... zum Schalten einer Last von 500 mA @ 3,3 V. Der Transistor soll von einem ATtiny angesteuert werden. Ist das überhaupt möglich? Wenn ja mit welchem Typ? Vielen Dank Jochen
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BUZ11 -- NEIN! War nur Spaß ---- AO irgendwas von Reichelt. https://cdn-reichelt.de/documents/datenblatt/A100/AO3422_SPEC.pdf https://www.reichelt.de/mosfet-n-ch-55v-2-1a-1-25w-sot-23-ao-3422-p166491.html?CCOUNTRY=445&LANGUAGE=de
Jochen schrieb: > Ist das überhaupt möglich? Natürlich! > Wenn ja mit welchem Typ? Mit vielen, solange sie als Logic-Level-Typen gebaut wurden. Du solltest nur noch sagen, ob du Highside oder Lowside schalten willst. Hier zwei in SMD: Lowside z.B. IRLML6344 Higside z.B. IRLML6401
Danke, das sieht gut aus. Highside: es soll VCC (3,6 V) geschaltet werden.
Schon oft von mir verwendet: Lowside: IRML6244 Highside: IRLM2244 Stehen auch beide in der hiesigen Liste drin: https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht 6401 und 2502 sind vermutlich ähnlich.
Jochen schrieb: > Highside: es soll VCC (3,6 V) geschaltet werden. Dann wäre die Überschrift aber falsch: "Suche NMOS" Dafür braucht man einen pMOS. Und viel mehr als 3.6V für VCC gehen direkt nicht.
HildeK schrieb: > Jochen schrieb: >> Highside: es soll VCC (3,6 V) geschaltet werden. > > Dann wäre die Überschrift aber falsch: "Suche NMOS" > Dafür braucht man einen pMOS. Das ist richtig. > Und viel mehr als 3.6V für VCC gehen direkt nicht. Kannst Du das näher erläutern?
Jochen schrieb: >> Und viel mehr als 3.6V für VCC gehen direkt nicht. > > Kannst Du das näher erläutern? Ganz einfach: wenn die Betriebsspannung der Last (an der dann auch der Mosfet mit dem Source hängt) zu hoch wird gegenüber dem Gate (welches max. mit der Betriebsspannung des ansteuernden µC beaufschlagt wird), dann wird einfach die Ugs zu groß, und der Mosfet kann nicht mehr gesperrt werden (man kommt nicht mehr unter die Ugs_thres). Da das ein P-Kanal ist, haben die Spannungen natürlich einen negativen Wert. Daher muß man dann den Mosfet über einen Pegelwandler ansteuern, der den µC-Steuerspannungsbereich auf saubere Mosfet-Gate-Steuerspannungen wandelt. Im einfachsten Falle also eine simple Transistorstufe in Emitterschaltung.
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Jens G. schrieb: > Jochen schrieb: >>> Und viel mehr als 3.6V für VCC gehen direkt nicht. >> >> Kannst Du das näher erläutern? > > Ganz einfach: wenn die Betriebsspannung der Last (an der dann auch der > Mosfet mit dem Source hängt) zu hoch wird gegenüber dem Gate (welches > max. mit der Betriebsspannung des ansteuernden µC beaufschlagt wird) Das dürfte wohl ein Mißverständnis sein. Wenn der MOSFET die Vcc=3.6V schalten soll, dann wird wohl der µC ebenfalls mit 3.6V laufen. Und dann gibt es genau gar kein Problem. Das gibt es erst dann wieder, wenn die Betriebsspannung größer als U_gs_max wird.
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Axel S. schrieb: > Das dürfte wohl ein Mißverständnis sein. Wenn der MOSFET die Vcc=3.6V > schalten soll, dann wird wohl der µC ebenfalls mit 3.6V laufen. Und dann > gibt es genau gar kein Problem. Ganz oben nannte er 3.3V zur Ansteuerung, nun 3.6V als zu schaltende Spannung. Das hat mich zu dem Hinweis veranlasst. Sind beide gleich, gibt es kein Problem, solange sie kleiner sind als U_GS_max, richtig!
@ all Vielen Dank für eure Erläuterungen. Die Verwirrung um 3,3 V und 3,6 V bzw. High- und Lowside ist meiner jugendlichen Unerfahrenheit geschuldet.
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