Hallo zusammen, ich möchte mehrere in Reihe geschaltete LEDs per PWM mittels µC dimmen. Welche der beiden dargestellten Varianten ist dazu die technisch sinnvollere? Die linke mit NPN-Transistor oder aber die rechte mit N-MOSFET? Und warum? Bitte keine Fragen warum ich nicht nach GND schalten will sondern unbedingt die +12 Volt, darum soll es nicht gehen.
:
Verschoben durch Moderator
Mak schrieb: > Die linke mit NPN-Transistor Ist die bessere Lösung. Der Mosfet muss ein Typ sein der +/- 20V am Gate gegenüber Source aushalten muss.
Mak schrieb: > Welche der beiden dargestellten Varianten ist dazu die technisch > sinnvollere? Das ist gehupft wie gesprungen. Der Pullup nach 12V (einmal 2.2K, einmal 10K) sollte allerdings gleich sein. Er bestimmt auch die Schaltgeschwindigkeit, wenn PWM im Spiel ist.
Nein, richtig angesteuert und mit den passenden Magneten und Kristallen versehen, kann er als Portal dienen
Dieter schrieb: > Mak schrieb: >> Die linke mit NPN-Transistor > > Ist die bessere Lösung. Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. Es kommt hier letztlich auf die Rahmenbedingungen an. Z.B. wird der NPN-Transistor in die Sättigung hereingezogen. Aus diesem Zustand kommt er nicht so schnell wieder hoch. Auch der 2K2 Widerstand ist u.U. für schnelle Schaltvorgänge etwas hoch. mfg Klaus
Axel S. schrieb: > Das ist gehupft wie gesprungen. Nicht ganz. Der BSS138 sollte mit 5V angesteuert werden; wenn das PWM-Signal nur 3.3V hätte, würde ich einen anderen FET nehmen. Oder eben den NPN, wenn die PWM-Frequenz sich in moderaten Werten bewegt.
Ich schalte zum Schutz des µC ein Netzwerk R - Z-Diode gegen Ground - R an die Basis des Transistors. Sonst ist im Fall eines CB Kurzschlusses 12V an dem µC Eingang. o/ Anselm
Klaus R. schrieb: > Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. Das scheint mir die wichtigste Empfehlung zu sein! > Es kommt hier letztlich > auf die Rahmenbedingungen an. Z.B. wird der NPN-Transistor in die > Sättigung hereingezogen. Aus diesem Zustand kommt er nicht so schnell > wieder hoch. Statt 1k an der Basis reichen vermutlich 10k. Den Sinn des 10R-Widerstands am FET sehe ich auch nicht.
Die Frage wäre noch, welche Frequenz die PWM haben sollte? Längen der Zueleitungen und Lastleitungen? Wechselst sonst mehrfach täglich den Mosfet aus.
Bei PWM geht es auch um die Verluste beim Umschalten. Und da spielen die internen Kapazitäten des BSS eine Rolle (Millereffekt). Die können bei hochohmiger Steuerquelle die Schaltgeschwindigkeit bremsen und damit die Schaltverluste erhöhen. Beim BSS ist das Ein-und Aussschalten wesentlich von der Signalquelle PWM mitbestimmt. bei niederohmiger Steuerquelle ist BSS besser. Für kleine Leistungen und PWM bis in den -zig kHz gehts noch mit dem NPN. So über den Daumen: wenn kein M bei der Frequenz und nur m bei der Leistung steht dürfte der NPN ausreichen. Der BSS wäre aber dann auch an der Grenze, ein Treiber wäre da besser.
:
Bearbeitet durch User
Dieter schrieb: > Die Frage wäre noch, welche Frequenz die PWM haben sollte? > Längen der Zuleitungen und Lastleitungen? > > Wechselst sonst mehrfach täglich den Mosfet aus. Nun ja, wenn man das professionell aufbauen und alle Fehlermöglichkeiten berücksichtigen will, dann fehlt noch eine Strombegrenzung und Überlastabschaltung. Das wird dann aber ein bisschen mehr Schaltungsaufwand, nicht nur zwei Transistoren. Unnötig, wenn das ein geschlossener Aufbau ist, wo alles direkt verdrahtet in räumlicher Nähe ist. Zum Gesamtsystem hat uns der TO ja nichts verraten. Zu EMV-Fragen wissen wir auch nichts. Könnte durchaus ein Grund sein, die Schaltgeschwindigkeit zu begrenzen.
