Hallo zusammen,
ich habe einen ähnlichen Thread zu meiner Frage gefunden. Da dieser aber
schon älter ist, schreibe ich an dieser Stelle einen neuen Beitrag:
Ich möchte eine höhere Spannung mit einem Mikrocontroller schalten.
Genauer gesagt, möchte ich mit den 3,3 V des uC 12 V schalten. Dieser
Ausgang kann dann mit bis zu 25 mA belastet werden.
Zuerst dachte ich an einen n-Channel MOSFET mit Pull-Up auf die 12 V.
Ich hätte also an Drain entweder 0 V (in Abhängigkeit vom
Spannungsabfall über Drain-Source) oder 12 V anliegen und müsste den
Pull-Up so auslegen, dass die 25 mA fließen können.
Sehe ich das richtig, dass ich bei dieser Variante aber auch immer den
Innenwiderstand der Last kennen muss, da dieser in Reihe zu meinem
Pull-Up ja ebenfalls den Strom begrenzt?
Ein Nachteil dieser Schaltung ist natürlich, dass der Strom auch im
„ausgeschalteten“ Zustand über den MOSFET abfließt. Deshalb würde sich
wohl eine Halbbrücke aus n- und p-Channel MOSFET anbieten. Allerdings
stellt sich auch hier die Frage, wie ich den Strom sinnvoll begrenze?
Im Voraus vielen Dank für die Unterstützung!
rr2205 schrieb:> Zuerst dachte ich an einen n-Channel MOSFET mit Pull-Up auf die 12 V.> Ich hätte also an Drain entweder 0 V (in Abhängigkeit vom> Spannungsabfall über Drain-Source) oder 12 V anliegen und müsste den> Pull-Up so auslegen, dass die 25 mA fließen können.
Genau das ist das Problem. Damit die 12V halbwegs an der Last ankommen,
müsste der Pull-Up Widerstand gegenüber dem Widerstand der Last
verschwindend klein ausfallen.
Es gibt - je nach Anwendung - deutlich besser geeignete Lösungen, z.B.
mit aktivem Pull-Up.
Vielleicht verrätst du einfach mal, was dein eigentliches Problem ist,
statt deine verkorkste Lösung zu erläutern.
rr2205 schrieb:> Zuerst dachte ich an einen n-Channel MOSFET mit Pull-Up auf die 12 V.> Ich hätte also an Drain entweder 0 V (in Abhängigkeit vom> Spannungsabfall über Drain-Source) oder 12 V anliegen und müsste den> Pull-Up so auslegen, dass die 25 mA fließen können.
Wozu einen Pull-Ub?
Warum "müssen" die "25mA" fließen?
Um eine höhere Spannung zu schalten, ist beides unnötig.....
Wolfgang schrieb:> Vielleicht verrätst du einfach mal, was dein eigentliches Problem ist,> statt deine verkorkste Lösung zu erläutern.
rr2205 schrieb:> Zuerst dachte ich an einen n-Channel MOSFET mit Pull-Up auf die 12 V.
Wie wäre es mit einem Schaltplan ? Bisher glaube ich an diesen Unsinn:
1
+12V
2
|
3
PullUp
4
|
5
+------------+
6
| |
7
uC--100R--+--|I N-MOSFET |
8
| |S 25mA Last
9
100k | |
10
| | |
11
GND ------+---+------------+
Einfacher wäre wohl, wenn der N-MOSFET die Masseleitung der Last trennt
1
+12V
2
|
3
25mA Last
4
|
5
uC--100R--+--|I N-MOSFET
6
| |S
7
100k |
8
| |
9
GND ------+---+
Denke daran, dass der MOSFET schon bei nur 3V am Gate voll durchschslten
muss, also so was wie ein IRLML2502 sein muss.
