MOSFET an BLDC brennt bei 50% PWM durch

Gast #6907005
Lesenswert?

Hallo,
Ich hab einen BLDC mit 6 Mosfet am laufen. Mit 100% Duty läuft alles 
top. Wenn ich aber die Geschwindigkeit reduziere und mit 50% Duty fahre 
bzw. mit etwas unter 100%, erwärmen sich die Mosfet extrem bis sie in 
Rauch aufgehen.

Was kann man dagegen tun? Ich habe bereits den Synchron Modus probiert 
aber auch das brennt immer ein Mosfet durch. Oft ist es einer der 
Highside.

Hat jemand Tipps was man beachten muss?
Gast #6907088
Lesenswert?

Lothar M. schrieb:
> Wie ich schon schrieb:
>
>> Und ein gutes Layout?
>
> Peter schrieb:
>
>> Ich habe 50kHz eingestellt. Wenn ich auf 100 kHz gehe
>
> Wie gesagt: viel zu hoch, mach da mal ne 0 weg...

Weniger geht nur mit 25 kHz, da wird es nicht besser. Bei noch weniger 
pfeift der Motor und wird extrem heiß.
Gast #6907130
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Weniger geht nur mit 25 kHz, da wird es nicht besser. Bei noch weniger
> pfeift der Motor und wird extrem heiß.

Also falls du nicht tatsächlich einen Niederspannungsmotor an viel zu 
hoher Spannung betreibst, dann glaube ich an ein wiederholten 
Spannungseinbruch der Quelle und daher ständigen Neustart der Steuerung.
Beides führt zu genau dem beschriebenen Verhalten.
Gast #6907182
Lesenswert?

Jens G. schrieb:
> irfs7430, ein Monster-Mosfet, und nur max. 130mA Gate-Strom, passen
> nicht wirklich zusammen.

Kommt auf die Schaltfrequenz an. Beim scheinbar nötigen Gatestrom von 
Mosfets wird oft auch reichlich übertrieben.
Die Frage ist doch, warum der TO mit 50 oder gar 100KHz einen 
offensichtlich sehr starken Motor ansteuern zu müssen scheint. Und warum 
dieser unter 25KHz schon heiß wird, einer immer noch ungeheuren Frequenz 
für den im Raum stehenden großen Motor. Wenn hierbei mit der Steuerung 
noch alles in Ordnung sein sollte, muss der Motor extrem niederinduktiv 
sein.
Wenn die Flanken DER Auslöser sein sollten, so wäre das auch noch bei 
z.B. 75% Tastverhältnis der Fall. Erst ab genau 100% würde das aufhören, 
falls Blockkommutierung.
Ich vermute eher, daß er eigentlich nur z.B. 2KHz bräuchte, aber dabei 
reicht sein Stützkondensator an der Endstufe nicht mehr. Oder die Quelle 
ist ne 3m entfernte alte Autobatterie. Oder der Motor ist eigentlich nur 
für 7,2V. Irgendsowas...
Gast #6907202
Lesenswert?

Jens G. schrieb:
> 0815 schrieb:
>
>> Kommt auf die Schaltfrequenz an. Beim scheinbar nötigen Gatestrom von
>> Mosfets wird oft auch reichlich übertrieben.
>
> 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben.

Da es ja eine Zeit lang geht mit 100mA kann es ja nicht weit daneben 
liegen? Aber was wie testen?
Gast #6907203
Lesenswert?

0815 schrieb:
> Jens G. schrieb:
>
>> 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben.
>
> Natürlich nicht. Aber die wichtigste Frage bleibt, was hat es mit den
> 50KHz auf sich. Und mit einem schon unter 25KHz heiß werdenden Motor.

Ganz einfach TI empfiehlt eine ohne Frequenz um den Treiber und die 
Bootstrap Schaltung nicht zu überlasten
Gast #6907208
Lesenswert?

Es ist ein Motor aus einem makita Akkuschrauber. Wenn der Strom oder die 
Frequenz falsch wären, sollte es nicht dann auch bei 100% thermisch 
defekt gehen? Ich dachte eher dass bei halber kraft zu viel gesperrt 
werden muss oder somit die Mosfet erwärmt?
Gast #6907216
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Wenn der Strom oder die
> Frequenz falsch wären, sollte es nicht dann auch bei 100% thermisch
> defekt gehen?

Nein, weil die Mosfets dann nur noch mit z.B. 100Hz angesteuert werden 
müssen. Blockkommutierung vorausgesetzt, habe das DB des ICs jetzt nicht 
extra gelesen...
Gast #6907226
Lesenswert?

Also offensichtlich betreibst du einen 18V Akkuschraubermotor an einem 
18V Akkuschrauber-Akku?! Dann bliebe nur noch die Frage, warum der Motor 
schon ab unter 25KHz heiß wird. Das sollte aufgrund der zu geringen 
Motorinduktivität erst bei z.B. 2KHz und weniger der Fall sein. Einer 
Frequenz, bei der dein IC zur Ansteuerung der dicken Mosfets reichen 
würde.
(Firma: matzetronics) #6907254
Lesenswert?

Bei Makita weiss ichs nicht, aber die Hitachi arbeiten mit Frequenzen im 
höheren Hörbereich, so ca. 4-6kHz, schätze ich mal. Damit entspannt sich 
auch das Timing erheblich.
Beim IRFS7430 fällt sofort die sehr hohe Gatekapazität auf, die ist mit 
über 13nF nicht zu unterschätzen und braucht natürlich hohen Gatestrom 
zum Umladen. Also runter mit der Frequenz.

Peter schrieb:
> welche Mosfet
> wären dann besser?

Sowas wie der IRFB3205 oder 3207 sollte völlig reichen. Damit sind aus 
eigener Erfahrung (allerdings mit kräftigeren Treibern als dein 8308) 31 
kHz drin.
Gast #6907456
Lesenswert?

Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum 
CSD18511.

Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem 
Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden 
soll, welcher die Erwärmung verursacht?
Gast #6907470
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum
> CSD18511.

Es gäbe sinnvollere.


> Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem
> Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden
> soll, welcher die Erwärmung verursacht?

Der, und die lange Zeit in der der Kanal weder vollständig offen, noch 
vollständig geschlossen ist. In der Zeit fließt noch viel Strom, aber er 
hat auch einen erheblichen Widerstand, P=I^2*R.
Gast #6907563
Lesenswert?

Max M. schrieb:
> FLANKENsteilheit!
> Deine Schaltfrequenz ist uns erstmal egal.

Sollte sie aber nicht. Die Umschaltverluste, und damit der Anteil der 
Verlustleistung, die hier zur Überhitzung führt, sind immerhin 
proportional zu Schaltfrequenz.
Halbe Frequenz -> halbe Schaltverluste
Gast #6907576
Lesenswert?

H. H. schrieb:
> Peter schrieb:
>
>> Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum
>> CSD18511.
>
> Es gäbe sinnvollere.
>> Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem
>> Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden
>> soll, welcher die Erwärmung verursacht?
>
> Der, und die lange Zeit in der der Kanal weder vollständig offen, noch
> vollständig geschlossen ist. In der Zeit fließt noch viel Strom, aber er
> hat auch einen erheblichen Widerstand, P=I^2*R.

Welcher wäre sinnvoll?
Gast #6907600
Lesenswert?

Wow! Ich sehe gerade dass der IRFS7430 satte 13975 pF Eingangskapazität 
hat. Ich bin da eher Werte um 1000 gewöhnt. Das dann in Kombination mit 
der hohen Schaltfrequenz - kein Wunder dass die heiß werden, so träge 
wie sie schalten. Ich denke nicht, dass diese Transistoren für PWM 
oberhalb von 1 kHz geeignet sind.

Peter schrieb:
> Da ist der CSD18511 ja schon recht gut

Der hat 1/3 so viel pF, aber das ist immer noch sehr viel für die hohe 
Frequenz.
Gast #6907606
Lesenswert?

Peter schrieb:
> H. H. schrieb:
>> Peter schrieb:
>>
>>> Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum
>>> CSD18511.
>>
>> Es gäbe sinnvollere.

> Welcher wäre sinnvoll?

Kein LL-MOSFET jedenfalls, du hast ja ausreichend Gatespannung.

Ansonsten wären mehr Infos zur konkreten Anwendung nötig.
#6907645
Lesenswert?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> wie sie schalten. Ich denke nicht, dass diese Transistoren für PWM
> oberhalb von 1 kHz geeignet sind.

Wieso das? Wenn Du 10A ins Gate reinpumpen kannst, geht noch viel mehr 
...

> Peter schrieb:
>> Da ist der CSD18511 ja schon recht gut
>
> Der hat 1/3 so viel pF, aber das ist immer noch sehr viel für die hohe
> Frequenz.

... und für den niedrigen möglichen Gatestrom ...
Da müsste man sich evtl. Gedanken dazu machen, zusätzliche 
Mosfet-Treiber dazwischen zu schalten, die das ändern.
(Firma: matzetronics) #6907663
Lesenswert?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> Wow! Ich sehe gerade dass der IRFS7430 satte 13975 pF Eingangskapazität
> hat.

Soweit waren wir gestern aber auch schon.

@TE: Ja, ich weiss das TI an den Eingängen für die Hallsensoren 10nF bis 
100nF Kondensatoren vorschlägt, das bezieht sich aber auf echte 
Brückensensoren mit 4 Anschlüssen (Querstrom und diff. Ausgänge). Wenn 
deine Sensoren 3 Beiner sind, belastest du mit 100nF den Ausgang des 
Sensors so, das er mögl. viel zu spät die Schwelle des Komparators im 
DRV8308 überschreitet. Ich schlage vor, das du neben dem Wechsel der 
MOSFets auch mal diese C deutlich verkleinerst, also z.B. 10nF - 22nF.

Peter schrieb:
> Welcher wäre sinnvoll?

Rede ich chinesisch? Oben schlug ich doch IRFB3205 vor. Den gibt es auch 
in D2PAK, wimre heisst er dann IRFS3205. Genauso geht eben der 
IRFB(S)3207.
Gast #6907699
Lesenswert?

-Layout?

-Wie weit ist der Zwischenkreiselko von den FETs entfernt?

-Wie weit bricht die Spannung an High Side ein? Wenn die Spannung um 
mehr als 5..10% von Unenn im Schalt- oder ON Moment eingbricht, ist das 
Layout Pfusch und Du solltest aufhören Deine Zeit zu verschwenden.

-Bau eine Diode von VM zum IC ein, das Schalten darf KEINE Rückwirkung 
auf den IC haben (Achtung Masse!).

-Welchen Querschnitt haben die Leitungen zum Akku

-Wie schaut der Masseversatz zwischen Akku, Sternpunkt 
Leistungshalbleiter und GND Anschluss vom IC aus (von jedem zu jedem 
Punkt)

--> Achtung: dynamische Messung mit Oszi erforderlich!

-Lies mal die Artikel hier im Forum zum Thema Leistungselektronik 
durch... Treiber, FET, Zwischenkreiskondensator, ...
#6907767
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Ich schaue jetzt auf Qgd und die Eingangskapazität.

Warum nur Qgd. Weil dort der Unterschied am größten ist?
Das relativiert sich aber, und Qg ist daselbe, wenn man die 
Meßbedingungen mit reinnimmt (Uds 20V vs 60V). Eigentlich sogar besser, 
denn der IRF darf mehr als die Hälfte an Strom sehen, womit auch dessen 
höhere Gatekapazität geklärt wäre ...
Das einzige, was bei dem CSD günstiger ist, ist, daß es ein 
LogikLevel-Typ ist, der mit <5V schon annehmlichen Rds_on produziert, 
und dabei nur halbe Gatecharge hat. Man muß also nicht mit 10V 
ansteuern, womit dessen Vorteil wieder für die Katz' wäre, was, wenn ich 
das DB recht verstehe, beim DRF8308 aber der Fall wäre, weil er immer 
10V Gatespannung raushaut.
Gast #6907782
Lesenswert?

