Hallo, Ich hab einen BLDC mit 6 Mosfet am laufen. Mit 100% Duty läuft alles top. Wenn ich aber die Geschwindigkeit reduziere und mit 50% Duty fahre bzw. mit etwas unter 100%, erwärmen sich die Mosfet extrem bis sie in Rauch aufgehen. Was kann man dagegen tun? Ich habe bereits den Synchron Modus probiert aber auch das brennt immer ein Mosfet durch. Oft ist es einer der Highside. Hat jemand Tipps was man beachten muss?
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Peter schrieb: > Was kann man dagegen tun? Es machen wie die Anderen: schnell genug schalten. Nicht auf dem Plateu meines Namensvetters verharren...
Ist ja merkwürdig, bei mir funktioniert das :-P Aber mal Ernst beiseite, niemand hier kennt deine Schaltung und deine Software. Wie sollen wir dann wissen, warum ein MOSFet keine Spass hat? Schätze dich glücklich, das die anderen fünf das überleben.
das riecht doch sehr nach mosfets schalten zu langsam -> hohe verlustleistung -> erwärmung bis zum hitzetod
Ich habe 50kHz eingestellt. Dioden von UVW auf GND. Wenn ich auf 100 kHz gehe dann läuft der Motor sehr unruhig.
FLANKENsteilheit! Deine Schaltfrequenz ist uns erstmal egal. Zeig Deine Schaltung statt Prosa
Peter schrieb: > Ich habe 50kHz eingestellt. Und du hast einen potenten Treiber? Und ein gutes Layout? > Dioden von UVW auf GND. Echt kompakter Schaltplan, Hut ab!
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Peter schrieb: > Ich habe 50kHz eingestellt Du weist schon, dass 1/10 davon (oder noch weniger) üblich ist? Doppelte Schaltfrequenz = doppelt so viel Verluste (grob geschätzt).
Peter schrieb: > Ich habe 50kHz eingestellt. Wozu das denn, hat dein Motor nur je zwei Windungen, aber deine Versorgung 100V? Probiere mal 4 oder 8KHz...
Lothar M. schrieb: >> Dioden von UVW auf GND. > Echt kompakter Schaltplan, Hut ab! Wahrscheinlich 'Patent Pending' und deswegen erfahren wir nichts von der Schaltung. Andererseits - wenn da nur drei Dioden drin sind, kann ja gar kein MOSFet kaputt gehen?
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Anbei der Schaltplan. Wenn es an den Flanken liegen könnte, so könnte ich den Schaltstrom erhöhen und/oder die Dauer.
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Noch mal ein Versuch. Die drei Brücken sind gleich
Wie ich schon schrieb: > Und ein gutes Layout? Peter schrieb: > Ich habe 50kHz eingestellt. Wenn ich auf 100 kHz gehe Wie gesagt: viel zu hoch, mach da mal ne 0 weg... Und: hast du ein Oszi zum Messen der Signale und Schaltflanken?
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Denke schon dass das Layout passt, es scheint eher die Erwärmung am Mosfet zu sein. Mal ist direkt das Gehäuse durch mal der PIN vom Source abgebrannt.
Lothar M. schrieb: > Wie ich schon schrieb: > >> Und ein gutes Layout? > > Peter schrieb: > >> Ich habe 50kHz eingestellt. Wenn ich auf 100 kHz gehe > > Wie gesagt: viel zu hoch, mach da mal ne 0 weg... Weniger geht nur mit 25 kHz, da wird es nicht besser. Bei noch weniger pfeift der Motor und wird extrem heiß.
Peter schrieb: > Denke schon dass das Layout passt Ja, wenn das so ist, dann liegt das Problem woanders. > Mal ist direkt das Gehäuse durch mal der PIN vom Source abgebrannt. Was davon ist dir lieber? Aber eigentlich sollte weder das Eine noch das Andere passieren.
<DRV8303> Wieviel Gatestrom hast du eingestellt? Aber egal, selbst bei maximalem Gatestrom werden die dicken MOSFETs viel zu langsam für 50kHz Schaltfrequenz angesteuert.
Täusche ich mich oder hast du die Strommessung am DRV nicht angeschlossen? Ich habe jetzt nicht das ganze Datenblatt gelesen aber ich kann mir irgendwie nicht vorstellen, das das so gedacht ist.
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Peter schrieb: > Weniger geht nur mit 25 kHz, da wird es nicht besser. Bei noch weniger > pfeift der Motor und wird extrem heiß. Also falls du nicht tatsächlich einen Niederspannungsmotor an viel zu hoher Spannung betreibst, dann glaube ich an ein wiederholten Spannungseinbruch der Quelle und daher ständigen Neustart der Steuerung. Beides führt zu genau dem beschriebenen Verhalten.
Das Ganze läuft an 18 Volt, die Strommessung ist nicht angeschlossen. Also mehr Schaltstrom am Gate oder längere Dauer?
Peter schrieb: > Das Ganze läuft an 18 Volt Für welche Spannung ist denn der Motor gedacht, was für eine Nennleistung hat er? Wie sieht die Versorgung aus, schafft diese überhaupt die Ströme? Zuleitungslänge zur Steuerung?
irfs7430, ein Monster-Mosfet, und nur max. 130mA Gate-Strom, passen nicht wirklich zusammen. Da muß man sich nicht wundern, wenn die Flanken etliche µs brauchen. Da wird also (paar) 10% der Periodenzeit bei 50 oder gar 100kHz im analogen Bereich geheizt ...
Jens G. schrieb: > irfs7430, ein Monster-Mosfet, und nur max. 130mA Gate-Strom, passen > nicht wirklich zusammen. Kommt auf die Schaltfrequenz an. Beim scheinbar nötigen Gatestrom von Mosfets wird oft auch reichlich übertrieben. Die Frage ist doch, warum der TO mit 50 oder gar 100KHz einen offensichtlich sehr starken Motor ansteuern zu müssen scheint. Und warum dieser unter 25KHz schon heiß wird, einer immer noch ungeheuren Frequenz für den im Raum stehenden großen Motor. Wenn hierbei mit der Steuerung noch alles in Ordnung sein sollte, muss der Motor extrem niederinduktiv sein. Wenn die Flanken DER Auslöser sein sollten, so wäre das auch noch bei z.B. 75% Tastverhältnis der Fall. Erst ab genau 100% würde das aufhören, falls Blockkommutierung. Ich vermute eher, daß er eigentlich nur z.B. 2KHz bräuchte, aber dabei reicht sein Stützkondensator an der Endstufe nicht mehr. Oder die Quelle ist ne 3m entfernte alte Autobatterie. Oder der Motor ist eigentlich nur für 7,2V. Irgendsowas...
0815 schrieb: > Kommt auf die Schaltfrequenz an. Beim scheinbar nötigen Gatestrom von > Mosfets wird oft auch reichlich übertrieben. 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben.