HildeK schrieb: > Axel S. schrieb: >> Das ist gehupft wie gesprungen. > > Nicht ganz. > Der BSS138 sollte mit 5V angesteuert werden; wenn das PWM-Signal > nur 3.3V hätte, würde ich einen anderen FET nehmen. Naja. Einen Pegel hat er ja nicht drangeschrieben. Ich hatte jetzt schon erwartet, daß er den MOSFET (eigentlich beide) richtig auswählt. Auch beim p-MOSFET kann man eine Menge falsch machen; z.B. einen Typ nehmen, der nur 12V U_gs verträgt. Und abgesehen davon: der BSS138 hat eine U_th von maximal 1.5V. 3.3V sind mehr als das doppelte und er muß ja nur 6mA ableiten. Das paßt schon. Dieter R. schrieb: >> Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. > > Das scheint mir die wichtigste Empfehlung zu sein! Für eine popelige PWM? Mit vielleicht 1kHz? Das erscheint mir mit Photonenbomben auf Amöben geschossen zu sein.
:
Bearbeitet durch User
Axel S. schrieb: > Einen Pegel hat er ja nicht drangeschrieben. Richtig, mangelnde Spezifikation 😀; ich habe nur einen Hinweis gegeben. Und ich benutzte die Worte 'sollte' und auf deine Aussage nur 'nicht ganz'. > Und abgesehen davon: der BSS138 hat eine U_th von maximal 1.5V. 3.3V > sind mehr als das doppelte und er muß ja nur 6mA ableiten. > > Das paßt schon. Vermutlich. Da es welche gibt, die auch mit 3.3V und weniger spezifiziert sind, könnte man auch von denen einen nehmen. Mehr sollte mein Hinweis nicht aussagen.
Hallo, wenn es nur Leds sind, reicht doch ein Logic N-Channel Mosfet. Man muss doch hierbei nicht zwangsweise den (+) Zweig schalten.
Ich verwende beim Schalten von PMOS manchmal eine Transistorstromquelle, also NPN und einen Widerstand zwischen Emitter und GND. Der Strom ist dann: I=(Steuerspannung-0,7V)/R Die Gatespannung kann man mit U=R*I einstellen. Der Charme dabei ist, dass das unabhängig von der Spannung ist, die man schaltet. Die Gatespannung ist dann nur abhängig von der Steuerspannung. Und die stammt meist aus einem Spannungsregler. Ein Basiswiderstand ist für diese Schaltung nicht nötig, es braucht daher weniger Bauteile (1xNPN + 2xR).
Gänseblümchen schrieb: > Transistorstromquelle > Ein Basiswiderstand ist für diese Schaltung nicht nötig, es braucht > daher weniger Bauteile (1xNPN + 2xR). Und man kann mit dem Strom und der Gate-Kapazität die Flankensteilheit des LED-Stroms begrenzen. Außerdem braucht man auf jeder Platine sowieso irgendwo einen kleinen NPN. Kleine FETs wie BSS138 braucht man selten.
Axel S. schrieb: > Dieter R. schrieb: >>> Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. >> >> Das scheint mir die wichtigste Empfehlung zu sein! > > Für eine popelige PWM? Mit vielleicht 1kHz? Das erscheint mir mit > Photonenbomben auf Amöben geschossen zu sein. Hast du es dir angesehen oder vermutest du nur? Ich habe mal mit LTSpice die 2. Schaltung zusammengebaut, geht ja schnell. Die Bauteilewahl ist sicher nicht optimal, sondern einfach aus dem vorhandenen LTSpice-Baukasten genommen. Ergebnis, gar nicht so überraschend: bei 1 kHz PWM und 2 A Laststrom keinesfalls zu vernachlässigende Verluste im Ausschaltmoment. Offensichtlich ist da Optimierungspotential, und genau danach hatte der TO gefragt. Nächste, nicht ganz so simple Frage wäre dann, symmetrisches Verhalten im Ein- und Ausschaltmoment zur Verminderung von EMV-Problemen (siehe auch darüber Beitrag von bauformb). Spätestens da geht es wohl kaum ohne Simulation.