Man kann 25mA auch problemlos mit einen NPN Transistor schalten
1
+12V
2
|
3
25mA Last
4
|
5
uC--1k--|< BC547
6
|E
7
GND -----+
Wenn die 25mA Last aber noch andere Verbindungen in die Schaltung hat
und daher nicht einfach den Massekontakt verlieren darf, dann muss du
die +12V schalten mit einem P-MOSFET
1
+12V +12V
2
| |
3
10k |
4
| |S
5
+---|I P-MOSFET wie BS250
6
BC547 | |
7
uC--10k--|< 25mA Last
8
|E |
9
GND ------+----+
Einfacher geht es mit einen NPN/PNP Digitaltransistor
Zuerst einmal vielen Dank für die vielen Antworten schon so früh am
Samstag Morgen!:)
Nochmal meine Anforderungen zusammengefasst: ich möchte nach "außen"
einen digitalen Ausgang zur Verfügung stellen, der auf 12 V schaltet und
maximal 25 mA treiben kann. Oder anders ausgedrückt, ich möchte
vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald eine
Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen würde.
Die Last darf nicht von Masse getrennt werden, insofern kommen die
p-Channel-MOSFET- oder die Digitaltransistor-Lösung von MaWin mit
zusätzlicher Strombegrenzung am ehesten in Frage.
uns ja.. der Unsinn entspricht deinem ersten Schaltplan..
MaWin schrieb:> Wie wäre es mit einem Schaltplan ? Bisher glaube ich an diesen Unsinn:1> +12V> 2 |> 3 PullUp> 4 |> 5 +------------+> 6 | |> 7uC--100R--+--|I N-MOSFET |> 8 | |S 25mA Last> 9 100k | |> 10 | | |> 11GND ------+---+------------+
rr2205 schrieb:> Nochmal meine Anforderungen zusammengefasst: ich möchte nach "außen"> einen digitalen Ausgang zur Verfügung stellen, der auf 12 V schaltet und> maximal 25 mA treiben kann. Oder anders ausgedrückt, ich möchte> vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald eine> Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen würde.>> Die Last darf nicht von Masse getrennt werden.
Nimm einfach einen geeigneten kleinen LDO mit Enable-Eingang als
High-Side-Switch.
Bei einem einstellbaren LDO legt man hierzu (normalerweise) das ADJ-Pin
auf GND. Dann schaltet der Ausgang maximal möglich durch.
Zum Beispiel bei einem MIC5233 (100 mA) wäre die Dropout-Spannung bei 50
mA typisch 230 mV, bei 25 mA knapp weniger.
Im Kurzschlussfall würde der Strom beim MIC5233 auf typisch 190 mA
begrenzt werden, wobei der Ausgang nach kürzester Zeit thermisch
geschützt abschaltet (und nach dem Abkühlen wieder einschaltet).
rr2205 schrieb:> Nochmal meine Anforderungen zusammengefasst: ich möchte nach "außen"> einen digitalen Ausgang zur Verfügung stellen, der auf 12 V schaltet und> maximal 25 mA treiben kann. Oder anders ausgedrückt, ich möchte> vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald eine> Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen würde.
Möchtest du eine elektronische Strombegrenzung für deinen Ausgang?
rr2205 schrieb:> ich möchte vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald> eine Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen> würde.
So so, wie viele Salamischeiben hat die Wurst ?
Dann brauchst du eine Strombegrenzung die haben die Schaltungen nicht.
Es gibt so was als 1 IC, NCV47722 hat alles drin.
Oder man baut selbst, dann kommen bei 25mA aber nur ungefähr 11V raus.
1
+12V +12V
2
| |
3
| 22R
4
E| |
5
BC556 >|------+
6
| |E
7
+-------|< BC556
8
| |
9
10k |
10
|BC547 |
11
uC--10k--+--|< 25mA Last
12
| |E |
13
v 47k | |
14
| | |
15
GND -----+---+--------+
Die 31mA x 12V = 0.38W im Kurzschlussfall hält ein BC556 aus.
Wolfgang schrieb:> Möchtest du eine elektronische Strombegrenzung für deinen Ausgang?
Ich befürchte, er glaubt weil der µC-Ausgang nur 25mA treiben kann, er
auch nur 25mA aus den 12V ziehen darf/kann!?
rr2205 schrieb:> Allerdings> stellt sich auch hier die Frage, wie ich den Strom sinnvoll begrenze?
ich dachte, das auch schon in meinem ersten Eintrag ausgedrückt zu
haben, hätte es aber wohl deutlicher beschreiben sollen.