Jens G. schrieb: > 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben. Natürlich nicht. Aber die wichtigste Frage bleibt, was hat es mit den 50KHz auf sich. Und mit einem schon unter 25KHz heiß werdenden Motor.
Jens G. schrieb: > 0815 schrieb: > >> Kommt auf die Schaltfrequenz an. Beim scheinbar nötigen Gatestrom von >> Mosfets wird oft auch reichlich übertrieben. > > 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben. Da es ja eine Zeit lang geht mit 100mA kann es ja nicht weit daneben liegen? Aber was wie testen?
0815 schrieb: > Jens G. schrieb: > >> 130mA bei 50kHz an 14nF halte ich noch lange nicht für übertrieben. > > Natürlich nicht. Aber die wichtigste Frage bleibt, was hat es mit den > 50KHz auf sich. Und mit einem schon unter 25KHz heiß werdenden Motor. Ganz einfach TI empfiehlt eine ohne Frequenz um den Treiber und die Bootstrap Schaltung nicht zu überlasten
Peter schrieb: > Da es ja eine Zeit lang geht mit 100mA kann es ja nicht weit daneben > liegen? Bei 50KHz schon. Was für einen Motor hast du denn nun?
Es ist ein Motor aus einem makita Akkuschrauber. Wenn der Strom oder die Frequenz falsch wären, sollte es nicht dann auch bei 100% thermisch defekt gehen? Ich dachte eher dass bei halber kraft zu viel gesperrt werden muss oder somit die Mosfet erwärmt?
Peter schrieb: > Wenn der Strom oder die > Frequenz falsch wären, sollte es nicht dann auch bei 100% thermisch > defekt gehen? Nein, weil die Mosfets dann nur noch mit z.B. 100Hz angesteuert werden müssen. Blockkommutierung vorausgesetzt, habe das DB des ICs jetzt nicht extra gelesen...
Also offensichtlich betreibst du einen 18V Akkuschraubermotor an einem 18V Akkuschrauber-Akku?! Dann bliebe nur noch die Frage, warum der Motor schon ab unter 25KHz heiß wird. Das sollte aufgrund der zu geringen Motorinduktivität erst bei z.B. 2KHz und weniger der Fall sein. Einer Frequenz, bei der dein IC zur Ansteuerung der dicken Mosfets reichen würde.
Da ich bei dem IC aber nicht unter 25 kHz einstellen kann, welche Mosfet wären dann besser? CSD von TI?
Bei Makita weiss ichs nicht, aber die Hitachi arbeiten mit Frequenzen im höheren Hörbereich, so ca. 4-6kHz, schätze ich mal. Damit entspannt sich auch das Timing erheblich. Beim IRFS7430 fällt sofort die sehr hohe Gatekapazität auf, die ist mit über 13nF nicht zu unterschätzen und braucht natürlich hohen Gatestrom zum Umladen. Also runter mit der Frequenz. Peter schrieb: > welche Mosfet > wären dann besser? Sowas wie der IRFB3205 oder 3207 sollte völlig reichen. Damit sind aus eigener Erfahrung (allerdings mit kräftigeren Treibern als dein 8308) 31 kHz drin.
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Matthias S. schrieb: > Beim IRFS7430 fällt sofort die sehr hohe Gatekapazität auf, die ist mit > über 13nF nicht zu unterschätzen und braucht natürlich hohen Gatestrom > zum Umladen. Und die 300nC von Freund Miller!
Peter schrieb: > Was kann man dagegen tun? Generatorische Spannung wird kurzgeschlossen. Das liegt am System der Ansteuerung der Mosfets.
Matthias S. schrieb: > Frequenzen im > höheren Hörbereich, so ca. 4-6kHz, schätze ich mal. und > IRFB3205 So sehe ich das auch.
Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum CSD18511. Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden soll, welcher die Erwärmung verursacht?
Peter schrieb: > Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum > CSD18511. Es gäbe sinnvollere. > Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem > Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden > soll, welcher die Erwärmung verursacht? Der, und die lange Zeit in der der Kanal weder vollständig offen, noch vollständig geschlossen ist. In der Zeit fließt noch viel Strom, aber er hat auch einen erheblichen Widerstand, P=I^2*R.
Allenfalls waere die Totzeit zwischen den Fets interessant. Der Poster soll mal ein paar Bilder mit einem Oszilloskop bringen. Und einen Strommess Shunt in die unteres Source einbauen.
Max M. schrieb: > FLANKENsteilheit! > Deine Schaltfrequenz ist uns erstmal egal. Sollte sie aber nicht. Die Umschaltverluste, und damit der Anteil der Verlustleistung, die hier zur Überhitzung führt, sind immerhin proportional zu Schaltfrequenz. Halbe Frequenz -> halbe Schaltverluste
H. H. schrieb: > Peter schrieb: > >> Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum >> CSD18511. > > Es gäbe sinnvollere. >> Kann mir jedoch jemand erklären warum die Schaltzeiten bei kleinerem >> Duty Probleme machen? Ist es der hohe Strom der dabei geschalten werden >> soll, welcher die Erwärmung verursacht? > > Der, und die lange Zeit in der der Kanal weder vollständig offen, noch > vollständig geschlossen ist. In der Zeit fließt noch viel Strom, aber er > hat auch einen erheblichen Widerstand, P=I^2*R. Welcher wäre sinnvoll?
Peter schrieb: > Welcher wäre sinnvoll? Einer mit möglichst geringem RDSon und möglichst geringer gate Kapazität. Bei der hohen Frequenz würde die Gate Kapazität vorrangig optimieren.
Da ist der CSD18511 ja schon recht gut und „besser“ als der jetzige mosfet. Da sollte ja zumindest eine Änderung zu sehen sein.
Wow! Ich sehe gerade dass der IRFS7430 satte 13975 pF Eingangskapazität hat. Ich bin da eher Werte um 1000 gewöhnt. Das dann in Kombination mit der hohen Schaltfrequenz - kein Wunder dass die heiß werden, so träge wie sie schalten. Ich denke nicht, dass diese Transistoren für PWM oberhalb von 1 kHz geeignet sind. Peter schrieb: > Da ist der CSD18511 ja schon recht gut Der hat 1/3 so viel pF, aber das ist immer noch sehr viel für die hohe Frequenz.
Peter schrieb: > H. H. schrieb: >> Peter schrieb: >> >>> Da ich die Frequenz nicht ändern kann würde ich den Mosfet ändern zum >>> CSD18511. >> >> Es gäbe sinnvollere. > Welcher wäre sinnvoll? Kein LL-MOSFET jedenfalls, du hast ja ausreichend Gatespannung. Ansonsten wären mehr Infos zur konkreten Anwendung nötig.
Es geht um 18 Volt und maximal 100A. Alles im D2PAK Gehäuse kann eingesetzt werden, egal ob 3 Pin oder 6 Pin.
Peter schrieb: > Es geht um 18 Volt und maximal 100A. Miss doch mal den Gleichstromwiderstand deines Motors, mit 4-Leiter Messung.