:
Bearbeitet durch User
Bauform B. schrieb: > Und man kann mit dem Strom und der Gate-Kapazität die Flankensteilheit > des LED-Stroms begrenzen. Außerdem braucht man auf jeder Platine sowieso > irgendwo einen kleinen NPN. Kleine FETs wie BSS138 braucht man selten. Bonus: Wenn man für kapazitive Lasten einen Softstart implementieren will, ist das nur ein weiterer Kondensator, zwischen Drain und Gate. Das führt dann zu einem schönen linearem Spannungsanstieg am Drain, wodurch man Kondensatoren laden kann, ohne das Stromlimit der vorgeschalteten Spannungsregler zu triggern. Sehr nützlich, wenn man z.B. die Versorgung für Platinen zuschalten will, ohne dass die restlichen Geräte am Netzteil einen Reset ausführen. Das hat natürlich Grenzen. Die SOA ist eine davon.
Dieter R. schrieb: >> Dieter R. schrieb: >>>> Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. >>> >>> Das scheint mir die wichtigste Empfehlung zu sein! >> >> Für eine popelige PWM? Mit vielleicht 1kHz? Das erscheint mir mit >> Photonenbomben auf Amöben geschossen zu sein. > > Hast du es dir angesehen oder vermutest du nur? Natürlich nur vermutet. Und auch du hast natürlich nur die halbe Arbeit gemacht. Wenn du jetzt den n-MOSFET gegen einen npn Bipo tauschst (das war die eigentliche Frage), wirst du sehen, daß sich das ganze immer noch besch**den verhält. Kein Wunder, bei dem Klopper von p-MOSFET den du verwendest. Noch dazu mit lächerlichen 10K um das Gate zu entladen. Klar performt das nicht. Womöglich will der TE auch gar keine 2A schalten, sondern bloß 100mA?
Klaus R. schrieb: > Ich würde die Entscheidung LTspice überlassen. Gemäß diesem schlauen Forum müsste ich sogar den Vorwiderstand einer LED simulieren, geht's noch? HildeK schrieb: > wenn das PWM-Signal nur 3.3V hätte, würde ich einen anderen FET nehmen. Weil die Dinger modern sind? Gerade dann ist der NPN erste Wahl, geringe Schwellspannung B-E. > Oder eben den NPN, wenn > die PWM-Frequenz sich in moderaten Werten bewegt. Das ist nicht zuende gedacht, gerade wenn es zügig gehen soll, wird der NPN schneller schalten und hat keine G-S-Kapazität. HildeK schrieb: >> Einen Pegel hat er ja nicht drangeschrieben. > Richtig, mangelnde Spezifikation 😀; ich habe nur einen Hinweis gegeben. > Und ich benutzte die Worte 'sollte' und auf deine Aussage nur 'nicht > ganz'. Ich baue high-side Schalter generell mit einem NPN vor dem P-FET auf. Dem ist es nämlich egal, ob meine Ansteuerung 2 Volt oder 5 Volt liefert, ich muß lediglich den Basiswiderstand rechnen. Dieter R. schrieb: > bei 1 kHz PWM und 2 A Laststrom keinesfalls zu vernachlässigende Verluste im > Ausschaltmoment. Die dürften, egal ob BSS138 oder TUN, vom G-D-Widerstand am FET abhängen. Mit dem BSS138 unterstelle ich, dass sich noch zusätzliche Verluste beim Einschalten ergeben.
Mak schrieb: > Bitte keine Fragen warum ich nicht nach GND schalten will sondern > unbedingt die +12 Volt, darum soll es nicht gehen. Wenn Du nur einige in Serie geschaltete LEDs schalten willst sollte die Frage schon erlaubt sein. Weshalb eine unnötig aufwendige Schaltung wenn eigentlich ein LL-Mosfet, Beispiel IRF3708, reichen würde wäre hier wohl für einige User interessant. Oder muss es komplizierter sein als nötig weil Du was zum Angeben brauchst? Großes Interesse an dem Thread hast Du scheinbar nicht, denn bisher kam von Dir nicht eine Reaktion auf die Kommentare.