Ja ok, aber wenn es um Schaltverluste geht und die Erkenntnis ob es nun 
daran liegt, dann würde der CSD besser Auskunft geben, da die 
Stromfestigkeit reicht. Oder liege ich da völlig falsch? QGD ist nur 1/3 
zum IRFS3207 und die Kapazität fast 1/2.
Gast #6908066
Lesenswert?

Peter schrieb:
> H. H. schrieb:
>
>> Jens G. schrieb:
>>> Warum nur Qgd.
>>
>> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man
>> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die
>> Breite mit.
>
> Und was möchtest du mir damit sagen?

Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest.
Gast #6908079
Lesenswert?

H. H. schrieb:
> Peter schrieb:
>
>> H. H. schrieb:
>>> Jens G. schrieb:
>>>> Warum nur Qgd.
>>>
>>> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man
>>> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die
>>> Breite mit.
>>
>> Und was möchtest du mir damit sagen?
>
> Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest.

Welches?
Gast #6908110
Lesenswert?

Peter schrieb:
> H. H. schrieb:
>
>> Peter schrieb:
>>> H. H. schrieb:
>>>> Jens G. schrieb:
>>>>> Warum nur Qgd.
>>>>
>>>> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man
>>>> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die
>>>> Breite mit.
>>>
>>> Und was möchtest du mir damit sagen?
>>
>> Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest.
>
> Welches?

Ab vs Vgs

Aber nicht in jedem Datenblatt ist darin auch noch die Abhängigkeit von 
der Drainspannung.
Gast #6908133
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Ja ok, aber wenn es um Schaltverluste geht und die Erkenntnis ob es nun
> daran liegt, dann würde der CSD besser Auskunft geben ...

Gibt dir eine Simulation mit LTSpice nicht die gewünschte Auskunft, 
bevor du jetzt irgendetwas aufbaust und dich dann wieder wunderst?

Peter schrieb:
> Noch mal ein Versuch. Die drei Brücken sind gleich

Einen Versuch hast du noch.

Was meinst du wohl, warum es in der Kurzanleitung zum Verfassen von 
Beiträgen heißt: "Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder GIF-Format 
hochladen."?

JPEG taugt für Linienzeichnungen nichts, weil der Algorithmus dafür 
nicht gemacht ist.
Gast #6908162
Lesenswert?

Frage an den TO wäre, ob er die unbenutzten Pins des IC in der Luft hat 
hängen lassen?

Es kann aber auch der Schaltplan noch in der Toleranz sein, aber das 
Layout der Platine gibt der Schaltung gar den Rest.

Steht in Datenblatt von dem IC bis zu wie viel xxx nC (Gate Umladung 
unter Last) er in der Lage wäre MOSFETs zu treiben?
Gast #6908171
Lesenswert?

Dieter schrieb:
> Frage an den TO wäre, ob er die unbenutzten Pins des IC in der
> Luft hat hängen lassen?
> Es kann aber auch der Schaltplan noch in der Toleranz sein, aber das
> Layout der Platine gibt der Schaltung gar den Rest.
> Steht in Datenblatt von dem IC bis zu wie viel xxx nC (Gate Umladung
> unter Last) er in der Lage wäre MOSFETs zu treiben?

Das steht nicht im DaBla. Aber er packt ja den großen Mosfet zu treiben 
aber er wird einfach zu warm bei hohen Strömen und wenig Duty. Lass ich 
ihn voll laufen passiert nix schlimmes.
Gast #6908207
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Warum wird eigentlich im Netz beim Thema BLDC immer eine Frequenz von
> 20kHz oder höher empfohlen, wenn das so großer Quatsch ist?

Verkauft sich halt besser an Leute, die keine Ahnung vom Fach haben.

Warum wollen Leute Staubsauger und Lautsprecher mit möglichst viel Watt? 
Erstaunlicherweise will aber niemand ein Auto kaufen, das möglichst viel 
Benzin verbraucht.
#6908219
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Da ich die Frequenz nicht ändern kann

Wieso kannst du das nicht? Hast du einen Werbevertrag mit dem Hersteller 
vom Chip? Ich habe auch schon einige Akkuschrauber-Motoren für einigen 
Unsinn missbraucht. Je nach Hersteller des Motors ist das genau so, wie 
andere es hier schon zigmal geschrieben haben: Frequenzen von 3-7kHz 
(wie gesagt, je nach Motor) mögen die Motoren.

Was du hier fragst, ist, wie du ne Mistforke mit ner Kartoffel in den 
Mund kriegst, weil du partout keine Gabel nehmen willst.
Gast #6908243
Lesenswert?

Peter schrieb:
> lieber erstmal eins

Ich verstehe Dich ja. Arbeit reingesteckt etc.

Aber einen grundfalschen Ansatz darf (oder muß) man auch mal
komplett in die Tonne klopfen (/können), dabei lernt man auch
gleich, bei vielen Unbekannten erst besser zu recherchieren.

Ein einfacherer Ansatz wäre natürlich die Zwischenschaltung
kräftiger Treiber (gut entkoppelte/abgeblockte Versorgung).

Wenn Dir das schon zu viel Arbeit ist, und auch die Analyse
(siehe Pandur), dann weiß ich aber auch nicht weiter.
Gast #6908277
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Nö natürlich kann ich alles ändern. Aber lieber erstmal eins um die
> Änderung zu sehen. Danach kann ich ja weiter optimieren.

Vielleicht solltest Du erst mal an Schaltung von Seite 12 des 
Datenblattes halten ohne etwas wegzuoptimieren.