Stefan ⛄ F. schrieb: > wie sie schalten. Ich denke nicht, dass diese Transistoren für PWM > oberhalb von 1 kHz geeignet sind. Wieso das? Wenn Du 10A ins Gate reinpumpen kannst, geht noch viel mehr ... > Peter schrieb: >> Da ist der CSD18511 ja schon recht gut > > Der hat 1/3 so viel pF, aber das ist immer noch sehr viel für die hohe > Frequenz. ... und für den niedrigen möglichen Gatestrom ... Da müsste man sich evtl. Gedanken dazu machen, zusätzliche Mosfet-Treiber dazwischen zu schalten, die das ändern.
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Stefan ⛄ F. schrieb: > Wow! Ich sehe gerade dass der IRFS7430 satte 13975 pF Eingangskapazität > hat. Soweit waren wir gestern aber auch schon. @TE: Ja, ich weiss das TI an den Eingängen für die Hallsensoren 10nF bis 100nF Kondensatoren vorschlägt, das bezieht sich aber auf echte Brückensensoren mit 4 Anschlüssen (Querstrom und diff. Ausgänge). Wenn deine Sensoren 3 Beiner sind, belastest du mit 100nF den Ausgang des Sensors so, das er mögl. viel zu spät die Schwelle des Komparators im DRV8308 überschreitet. Ich schlage vor, das du neben dem Wechsel der MOSFets auch mal diese C deutlich verkleinerst, also z.B. 10nF - 22nF. Peter schrieb: > Welcher wäre sinnvoll? Rede ich chinesisch? Oben schlug ich doch IRFB3205 vor. Den gibt es auch in D2PAK, wimre heisst er dann IRFS3205. Genauso geht eben der IRFB(S)3207.
Jens G. schrieb: > Wenn Du 10A ins Gate reinpumpen kannst, geht noch viel mehr Ja, aber das kann er eben nicht mit seinem Treiber.
Matthias S. schrieb: > Rede ich chinesisch? Oben schlug ich doch IRFB3205 vor. Den gibt es auch > in D2PAK, wimre heisst er dann IRFS3205. Genauso geht eben der > IRFB(S)3207. Wenn der Motor wirklich 100A ziehen sollte, wie der TZO angibt, wird dieser Transistor in dieser Anwendung nichts taugen.
Jens G. schrieb: > Wenn der Motor wirklich 100A ziehen sollte, wie der TZO angibt, Das ist eben nicht plausibel.
-Layout? -Wie weit ist der Zwischenkreiselko von den FETs entfernt? -Wie weit bricht die Spannung an High Side ein? Wenn die Spannung um mehr als 5..10% von Unenn im Schalt- oder ON Moment eingbricht, ist das Layout Pfusch und Du solltest aufhören Deine Zeit zu verschwenden. -Bau eine Diode von VM zum IC ein, das Schalten darf KEINE Rückwirkung auf den IC haben (Achtung Masse!). -Welchen Querschnitt haben die Leitungen zum Akku -Wie schaut der Masseversatz zwischen Akku, Sternpunkt Leistungshalbleiter und GND Anschluss vom IC aus (von jedem zu jedem Punkt) --> Achtung: dynamische Messung mit Oszi erforderlich! -Lies mal die Artikel hier im Forum zum Thema Leistungselektronik durch... Treiber, FET, Zwischenkreiskondensator, ...
Peter schrieb: > Der IRFS3207 ist mit seinen Werten doch schlechter wie der CSD18511? Mit welchen Werten?
Jens G. schrieb: > Peter schrieb: > >> Der IRFS3207 ist mit seinen Werten doch schlechter wie der CSD18511? > > Mit welchen Werten? Ich schaue jetzt auf Qgd und die Eingangskapazität.
Peter schrieb: > Ich schaue jetzt auf Qgd und die Eingangskapazität. Warum nur Qgd. Weil dort der Unterschied am größten ist? Das relativiert sich aber, und Qg ist daselbe, wenn man die Meßbedingungen mit reinnimmt (Uds 20V vs 60V). Eigentlich sogar besser, denn der IRF darf mehr als die Hälfte an Strom sehen, womit auch dessen höhere Gatekapazität geklärt wäre ... Das einzige, was bei dem CSD günstiger ist, ist, daß es ein LogikLevel-Typ ist, der mit <5V schon annehmlichen Rds_on produziert, und dabei nur halbe Gatecharge hat. Man muß also nicht mit 10V ansteuern, womit dessen Vorteil wieder für die Katz' wäre, was, wenn ich das DB recht verstehe, beim DRF8308 aber der Fall wäre, weil er immer 10V Gatespannung raushaut.
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Ja ok, aber wenn es um Schaltverluste geht und die Erkenntnis ob es nun daran liegt, dann würde der CSD besser Auskunft geben, da die Stromfestigkeit reicht. Oder liege ich da völlig falsch? QGD ist nur 1/3 zum IRFS3207 und die Kapazität fast 1/2.
Schau dir die Breite des Miller-Plateaus an, bei deinen 18V Uds.
Jens G. schrieb: > Warum nur Qgd. Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die Breite mit.
H. H. schrieb: > Jens G. schrieb: > >> Warum nur Qgd. > > Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man > dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die > Breite mit. Und was möchtest du mir damit sagen?
> [Makita Akkuschrauber, 18V, 100A]
Hmm... irgendwie kann ich mir nicht vorstellen, dass der Motor und der
Akkupack eines Akkuschraubers für 1.8kW ausgelegt sind ...
foobar schrieb: > Hmm... irgendwie kann ich mir nicht vorstellen, dass der Motor und der > Akkupack eines Akkuschraubers für 1.8kW ausgelegt sind ... Och ;) Dafür braucht’s vermutlich die 100khz ;) Oliver
Peter schrieb: > H. H. schrieb: > >> Jens G. schrieb: >>> Warum nur Qgd. >> >> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man >> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die >> Breite mit. > > Und was möchtest du mir damit sagen? Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest.
Warum wird eigentlich im Netz beim Thema BLDC immer eine Frequenz von 20kHz oder höher empfohlen, wenn das so großer Quatsch ist?
H. H. schrieb: > Peter schrieb: > >> H. H. schrieb: >>> Jens G. schrieb: >>>> Warum nur Qgd. >>> >>> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man >>> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die >>> Breite mit. >> >> Und was möchtest du mir damit sagen? > > Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest. Welches?
Peter schrieb: > H. H. schrieb: > >> Peter schrieb: >>> H. H. schrieb: >>>> Jens G. schrieb: >>>>> Warum nur Qgd. >>>> >>>> Weil die die Breite des Miller-Plateau bestimmt. Allerdings sollte man >>>> dabei auch die Drainspannung berücksichtigen, die bestimmt ebenfalls die >>>> Breite mit. >>> >>> Und was möchtest du mir damit sagen? >> >> Dass du dir das entsprechende Diagramm im Datenblatt ansehen solltest. > > Welches? Ab vs Vgs Aber nicht in jedem Datenblatt ist darin auch noch die Abhängigkeit von der Drainspannung.