Teo D. schrieb:> Ich befürchte, er glaubt weil der µC-Ausgang nur 25mA treiben kann, er> auch nur 25mA aus den 12V ziehen darf/kann!?
nein, ich habe die Spannungsversorgung auf meinem Board auf einen
bestimmten Strom ausgelegt. Dazu muss ich aber sicherstellen, dass
keiner der digitalen Ausgänge aus den 12 V mehr Strom zieht als
vorgesehen. Insofern muss der Strom hier entsprechend begrenzt werden.
rr2205 schrieb:> Teo D. schrieb:>> Ich befürchte, er glaubt weil der µC-Ausgang nur 25mA treiben kann, er>> auch nur 25mA aus den 12V ziehen darf/kann!?>> nein, ich habe die Spannungsversorgung auf meinem Board auf einen> bestimmten Strom ausgelegt. Dazu muss ich aber sicherstellen, dass> keiner der digitalen Ausgänge aus den 12 V mehr Strom zieht als> vorgesehen. Insofern muss der Strom hier entsprechend begrenzt werden.
Wird immer schwurbliger....
Wenn Du das "musst", dann musst Du das. Nur helfen mach so keinen Spas!
Schneide die Salami wenigsten von vorne an und erzähle mal, was das
Ganze ist/werden soll, welcher Sinn dahinter steckt!
rr2205 schrieb:> ich dachte, das auch schon in meinem ersten Eintrag ausgedrückt zu> haben, hätte es aber wohl deutlicher beschreiben sollen.
Ich möchte einen digitalen Ausgang auf 12 V schalten, dessen Strom auf
25 mA begrenzt ist. Was ist daran "schwurblig"?
rr2205 schrieb:> Ich möchte eine höhere Spannung mit einem Mikrocontroller schalten.> Genauer gesagt, möchte ich mit den 3,3 V des uC 12 V schalten. Dieser> Ausgang kann dann mit bis zu 25 mA belastet werden.
Muss rail-to-rail sein?
Wie hoch ist die Schaltfrequenz?
es ist tatsächlich nicht mehr.. ein Board, das eine gewisse Anzahl an
digitalen Ausgängen hat, die mit der genannten Spezifikation schalten.
Und der Wunsch der Strombegrenzung ergibt sich daraus, dass das Board
nicht aussteigen soll, auch wenn ungeeignete Komponenten angeschlossen
werden, die mehr Strom ziehen als zur Verfügung steht.
rr2205 schrieb:> keiner der digitalen Ausgänge
MaWins NCV47722 gibt es auch mit 2 Schaltern im gleichen Gehäuse als
NCV47822. Das dürften ungefähr die optimalen Treiber für so kleine
Ströme sein, z.B. haben die keinen N-Kanal-Schalter und brauchen keine
Ladungspumpe. Und angeblich hat Mouser sogar welche.
MaWin schrieb:> rr2205 schrieb:>> ich möchte vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald>> eine Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen>> würde.
MaWin hat es doch schon beschrieben:
> Oder man baut selbst, dann kommen bei 25mA aber nur ungefähr 11V raus.>
OK. Dann bau halt ne simple KSQ mit nem NPN-Transistor dran. Da geht
halt ~1V verloren, aber bei 12V und nur <25mA, sollte das die wenigsten
"Verbraucher" kratzen.
PS: Nur weil jeder Port deines µCs 25mA ab kann, gild das in Summe, noch
lange nicht für den gesamten µC!
rr2205 schrieb:> nein, ich habe die Spannungsversorgung auf meinem Board auf einen> bestimmten Strom ausgelegt. Dazu muss ich aber sicherstellen, dass> keiner der digitalen Ausgänge aus den 12 V mehr Strom zieht als> vorgesehen. Insofern muss der Strom hier entsprechend begrenzt werden.
mir geht es ja nicht um den Mikrocontroller. Der schaltet ja nur die
Transistoren, welche auch immer das sein werden am Ende. Mir geht es um
die generelle Spannungsversorgung meines Boards, die ja nur einen
begrenzten Strom liefern kann, sei es ein Schalt- und/oder Linearregler.