Und Layout mit etwas Kabel und Motorspülchen können ganz nette 
Schwingungsspielchen machen.
Persönliche Seite #6909594
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Also kann ich diesen ohne Bedenken verwenden?

Du kannst sie verwenden, nachdem du das Datenblatt zumindest an den 
relevanten Stellen verstanden hast. Wenn du hier in deinen letzten 
Beiträgen noch schreibst, dass dein IC die ursprünglichen MOSFETs 
durchschalten konnte, hast du scheinbar die ganze Hilfestellung der 
vergangenen 100 Posts nicht verstanden.
Nebenbei: mehrfach wurdest du hier nach Screenshots von Signalen auf 
einem Oszi gefragt und da ist nichts gekommen. Wenn du Hilfe bei solchen 
Problemen bekommen möchtest, solltest du das nächste Mal etwas 
freizügiger mit Informationen sein.
#6909609
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Der Test mit dem CSD18511 war gut. Das Ganze wird gar nicht mehr warm.
> Was haltet ihr von dem MOSFET: IPB020N04N G

Betrachten wir uns die relevanten Parameter; alle MOSFET haben 40V:

IRFS7430: Rdson=0,97mOhm, Qg=300nC, Ciss=14.240pF, td(off)=160ns
IPB020N04N: Rdson=2mOhm, Qg=90nC, Ciss=7.300pF, td(off)=40ns
CSD18511: Rdson=2,1mOhm, Qg=64nC, Ciss=4.570pF, td(off)=17ns
STL140N4F7AG: Rdson=2.1mOhm, Qg=29nC, Ciss=2.300pF, td(off)=19ns

Der IRFS ist 4. Wahl, der IPB ist nur 3. Wahl.
Der CSD ist schon mal eine gute Wahl.
Der STL ist nochmal Faktor 2 besser, was Qg und Ciss betrifft.
Gast #6909637
Lesenswert?

Bernd K. schrieb:
> Peter schrieb:
>
>> Der Test mit dem CSD18511 war gut. Das Ganze wird gar nicht mehr warm.
>> Was haltet ihr von dem MOSFET: IPB020N04N G
>
> Betrachten wir uns die relevanten Parameter; alle MOSFET haben 40V:
> IRFS7430: Rdson=0,97mOhm, Qg=300nC, Ciss=14.240pF, td(off)=160ns
> IPB020N04N: Rdson=2mOhm, Qg=90nC, Ciss=7.300pF, td(off)=40ns
> CSD18511: Rdson=2,1mOhm, Qg=64nC, Ciss=4.570pF, td(off)=17ns
> STL140N4F7AG: Rdson=2.1mOhm, Qg=29nC, Ciss=2.300pF, td(off)=19ns
> Der IRFS ist 4. Wahl, der IPB ist nur 3. Wahl.
> Der CSD ist schon mal eine gute Wahl.
> Der STL ist nochmal Faktor 2 besser, was Qg und Ciss betrifft.

Vielen Dank dafür! Warum sprichst du aber nur von Qg und TI bezieht bei 
seiner Berechnung nur Qgd ein?
#6910090
Lesenswert?

Bernd K. schrieb:
> Qgd ist ein Teil von Qg und kennzeichnet die Breite vom Miller-Plateau:

Ja, aber auf dem Plateau verheizt der das meiste. Was davor und danach 
ist, ist dann eher zweitrangig, wenn es um die gesamte Heizenergie geht.

Aber das SOA-Diagramm des STL140N4F7AG sieht ja richtig pfui aus. Den 
muß man ja wirklich ganz schnell über die Plateau-Phase bringen, sonst 
ist der schon vom Angucken kaputt. Andererseits sind seine Eigenschaften 
schon sehr günstig, um das auf die Reihe zu bringen ...
Gast #6910264
Lesenswert?

Ok, dann sollte das ja mit den neuen Fets gehen. Die Test sind 
vielversprechend.
Um aber nicht auszulernen, was ist das SOA Diagramm und was meinst du da 
bezüglich dem schnellen überbrücken des Plateaus?
#6910276
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Um aber nicht auszulernen, was ist das SOA Diagramm und was meinst du da
> bezüglich dem schnellen überbrücken des Plateaus?

Das ist das Safe-Operating-Area-Diagramm in praktisch jedem 
Mosfet-Datenblatt, welches Auskunft darüber gibt, wieviel Strom und 
Spannung gleichzeitig der Mosfet für welche Zeitdauer aushält, ohne zu 
verpuffen (bei initialen theoretisch 25°C Tj). Beschreibt also seine 
Grenzen im analogen Bereich (und die Schaltflanken bei einem 
geschalteten Mosfet bewegen sich ja im analogen Bereich, wenn auch für 
möglichst kurze Zeit)
Gast #6910282
Lesenswert?

Das "Miller-Plateau" ist die Stelle im Datenblatt-Graph Q_G
versus V_GS, auch oft "Gate Charge Waveform" genannt wie hier:

https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67

auf Seite 7. Dort zu sehen ein Plateau (eine Flachstelle)
im zuvor und danach steigenden Verlauf. In dieser Zeit muß
Q_GD geladen werden.

Weil der Fet erst kurz zuvor (@V_GS(th)) zu leiten beginnt,
und kurz danach (nach Ende des Plateaus geht's auch schnell)
voll eingeschaltet zu sein beginnt, wurde das hier gesagt:

Jens G. schrieb:
> Ja, aber auf dem Plateau verheizt der das meiste. Was davor und danach
> ist, ist dann eher zweitrangig, wenn es um die gesamte Heizenergie geht.

(Und auch schon Hinz betonte oben die Wichtigkeit von Q_GD.)


Peter meinte im Beitrag #6910264:
> überbrücken des Miller-Plateaus

Davon sprach hier doch niemand. Das brächte vielleicht einen
Nobelpreis: Es zu schaffen, bei Mosfets das Miller-Plateau zu
überbrücken ... (aka "außen vor lassen zu können" oder auch
"unwirksam machen zu können" etc.)