Peter schrieb: > Ja ok, aber wenn es um Schaltverluste geht und die Erkenntnis ob es nun > daran liegt, dann würde der CSD besser Auskunft geben ... Gibt dir eine Simulation mit LTSpice nicht die gewünschte Auskunft, bevor du jetzt irgendetwas aufbaust und dich dann wieder wunderst? Peter schrieb: > Noch mal ein Versuch. Die drei Brücken sind gleich Einen Versuch hast du noch. Was meinst du wohl, warum es in der Kurzanleitung zum Verfassen von Beiträgen heißt: "Zeichnungen und Screenshots im PNG- oder GIF-Format hochladen."? JPEG taugt für Linienzeichnungen nichts, weil der Algorithmus dafür nicht gemacht ist.
Frage an den TO wäre, ob er die unbenutzten Pins des IC in der Luft hat hängen lassen? Es kann aber auch der Schaltplan noch in der Toleranz sein, aber das Layout der Platine gibt der Schaltung gar den Rest. Steht in Datenblatt von dem IC bis zu wie viel xxx nC (Gate Umladung unter Last) er in der Lage wäre MOSFETs zu treiben?
Dieter schrieb: > Frage an den TO wäre, ob er die unbenutzten Pins des IC in der > Luft hat hängen lassen? > Es kann aber auch der Schaltplan noch in der Toleranz sein, aber das > Layout der Platine gibt der Schaltung gar den Rest. > Steht in Datenblatt von dem IC bis zu wie viel xxx nC (Gate Umladung > unter Last) er in der Lage wäre MOSFETs zu treiben? Das steht nicht im DaBla. Aber er packt ja den großen Mosfet zu treiben aber er wird einfach zu warm bei hohen Strömen und wenig Duty. Lass ich ihn voll laufen passiert nix schlimmes.
0815 schrieb: > Ich vermute eher, daß er eigentlich nur z.B. 2KHz bräuchte, aber dabei Ist bei unseren Stwplern auch die Schaltfrequenz. Der Fehler muss anderswo liegen. Vielleicht zu schwache Quelle für einen zu großen Motor? Oder einfach nur der Motor kaputt?
Peter schrieb: > Warum wird eigentlich im Netz beim Thema BLDC immer eine Frequenz von > 20kHz oder höher empfohlen, wenn das so großer Quatsch ist? Verkauft sich halt besser an Leute, die keine Ahnung vom Fach haben. Warum wollen Leute Staubsauger und Lautsprecher mit möglichst viel Watt? Erstaunlicherweise will aber niemand ein Auto kaufen, das möglichst viel Benzin verbraucht.
Peter schrieb: > Da ich die Frequenz nicht ändern kann Wieso kannst du das nicht? Hast du einen Werbevertrag mit dem Hersteller vom Chip? Ich habe auch schon einige Akkuschrauber-Motoren für einigen Unsinn missbraucht. Je nach Hersteller des Motors ist das genau so, wie andere es hier schon zigmal geschrieben haben: Frequenzen von 3-7kHz (wie gesagt, je nach Motor) mögen die Motoren. Was du hier fragst, ist, wie du ne Mistforke mit ner Kartoffel in den Mund kriegst, weil du partout keine Gabel nehmen willst.
Nö natürlich kann ich alles ändern. Aber lieber erstmal eins um die Änderung zu sehen. Danach kann ich ja weiter optimieren.
Peter schrieb: > lieber erstmal eins Ich verstehe Dich ja. Arbeit reingesteckt etc. Aber einen grundfalschen Ansatz darf (oder muß) man auch mal komplett in die Tonne klopfen (/können), dabei lernt man auch gleich, bei vielen Unbekannten erst besser zu recherchieren. Ein einfacherer Ansatz wäre natürlich die Zwischenschaltung kräftiger Treiber (gut entkoppelte/abgeblockte Versorgung). Wenn Dir das schon zu viel Arbeit ist, und auch die Analyse (siehe Pandur), dann weiß ich aber auch nicht weiter.
Peter schrieb: > Nö natürlich kann ich alles ändern. Aber lieber erstmal eins um die > Änderung zu sehen. Danach kann ich ja weiter optimieren. Vielleicht solltest Du erst mal an Schaltung von Seite 12 des Datenblattes halten ohne etwas wegzuoptimieren. Und Layout mit etwas Kabel und Motorspülchen können ganz nette Schwingungsspielchen machen.
Meinst du mit Seite 12, Seite 13? So habe ich es vorliegen
H. H. schrieb: > Ab vs Vgs Oh weh! Da hat die Autokorrektur ja übel zugeschlagen. Qg vs Vgs, natürlich.
Der Test mit dem CSD18511 war gut. Das Ganze wird gar nicht mehr warm. Was haltet ihr von dem MOSFET: IPB020N04N G
Diese sind fuer benoetigte Parameter hier aehnlich. Beide weisen in der SOA Kennlinie einen Linie fuer DC aus, d.h. eignen sich fuer Linearbetrieb.
Peter schrieb: > Also kann ich diesen ohne Bedenken verwenden? Du kannst sie verwenden, nachdem du das Datenblatt zumindest an den relevanten Stellen verstanden hast. Wenn du hier in deinen letzten Beiträgen noch schreibst, dass dein IC die ursprünglichen MOSFETs durchschalten konnte, hast du scheinbar die ganze Hilfestellung der vergangenen 100 Posts nicht verstanden. Nebenbei: mehrfach wurdest du hier nach Screenshots von Signalen auf einem Oszi gefragt und da ist nichts gekommen. Wenn du Hilfe bei solchen Problemen bekommen möchtest, solltest du das nächste Mal etwas freizügiger mit Informationen sein.
Peter schrieb: > Der Test mit dem CSD18511 war gut. Das Ganze wird gar nicht mehr warm. > Was haltet ihr von dem MOSFET: IPB020N04N G Betrachten wir uns die relevanten Parameter; alle MOSFET haben 40V: IRFS7430: Rdson=0,97mOhm, Qg=300nC, Ciss=14.240pF, td(off)=160ns IPB020N04N: Rdson=2mOhm, Qg=90nC, Ciss=7.300pF, td(off)=40ns CSD18511: Rdson=2,1mOhm, Qg=64nC, Ciss=4.570pF, td(off)=17ns STL140N4F7AG: Rdson=2.1mOhm, Qg=29nC, Ciss=2.300pF, td(off)=19ns Der IRFS ist 4. Wahl, der IPB ist nur 3. Wahl. Der CSD ist schon mal eine gute Wahl. Der STL ist nochmal Faktor 2 besser, was Qg und Ciss betrifft.
