schrieb: > Nimm da lieber P-Kanaler in der Highside, Aber bitte richtig rum, mit Source an Vcc! Nicht wie in deinem Schaltplan.
H. H. schrieb: > Aber bitte richtig rum, mit Source an Vcc! Nicht wie in deinem > Schaltplan. Ach, sieh da, habe ich doch noch einen Fehler drin. Mach ich gleich mal weg - danke.
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H. H. schrieb: > in deinem Schaltplan. Nettes Suchbild. Ich hätte es nicht geschafft, die Ansteuerung von 4 Transistoren mit 4 weiteren Transistoren so dermaßen zu verknoten, dass sich keine einzige gerade durchgehende Linie ergibt... ;-) Matthias S. schrieb: > wie die Regelschleife Ugs zu Us erlaubt Also korrekterweise die Regelschleife Is = f(Ugs) = f(Ug-Us). Diese High-Side Fets werden also gerade so "gut" leiten, dass sie sich mit der ansteigenden Us selber den "Saft abdrehen", also bis knapp über Ugsth. Denn dann würde der Mosfet tatsächlich sieder sperren, damit Is 0 werden und deshalb Us wieder kleiner werden, was dazu führt, dass Ugs wieder größer wird usw. usf. Oder andersrum: wenn man das Gate eines N-Mosfets z.B. auf 5V legt, dann kann man ihn ein- und ausschalten, indem man die Source auf 0V und auf 5V legt. Man muss sich das einfach 1 mal komplett durch den Kopf gehen lassen, dann hat man die Mosfets im Grunde verstanden.
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Matthias S. schrieb: > Ach, sieh da, habe ich doch noch einen Fehler drin. Mach ich gleich mal > weg - danke. Und ich dachte die Schaltung funktioniert schon seit ewigen Zeiten. Dagegen schaut's jetzt eher nach unausgegoren aus. Ja, die Ausführung des Schaltplans lässt dies auch eher vermuten. Matthias S. schrieb: > Im Anhang siehst du, wie ich das mache.
Die einzige Sache, die für mich noch unklar ist, ist warum bei Q3 nicht wie bei Q6 die Leistung umgesetzt wird. Beide drehen sich selbst den Saft ab.
Wenn nur ein BUZ11 überhitzt, dann ist das ein BRUZZ11, geht ja noch. Ich habe es während eines Praktikums hinbekommen, einen BUZ11 so zu überhitzen, dass mein Betreuer sich den Finger daran verbrannt hat, weil der nicht damit gerechnet hat, dass der so heiss ist. Da war der Fingerabdruck in die Kühlfahne eingebrannt. Ich habe den bis heute aufgehoben. Hier war schonmal einer, der hat mit so einer H-Brücke einen Gabelstaplermotor ansteuern wollen. 48V und so. Der hat dann laut eigenen Angaben eine 7 cm lange Stichflamme aus dem MOSFET hinbekommen. Wie er das gemessen hat weiss ich allerdings nicht.
Lothar M. schrieb: > Ich hätte es nicht geschafft, die Ansteuerung von 4 > Transistoren mit 4 weiteren Transistoren so dermaßen zu verknoten, dass > sich keine einzige gerade durchgehende Linie ergibt... ;-) Ja, schön, oder? Aber die Schaltung hat einige Evolutionen hinter sich und ich habe nur fürs Internet die Schaltung gepinselt, weil ich die eigentlich im Kopf entwickelt habe. Vllt. mache ich das ja irgendwann noch hübscher.
Matthias S. schrieb: Zwei ir2101 würden das Ganze viel zuverlässiger verrichten, auch die 7V Gatespannung des oberen N-Channel Fets wäre damit problemlos erreichbar. > Lothar M. schrieb: >> Ich hätte es nicht geschafft, die Ansteuerung von 4 >> Transistoren mit 4 weiteren Transistoren so dermaßen zu verknoten, dass >> sich keine einzige gerade durchgehende Linie ergibt... ;-) @ Mattias: Ob z.B. T1 bei 10Khz sauber schaltet, wage ich zu bezweifeln.
Sorry: > Zwei ir2101 würden das Ganze viel zuverlässiger verrichten, auch die 7V > Gatespannung des oberen N-Channel Fets wäre damit problemlos erreichbar. > > Matthias S. schrieb: >> Lothar M. schrieb: >>> Ich hätte es nicht geschafft, die Ansteuerung von 4 >>> Transistoren mit 4 weiteren Transistoren so dermaßen zu verknoten, dass >>> sich keine einzige gerade durchgehende Linie ergibt... ;-) > > @ Mattias: Ob z.B. T1 bei 10Khz sauber schaltet, wage ich zu bezweifeln.
Matthias S. schrieb: > Nimm da lieber P-Kanaler in der Highside,... man kann die Brücke auch mit 4x N-Kanal Typen aufbauen, wenn man sich aus einem Elko, 3 Dioden und ggf. einem Widerstand einen Booster für die Gatespannung der Highside macht, damit man (wie Mawin bereits schrieb) auf genügend Gatespannung kommt. Das setzt aber getrennte Treibertransistoren voraus. Und bei deinem Bildchen schätze ich, daß da lediglich die Fet-Symbole ein bissel vergurkt gemacht worden sind. Das muß in Wirklichkeit nicht zwangsweise ein Schaltungsfehler sein. W.S.
Era D. schrieb: > Die einzige Sache, die für mich noch unklar ist, ist warum bei Q3 nicht > wie bei Q6 die Leistung umgesetzt wird. > Beide drehen sich selbst den Saft ab. Weil Du offensichtlich mit unsymmetrischem Rechteck ansteuerst, oder überlappende Schaltzyklen hast ...
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W.S. schrieb: > man kann die Brücke auch mit 4x N-Kanal Typen aufbauen, wenn man sich > aus einem Elko, 3 Dioden und ggf. einem Widerstand einen Booster für die > Gatespannung der Highside macht, damit man (wie Mawin bereits schrieb) > auf genügend Gatespannung kommt Ja, aber für all das sind Brückentreiber-IC schon ewig erfunden, und bieten dead time control, undervoltage lockout, Strombegrenzung, Regelung der low side Spannung und was weiss ich noch alles.
Hans schrieb: > @ Mattias: Ob z.B. T1 bei 10Khz sauber schaltet, wage ich zu bezweifeln. Das ist dein gutes Recht. Ich kann dir aber versichern, das es spielt. Du kannst aber gerne sagen, warum du es bezweifelst. Meine Schaltung ist deswegen etwas anders, weil sie von einem Solarpanel gespeist wird. Darum kein Treiberbaustein oder andere tolle Dinge.
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