Manfred schrieb: > Weil die Dinger modern sind? Haha, das ist gut. Wenn, dann verwendet man FET wie BSS138N. Schau mal ins Datenblatt, wie alt der ist. Der dürfte 30 Jahre auf dem Buckel haben. BIP sind nicht billiger, als so einfache MOSFET, oder nicht nennenswert. Also ist es durchaus legitim, einen kleinen MOSFET zu nehmen. Nur haben BIP mit der von mir beschriebenen Ansteuerung mit Stromquelle Vorteile. Man nimmt Bauteile nicht aus ideologischen Gründen, sonder die, die passen. Hass auf alles, was nach 1950 erfunden wurde, ist sowieso ein schlechter Ratgeber. Manfred schrieb: > lediglich den Basiswiderstand rechnen. Fährst du deinen BIP in Sättigung? Kann man machen, aber ob das günstig ist, hängt von der Anwendung ab. Bei PWM kann (nicht muss!) dann die Schaltzeit dann ein Problem werden. So ein gesättigter BIP braucht schon eine gewisse Weile um abzudrehen.
Mak schrieb: > Welche der beiden dargestellten Varianten ist dazu die technisch > sinnvollere? Hm. Darf man denn wirklich nur aus den beiden auswählen? :-) (Und dann noch mit genau den Teilen und dieser Dimensionierung?) Diese Variante von Highside P-Ch = mir persönlich die liebste: Gänseblümchen schrieb: > Transistorstromquelle, > also NPN und einen Widerstand zwischen Emitter und GND. Der Strom ist > dann: > I=(Steuerspannung-0,7V)/R > > Die Gatespannung kann man mit U=R*I einstellen. Der Charme dabei ist, > dass das unabhängig von der Spannung ist, die man schaltet. > Die Gatespannung ist dann nur abhängig von der Steuerspannung. Und die > stammt meist aus einem Spannungsregler. > > Ein Basiswiderstand ist für diese Schaltung nicht nötig, es braucht > daher weniger Bauteile (1xNPN + 2xR). Als Bildchen mit zusätzlichem Push-Pull-Treiber (nur nötig, wenn damit höherfrequente PWM gemacht werden soll) im Anhang. Und mit dieser Grundschaltung kann (zu den schon von Gänseblümchen genannten Vorteilen hinzu) die Steuerspannung vor dem NPN (nahezu) beliebig niedrig sein. [Natürlich durch die Stromsenke als Level-Shift die zu schaltende U_B+ auch beliebig hoch - nur muß der NPN (bzw. falls Push-Pull- Stufe nachgeschaltet auch der folgende PNP) diese U_B+ sperren können - aber was passendes findet sich meist relativ problemlos.]
Jörg R. schrieb: > Gänseblümchen schrieb: >> BIP > > Was ist denn ein BIB? Abkürzung selbst ausgedacht? Vermutlich BIPO noch kürzer? :) @Gänseblümchen, "Deine" Schaltung spricht natürlich auch aus Schaltgeschwindigkeitsgründen (NPN ungesättigt) für sich.
So habs mal simuliert, und angehängt (weils mich auch interessiert hat): Das Konzept Stromquelle ist beim Abschalten des FET etwas schneller. Um einstellige µs. Weil der Transistor bei der Ansteuerung, wo er in Sättigung gefahren wird, eine Zeit benötigt, um sich zu erholen. Beim Einschalten sieht man schön den Effekt, dass die Stromquelle zu einem sanftem Schalten verwendet werden kann, wobei man das natürlich auch durch die Wahl des Baiswiderstandes tun kann, nur nicht so genau. Wenn es um eine 100Hz-10kHz PWM geht wie man sie für LED verwendet, ist es uninteressant, dann hat man zwar eine Verzerrung des Tastverhältnisses, aber das ist so wenig, dass man es ignorieren kann. Bei höheren Frequenzen wird man ohnehin ein anderes Konzept (wie push-pull-Stufen) verwenden, denke ich. Beide Konzepte tun daher ;-) Was die "ihr deppen simuliert jeden Quatsch" Fraktion angeht: Nur duch die Praxis lernt man dazu. Dazu gehört die Simulation genauso wie der Aufbau und das Messen. Bücherwissen ist gut und eine nötige Voraussetzung, Praxis und Interesse am Thema ersetzt das nicht. Und dazu gehört es auch, mal "banale" Dinge zu simulieren.