Bernd K. schrieb: > Peter schrieb: > >> Der Test mit dem CSD18511 war gut. Das Ganze wird gar nicht mehr warm. >> Was haltet ihr von dem MOSFET: IPB020N04N G > > Betrachten wir uns die relevanten Parameter; alle MOSFET haben 40V: > IRFS7430: Rdson=0,97mOhm, Qg=300nC, Ciss=14.240pF, td(off)=160ns > IPB020N04N: Rdson=2mOhm, Qg=90nC, Ciss=7.300pF, td(off)=40ns > CSD18511: Rdson=2,1mOhm, Qg=64nC, Ciss=4.570pF, td(off)=17ns > STL140N4F7AG: Rdson=2.1mOhm, Qg=29nC, Ciss=2.300pF, td(off)=19ns > Der IRFS ist 4. Wahl, der IPB ist nur 3. Wahl. > Der CSD ist schon mal eine gute Wahl. > Der STL ist nochmal Faktor 2 besser, was Qg und Ciss betrifft. Vielen Dank dafür! Warum sprichst du aber nur von Qg und TI bezieht bei seiner Berechnung nur Qgd ein?
Qgd ist ein Teil von Qg und kennzeichnet die Breite vom Miller-Plateau: https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/semiconductor/knowledge/faq/mosfet/electrical-characteristics-of-mosfetscharge-characteristic-qg-qg.html Qg ist die gesamte Gateladung, die ein Treiber aufbringen muss, um Vgs auf den gewünschten Wert, etwa 10V zu bringen.
Bernd K. schrieb: > Qgd ist ein Teil von Qg und kennzeichnet die Breite vom Miller-Plateau: Ja, aber auf dem Plateau verheizt der das meiste. Was davor und danach ist, ist dann eher zweitrangig, wenn es um die gesamte Heizenergie geht. Aber das SOA-Diagramm des STL140N4F7AG sieht ja richtig pfui aus. Den muß man ja wirklich ganz schnell über die Plateau-Phase bringen, sonst ist der schon vom Angucken kaputt. Andererseits sind seine Eigenschaften schon sehr günstig, um das auf die Reihe zu bringen ...
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Ok, dann sollte das ja mit den neuen Fets gehen. Die Test sind vielversprechend. Um aber nicht auszulernen, was ist das SOA Diagramm und was meinst du da bezüglich dem schnellen überbrücken des Plateaus?
Peter schrieb: > Um aber nicht auszulernen, was ist das SOA Diagramm und was meinst du da > bezüglich dem schnellen überbrücken des Plateaus? Das ist das Safe-Operating-Area-Diagramm in praktisch jedem Mosfet-Datenblatt, welches Auskunft darüber gibt, wieviel Strom und Spannung gleichzeitig der Mosfet für welche Zeitdauer aushält, ohne zu verpuffen (bei initialen theoretisch 25°C Tj). Beschreibt also seine Grenzen im analogen Bereich (und die Schaltflanken bei einem geschalteten Mosfet bewegen sich ja im analogen Bereich, wenn auch für möglichst kurze Zeit)
Nur im Schaltmoment oder generell? Laut dem Diagramm würde ja sonst keiner 40V und 120A können? Und woher die Info mit dem Miller Plateau?
Es gibt von einigen Herstellern "Power MOSFET Basics", die solltest du lesen.
Das "Miller-Plateau" ist die Stelle im Datenblatt-Graph Q_G versus V_GS, auch oft "Gate Charge Waveform" genannt wie hier: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-IPB180N04S4_01-DS-v01_00-en.pdf?fileId=db3a304328c6bd5c01291c432c5d5d67 auf Seite 7. Dort zu sehen ein Plateau (eine Flachstelle) im zuvor und danach steigenden Verlauf. In dieser Zeit muß Q_GD geladen werden. Weil der Fet erst kurz zuvor (@V_GS(th)) zu leiten beginnt, und kurz danach (nach Ende des Plateaus geht's auch schnell) voll eingeschaltet zu sein beginnt, wurde das hier gesagt: Jens G. schrieb: > Ja, aber auf dem Plateau verheizt der das meiste. Was davor und danach > ist, ist dann eher zweitrangig, wenn es um die gesamte Heizenergie geht. (Und auch schon Hinz betonte oben die Wichtigkeit von Q_GD.) Peter meinte im Beitrag #6910264: > überbrücken des Miller-Plateaus Davon sprach hier doch niemand. Das brächte vielleicht einen Nobelpreis: Es zu schaffen, bei Mosfets das Miller-Plateau zu überbrücken ... (aka "außen vor lassen zu können" oder auch "unwirksam machen zu können" etc.) Jens G. schrieb: > schnell über die Plateau-Phase bringen ...heißt, diese schnellstmöglich_zu_ÜBERWINDEN (erfordert hohen Gatetreiber-Spitzenstrom). Von so etwas ist dieses IC weit entfernt. Wenn es nicht unter 25kHz "kann", kannst Du nicht solche Mosfet-Trümmer nehmen - bzw. wenn Du das versuchen willst, müßtest Du zum Ausgleich einen Treiber (bzw. drei High- an Lowside- Treiber oder so) dazwischenschalten ... Weil das auch schon nicht wenig Aufwand wäre (die Zeiten, wo man "Elko + Folko + NPN/PNP Push-Pull-Transistorstufe an eine vorhandene Schaltung recht einfach dazulötet" sind bei SMD ja eher vorbei), daher sagte ich "alles neu macht der Mai"... ;) Mit dem zuletzt empfohlenen STL könnte es vielleicht gehen - wenn, ja wenn die Strombelastbarkeit denn ausreicht. Wie gesagt gehe ich völlig mit Matthias mit, daß Du so einen Schraubermotor normalerweise mit einstelligen kHz und durchaus etwas ein wenig kleinerem als Deinem Monster-7430 betreiben kannst oder gar solltest. Kevin K. schrieb: > freizügiger mit Informationen sein Ja, das meiste weiß man immer noch nicht. Deswegen verzichte ich auch darauf, zu sagen, daß wenn er das im letzten Absatz macht, es hundertprozentig geht... denn ohne auch nur Großteile seines Projekts (geschweige denn das gesamte) zu kennen, sind sichere Tipps unmöglich. Aufmerksam lesen und Tipps befolgen funktioniert nicht ganz. Da ist alles eher Glückssache, also wünsche ich selbiges...;)
Peter schrieb: > Nur im Schaltmoment oder generell? Laut dem Diagramm würde ja sonst Interessant ist es vorrangig für den Umschaltmoment. Aber für generell, bzw für den statischen Betrieb (sofern es dafür noch eine Kurve gibt) gilt das genauso, bzw. man kann in den Grenzbereichen die Grenzwerte sehen, die auch in den max. Ratings drin stehen. > keiner 40V und 120A können? Ja, gleichzeitig sowieso nicht ... > Und woher die Info mit dem Miller Plateau? Aus Gatestrom und Gate-Drain-Charge kannst Du die Zeit ausrechnen, um die Charge reinzupumpen, bzw. in der der Mosfet sich auf dem Miller-Plateau befindet. Damit kannste dann ins SOA gehen, um zu sehen, ob die Zeit für Uds und Id kurz genug ist. Dafür muß man natürlich wissen, wie dabei das Laststromverhalten der Last ist, welches sicherlich (wie auch Uds) während dieser Zeit nicht konstant ist (wovon das SOA aber eigentlich ausgeht). Da muß man halt ein bißchen praxisgerecht abschgätzen und interpolieren können ... ;-)
Peter schrieb: > Nur im Schaltmoment oder generell? Laut dem Diagramm würde ja sonst > keiner 40V und 120A können? Und woher die Info mit dem Miller Plateau? Schockschwerenot.
