Zu der verlinkten Schaltung haben sich bei mir 2 Fragen ergeben. Dazu würde ich euch gerne um Hilfe und Erklärung bitten. In dem Ina50 pdf auf Seite 3: >The amplifier output uses a ferrite transformer. The bead used is >essentially equivalent >to the popular FT37-43. We used a 5:1 turns ratio and a 1200 Ohm resistor to >back terminate the drain, forcing a good output impedance match. Mir ist bekannt, dass ein Trafo zum Transformieren der Impedanzen von primär nach sekundär Wicklung benutzt werden kann. Und zwar quadratisch. Das heißt der beschriebene Trafo mit Wicklungsverhältnis 5:1 würde die Impedanz von primär nach sekundär mit dem Faktor 25 transformieren. Richtig? Die 1200 Ohm also zu 1200/25=48 Ohm. Das das ca 50 Ohm sind halte ich für keinen Zufall, und die 1200 Ohm sehe ich als konkreten Widerstand in der Schaltung. Meine Frage ist nun: wird NUR die Impedanz zwischen den Pinnen des Trafos so transformiert und nicht irgendwie eine Eingangs Gesamtimpedanz so alles was vor dem Trafo ist? Auf Seite 4: >We shorted Gate 2 to ground at one point, producing only a 10 dB decrease >in gain. >This was consistent with the data sheets. To really get a reasonable gain >control range, one must drop the voltage on G2 below that of the source. A >simple way to do this is to bias the source to a positive voltage with a >pair of diodes. Zu G2 below Source finde ich nicht im Datenblatt. Fig. 5 listet Ug1S < 0, aber zu G2 tue ich mich schwer. An welcher Stelle sehe ich im Datenblatt dieses 'consistent with datasheet'? Und: wie kann ich mir die einfache Umsetzung mit den Dioden vorstellen? Einfachzwischen Source und Rs noch ein, zwei Dioden setzen, dass Source auf 1.4 V liegt? Falls die Frage nach Sinn und Unsinn kommt: Nein, ich möchte nichts konkretes bauen, oder auf moderne Bauteile verzichten. ich befinde ich sozusagen im Selbstudium und will verstehen, lernen begreifen. Irgendwann hoffe ich dass mir das hilft.
Bombadil schrieb: > Zu der verlinkten Schaltung haben sich bei mir 2 Fragen ergeben. Dazu > würde ich euch gerne um Hilfe und Erklärung bitten. > > > Falls die Frage nach Sinn und Unsinn kommt: > Nein, ich möchte nichts konkretes bauen, oder auf moderne Bauteile > verzichten. ich befinde ich sozusagen im Selbstudium und will verstehen, > lernen begreifen. Irgendwann hoffe ich dass mir das hilft. Vielleicht doch einen Tietze-Schenk kaufen, da steht auch viel drin. Gruss
Bombadil schrieb: > Mir ist bekannt, dass ein Trafo zum Transformieren der > Impedanzen von primär nach sekundär Wicklung benutzt > werden kann. Und zwar quadratisch. Korrekt. > Das heißt der beschriebene Trafo mit Wicklungsverhältnis > 5:1 würde die Impedanz von primär nach sekundär mit dem > Faktor 25 transformieren. Richtig? Richtig. > Die 1200 Ohm also zu 1200/25=48 Ohm. Das das ca 50 Ohm > sind halte ich für keinen Zufall, und die 1200 Ohm sehe > ich als konkreten Widerstand in der Schaltung. Auch richtig. > Meine Frage ist nun: wird NUR die Impedanz zwischen den > Pinnen des Trafos so transformiert und nicht irgendwie > eine Eingangs Gesamtimpedanz so alles was vor dem Trafo > ist? Das ist im konkreten Fall nahezu dasselbe. Der Grund ist, dass der Kollektor/Drain der Transistoren in guter Näherung eine Stromquelle (bzw. -senke) ist, oder anders ausgedrückt: Der differenzielle Innenwiderstand dU/dI des Ausgangs der Transistorstufe ist sehr groß. Zu den 1.2kOhm sind also noch... wass weiss ich... 20kOhm parallelgeschaltet; der transformierte Innenwiderstand ist also nicht 48 Ohm, sondern vielleicht 45 Ohm.... > Auf Seite 4: >> We shorted Gate 2 to ground at one point, producing >> only a 10 dB decrease in gain. This was consistent >> with the data sheets. To really get a reasonable gain >> control range, one must drop the voltage on G2 below >> that of the source. A simple way to do this is to bias >> the source to a positive voltage with a pair of diodes. > > Zu G2 below Source finde ich nicht im Datenblatt. Fig. 5 > listet Ug1S < 0, aber zu G2 tue ich mich schwer. An welcher > Stelle sehe ich im Datenblatt dieses 'consistent with > datasheet'? Die ersten zwei Sätze beziehen sich m.E. auf die Bemerkung auf Seite 2, dass G2 mit 4V vorgespannt wurde. Wie in Deinem Zitat oben erkennbar, wurde das Gate 2 "at one point" auf Masse gelegt, und es ergab sich ein Verstärkungsabfall von 10dB. Inwiefern das "konsistent zum Datenblatt" sein soll, erschließt sich mir auch nicht ganz. Aufgrund des Sourcewiderstandes und des 10k im Eingang gegen Masse liegt Gate 1 m.E. effektiv auf einem geringen negativen Potenzial (vielleicht so -50mV), so dass man in Fig. 9 bei VG1 knapp unterhalb von 0V gucken müsste. Bei Ug2 = 4V ist die Steilheit ungefähr 23mS, bei Ug2 = 0V sind es vielleicht 5mS. Hmm. Ist bei mir eher ein Faktor 5 (14dB) als ein Faktor 3 (10dB), aber sei's drum... Zu "Spannung an Gate 2 unter Null" kann ich nix sagen. > Und: wie kann ich mir die einfache Umsetzung mit den Dioden > vorstellen? Einfachzwischen Source und Rs noch ein, zwei > Dioden setzen, dass Source auf 1.4 V liegt? Ja, sicherlich. Ich verstehe das so.
Bombadil schrieb: > Meine Frage ist nun: wird NUR die Impedanz > zwischen den Pinnen des Trafos so transformiert und nicht irgendwie eine > Eingangs Gesamtimpedanz so alles was vor dem Trafo ist? Alles was davor ist, d.h. auch der Ausgangswiderstand und -kapazität des DG-FET, nicht nur der 1,2 kOhm Widerstand parallel zum Übertrager. Bombadil schrieb: > Zu G2 below Source finde ich nicht im Datenblatt. Fig. 5 listet Ug1S < > 0, aber zu G2 tue ich mich schwer. An welcher Stelle sehe ich im > Datenblatt dieses 'consistent with datasheet'? Das "consistent with datasheet" bezieht sich allgemein auf der geringeren (bzw. variablen) Verstärkung wenn G2 auf 0V oder darunter liegt und nicht auf einen spezifischen Betrag. Bombadil schrieb: > Und: wie kann ich mir die einfache Umsetzung mit den Dioden vorstellen? > Einfachzwischen Source und Rs noch ein, zwei Dioden setzen, dass Source > auf 1.4 V liegt? Zwei Dioden in Reihe zwischen Source und Ground schalten. Ein zusätzlicher Sourcewiderstand in Reihe dazu ist nicht notwendig. G1 sollte in diesem Fall aber auch vorgespannt sein.
man kann den Dualgate-Mosfet auch als zwei in Reihe geschaltete Singlegate-Mosfet betrachten. Da das Gate2 ( obere Mosfet ) in der Regel HF-mäßig über einen Kondensator an Masse liegt, ist der Source2 für die HF niederohmig. Das heist an Drain1 bzw Source2 bildet sich sogut wie keine HF-Spannung aus. Der untere Transistor liefert nur Strom. Dadurch ist die Rückwirkung auf den Eingang durch die Last am Ausgang extrem gering. Man nennt dieses Kosntrukt auch Kaskodeschaltung, welche schon in den 70ger Jahren in Fernsehtunern ( damals noch mit einzelnen Transistoren aufgebaut ) verwendet wurde. Mit der Gleichspannung an Gate2 kann man die Steilheit des Dualgatemosfets verändern. Das wird ausgenutzt, wenn man den Dualgatemosfet als multiplikative Mischstufe verwendet. Oszilltorsignal kommt an Gate2 und das umzusetzende Signal an Gate1. Oder man regelt über das Gate2 die Verstärkung mit Hilfe einer am Ausgang des Verstärkers gleichgerichte Spannung. ( AGC ). Ralph Berres
Ihr habt mir bis jetzt schon viel an Informationen gegeben, herzlichen Dank! Kaskode mit npn Transistoren habe ich schon einmal gesehen und etwas dazu gelesen, da konnte ich mir das auch gut vorstellen. Von daher danke auch für das Stichwort. Ich verstehe gar nicht, warum ich mich da nach lesen deines Posts bei Mosfets schwer tue. Ein bischen bezweifle ich, dass der Tietze Schenk so selbsterklärend ist, dass man ohne Fragen bleibt, aber herzlichen Dank auch für den gut gemeinten Tip.