Fan of Gänseblümchen schrieb: > Jörg R. schrieb: > >> Gänseblümchen schrieb: >>> BIP >> >> Was ist denn ein BIB? Abkürzung selbst ausgedacht? > > Vermutlich BIPO noch kürzer? :) Einfach BJT geht nicht?
Fan of Gänseblümchen schrieb: > Als Bildchen mit zusätzlichem Push-Pull-Treiber (nur nötig, wenn > damit höherfrequente PWM gemacht werden soll) im Anhang. Mir fehlt da noch der ein oder andere Optokoppler;-) Ich würde EINEN IRF3708 verwenden, es sei denn der TO erklärt die Notwendigkeit das HighSide geschaltet werden muss.
Jörg R. schrieb: > Mir fehlt da noch der ein oder andere Optokoppler;-) Mir fehlt da vor allem ein integrierter High Side Switch, und wenn's nur ein BTS4xx ist. Also 1 Bauteil verglichen mit diesem Berg Hühnerfutter... Fan of Gänseblümchen schrieb: > Diese Variante von Highside P-Ch = mir persönlich die liebste Jörg R. schrieb: > Ich würde EINEN IRF3708 verwenden, es sei denn der TO erklärt die > Notwendigkeit das HighSide geschaltet werden muss. Hat er, und außerdem: man tut das nicht ;) Sind wir doch froh, dass es endlich mal jemand freiwillig richtig macht. Mak schrieb: > Bitte keine Fragen warum ich nicht nach GND schalten will sondern > unbedingt die +12 Volt, darum soll es nicht gehen.
Bauform B. schrieb: > Mir fehlt da vor allem ein integrierter High Side Switch, und wenn's nur > ein BTS4xx ist. Also 1 Bauteil verglichen mit diesem Berg > Hühnerfutter... Die sind toll. Ich nehm sie gern. Großes Problem ALLER HS-Schalter derzeit: Versuch mal welche zu kaufen :-( Ich bin bei einigen neuen Platinen auf PMOS gegangen, weil man die Dinger in Stückzahlen nicht mehr herbekommt. PMOS ist noch beschaffbar, wenn man was gängiges nimmt (wie SO-8 oder TO252).
Gänseblümchen schrieb: > Bauform B. schrieb: >> Mir fehlt da vor allem ein integrierter High Side Switch, und wenn's nur >> ein BTS4xx ist. Also 1 Bauteil verglichen mit diesem Berg >> Hühnerfutter... > > Die sind toll. Ich nehm sie gern. > Großes Problem ALLER HS-Schalter derzeit: Versuch mal welche zu kaufen Das viel größere Problem: sie haben deutlich merkbare Schaltzeiten. Teilweise mehrere 100µs. Für flimmerfreie PWM unbrauchbar.
> Jörg R. schrieb: >> Ich würde EINEN IRF3708 verwenden, es sei denn der TO erklärt die >> Notwendigkeit das HighSide geschaltet werden muss. > > Hat er, > > Mak schrieb: >> Bitte keine Fragen warum ich nicht nach GND schalten will sondern >> unbedingt die +12 Volt, darum soll es nicht gehen. Nein, hat er nicht. Er wollte keine Fragen dazu, aber die Notwendigkeit HighSide zu schalten hat er nicht begründet. Spielt aber auch keine Rolle mehr, der TO ist nach dem Eröffnungsthread verschwunden. Mal sehen ob er noch mal wiederkommt.
Axel S. schrieb: > Das viel größere Problem: sie haben deutlich merkbare Schaltzeiten. > Teilweise mehrere 100µs. Für flimmerfreie PWM unbrauchbar. Das kommt auf die PWM an, aber ja, das ist ein Faktor. Für LED sollte man jetzt aber mal die Kirche im Dorf lassen. Beispiel: https://www.ti.com/lit/ds/symlink/tps1h100-q1.pdf Da reden wir von 20-50µs, also 30µs Differenz zwischen on- und off-delay. Das ist langsam, aber für eine flimmerfreie LED-PWM mit 200Hz ist das mehr als gut genug. Das verzieht die PWM maximal um 1%. So präzise Augen hat niemand... Das ist aber sehr viel spekuliert, dazu bräuchte man Daten.