Ich meine das nicht böse, aber: Wie konntest Du annehmen, ohne die Eigenschaften von Mosfets zu kennen eine dreiphasige nicht all zu stromschwache Endstufe zusammenschustern zu können - und das erfolgreich? Das nenne ich mal -äh- unvorsichtig. Peter schrieb: > Nö natürlich kann ich alles ändern. Aber lieber erstmal eins um die > Änderung zu sehen. Danach kann ich ja weiter optimieren. Und das -äh- beharrlich. In dieser Kombination eine wahrhaftig schreckliche Paarung. (Man könnte auch zwei ganz andere Begriffe wählen - ich hoffe mal, Du verstehst mich jetzt, OHNE daß ich das tue. Lern draus.)
Dass ich keine Eigenschaften kenne, behauptest nur du. Aber ja ich lerne gerade viel dazu und versuche die Diagramme zu verstehen sowie zu vergleichen, warum eines besser ist als anderes. Und ja, es ist schwer allem zu folgen, wenn aus Erfahrung etwas gesagt wird, was ich einfach im Moment nicht nachvollziehen kann. Aber klar, es gibt viele, die wissen immer alles.
Und wenn jetzt einer gesagt hätte, dass ich im SOA sehe für welche Zeit bei welcher Spannung, welcher Strom anliegen darf, dann wäre ich da schlauer.
Peter schrieb: > Laut dem Diagramm würde ja sonst > keiner 40V und 120A können? So ist es. Keiner kann 40V bei 120A aushalten.
Trotzdem wäre es cool wenn einer anhand eines Mosfet das SOA und das Miller Plateau erklärt mit Zahlen. Einfach um das nachzuvollziehen.
Peter schrieb: > Aber klar, es gibt viele, die wissen immer alles. Sorry, das ist Unsinn - hier war NIEMAND überheblich oder was. > Dass ich keine Eigenschaften kenne, behauptest nur du. Daß Du die_grundlegenden_Eigenschaften_von_Mosfets nicht kennst, hast Du ganz von selbst mehrfach gezeigt. Das ist nun mal Fakt - und keinerlei persönlicher_Angriff (und übrigens erst recht kein unbegründeter solcher, das solltest Du schon zu realisieren in der Lage sein). Diverse Grundlagen sind aber notwendig, ob Du willst, oder nicht. > Aber ja ich lerne > gerade viel dazu und versuche die Diagramme zu verstehen sowie zu > vergleichen, warum eines besser ist als anderes. Und ja, es ist schwer > allem zu folgen, wenn aus Erfahrung etwas gesagt wird, was ich einfach > im Moment nicht nachvollziehen kann. No Problem, aber dann folge den Tipps, die Du schon verstehst, und frage nach, wenn Du mal was nicht verstehst. Instantan. Und dazwischen liegt natürlich noch ein anderer Schritt, der eigentlich selbstverständlich ist - oder sein sollte: Peter schrieb: > Trotzdem wäre es cool ... um das nachzuvollziehen. Dafür, zur Abklärung unbekannter Grundbegriffe, dienen nämlich für gewöhnlich (bzw. zum Großteil) sog. Suchmaschinen ... Man muß nicht jedes unbekannte Wörtchen bei Ratgebern in Foren erfragen. Sondern die erste Grundlage ist eigene_Recherche. Und die "richtige Reihenfolge" bei allem, also anders gesagt "zu jeder Zeit möglichst strukturierte Vorgehensweise". Nicht jeder hat 'ne "(Leistungs)Elektronische Grundausbildung" genossen, nachdem er einen auch dazu passenden Ausbildungsweg gewählt hatte - ich auch nicht. Aber dann muß man sich halt erst mal "reinknien" / "pauken", wenn man schon was in dieser Richtung machen will. Ohne ein Minimum an Grundwissen ist das alles reine Quälerei. Schreckt Dich der Gedanke daran, erst mal zu lernen? Angebl. nicht, Du sagtest "ich lerne (noch)". Na, dann tu's einfach, statt zu jammern, wenn Dir jemand sagt, Du sollest es tun. ;)
Stefan ⛄ F. schrieb: > Peter schrieb: >> Laut dem Diagramm würde ja sonst >> keiner 40V und 120A können? > > So ist es. Keiner kann 40V bei 120A aushalten. Sind ja nur knappe 5 kW. Welche Akkus werden nochmal in dem Akkuschrauber verwendet?
Du sagst Du lernst schnell, dann mach Dich bitte mit den Artikeln im Bereich Leistungselektronik vertraut, wie in meiner Mail vom 12.12.2021 13:12 oben angeregt. Dann stell Fragen Dann reden wir weiter. Das läuft hier alles in die falsche Richtung, da Dir zu viel zu viele Kenntnisse fehlen
Na ihr seid ja fiffige nette Kerlchen. Ihr macht mir ein nach dem anderen mal klar wie dumm ich bin. Haut mit begriffen um euch die kaum einer weiter erklärt. Reist Beiträge, Sätze, Wörter aus dem Zusammenhang. Aber auf den Wunsch anhand eines klaren Beispiels mal beide Diagramme zu betrachten, damit ich verstehe was gemeint ist, bekommt aber auch keiner übers Herz? Komisch, also Nett. Danke an alle die geholfen haben mit nützlichen Hinweisen.
> Laut dem Diagramm würde ja sonst keiner 40V und 120A können? Die Vds im SOA-Diagramm ist die Drain-Source-Spannung im durchgeschalteten Zustand. Der linke Teil des Diagramms (die "Diagonale") ist das Limit, dass durch den Ohmsche Widerstand gegeben ist, die obere Waagerechte durch den Maximalstrom (Bonddrähte etc), der Rest ist thermisch bedingt. > Und woher die Info mit dem Miller Plateau? In dem Datenblatt des IPB180 ist das in Diagramm 15 und 16 gezeigt, die Werte in der Parameter-Sektion auf Seite 3. An sich ist das Gate eines MOSFETs ein Kondensator gegen Source - man pumpt Strom rein und die Spannung Vgs steigt. Aber, in dem Augenblick, wo der MOSFET langsam anfängt durchzuschalten, steigt die Spannung eine Weile nicht mehr obwohl man weiter Strom reinpumpt[1]. Das ist das Plateau. Zu dem Zeitpunkt leitet der MOSFET zwar schon, hat aber noch einen hohen Widerstand und erzeugt entspr Wärme. Erst wenn genügend Ladung eingebracht wurde, steigt die GS-Spannung wieder und lässt den MOSFET niederohmig werden. [1] ähnlich wie beim Erhitzen von Wasser bei 100°C bis zum Verdampfen.