Jens G. schrieb:
> schnell über die Plateau-Phase bringen

...heißt, diese schnellstmöglich_zu_ÜBERWINDEN (erfordert
hohen Gatetreiber-Spitzenstrom).

Von so etwas ist dieses IC weit entfernt. Wenn es nicht unter
25kHz "kann", kannst Du nicht solche Mosfet-Trümmer nehmen -
bzw. wenn Du das versuchen willst, müßtest Du zum Ausgleich
einen Treiber (bzw. drei High- an Lowside- Treiber oder so)
dazwischenschalten ...

Weil das auch schon nicht wenig Aufwand wäre (die Zeiten, wo
man "Elko + Folko + NPN/PNP Push-Pull-Transistorstufe an eine
vorhandene Schaltung recht einfach dazulötet" sind bei SMD ja
eher vorbei), daher sagte ich "alles neu macht der Mai"... ;)

Mit dem zuletzt empfohlenen STL könnte es vielleicht gehen -
wenn, ja wenn die Strombelastbarkeit denn ausreicht.


Wie gesagt gehe ich völlig mit Matthias mit, daß Du so einen
Schraubermotor normalerweise mit einstelligen kHz und durchaus
etwas ein wenig kleinerem als Deinem Monster-7430 betreiben
kannst oder gar solltest.

Kevin K. schrieb:
> freizügiger mit Informationen sein

Ja, das meiste weiß man immer noch nicht. Deswegen verzichte
ich auch darauf, zu sagen, daß wenn er das im letzten Absatz
macht, es hundertprozentig geht... denn ohne auch nur
Großteile seines Projekts (geschweige denn das gesamte) zu
kennen, sind sichere Tipps unmöglich.

Aufmerksam lesen und Tipps befolgen funktioniert nicht ganz.
Da ist alles eher Glückssache, also wünsche ich selbiges...;)
#6910288
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Nur im Schaltmoment oder generell? Laut dem Diagramm würde ja sonst

Interessant ist es vorrangig für den Umschaltmoment. Aber für generell, 
bzw für den statischen Betrieb (sofern es dafür noch eine Kurve gibt) 
gilt das genauso, bzw. man kann in den Grenzbereichen die Grenzwerte 
sehen, die auch in den max. Ratings drin stehen.

> keiner 40V und 120A können?

Ja, gleichzeitig sowieso nicht ...

> Und woher die Info mit dem Miller Plateau?

Aus Gatestrom und Gate-Drain-Charge kannst Du die Zeit ausrechnen, um 
die Charge reinzupumpen, bzw. in der der Mosfet sich auf dem 
Miller-Plateau befindet. Damit kannste dann ins SOA gehen, um zu sehen, 
ob die Zeit für Uds und Id kurz genug ist. Dafür muß man natürlich 
wissen, wie dabei das Laststromverhalten der Last ist, welches 
sicherlich (wie auch Uds) während dieser Zeit nicht konstant ist (wovon 
das SOA aber eigentlich ausgeht). Da muß man halt ein bißchen 
praxisgerecht abschgätzen und interpolieren können ... ;-)
Gast #6910303
Lesenswert?

Ich meine das nicht böse, aber:

Wie konntest Du annehmen, ohne die Eigenschaften von Mosfets
zu kennen eine dreiphasige nicht all zu stromschwache Endstufe
zusammenschustern zu können - und das erfolgreich?

Das nenne ich mal -äh- unvorsichtig.

Peter schrieb:
> Nö natürlich kann ich alles ändern. Aber lieber erstmal eins um die
> Änderung zu sehen. Danach kann ich ja weiter optimieren.

Und das -äh- beharrlich.

In dieser Kombination eine wahrhaftig schreckliche Paarung.
(Man könnte auch zwei ganz andere Begriffe wählen - ich hoffe
mal, Du verstehst mich jetzt, OHNE daß ich das tue. Lern draus.)
Gast #6910308
Lesenswert?

Dass ich keine Eigenschaften kenne, behauptest nur du. Aber ja ich lerne 
gerade viel dazu und versuche die Diagramme zu verstehen sowie zu 
vergleichen, warum eines besser ist als anderes. Und ja, es ist schwer 
allem zu folgen, wenn aus Erfahrung etwas gesagt wird, was ich einfach 
im Moment nicht nachvollziehen kann.

Aber klar, es gibt viele, die wissen immer alles.
Gast #6910464
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Aber klar, es gibt viele, die wissen immer alles.

Sorry, das ist Unsinn - hier war NIEMAND überheblich oder was.

> Dass ich keine Eigenschaften kenne, behauptest nur du.

Daß Du die_grundlegenden_Eigenschaften_von_Mosfets nicht kennst,
hast Du ganz von selbst mehrfach gezeigt. Das ist nun mal Fakt -
und keinerlei persönlicher_Angriff (und übrigens erst recht kein 
unbegründeter solcher, das solltest Du schon zu realisieren in
der Lage sein).

Diverse Grundlagen sind aber notwendig, ob Du willst, oder nicht.

> Aber ja ich lerne
> gerade viel dazu und versuche die Diagramme zu verstehen sowie zu
> vergleichen, warum eines besser ist als anderes. Und ja, es ist schwer
> allem zu folgen, wenn aus Erfahrung etwas gesagt wird, was ich einfach
> im Moment nicht nachvollziehen kann.

No Problem, aber dann folge den Tipps, die Du schon verstehst,
und frage nach, wenn Du mal was nicht verstehst. Instantan.

Und dazwischen liegt natürlich noch ein anderer Schritt, der
eigentlich selbstverständlich ist - oder sein sollte:

Peter schrieb:
> Trotzdem wäre es cool ... um das nachzuvollziehen.

Dafür, zur Abklärung unbekannter Grundbegriffe, dienen nämlich
für gewöhnlich (bzw. zum Großteil) sog. Suchmaschinen ...