Die digitalen Ausgönge werden ja über diese 12 V versorgt.
Eigentlich bin ich ja auch derjenige, der die Verbaucher anschließt und
kann das natürlich auch einfach entsprechend berücksichtigen, also
nichts anschließen, das zu viel Strom zieht. Die optimale Variante wäre
aber natürlich die Strombegrenzung an den digitalen Ausgängen.
rr2205 schrieb:> einen digitalen Ausgang auf 12 V schalten,rr2205 schrieb:> eine gewisse Anzahl an digitalen Ausgängen hatrr2205 schrieb:> Was ist daran "schwurblig"?
Unter Anderem...
Gruss Chregu
rr2205 schrieb:> Ich möchte einen digitalen Ausgang auf 12 V schalten, dessen Strom auf> 25 mA begrenzt ist. Was ist daran "schwurblig"?
Ein digitaler Ausgang kennt Logikpegel und die sind irgendwie definiert
(z.B. als Spannungsbereiche (oder Spannungsbereiche an einer bestimmten
Leitungsimpedanz). So etwas wie Strom von max 25mA gibt es nicht als
digitale Pegeldefinition. Was soll mit dem Logikpegel passieren, wenn
die 25mA-Grenze überschritten wird?
Das ist mit "schwurbelig" gemeint.
Was ist dein eigentliches Problem?
Wolfgang schrieb:> So etwas wie Strom von max 25mA gibt es nicht als> digitale Pegeldefinition.
Nicht gerade 25, aber 20 oder 60mA waren mal sehr beliebt.
Bauform B. schrieb:> Nicht gerade 25, aber 20 oder 60mA waren mal sehr beliebt.
Dann aber als Stromschleife und nicht als Spannungsausgang mit
Strombegrenzung.
Ein Kommentar schrieb:> Ein weiterer Vorschlag - ein LED Treiber, bei dem die LED zwischen> Ausgang und Masse liegt.
Am Ende geht es hier vielleicht nur um LED-Lasten. Da reicht ein simpler
Vorwiderstand als Strombegrenzer, den die LED sowieso nötig hätte ...
rr2205 schrieb:> Nochmal meine Anforderungen zusammengefasst: ich möchte nach "außen"> einen digitalen Ausgang zur Verfügung stellen, der auf 12 V schaltet und> maximal 25 mA treiben kann. Oder anders ausgedrückt, ich möchte> vermeiden, dass meine Spannungsversorgung einbricht, sobald eine> Komponente angeschlossen wird, die einen höheren Strom ziehen würde.
Es gibt doch mehrere Ausgänge? Wäre es dann nicht praktischer, den
Gesamtstrom zu begrenzen? Das könnte dann ein einfacher LDO übernehmen.
Und schalten würde man ganz primitiv mit P-Kanal-FETs.
Hallo zusammen,
ich wollte mich an dieser Stelle nochmals für die Vielzahl an Antworten
bedanken. Vorerst habe ich entschieden auf die Strombegrenzung zu
verzichten. Somit entscheide ich mich für den folgenden Vorschlag,
behalte die Ansätze zur Strombegrenzung aber im Hinterkopf:
MaWin schrieb:> Einfacher geht es mit einen NPN/PNP Digitaltransistor1 +12V> +12V> 2 | |> 3 47k |> 4 | |S> 5 +-------|< PUMD10> 6 | |> 7 2k2 |> 8 | |> 9uC--2k2--+--|< |> 10 | |E 25mA Last> 11 47k | |> 12 | | |> 13GND -----+---+--------+
Das einzige was ich vielleicht noch überlege ist, den Ausgang mit einer
TVS-Diode gegen ESD abzusichern, was ja bei einem rausgeführten
Kollektor sicher nicht verkehrt ist, oder wie seht ihr das?
rr2205 schrieb:>> 5 +-------|< PUMD10
Ich würde vor allem noch einen Widerstand spendieren, um nicht worst
case fast 8 mA durch den Basis-Vorwiderstand des PNP-Transistors zu
verbraten. Oder, wenn es ein Doppeltransistor sein soll, über sowas wie
DMC3400 nachdenken, verbraucht statisch praktisch nichts und benötigt
maximal 2 Widerstände extern. Der ist gerade nirgendwo lieferbar, aber
es gibt sicher noch ähnliche Doppel-FETs.