Vielen Dank. Das ist mal verständlich. Heißt das, je größer das Plateau umso länger muss ich bei einem gewissen Strom „warten“ was zu Erhitzung führt wodurch ich im SOA immer weiter an die Grenze rutsche und irgendwann verlasse?
Peter schrieb: > Vielen Dank. Das ist mal verständlich. Heißt das, je größer das Plateau > umso länger muss ich bei einem gewissen Strom „warten“ was zu Erhitzung > führt wodurch ich im SOA immer weiter an die Grenze rutsche und > irgendwann verlasse? Ja, wobei Du nicht unbedingt solange warten mußt, wenn Du das Gate mit ordentlich "Ladestrom" befeuerst. Das ist ja der Sinn der Gate- bzw. Mosfet-Treiber, die je nach Typ etliche A liefern können, damit das ganze so schnell wie möglich vonstatten geht, bzw. die Plateau-Zeit so kurz wie möglich (womit Du im SOA wieder deutlich weiter weg kommst von der Grenze).
Sorry, ich habe nicht alles gelesen. Da ich viel Erfahrung auf dem Gebiet habe kann ich sagen, dass die Erwärmung dadurch entsteht, dass z.B. der upside-MOSFET eingeschaltet wird bevor der lowside-MOSFET aus ist und umgekehrt. Das ist dann (fast) ein Kurzschluss. Das Problem entsteht, wenn die Pausenzeit beim Umschalten zu klein ist. Entweder ist die Gatekapazität der MOSFETs zu groß, oder der MOSFET-Treiber zu schwach. Abhilfe wäre: Pausenzeiten am Treiber einstellen, wenn einstellbar? MOSFETs mit kleinerer Gatekapazität anderer MOSFET-Treiber vollständige Softwaresteuerung der Treiberausgänge mit Einplanung der Pausenzeiten.
Bernd schrieb: > Sorry, ich habe nicht alles gelesen. Das wäre aber nützlich, da wir hier schon längst zu deinen Schlüssen gekommen sind. Das Ausgangsproblem ist ein schwacher Gatetreiber-Dschungel namens DRV8308, der eigentlich einem Arbeit abnehmen soll, aber zusätzliche Arbeit verursacht und MOSFets mit fantastisch hoher Gatekapazität. Zusätzlich wurde eine viel zu hohe PWM Frequenz gewählt.
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Bearbeitet durch User
Matthias S. schrieb: > Zusätzlich wurde eine viel zu hohe PWM Frequenz gewählt. DAS ist das eigentliche Problem. Aber deutlich weniger geht ja irgendwie nicht, weil dann offensichtlich was aus dem Ruder läuft. Klingt für mich nach einem Problem beim Layout, oder bei der Versorgung. Und wenn es ein zu kleiner Stützkondensator ist, der bei längeren Pulsen in die Knie geht... Matthias S. schrieb: > schwacher > Gatetreiber-Dschungel namens DRV8308 Was ist dort eigentlich das Problem? Wollte nun wirklich nicht ne halbe Stunde lang das DB wälzen, aber oben spricht man von 100 oder 130mA, während im DB mehrere A Gatestrom angegeben sind? Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich wieder ein Hinweis auf ein sporadisch einsetzendes Problem, das hier womöglich noch gar nicht erkannt wurde.
0815 schrieb: > Wollte nun wirklich nicht ne halbe > Stunde lang das DB wälzen, aber oben spricht man von 100 oder 130mA, > während im DB mehrere A Gatestrom angegeben sind? Dann solltest du das Datenblatt besser lesen.
0815 schrieb: > Wollte nun wirklich nicht ne halbe > Stunde lang das DB wälzen, aber oben spricht man von 100 oder 130mA, > während im DB mehrere A Gatestrom angegeben sind? Wo denn? >Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein >vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich Wurde doch oben weit und breit erörtert ...
Jens G. schrieb: > Wo denn? Auf Seite 1 gleich ganz oben. 1,7A source, 2,3A sink. Jens G. schrieb: >>Fraglich ist auch, warum Mosfet X gleich durchbrennt, während ein >>vielleicht 2-3x besserer Mosfet wohl gar nicht warm wird. Für mich > > Wurde doch oben weit und breit erörtert ... Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt. Und das ganz egal, wie stark der Treiber ist, solange es derselbe bleibt. Man kann die Temperatur sicher deutlich senken, aber nicht von der Hölle zum Himmel wechseln. Möglicherweise ist beides natürlich stark übertrieben, also die alten Mosfets wurden gar nicht soo heiß, die Neuen blieben gar nicht soo kalt. H. H. schrieb: > Dann solltest du das Datenblatt besser lesen. Ich habe noch ein Leben außerhalb MC.net, und es ist ja auch nicht meine Baustelle. Statt dusslig gegenzufragen, hättest du auch einen Zweizeiler schreiben können, der die 130mA erklärt.
0815 schrieb: > H. H. schrieb: >> Dann solltest du das Datenblatt besser lesen. > > Ich habe noch ein Leben außerhalb MC.net, und es ist ja auch nicht meine > Baustelle. Damit bist Du eines der ganz seltenen Exemplare hier. > Statt dusslig gegenzufragen, hättest du auch einen Zweizeiler > schreiben können, der die 130mA erklärt. Das ist seine Art. Da kann er nichts für.
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0815 schrieb: > Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa > gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der > gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt. Doch das kann schon sein. Nämlich wenn die paarweise verbundenen MOSFET beide gleichzeitig überlappend leiten weil bei einem das Gate zu langsam entladen wird. Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass sie nun nicht mehr überlappend leiten.