Jörg R. schrieb: > Fan of Gänseblümchen schrieb: >> Als Bildchen mit zusätzlichem Push-Pull-Treiber (nur nötig, wenn >> damit höherfrequente PWM gemacht werden soll) im Anhang. > > Mir fehlt da noch der ein oder andere Optokoppler;-) War das Ironie oder ernst gemeint? Falls letzteres: Sage/zeige bitte, wie Du das gemeint hattest. Diese Schaltung funktioniert, und zwar ganz ohne OK. Bauform B. schrieb: > Also 1 Bauteil verglichen mit diesem Berg Hühnerfutter... In der Grundschaltung sind nur zwei R, ein Kleinsignal-NPN und der Leistungs-P-Mosfet erforderlich. Das geht noch. Fan of Gänseblümchen schrieb: > ... zusätzlichem Push-Pull-Treiber (nur nötig, wenn > damit höherfrequente PWM gemacht werden soll) ... Und falls mal die Gegentaktstufe notwendig, wäre das Gebilde nicht_mehr durch den eher gemütlich schaltenden integrierten Highside-Smart-Switch ersetzbar...
Beitrag #7005118 wurde von einem Moderator gelöscht.
Manfred schrieb: > HildeK schrieb: >> wenn das PWM-Signal nur 3.3V hätte, würde ich einen anderen FET nehmen. > > Weil die Dinger modern sind? > Gerade dann ist der NPN erste Wahl, geringe Schwellspannung B-E. Nicht weil sie modern sind, sondern weil man im Prinzip beide nehmen kann. Dann aber bei 3.3V auf den richtigen MOSFET achten sollte; der BSS138 ist hier nicht ganz optimal. Mit 5V-Ansteuerung passt er schon. >> Oder eben den NPN, wenn >> die PWM-Frequenz sich in moderaten Werten bewegt. > > Das ist nicht zuende gedacht, gerade wenn es zügig gehen soll, wird der > NPN schneller schalten und hat keine G-S-Kapazität. Ein bipolarere Transistor hat beim Ausschalten aus der Sättigung eine relevante Verzögerung, wenn man keine Zusätze einbaut, die diese Sättigung verhindern. Das verändert bei einer sehr schnellen PWM die Puls-/Pausendauer merklich. Beim MOSFET muss man zwar mit mehr Strom schalten, aber dieses Delay ist geringer. Da die üblichen PWM-Frequenzen normalerweise recht niedrig sind (max. einstellige kHz), wirkt sich das noch nicht schädlich aus.
Fan of Gänseblümchen schrieb: > War das Ironie oder ernst gemeint? Falls letzteres: Sage/zeige > bitte, wie Du das gemeint hattest. Das war Ironie. Zu Erkennen am Smiley. Fan of Gänseblümchen schrieb: > Diese Schaltung funktioniert, > und zwar ganz ohne OK. Die Schaltung hat neben der Schnelligkeit sogar noch den Vorteil, dass automatisch nie mehr als 12,3V an der GS-Strecke abfallen, egal bei welcher Versorgungsspannung. Bei einer Ansteuerung von 3,3V sind es dann allerdings nur noch 7,2V. Das dürfte aber auch noch ausreichend sein.