Bombadil schrieb: > Ein bischen bezweifle ich, dass der Tietze Schenk so selbsterklärend > ist, dass man ohne Fragen bleibt, Es gibt Auszüge zu Probelesen. http://www.tietze-schenk.de/Tietze-Schenk-Gamm_A16_Probe.pdf Kaskode auf Seite 17/18. Gruss
Jetzt hört doch auf mit Tietze/Schenk. Als wenn das Leben 'ohne' zwar denkbar aber eigentlich nicht möglich ist. Kennt z.B. keinen DG-MOS-Fet Ist genau so toll oder weniger toll wie das über den Klee gelobte 'Art of Electronics'. Kennt z.B. noch nicht mal eine Stromregelung, die jedes Labornetzteil hat. Es gibt nicht 'das Universalbuch'! @ Erich: Was nützen Bombadil Hinweise zum Probelesen, die sein Problem nicht treffen? @ Bombadil: Wenn du HF-Basteln möchtest: 'Experimental Methods in RF Design' Wes Hayward, W7ZOI, Rick Campbell, KK7B, Bob Larkin, W7PUA ARRL Gibt es nur noch gebraucht, suchen, teuer! 73 Wilhelm
Wilhelm, das ist (leider) richtig was du sagst. Ich habe mir z.B das Buch "Grundschaltungen der Elektronik 3" angeschafft in dem auch öfter schmökere. Einmal richtet sich das Buch ganz offensichtlich an eine Leserschaft im Studieralter, also im Saft; wo die Augen noch nicht nachlassen. Schrift ist sehr, sehr klein und dann schlauerweise auch z.T. in Hellrot auf weiß...kann ich kaum lesen. Dann gecheckt: Kaskode, dual Gate Mosfet oder ähnliche Infos im Register nicht vorhanden. Ich deutete es ja an: ich befürchte auch ein paar durchaus gute Bücher werden wohl Fragen nie ersetzen können. Ich ghöre bedeuerlicherweise auch zu den Leuten die noch mal ein Beispiel mehr oder eine andere Erklärung benötigen als die creme de la creme und der Weg von auswendig lernen zum Generalisieren braucht daher auch mehr als nur ein Kapitel wieder und wieder durch zu arbeiten. Eigentlich glaube ich aber, dass das normal ist und jeden der etwas grundsätzlich verinnerlichen und verstehen möchte betrifft. Daher gibt es ja auch Lehrer, Professoren, später Kollegen sowie Mentoren.... und für die 'Breitensportler' der Elektronik solche Foren :-) Ich habe jetzt meinen eigenen Thread etwas offtopic bedient. Die Frage woher Infos und Verständnis bekommen begleitet mich aber schon eine Zeit. P.S. ich greife die Idee des Tietze Schenk aber gerne auf - eben weil neue Impulse immer gut sind.
Hinweis: Den Tietze/Schenk am besten in einer älteren Auflage vor der 11, ist gebraucht auch deutlich billiger (Booklooker). Bei den neuen Auflagen wird überwiegend nur noch "on-chip-engeneering" behandelt, Analogtechnik gerät ins Hintertreffen.
Wilhelm S. schrieb: > @ Bombadil: > Wenn du HF-Basteln möchtest: > > 'Experimental Methods in RF Design' > Wes Hayward, W7ZOI, Rick Campbell, KK7B, Bob Larkin, W7PUA > ARRL > > Gibt es nur noch gebraucht, suchen, teuer! > > 73 > Wilhelm Die Suche nach "experimental methods in rf design download" findet was in Indien und die Testmitgliedschaft bei scribd ist auch nicht schlecht. Auch was weitere Literatur angeht. Arno
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