Stefan ⛄ F. schrieb: > 0815 schrieb: >> Wohl kaum, denn der gesunde Menschenverstand verbietet, daß ein (in etwa >> gleich niederohmiger) Mosfet mit z.B. 15nF abraucht, während in der >> gleichen Anwendung einer mit z.B. 5nF kalt bleibt. > > Doch das kann schon sein. Nämlich wenn die paarweise verbundenen MOSFET > beide gleichzeitig überlappend leiten weil bei einem das Gate zu langsam > entladen wird. > > Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass > sie nun nicht mehr überlappend leiten. Da kommt es beim DRV8308 auch auf die Programmierung an, ob synchrone oder asynchrone Gleichrichtung eingestellt ist.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass > sie nun nicht mehr überlappend leiten. Der Effekt ist marginal, da das Gate so zwar später entladen, aber dafür auch später geladen wird. Er ist überhaupt nur vorhanden, weil die Gates normalerweise auf deutlich mehr als die doppelte Tresholdspannung geladen werden. Außerdem dürfte der IC doch auch in der fraglichen Version eine Totzeit ermöglichen. Zwischen Abrauchen und schön kalt bleiben liegen sicher 2 Potenzen an Verlustleistung. Nie im Leben erreicht man diesen Unterschied allein durch den Tausch von Mosfets (halbwegs gleiche Stärke natürlich vorausgesetzt). Die wichtigsten Fragen müssen nach wie vor in dieser Reihenfolge lauten: -warum 50KHz bei einem Motor, der sonst allenfalls 4KHz braucht, wahrscheinlich sogar noch mit 1KHz zurecht käme? Solange das nicht geklärt ist, ist der ganze Rest doch nur vergebene Liebesmüh. -warum bleiben moderne Mosfets kalt, während ein gar nicht so altes Modell gleich abraucht? Da stimmt doch was nicht. Der TO hat es ja quasi selbst geschildert, er schrieb doch von Problemen unter 25KHz. Dabei werden 99% aller EC-Leistungsmotoren bei niedrigeren Frequenzen betrieben. Er hat doch da sicher nicht den niederinduktivsten Motor der Welt in seinem Akkuschrauber... Ihr dürft gern anderer Meinung sein, aber für mich stimmt bei der Steuerung was vorn und hinten nicht. MosFett und Griebenschmalz schrieb: > Das ist seine Art. Da kann er nichts für. Kennst du ihn noch von früher? Da hat er immer nur kurz und wahrheitsgemäß die Frage des TO beantwortet, nichts weiter. Das war top, besser als die gesamte restliche Bagage zusammen! Leider hat der hier übliche Ton auch auf ihn abgefärbt. Womöglich, weil er jetzt auch angemeldet schreibt, und irgendwie hat man ja doch Interesse an seinem "Ruf", auch wenn das online eigentlich albern ist...
0815 schrieb: > -warum 50KHz bei einem Motor, der sonst allenfalls 4KHz braucht, > wahrscheinlich sogar noch mit 1KHz zurecht käme? Solange das nicht > geklärt ist, ist der ganze Rest doch nur vergebene Liebesmüh. Das ist nur dir nicht klar.
0815 schrieb: > Stefan ⛄ F. schrieb: >> Da kann ein 3x schnelleres entladen des Gate durchaus dazu führen, dass >> sie nun nicht mehr überlappend leiten. > > Der Effekt ist marginal, da das Gate so zwar später entladen, aber dafür > auch später geladen wird. Er ist überhaupt nur vorhanden, weil die Gates Die werden nicht nur später entladen (im Sinne von "plötzlich ist es aus/an"), sondern die Entladung ist ein "zeitintensiver" Prozess. Und je nach Ansteuerung kann sich die Ladung und Entladung der beiden Gates überlappen ... > normalerweise auf deutlich mehr als die doppelte Tresholdspannung > geladen werden. Auf welchen Faktor*Threshholdspannung würdest Du gehen? > Außerdem dürfte der IC doch auch in der fraglichen Version eine Totzeit > ermöglichen. Wer weiß? Und wenn doch - würde er etliche (10)µs erlauben? > Zwischen Abrauchen und schön kalt bleiben liegen sicher 2 Potenzen an > Verlustleistung. Nie im Leben erreicht man diesen Unterschied allein > durch den Tausch von Mosfets (halbwegs gleiche Stärke natürlich > vorausgesetzt). "Schön kalt" und "Abrauchen" sind ziemlich subjektive Beschreibungen ... Aber wenn man durch schlankere Mosfets es vermeidet, daß diese gleichzeitig leiten, wo es schöne Kurzschlußströme/Verlustleistungen gibt, dann kann es schon einen Unterschied wie schwarz und weiß geben. > Die wichtigsten Fragen müssen nach wie vor in dieser Reihenfolge lauten: > > -warum 50KHz bei einem Motor, der sonst allenfalls 4KHz braucht, > wahrscheinlich sogar noch mit 1KHz zurecht käme? Solange das nicht > geklärt ist, ist der ganze Rest doch nur vergebene Liebesmüh. Ich glaube, das DB hatte was von mindestens 25kHz erzählt - aber um das zu verifizieren, müsste ich wieder 3 Minuten meiner Zeit für's DB-Studium investieren ... > -warum bleiben moderne Mosfets kalt, während ein gar nicht so altes > Modell gleich abraucht? Da stimmt doch was nicht. Der TO hat es ja quasi Hat nix mit modern und alt zu tun, sondern mit seinen Parametern ... > selbst geschildert, er schrieb doch von Problemen unter 25KHz. Dabei > werden 99% aller EC-Leistungsmotoren bei niedrigeren Frequenzen > betrieben. Er hat doch da sicher nicht den niederinduktivsten Motor der > Welt in seinem Akkuschrauber... Sicher nicht - war doch nur ein Motor aus einem Akkuschrauber ... > Ihr dürft gern anderer Meinung sein, aber für mich stimmt bei der > Steuerung was vorn und hinten nicht. Doch - alles schon oben geklärt .... > MosFett und Griebenschmalz schrieb: >> Das ist seine Art. Da kann er nichts für. > > Kennst du ihn noch von früher? Da hat er immer nur kurz und > wahrheitsgemäß die Frage des TO beantwortet, nichts weiter. Das war top, Ist auch heute noch so ... > besser als die gesamte restliche Bagage zusammen! Leider hat der hier > übliche Ton auch auf ihn abgefärbt. Womöglich, weil er jetzt auch Was heißt abgefärbt - man lernt eben ... > angemeldet schreibt, und irgendwie hat man ja doch Interesse an seinem > "Ruf", auch wenn das online eigentlich albern ist...
0815 schrieb: > Jens G. schrieb: >> Wo denn? > > Auf Seite 1 gleich ganz oben. 1,7A source, 2,3A sink. Tja, das wäre schön. Beim DRV8308 steht aber deutlich: "Drives 6 N-Channel MOSFETs With Configurable 10- to 130-mA Gate Drive" Ich halte von solchen Treiber ICs nicht viel, weil das weder Fisch noch Fleisch ist. Angeblich sollen sie ja den Aufbau einfacher machen, aber eigentlich sind sie nur teuer und unbrauchbar, wenn man richtige Motoren steuern will. Und oft sogar noch zickig... Der TE wäre vermutlich mit P-Kanal & N-Kanal Halbbrücken besser gefahren oder eben richtigen Treibern wie IR2110, wenn man unbedingt nur N-Kanal benutzen möchte. Den Rest macht ein simpler MC, die es heute ja sogar mit spez. BLDC Anordnungen gibt. Kann aber auch jeder AVR oder PIC.
Matthias S. schrieb: > Ich halte von solchen Treiber ICs nicht viel, Verstehe ich. > Angeblich sollen sie ja den Aufbau einfacher machen Ja, soll(t)en täten die dat. Einfacher werden imho nur Schaltplan und Stückliste. Die Anzahl nötiger ICs sinkt damit. Das Layout wird jedoch "schlecht(er)" sein, als mit drei IR2110 jew. nahe an der jew. Halbbrücke. Matthias S. schrieb: > teuer / (teils) zickig Prinzessinnen (auf gleich mehreren Erbsen).
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