Man muß nicht jedes unbekannte Wörtchen bei Ratgebern in Foren
erfragen. Sondern die erste Grundlage ist eigene_Recherche.

Und die "richtige Reihenfolge" bei allem, also anders gesagt
"zu jeder Zeit möglichst strukturierte Vorgehensweise".

Nicht jeder hat 'ne "(Leistungs)Elektronische Grundausbildung"
genossen, nachdem er einen auch dazu passenden Ausbildungsweg
gewählt hatte - ich auch nicht.

Aber dann muß man sich halt erst mal "reinknien" / "pauken",
wenn man schon was in dieser Richtung machen will.

Ohne ein Minimum an Grundwissen ist das alles reine Quälerei.

Schreckt Dich der Gedanke daran, erst mal zu lernen? Angebl.
nicht, Du sagtest "ich lerne (noch)". Na, dann tu's einfach,
statt zu jammern, wenn Dir jemand sagt, Du sollest es tun. ;)
Gast #6910530
Lesenswert?

Du sagst Du lernst schnell, dann mach Dich bitte mit den Artikeln im 
Bereich Leistungselektronik vertraut, wie in meiner Mail vom  12.12.2021 
13:12
oben angeregt.
Dann stell Fragen
Dann reden wir weiter.

Das läuft hier alles in die falsche Richtung, da Dir zu viel zu viele 
Kenntnisse fehlen
Gast #6910597
Lesenswert?

Na ihr seid ja fiffige nette Kerlchen. Ihr macht mir ein nach dem 
anderen mal klar wie dumm ich bin. Haut mit begriffen um euch die kaum 
einer weiter erklärt. Reist Beiträge, Sätze, Wörter aus dem 
Zusammenhang. Aber auf den Wunsch anhand eines klaren Beispiels mal 
beide Diagramme zu betrachten, damit ich verstehe was gemeint ist, 
bekommt aber auch keiner übers Herz? Komisch, also Nett.

Danke an alle die geholfen haben mit nützlichen Hinweisen.
Gast #6910652
Lesenswert?

> Laut dem Diagramm würde ja sonst keiner 40V und 120A können?

Die Vds im SOA-Diagramm ist die Drain-Source-Spannung im 
durchgeschalteten Zustand.  Der linke Teil des Diagramms (die 
"Diagonale") ist das Limit, dass durch den Ohmsche Widerstand gegeben 
ist, die obere Waagerechte durch den Maximalstrom (Bonddrähte etc), der 
Rest ist thermisch bedingt.

> Und woher die Info mit dem Miller Plateau?

In dem Datenblatt des IPB180 ist das in Diagramm 15 und 16 gezeigt, die 
Werte in der Parameter-Sektion auf Seite 3.

An sich ist das Gate eines MOSFETs ein Kondensator gegen Source  - man 
pumpt Strom rein und die Spannung Vgs steigt.  Aber, in dem Augenblick, 
wo der MOSFET langsam anfängt durchzuschalten, steigt die Spannung eine 
Weile nicht mehr obwohl man weiter Strom reinpumpt[1].  Das ist das 
Plateau.  Zu dem Zeitpunkt leitet der MOSFET zwar schon, hat aber noch 
einen hohen Widerstand und erzeugt entspr Wärme.  Erst wenn genügend 
Ladung eingebracht wurde, steigt die GS-Spannung wieder und lässt den 
MOSFET niederohmig werden.



[1] ähnlich wie beim Erhitzen von Wasser bei 100°C bis zum Verdampfen.
Gast #6911314
Lesenswert?

Vielen Dank. Das ist mal verständlich. Heißt das, je größer das Plateau 
umso länger muss ich bei einem gewissen Strom „warten“ was zu Erhitzung 
führt wodurch ich im SOA immer weiter an die Grenze rutsche und 
irgendwann verlasse?
#6911416
Lesenswert?

Peter schrieb:
> Vielen Dank. Das ist mal verständlich. Heißt das, je größer das Plateau
> umso länger muss ich bei einem gewissen Strom „warten“ was zu Erhitzung
> führt wodurch ich im SOA immer weiter an die Grenze rutsche und
> irgendwann verlasse?

Ja, wobei Du nicht unbedingt solange warten mußt, wenn Du das Gate mit 
ordentlich "Ladestrom" befeuerst. Das ist ja der Sinn der Gate- bzw. 
Mosfet-Treiber, die je nach Typ etliche A liefern können, damit das 
ganze so schnell wie möglich vonstatten geht, bzw. die Plateau-Zeit so 
kurz wie möglich (womit Du im SOA wieder deutlich weiter weg kommst von 
der Grenze).
Gast #6911447
Lesenswert?

Sorry, ich habe nicht alles gelesen.
Da ich viel Erfahrung auf dem Gebiet habe kann ich sagen, dass die 
Erwärmung dadurch entsteht, dass z.B. der upside-MOSFET eingeschaltet 
wird bevor der lowside-MOSFET aus ist und umgekehrt.
Das ist dann (fast) ein Kurzschluss.

Das Problem entsteht, wenn die Pausenzeit beim Umschalten zu klein ist.
Entweder ist die Gatekapazität der MOSFETs zu groß, oder der 
MOSFET-Treiber zu schwach.

Abhilfe wäre:
Pausenzeiten am Treiber einstellen, wenn einstellbar?
MOSFETs mit kleinerer Gatekapazität
anderer MOSFET-Treiber
vollständige Softwaresteuerung der Treiberausgänge mit Einplanung der 
Pausenzeiten.
(Firma: matzetronics) #6913223
Lesenswert?

Bernd schrieb:
> Sorry, ich habe nicht alles gelesen.

Das wäre aber nützlich, da wir hier schon längst zu deinen Schlüssen 
gekommen sind. Das Ausgangsproblem ist ein schwacher 
Gatetreiber-Dschungel namens DRV8308, der eigentlich einem Arbeit 
abnehmen soll, aber zusätzliche Arbeit verursacht und MOSFets mit 
fantastisch hoher Gatekapazität.
Zusätzlich wurde eine viel zu hohe PWM Frequenz gewählt.
Gast #6913249
Lesenswert?