Ich hätte doch noch zwei Verständnisfragen zu den Vorschlägen von MaWin:
MaWin schrieb:> Wenn die 25mA Last aber noch andere Verbindungen in die Schaltung hat> und daher nicht einfach den Massekontakt verlieren darf, dann muss du> die +12V schalten mit einem P-MOSFET1 +12V +12V> 2 | |> 3 10k |> 4 | |S> 5 +---|I P-MOSFET wie BS250> 6 BC547 | |> 7uC--10k--|< 25mA Last> 8 |E |> 9GND ------+----+
Was spricht hier für den Bipolar-Transistor, der das Gate des p-Channel
MOSFETs auf Masse zieht? Ließe sich hier nicht auch ein n-Channel MOSFET
verwenden? Dann könnte ich, wie von Dieter R. vorgeschlagen, einen
Doppel-FET verwenden. Allgemein muss ich gestehen, dass mir die Vor-
bzw. Nachteile durch die Verwendung von BJTs oder MOSFETs nicht ganz
klar sind.
MaWin schrieb:> 1 +12V +12V> 2 | |> 3 47k |> 4 | |S> 5 +-------|< PUMD10> 6 | |> 7 2k2 |> 8 | |> 9uC--2k2--+--|< |> 10 | |E 25mA Last> 11 47k | |> 12 | | |> 13GND -----+---+--------+
Und die zweite Frage: wieso benötige ich bei Verwendung einen
pnp-Transistors ebenfalls einen vorgeschalteten npn-Transistor? Würde
ein entsprechend hoher negativer Basisstrom nicht auch ausreichen, um
den pnp in Sättigung zu betreiben? Eigentlich dachte ich, dass der
Verzicht auf eine zusätzliche "Treiber-Schaltung" der große Vorteil
gegenüber der Verwendung einen p-Channel MOSFETs ist.
rr2205 schrieb:> Was spricht hier für den Bipolar-Transistor, der das Gate des p-Channel> MOSFETs auf Masse zieht? Ließe sich hier nicht auch ein n-Channel MOSFET> verwenden?
Selbstverständlich kann ein N-Channel-FET anstelle des BJT verwendet
werden. DMC3400 ist ein komplementäres FET-Paar. Der N-Channel-FET
ersetzt den BJT, die 12V schaltet der P-Channel-FET.
https://www.diodes.com/assets/Datasheets/DMC3400SDW.pdf
Der ist gerade nicht lieferbar, bei Digikey gibt es z. B. mindestens ein
Dutzend ähnlicher Typen je nach gewünschtem On-Widerstand und Gehäuse.
rr2205 schrieb:> Was spricht hier für den Bipolar-Transistor,
Dessen Eigenheit, dass er bei geringer Spannung zuverlässig schaltet.
Dieter R. schrieb:> Selbstverständlich kann ein N-Channel-FET anstelle des BJT verwendet> werden.
Kann nur, soweit er geeignet ist. LL-FETs, die bei 3V U(GS) definiert
schalten gibt es, aber die Auswahl ist begrenzt.
> DMC3400 ist ein komplementäres FET-Paar.
Für die Ansteuerung mit einem 3V3-µC unpassend.
> Der ist gerade nicht lieferbar,
Das spricht eindeutig für diesen Typ!
Ein NPN BC_irgendwas / 2N_sonstwas lässt sich einfacher beschaffen und
ein P-FET für die 12V-Seite ist auch beschaffbar.
Manfred schrieb:> Ein NPN BC_irgendwas / 2N_sonstwas lässt sich einfacher beschaffen und> ein P-FET für die 12V-Seite ist auch beschaffbar.
Da mehrere Ausgänge geschaltet werden sollen, kann ein ULN2003A bis zu 7
NPN Transistoren + Basiswiderstände ersetzen.
rr2205 schrieb:> Was spricht hier für den Bipolar-Transistor, der das Gate des p-Channel> MOSFETs auf Masse zieht?
Er reicht und ist billig.