Sonar 78 schrieb im Beitrag #7005118: >> ... die Notwendigkeit HighSide zu schalten > tut schlicht und einfach nichts zur Sache ... Das stimmt "schlicht und einfach" nicht. Begründungen grenzen für gewöhnlich Problemstellungen enger ein. Je enger Problemstellungen eingegrenzt werden, desto potentiell passender, konkreter, hilfreicher dabei mögliche Lösungsansätze. Und so ein Verschweigen der genauen Anwendungen sowie möglichst vieler Umstände und Randbedingungen (eine sich merkwürdig zu häufen scheinende, "schlicht und einfach" für die Ratsucher selbst schädliche Anfrage-Praxis) führt häufig zu extrem viel sich am Schluß als partiell unnötig bis hin zu völlig nutzlos herausstellendem Einsatz der Ratgeber. "Schlicht und einfach" um möglichst gut/besser helfen zu können gestellte Nach- bzw. Rück-Fragen (und dann noch auf so dermaßen unhöfliche Weise) zu kritisieren ist daher "schlicht und einfach" unangebracht - und zwar zur Gänze. Dem TO steht natürlich frei, darauf zu antworten oder auch nicht. Genauso wie uns freisteht, diese durch mangelnde Informationen (längst nicht nur "warum unbedingt Highside" - es fehlt ja auch die geplante PWM-Frequenz, der zu schaltende Strom, ob es sich dabei um einen LED-Strang mit R_vor handelt so daß ja vielleicht der Entwurf einer ein- und aus-schaltbaren aktive Stromquelle statt des Schalters von Vorteil wäre, ...) geprägte Problemstellung überhaupt in Angriff zu nehmen. Jörg R. schrieb: > Spielt aber auch keine Rolle mehr, der TO ist nach dem Eröffnungsthread > verschwunden. Mal sehen ob er noch mal wiederkommt. Ist aber (zumindest evtl.) ein anderes Thema als fehlende Infos. Da die Gründe hierfür völlig im Unklaren, ... Michael M. schrieb: > Fan of Gänseblümchen schrieb: >> War das Ironie oder ernst gemeint? Falls letzteres: Sage/zeige >> bitte, wie Du das gemeint hattest. > > Das war Ironie. Zu Erkennen am Smiley. Ja, vermutet habe ich's. Bloß gibt es ja auch tatsächlich eine mir bekannte (allerdings invertierende) Highside-Ansteuerung für P-Ch mittels OK. Und vielleicht hätte Jörg eine mir unbekannte gezeigt ... das war halt meine Hoffnung. Michael M. schrieb: > Die Schaltung hat neben der Schnelligkeit sogar noch den Vorteil, dass > automatisch nie mehr als 12,3V an der GS-Strecke abfallen, egal bei > welcher Versorgungsspannung. Bei einer Ansteuerung von 3,3V sind es dann > allerdings nur noch 7,2V. Das dürfte aber auch noch ausreichend sein. (3,3V-0,7V=)2,6V; (2,6V/330R)*1kR=7,8V - aber wenig Unterschied. Man könnte entweder die 1k erhöhen (wird etwas langsamer werden) oder die 330R verringern (höherer Strom bei niedrigerer U_steuer, wenn man nicht langsamer schalten will), für ca. 10-12V U_GS.
Gänseblümchen schrieb: > Manfred schrieb: >> Weil die Dinger modern sind? > Haha, das ist gut. Finde ich auch. > Man nimmt Bauteile nicht aus ideologischen Gründen, sonder die, die > passen. Hass auf alles, was nach 1950 erfunden wurde, ist sowieso ein > schlechter Ratgeber. Das ist vollkommen richtig! Gerade mal gucken: BSS138 und IRLML6344 habe ich in der Schublade, aber ebenso NPNs wie 2N2222A. Was ich einsetze, hängt von der Anwendung ab. Fan of Gänseblümchen schrieb: > P_FET-highside-mit-NPN-plus-R_E.png Gegentakt, räumt den großen P-FET schneller aus und macht damit Sinn. Würden nicht noch zwei Dioden an den Basen die Stromspitze beim Umschalten reduzieren, wenn der PNP noch nicht ganz aus, der NPN aber schon an ist? HildeK schrieb: >> Weil die Dinger modern sind? >> Gerade dann ist der NPN erste Wahl, geringe Schwellspannung B-E. > Nicht weil sie modern sind, sondern weil man im Prinzip beide nehmen > kann. Dann aber bei 3.3V auf den richtigen MOSFET achten sollte; der > BSS138 ist hier nicht ganz optimal. Mit 5V-Ansteuerung passt er schon. Ich weiß nicht, warum ich überhaupt mal BSS138 eingekauft habe. Mit max. 3,5 Ohm bei 10 V U(GS) ist der im Umfeld von µCs nicht wirklich interessant. Den P-FET wird er schon irgendwie ansteuern, da kommt es auf ein paar Dutzend Ohm nicht an. Aber Du sagt selbst, dass er bei 3,3V "nicht ganz optimal" ist, also bleibe ich bei meinem NPN. Na gut, in einer Akkubetriebenen Anwendung schalte ich meinen P-FET tatsächlich hochohmig über einen IRLML6344, da will ich den Basisstrom nicht haben - ist aber kein PWM. >>> Oder eben den NPN, wenn >>> die PWM-Frequenz sich in moderaten Werten bewegt. >> Das ist nicht zuende gedacht, gerade wenn es zügig gehen soll, wird der >> NPN schneller schalten und hat keine G-S-Kapazität. > Ein bipolarere Transistor hat beim Ausschalten aus der Sättigung eine > relevante Verzögerung, wenn man keine Zusätze einbaut, die diese > Sättigung verhindern. Sättigung ist in dieser Anwendung nicht notwendig, bei 12V am Source würden 1V U(CE) kein Problem bereiten. Es ist aber schwierig, den Strom so knapp auszulegen, dass der NPN nicht sättigt. Hast Du mal Messungen gemacht, wie groß die Verzögerung tatsächlich ist?