Matthias S. schrieb:
> Zusätzlich wurde eine viel zu hohe PWM Frequenz gewählt.

DAS ist das eigentliche Problem. Aber deutlich weniger geht ja irgendwie 
nicht, weil dann offensichtlich was aus dem Ruder läuft. Klingt für mich 
nach einem Problem beim Layout, oder bei der Versorgung. Und wenn es ein 
zu kleiner Stützkondensator ist, der bei längeren Pulsen in die Knie 
geht...

Matthias S. schrieb:
> schwacher
> Gatetreiber-Dschungel namens DRV8308

Was ist dort eigentlich das Problem? Wollte nun wirklich nicht ne halbe 
Stunde lang das DB wälzen, aber oben spricht man von 100 oder 130mA, 
während im DB mehrere A Gatestrom angegeben sind?

Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein 
vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich 
wieder ein Hinweis auf ein sporadisch einsetzendes Problem, das hier 
womöglich noch gar nicht erkannt wurde.
#6913297
Lesenswert?

0815 schrieb:
> Wollte nun wirklich nicht ne halbe
> Stunde lang das DB wälzen, aber oben spricht man von 100 oder 130mA,
> während im DB mehrere A Gatestrom angegeben sind?

Wo denn?

>Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein
>vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich

Wurde doch oben weit und breit erörtert ...
Gast #6913531
Lesenswert?

Jens G. schrieb:
> Wo denn?

Auf Seite 1 gleich ganz oben. 1,7A source, 2,3A sink.

Jens G. schrieb:
>>Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein
>>vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich
>
> Wurde doch oben weit und breit erörtert ...

Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa 
gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der 
gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt. Und das ganz egal, 
wie stark der Treiber ist, solange es derselbe bleibt.
Man kann die Temperatur sicher deutlich senken, aber nicht von der Hölle 
zum Himmel wechseln. Möglicherweise ist beides natürlich stark 
übertrieben, also die alten Mosfets wurden gar nicht soo heiß, die Neuen 
blieben gar nicht soo kalt.

H. H. schrieb:
> Dann solltest du das Datenblatt besser lesen.

Ich habe noch ein Leben außerhalb MC.net, und es ist ja auch nicht meine 
Baustelle. Statt dusslig gegenzufragen, hättest du auch einen Zweizeiler 
schreiben können, der die 130mA erklärt.
Gast #6913548
Lesenswert?

0815 schrieb:
> H. H. schrieb:
>> Dann solltest du das Datenblatt besser lesen.
>
> Ich habe noch ein Leben außerhalb MC.net, und es ist ja auch nicht meine
> Baustelle.

Damit bist Du eines der ganz seltenen Exemplare hier.

> Statt dusslig gegenzufragen, hättest du auch einen Zweizeiler
> schreiben können, der die 130mA erklärt.

Das ist seine Art. Da kann er nichts für.
Gast #6913556
Lesenswert?

0815 schrieb:
> Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa
> gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der
> gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt.

Doch das kann schon sein. Nämlich wenn die paarweise verbundenen MOSFET 
beide gleichzeitig überlappend leiten weil bei einem das Gate zu langsam 
entladen wird.

Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass 
sie nun nicht mehr überlappend leiten.
Angehängte Dateien:
Gast #6913582
Lesenswert?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> 0815 schrieb:
>> Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa
>> gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der
>> gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt.
>
> Doch das kann schon sein. Nämlich wenn die paarweise verbundenen MOSFET
> beide gleichzeitig überlappend leiten weil bei einem das Gate zu langsam
> entladen wird.
>
> Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass
> sie nun nicht mehr überlappend leiten.

Da kommt es beim DRV8308 auch auf die Programmierung an, ob synchrone 
oder asynchrone Gleichrichtung eingestellt ist.
Gast #6913597
Lesenswert?

Stefan ⛄ F. schrieb:
> Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass
> sie nun nicht mehr überlappend leiten.

Der Effekt ist marginal, da das Gate so zwar später entladen, aber dafür 
auch später geladen wird. Er ist überhaupt nur vorhanden, weil die Gates 
normalerweise auf deutlich mehr als die doppelte Tresholdspannung 
geladen werden.
Außerdem dürfte der IC doch auch in der fraglichen Version eine Totzeit 
ermöglichen.
Zwischen Abrauchen und schön kalt bleiben liegen sicher 2 Potenzen an 
Verlustleistung. Nie im Leben erreicht man diesen Unterschied allein 
durch den Tausch von Mosfets (halbwegs gleiche Stärke natürlich 
vorausgesetzt).

Die wichtigsten Fragen müssen nach wie vor in dieser Reihenfolge lauten:

-warum 50KHz bei einem Motor, der sonst allenfalls 4KHz braucht, 
wahrscheinlich sogar noch mit 1KHz zurecht käme? Solange das nicht 
geklärt ist, ist der ganze Rest doch nur vergebene Liebesmüh.
-warum bleiben moderne Mosfets kalt, während ein gar nicht so altes 
Modell gleich abraucht? Da stimmt doch was nicht. Der TO hat es ja quasi 
selbst geschildert, er schrieb doch von Problemen unter 25KHz. Dabei 
werden 99% aller EC-Leistungsmotoren bei niedrigeren Frequenzen 
betrieben. Er hat doch da sicher nicht den niederinduktivsten Motor der 
Welt in seinem Akkuschrauber...

Ihr dürft gern anderer Meinung sein, aber für mich stimmt bei der 
Steuerung was vorn und hinten nicht.

MosFett und Griebenschmalz schrieb:
> Das ist seine Art. Da kann er nichts für.