> Ließe sich hier nicht auch ein n-Channel MOSFET> verwenden? Dann könnte ich, wie von Dieter R. vorgeschlagen, einen> Doppel-FET verwenden.
Erst mal kriegen, LogicLevel müsster er auch sein. Funktionieren würde
es (richtig gemacht) schon
rr2205 schrieb:> Und die zweite Frage: wieso benötige ich bei Verwendung einen> pnp-Transistors ebenfalls einen vorgeschalteten npn-Transistor
Irgendwie muss die Pegelwandlung auf 12V erfolgen. Wenn deine Schaltung
schon echte open collector Ausgänge hätte, also bei Anschluss eines pull
up auf 12V hochgeht, ginge es ohne.
Manfred schrieb:>> DMC3400 ist ein komplementäres FET-Paar.>> Für die Ansteuerung mit einem 3V3-µC unpassend.
Begründung? Reicht dir VGS(TH)max = 1,6V und IDtyp = 0,8A bei VGS = 3V
nicht, um einen popeligen Kleinleistungs-P-Channel-FET anzusteuern?
Wenn der TO noch seine üblichen Bezugsquellen mitteilen würde, könnte
man ihm auch helfen, dort etwas lieferbares zu finden.
rr2205 schrieb:> wieso benötige ich bei Verwendung einen> pnp-Transistors ebenfalls einen vorgeschalteten npn-Transistor? Würde> ein entsprechend hoher negativer Basisstrom nicht auch ausreichen, um> den pnp in Sättigung zu betreiben?
In Sättigung zu treiben schon, aber du willst den PNP-Transistor ja auch
mal sperren. Dann brauchst du an der Basis des PNP annähernd +12V.
Troster schrieb:> Da mehrere Ausgänge geschaltet werden sollen, kann ein ULN2003A bis zu 7> NPN Transistoren + Basiswiderstände ersetzen.
In der Ursprungsfrage steht "eine höhere Spannung", da sehe ich keine
Mehrzahl. Sein Sinn ist begrenzt, da pro Kanal noch ein P-Transistor
dran muß.
Dieter R. schrieb:>>> DMC3400 ist ein komplementäres FET-Paar.>> Für die Ansteuerung mit einem 3V3-µC unpassend.> Begründung? Reicht dir VGS(TH)max = 1,6V und IDtyp = 0,8A bei VGS = 3V> nicht,
Angemeldet seit 04.10.2007
Beiträge 1306
und keinen der dutzenden Beiträge zum FET gelesen, schlimm. Ich begründe
das nicht, weil es dazu schon drölfundschwanzich Threads gibt.
Manfred (anonymer Gast) schrieb:> und keinen der dutzenden Beiträge zum FET gelesen, schlimm. Ich begründe> das nicht, weil es dazu schon drölfundschwanzich Threads gibt.
Oh, bitte, lass mich an dem geheimen Wissen teilhaben, das du aus den
Tiefen dieses Forums schöpfst.
Ich halte mich derweil an Datenblatt, Simulation und praktische
Realisierung. Aus allen drei ist zu entnehmen, dass es sicher
funktioniert. Was in irgendwelchen Faselthreads dazu stand, entzieht
sich leider meiner Kenntnis.
Dieter R. schrieb:> Ich halte mich derweil an Datenblatt,
So so, mir scheint eher, du kannst solch technische Angaben nicht lesen,
denn in dem steht zu
ON CHARACTERISTICS
Gate Threshold Voltage VGS(TH) 0.8 - 1.6 V VDS = VGS, ID = 250μA
Static Drain-Source On-Resistance RDS(ON)
- 0.2 0.4 Ω
VGS = 10V, ID = 0.59A
- 0.3 0.7 VGS = 4.5V, ID = 0.2A
Also deutlich: ein RDS(on) wird nur für 4.5V UGS garantiert, nicht
dadrunter.
Zudem steht dort, dass er unterhalb 0.8V sicher sperrt, manche Exemplare
aber auch schon bei 1.6V, also alle Angaben zu UGS mit 1:2 Toleranz,
oder Faktor 0.707 bis 1.414, aufzufassen sind.