Manfred schrieb: > Fan of Gänseblümchen schrieb: >> P_FET-highside-mit-NPN-plus-R_E.png > > Gegentakt, räumt den großen P-FET schneller aus und macht damit Sinn. > Würden nicht noch zwei Dioden an den Basen die Stromspitze beim > Umschalten reduzieren, wenn der PNP noch nicht ganz aus, der NPN aber > schon an ist? Eine Umschalt-Stromspitze gibt es hier gar nicht. Die BJTs sind in Kollektorschaltung (aka Emitterfolger). Es gibt dadurch sogar eine Umschaltschwelle von 2 x U_BE. Etwas ist schon noch erwähnenswert: Man "verliert" hierdurch U_BE an Maximal-Aussteuerung an den "Rändern" der Rails. So lange man nicht all zu knapp mit der Spannung am Widerstand rechnete, und es nicht um einen Ultra-Low-Logic-Level P-Fet geht, von denen manche U_GS(th) < 1V haben (/nicht sicher sperrten), kein echtes Problem. Würde man nun zusätzlich Dioden antiparallel vor die Basen setzen (oder - ein wenig stärkere - als Emitterdioden verwenden, gleicher Effekt) wollen, würde das allerdings den Ausgangspegel noch weiter verringern - weil sich deren U_F zur U_BE addierte. [Falls ein Leser bei "Dioden an den Basen" an SOWAS denken würde: https://www.elektronik-kompendium.de/sites/slt/0205141.htm Diese Dioden machten genannte Umschaltschwelle zunichte. Bei solch simplen Linearverstärkern bewirken sie Verringerung der ansonsten ziemlich hohen Übernahmeverzerrungen. Hier (für Schaltverstärker) wären diese "Bias-Dioden" vollkommen fehl am Platze.]
Fan of Gänseblümchen schrieb: > Etwas ist schon noch erwähnenswert: Man "verliert" hierdurch U_BE > an Maximal-Aussteuerung an den "Rändern" der Rails. So lange man > nicht all zu knapp mit der Spannung am Widerstand rechnete, und es > nicht um einen Ultra-Low-Logic-Level P-Fet geht, von denen manche > U_GS(th) < 1V haben (/nicht sicher sperrten), kein echtes Problem. Gegen dieses restliche halbe Volt könnte man noch einen Widerstand zwischen Gate und Source spendieren. Der muss auch nicht besonders niederohmig sein.
Bauform B. schrieb: > Gegen dieses restliche halbe Volt könnte man noch einen Widerstand > zwischen Gate und Source spendieren. Das ist eine gute Idee. So einen relativ hochohmigen R_GS setzt man bei Mosfets recht häufig ein: Um U_GS im Falle fehlerhafter bzw. fehlender Ansteuerung sicher und sauber auf 0V zu halten. (Ohne Gegentaktstufe machte das natürlich R1 alles von allein.) > Der muss auch nicht besonders niederohmig sein. Anders betrachtet sollte dieser nicht mal besonders niederohmig sein: Um sich bei vorh. Ansteuerung nicht merklich auszuwirken. (Gesehen habe ich an der Stelle schon mal Werte bis zu 100k.)
Nachtrag: Fan of Gänseblümchen schrieb: > Werte bis zu 100k Nicht, daß so hohe Werte auch nur ansatzweise nötig wären.
Bitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.