Ich versuche gerade, einen einfachen Verpolungsschutz mit LTSpice zu simulieren. Aber er macht nicht was ich erwarte, der MOSFET wird nicht geschlossen und die verpolte Spannung liegt auch dahinter noch an :-( Was stimmt da nicht?
Du denkst an die Body Diode des FET, und was sie macht ?
Beim Link fehlt leider die beste Variante, falls man eine Spannung VCC + 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet....
Thomas Korner schrieb: > Beim Link fehlt leider die beste Variante, falls man eine Spannung > VCC + > 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet.... Du meinst deine nicht funktionierende?
Thomas Korner schrieb: > Beim Link fehlt leider die beste Variante Die "beste" Variante ist immer noch die, die die Aufgabe am "besten" löst. > falls man eine Spannung VCC +10V hat (z.B. vom Gatetreiber) Und die natürlich zufällig auch noch potentialfrei ist. > mit einem High Side Mosfet.... So einen Mosfet muss man natürlich mit einer Spannung zwischen G und S passend ansteuern. Wenn du da am Eingang (=Source) -16V hast, aber am Ausgang (=Drain) 0V willst, dann sollte die Ugs auch annähernd 0V sein.
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Thomas Korner schrieb: > Beim Link fehlt leider die beste Variante, falls man eine Spannung VCC + > 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet... Du hast jedoch 6.8V . Und?
Lothar M. schrieb: >> falls man eine Spannung VCC +10V hat (z.B. vom Gatetreiber) > Und die natürlich zufällig auch noch potentialfrei ist. Es reist schon wenn sich die Gatespannung auf dem Plus der "Lastseite abstützt". Letztlich funktionieren viele integrierte highside Switch mit int. Leistungs-Fet so. Undja, zw. G und S -- was der TE nicht macht .-)
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Andrew T. schrieb: > Es reist schon wenn sich die Gatespannung auf dem Plus der "Lastseite > abstützt". Es reicht aber nur zum sicheren Einschalten. Es reicht aber nicht zum Abschalten, wenn die Source -16V hat und das Gate 0V, denn dann ist Ugs = 16V und das Ding leitet hocherfreut.
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