Ja, beim doppelten von 1.6V, also 3.2V im schlechtesten Fall, wird er
nicht mehr ganz sperren, also genug Strom durch lassen fur einen pull
up, aber zusagen dass es funktioniert tut GERADE DAS DATENBLATT dir das
nicht.
MaWin schrieb:> Dieter R. schrieb:>> Ich halte mich derweil an Datenblatt,>> So so, mir scheint eher, du kannst solch technische Angaben nicht lesen,> denn in dem steht zu>> ON CHARACTERISTICS>> Gate Threshold Voltage VGS(TH) 0.8 - 1.6 V VDS = VGS, ID = 250μA
Ach, Mawin der soundsovielte, anonymer Vielschreiber mit unreflektierten
Schnellschüssen. Ich kann nicht nur lesen, ich kann sogar rechnen. Nimm
einen Pull-Up von 47 kOhm. Das reicht für die Applikation des TO. Es
geht aber auch niederohmiger, bei Worst Case 1,6V ist schließlich noch
eine Menge Reserve.
Merke: die Definition für VGS(TH) sollte man schon GENAU lesen. Sie ist
NICHT in jedem Datenblatt gleich.
Der einfache LDO-Vorschlag (als High-Side-Switch) scheint ja nicht zu
gefallen.
Wenn der Ausgangsstrom wirklich auf möglichst genau 25 mA begrenzt
werden soll, kommt auch eine High-Side-Stromquelle in Frage (wie ja
schon vorgeschlagen). Allerdings gibt es von dieser Sorte nicht
allzuviele.
Wenn man bei z. B. einem FAN5640 beide Ausgänge parallel schaltet und
den String-Strom per Rext = 10 kOhm auf ca. 13 mA einstellt, ist der
Ausgangsstrom maximal 26 mA und die Dropout-Spannung dann ca. 1,2V.
Falls die Last < 415 Ohm wird, sinkt die Ausgangsspannung entsprechend
und die Verluste im FAN5640 steigen auf maximal ca. 0,3W im
Kurzschlussfall (für das SC70-6 gerade so am Limit, bevor der thermische
Schutz greift).
Vielleicht ist das ja eine Lösung.
Manfred schrieb:> Troster schrieb:>> Da mehrere Ausgänge geschaltet werden sollen, kann ein ULN2003A bis zu 7>> NPN Transistoren + Basiswiderstände ersetzen.>> In der Ursprungsfrage steht "eine höhere Spannung", da sehe ich keine> Mehrzahl. Sein Sinn ist begrenzt, da pro Kanal noch ein P-Transistor> dran muß.>> Dieter R. schrieb:>>>> DMC3400 ist ein komplementäres FET-Paar.>>> Für die Ansteuerung mit einem 3V3-µC unpassend.>> Begründung? Reicht dir VGS(TH)max = 1,6V und IDtyp = 0,8A bei VGS = 3V>> nicht,>> Angemeldet seit 04.10.2007> Beiträge 1306>> und keinen der dutzenden Beiträge zum FET gelesen, schlimm. Ich begründe> das nicht, weil es dazu schon drölfundschwanzich Threads gibt.
Ja ja, der Manfred! Anderen vorzuwerfen, daß sie keine Beiträge lesen,
aber selbst auch nur den ersten Beitrag als Referenz herzunehmen.
rr2205 schrieb:> rr2205 schrieb:>> nein, ich habe die Spannungsversorgung auf meinem Board auf einen>> bestimmten Strom ausgelegt. Dazu muss ich aber sicherstellen, dass>> keiner der digitalen Ausgänge aus den 12 V mehr Strom zieht als>> vorgesehen. Insofern muss der Strom hier entsprechend begrenzt werden.>> mir geht es ja nicht um den Mikrocontroller. Der schaltet ja nur die> Transistoren, welche auch immer das sein werden am Ende. Mir geht es um> die generelle Spannungsversorgung meines Boards, die ja nur einen> begrenzten Strom liefern kann, sei es ein Schalt- und/oder Linearregler.> Die digitalen Ausgönge werden ja über diese 12 V versorgt.>> Eigentlich bin ich ja auch derjenige, der die Verbaucher anschließt und> kann das natürlich auch einfach entsprechend berücksichtigen, also> nichts anschließen, das zu viel Strom zieht. Die optimale Variante wäre> aber natürlich die Strombegrenzung an den digitalen Ausgängen.