Kennst du ihn noch von früher? Da hat er immer nur kurz und 
wahrheitsgemäß die Frage des TO beantwortet, nichts weiter. Das war top, 
besser als die gesamte restliche Bagage zusammen! Leider hat der hier 
übliche Ton auch auf ihn abgefärbt. Womöglich, weil er jetzt auch 
angemeldet schreibt, und irgendwie hat man ja doch Interesse an seinem 
"Ruf", auch wenn das online eigentlich albern ist...
#6913686
Lesenswert?

0815 schrieb:
> Stefan ⛄ F. schrieb:
>> Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass
>> sie nun nicht mehr überlappend leiten.
>
> Der Effekt ist marginal, da das Gate so zwar später entladen, aber dafür
> auch später geladen wird. Er ist überhaupt nur vorhanden, weil die Gates

Die werden nicht nur später entladen (im Sinne von "plötzlich ist es 
aus/an"), sondern die Entladung ist ein "zeitintensiver" Prozess. Und je 
nach Ansteuerung kann sich die Ladung und Entladung der beiden Gates 
überlappen ...

> normalerweise auf deutlich mehr als die doppelte Tresholdspannung
> geladen werden.

Auf welchen Faktor*Threshholdspannung würdest Du gehen?

> Außerdem dürfte der IC doch auch in der fraglichen Version eine Totzeit
> ermöglichen.

Wer weiß? Und wenn doch - würde er etliche (10)µs erlauben?

> Zwischen Abrauchen und schön kalt bleiben liegen sicher 2 Potenzen an
> Verlustleistung. Nie im Leben erreicht man diesen Unterschied allein
> durch den Tausch von Mosfets (halbwegs gleiche Stärke natürlich
> vorausgesetzt).

"Schön kalt" und "Abrauchen" sind ziemlich subjektive Beschreibungen ...
Aber wenn man durch schlankere Mosfets es vermeidet, daß diese 
gleichzeitig leiten, wo es schöne Kurzschlußströme/Verlustleistungen 
gibt, dann kann es schon einen Unterschied wie schwarz und weiß geben.

> Die wichtigsten Fragen müssen nach wie vor in dieser Reihenfolge lauten:
>
> -warum 50KHz bei einem Motor, der sonst allenfalls 4KHz braucht,
> wahrscheinlich sogar noch mit 1KHz zurecht käme? Solange das nicht
> geklärt ist, ist der ganze Rest doch nur vergebene Liebesmüh.

Ich glaube, das DB hatte was von mindestens 25kHz erzählt - aber um das 
zu verifizieren, müsste ich wieder 3 Minuten meiner Zeit für's 
DB-Studium investieren ...

> -warum bleiben moderne Mosfets kalt, während ein gar nicht so altes
> Modell gleich abraucht? Da stimmt doch was nicht. Der TO hat es ja quasi

Hat nix mit modern und alt zu tun, sondern mit seinen Parametern ...

> selbst geschildert, er schrieb doch von Problemen unter 25KHz. Dabei
> werden 99% aller EC-Leistungsmotoren bei niedrigeren Frequenzen
> betrieben. Er hat doch da sicher nicht den niederinduktivsten Motor der
> Welt in seinem Akkuschrauber...

Sicher nicht - war doch nur ein Motor aus einem Akkuschrauber ...

> Ihr dürft gern anderer Meinung sein, aber für mich stimmt bei der
> Steuerung was vorn und hinten nicht.

Doch - alles schon oben geklärt ....

> MosFett und Griebenschmalz schrieb:
>> Das ist seine Art. Da kann er nichts für.
>
> Kennst du ihn noch von früher? Da hat er immer nur kurz und
> wahrheitsgemäß die Frage des TO beantwortet, nichts weiter. Das war top,

Ist auch heute noch so ...

> besser als die gesamte restliche Bagage zusammen! Leider hat der hier
> übliche Ton auch auf ihn abgefärbt. Womöglich, weil er jetzt auch

Was heißt abgefärbt - man lernt eben ...

> angemeldet schreibt, und irgendwie hat man ja doch Interesse an seinem
> "Ruf", auch wenn das online eigentlich albern ist...
(Firma: matzetronics) #6913911
Lesenswert?

0815 schrieb:
> Jens G. schrieb:
>> Wo denn?
>
> Auf Seite 1 gleich ganz oben. 1,7A source, 2,3A sink.

Tja, das wäre schön. Beim DRV8308 steht aber deutlich:
"Drives 6 N-Channel MOSFETs With Configurable 10- to 130-mA Gate Drive"

Ich halte von solchen Treiber ICs nicht viel, weil das weder Fisch noch 
Fleisch ist. Angeblich sollen sie ja den Aufbau einfacher machen, aber 
eigentlich sind sie nur teuer und unbrauchbar, wenn man richtige Motoren 
steuern will. Und oft sogar noch zickig...

Der TE wäre vermutlich mit P-Kanal & N-Kanal Halbbrücken besser gefahren 
oder eben richtigen Treibern wie IR2110, wenn man unbedingt nur N-Kanal 
benutzen möchte. Den Rest macht ein simpler MC, die es heute ja sogar 
mit spez. BLDC Anordnungen gibt. Kann aber auch jeder AVR oder PIC.
Gast #6913944
Lesenswert?

Matthias S. schrieb:
> Ich halte von solchen Treiber ICs nicht viel,

Verstehe ich.

> Angeblich sollen sie ja den Aufbau einfacher machen

Ja, soll(t)en täten die dat. Einfacher werden imho nur
Schaltplan und Stückliste. Die Anzahl nötiger ICs sinkt
damit. Das Layout wird jedoch "schlecht(er)" sein, als
mit drei IR2110 jew. nahe an der jew. Halbbrücke.

Matthias S. schrieb:
> teuer / (teils) zickig

Prinzessinnen (auf gleich mehreren Erbsen).

Antwort schreiben

Bitte melde dich an, um einen Beitrag zu schreiben.

oder

Mit Google-Account einloggen

Die Registrierung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.

Jetzt registrieren