LED mit FET schalten - steh auf dem Schlauch.

Gast #7016650
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Hi zusammen,

steh grad voll auf dem Schlauch. Kann mir wer runter helfen?

Ich will mit einem uC und einem FET eine Last und parallel dazu eine LED 
zur Kontrolle schalten. Die Last fehlt noch, ich scheiter aber schon bei 
der LED :D
Diese leutet im eingeschalteten Zustand normal, im ausgeschalteten 
allerdings auf halber Stärke. Der Simulation nach würde ich sagen, die 
Realität hat recht :p Aber warum? Ich würde erwarten am FET fällt im 
ausgeschalteten Zustand die ganze Spannung ab...

Siehe Anhang, grün Spannung am gate, rot Spannung über dem FET, blau 
Spannung über der LED.

Danke und schöne Woche euch.
Angehängte Dateien:
Gast #7016710
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Alec schrieb:
> ...
> Diese leutet im eingeschalteten Zustand normal, im ausgeschalteten
> allerdings auf halber Stärke.

Heutige hocheffiziente LEDs glimmen schon deutlich bei den wenigen uA, 
die der FET im ausgeschalteten Zustand möglicherweise durchlässt.

Messe mal diesen Leckstrom mit dem Multimeter.
Als Abhilfe kann man einen Widerstand parallel zur LED schalten, z.B. 
10k.
Moderator (Firma: Titel) Persönliche Seite #7016711
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Ingo Less schrieb:
> Nimm mal ein reales Bauteils aus der Bibliothek, für MOS und LED.
Man kann das nicht oft genug erwähnen.

Alec schrieb:
> bei der LED :D
> Diese leutet im eingeschalteten Zustand normal, im ausgeschalteten
> allerdings auf halber Stärke.
In der Simulation oder in der Realität? Welche Bauteile hast du in der 
Realität? Passen die zu den Paramtern der Simulation? Welches Verhalten 
hast du in der Realität? Passt das zum Verhalten der Simulation?

> Siehe Anhang, grün Spannung am gate, rot Spannung über dem FET, blau
> Spannung über der LED.
Mit Labels im Schaltplan könntest du dir diese Legende sparen...
Gast #7016724
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APW schrieb:
> Heutige hocheffiziente LEDs glimmen schon deutlich bei den wenigen uA,
> die der FET im ausgeschalteten Zustand möglicherweise durchlässt.

Der Strom bei U_GS(th) ist genau definiert. Und wenn man es genauer 
wissen will, hilft nur ein Blick ins Datenblatt des MOSFETs. Mit 
"möglicherweise" hat das nichts zu tun, sondern hängt immer am konkreten 
Bauelement.  Damit die Simulation passt, muss man aber erstmal die 
Simulationsdaten für reale Bauteile verwenden. Sonst ist das alles nur 
Kaffeesatzleserei und ziemlich nutzlos.
Gast #7017231
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Hallo zusammen,

danke für den Input. Ihr hattet recht, die Simulation macht mit real 
parametrierten Bauteilen erst Sinn (und funktioniert dann auch wie 
usprünglich gedacht).

Und wenn man im Layout den korekten Footprint verwendet (GDS anstatt 
GSD) dann funktioniert auch der Rest :/

Danke, Sorry und Gruß
Alec

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