Hieraus geht eindeutig hervor, daß es um mehr als einen Ausgang geht.
bitte entschuldigt die verspätete Antwort.
Troster schrieb:> Hieraus geht eindeutig hervor, daß es um mehr als einen Ausgang geht.
Ich werde auf meinem Board mehrerer dieser "Ausgänge" haben, wobei die
genaue Anzahl noch nicht feststeht.
Ich hätte allerdings noch eine ergänzende Frage, auch wenn mir dann
vielleicht wieder vorgeworfen wird, "salamischeibenweise" vorzugehen.
Zum Teil kommen weitere Fragen aber auch erst in der Diskussion auf:
Alle Vorschläge, sind ja jetzt so ausgelegt, dass ich aktiv auf die hohe
Spannung schalte und der Ausgang ohne zusätzlichen Pull-Down floatet,
wenn ich auf "Low" schalte. Sofern ich aber in beiden Schaltzuständen
einen definierten Ausgangszustand möchte, wie wäre es dann mit folgender
Lösung: ich verbinde die Drain-Anschlüsse eines n- und eines
p-Channel-MOSFETs, was gleichzeitig den Ausgang darstellt. Wie hier
bereits mehrfach vorgeschlagen, schalte ich den p-Channel mit einem
vorgeschalteten BJT und muss noch eins der Gate-Signale invertieren, da
sonst immer beide MOSFETs gleichzeitig durchschalten. Wäre das, wenn
auch aufwändig, prinzipiell auch ein Lösungsansatz?
Wenn ihr mir verratet, wie ich diese Schaltbilder erzeuge, würde ich
noch ein Schaltbild ergänzen.
rr2205 schrieb:> Wenn ihr mir verratet, wie ich diese Schaltbilder erzeuge, würde ich> noch ein Schaltbild ergänzen.
Mit Bleistift und Papier... Nur so z.B.
Gruss Chregu
rr2205 schrieb:> Wenn ihr mir verratet, wie ich diese Schaltbilder erzeuge, würde ich> noch ein Schaltbild ergänzen.
Du könntest das kurz in ASCII hinmalen. Dann die [pre]-Tags nicht
vergessen...
rr2205 schrieb:> Alle Vorschläge, sind ja jetzt so ausgelegt, dass ich aktiv auf die hohe> Spannung schalte und der Ausgang ohne zusätzlichen Pull-Down floatet,> wenn ich auf "Low" schalte.
So ist das in den richtigen Industrieanlangen und deren Schaltausgängen
üblich.
> Sofern ich aber in beiden Schaltzuständen einen definierten Ausgangszustand >
möchte
Dann bauchst du zusätzlich zum Highside-Treiber noch einen Lowside-Fet.
Die beiden sollten beim Umschalten übrigens nicht gleichzeitig aktiv
sein, sonst gibt das jedesmal für ein paar µs/ms einen Kurzschluss.
Deshalb musst du da für eine Totzeit sorgen, dass der jeweils andere
sicher ausgeschaltet ist, vor du einen der beiden Fets einschaltest.
Das Ganze nennt sich dann auch "Halbbrücke" und deshalb findest du mit
"half bridge driver" dann schnell passende Treiberbauteine. Falls du
keine PWM machen willst, solltest du aber drauf achten, dass der Treiber
für statische Ansteuerung geeignet ist.
rr2205 schrieb:> Alle Vorschläge, sind ja jetzt so ausgelegt, dass ich aktiv auf die hohe> Spannung schalte und der Ausgang ohne zusätzlichen Pull-Down floatet,> wenn ich auf "Low" schalte.
Für einen strombegrenzten Push/Pull-Ausgang kannst du bei meinem
FAN5640-Vorschlag die Last mit einem N-Kanal-MOSFET per invertiertem
EN-Signal kurzschließen. Beim Umschalten können kurzzeitig maximal die
eingestellten 26 mA fließen.
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschalten