Verpolungsschutz simuliert nicht wie erwartet

Du denkst an die Body Diode des FET, und was sie macht ?

Thomas Korner schrieb:
> Beim Link fehlt leider die beste Variante
Die "beste" Variante ist immer noch die, die die Aufgabe am "besten" 
löst.

> falls man eine Spannung VCC +10V hat (z.B. vom Gatetreiber)
Und die natürlich zufällig auch noch potentialfrei ist.

> mit einem High Side Mosfet....
So einen Mosfet muss man natürlich mit einer Spannung zwischen G und S 
passend ansteuern.
Wenn du da am Eingang (=Source) -16V hast, aber am Ausgang (=Drain) 0V 
willst, dann sollte die Ugs auch annähernd 0V sein.

Thomas Korner schrieb:
> Beim Link fehlt leider die beste Variante, falls man eine Spannung VCC +
> 10V hat (z.B. vom Gatetreiber) mit einem High Side Mosfet...

Du hast jedoch 6.8V .

Und?

Lothar M. schrieb:
>> falls man eine Spannung VCC +10V hat (z.B. vom Gatetreiber)
> Und die natürlich zufällig auch noch potentialfrei ist.

Es reist schon wenn sich die Gatespannung auf dem Plus der "Lastseite 
abstützt".
Letztlich funktionieren viele integrierte highside Switch mit int. 
Leistungs-Fet so.

Undja, zw. G und S -- was der TE nicht macht .-)

Andrew T. schrieb:
> Es reist schon wenn sich die Gatespannung auf dem Plus der "Lastseite
> abstützt".
Es reicht aber nur zum sicheren Einschalten.
Es reicht aber nicht zum Abschalten, wenn die Source -16V hat und das 
Gate 0V, denn dann ist Ugs = 16V und das Ding leitet hocherfreut.