Hallo!
Kann mir jmd erklären was der Unterschied zwischen Steuerkreis und
Hauptkreis bei einem MOSFET ist? Der MOSFET soll als Schalter eingesetzt
werden.
Soweit ich verstehe ist der Steuerkreis der, der den Transistor
"aktiviert" also die nötige Steuerspannung aufgibt, damit Strom von
Source zu Drain kann.
Und Hauptkreis ist der Kreis durch den Strom durch die steuernden
Komponenten fließt?
Ich habe auch ein Datenblatt angehängt, aber verstehe nicht, wie man
daraus die unterschiedlichen Verhalten zwischen Steuer und Hauptkreis
entnehmen kann.
Danke!
kitkit schrieb:> Kann mir jmd erklären was der Unterschied zwischen> Steuerkreis und Hauptkreis bei einem MOSFET ist?> Der MOSFET soll als Schalter eingesetzt werden.
???
> Soweit ich verstehe ist der Steuerkreis der, der den> Transistor "aktiviert" also die nötige Steuerspannung> aufgibt, damit Strom von Source zu Drain kann.
Richtig.
> Und Hauptkreis ist der Kreis durch den Strom durch die> steuernden Komponenten fließt?
??? Der "Hauptkreis" ist der, der die Last enthält.
Allerdings ist es zwar nicht falsch, aber unüblich, bei
elektronischen Bauteilen von "Hauptkreis" und "Steuerkreis"
zu sprechen.
> Ich habe auch ein Datenblatt angehängt, aber verstehe> nicht, wie man daraus die unterschiedlichen Verhalten> zwischen Steuer und Hauptkreis entnehmen kann.
Gar nicht.
Man muss VOR der Lektüre des Datenblattes WISSEN, dass der
Laststrom durch die Drain-Source-Strecke fließt.
Gesteuert wird mit der Gate-Spannung, die zwischen Gate und
Source anliegt.
okay evtl. hab ich mich etwas schlecht ausgedrückt..
Im Prinzip möchte ich einfach nur wissen wie viel Steuerspannung ich
brauche um xy viel Strom von Source zu Drain fließen zu lassen. Am
besten wäre irgednein Zusammenhang in einem Graphen oder so, aber mir
fällt es schwer das Datenblatt zu lesen.
ich hätte aber gesagt, dass mir Fig. 3 die Info gibt die ich brauche?
kitkit schrieb:> ich hätte aber gesagt, dass mir Fig. 3 die Info gibt die ich brauche?
"typical" heißt, muß nicht auf Dein Exemplar zutreffen.
Wichtig ist jedoch die Angabe VGS=10V bei den Leitparametern, d.h. ab
10V ist der FET garantiert leitend.
kitkit schrieb:> Im Prinzip möchte ich einfach nur wissen wie viel> Steuerspannung ich brauche um xy viel Strom von Source> zu Drain fließen zu lassen.
Das klingt nach Linearbetrieb, und dafür sind moderne FETs
in der Regel nicht vorgesehen. Kann trotzdem funktionieren,
muss aber nicht.
Typisch ist der Schalterbetrieb, bei dem die Außenbeschaltung
die Höhe des fließenden Stromes diktiert. Der FET kann nur
festlegen, OB der Strom fließt oder nicht.
> Am besten wäre irgednein Zusammenhang in einem Graphen> oder so, aber mir fällt es schwer das Datenblatt zu lesen.>> ich hätte aber gesagt, dass mir Fig. 3 die Info gibt die> ich brauche?
Ja, die Diagramme 3 bis 5 enthalten, wonach Du fragst.
kitkit schrieb:> Kann mir jmd erklären was der Unterschied zwischen Steuerkreis und> Hauptkreis bei einem MOSFET ist?
Siehe das angehängte Bild aus
http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf
Links habe ich den Steuerkreis grün markiert, rechts den Hauptkreis in
rosa.
> Im Prinzip möchte ich einfach nur wissen wie viel Steuerspannung> ich brauche
Ich stimme den vorherigen Antworten zu. Es ist leider nicht ganz so
einfach am Diagramm abzulesen. Lies dir einfach mal den Rest des
Kapitels 2.2.2 durch. Dort ist die Vorgehensweise erklärt.
kitkit schrieb:> Im Prinzip möchte ich einfach nur wissen wie viel Steuerspannung ich> brauche um xy viel Strom von Source zu Drain fließen zu lassen.
Fehlen da im Satz ein oder zwei "mindestens"?
Die 409 Ampere aus der Werbe-Ecke des Datenblattes solltest du aber
nicht ernst nehmen. Ich frage mich gerade, ob die Chiphersteller
inzwischen auf PMPO Angaben gewechselt haben.
Bei 409 Ampere verglühen dir vermutlich die Anschlüsse des Transistors.
Selbst den 195 Ampere "Continuous Current" traue ich nicht. Denn
0,0013Ω · 195 A · 195 A = 49 Watt (dazu kommt die Abwärme der
Anschlüsse)
Nach meinem Kenntnisstand kann man mit normalen Kühlkörpern max. 20 Watt
abführen. Mit extremem Aufwand (Wasserkühlung, Peltier, Trockeneis, oder
so) vielleicht das doppelte. Aber sicher keine 50+ Watt. Das scheitert
schon am Übergangswiderstand zwischen Transistor und Kühlkörper.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Bei 409 Ampere verdampfen dir die Anschlüsse des Transistors.
Es steht bereits im Datenblatt, wie dieser Wert zu nehmen ist.
>> Selbst den 195 Ampere "Continuous Current" traue ich nicht. Denn
Doch, eben das schafft dieser schon.
Auch da steht klar im Datenblatt, wie das zu nehmen ist.
Denn es sit User-Problem, da Tc= 25C einzuhalten -- die Praxis:
>> 0,0013Ω · 195 A · 195 A = 49 Watt
Und auch da hast Du gepennt.
es sind sind nicht 1.3 mΩ bei continous, sondern entsprechend der Zeit
mehr vgl. Fig. 6 des DaBla. Eben so Richtung ca. 2.1 mΩ für
Grenzmuster.
Aber diese Diskussion haben wir hier im Forum ja jedesmal bei FET als
Schalttransistoren.
Andrew T. schrieb:> es sind sind nicht 1.3 mΩ bei continous, sondern entsprechend der Zeit> mehr vgl. Fig. 6 des DaBla.
Danke für den Hinweis. Ja, ich hatte vergessen, diesen Effekt
einzubeziehen. Der Transistor verträgt in der Praxis also noch viel
weniger Strom als die 195 Ampere.
Peter D. schrieb:> Lt. Datenblatt sind 375W möglich.
Wie gesagt: nur unter unrealistischen Bedingungen.
Wie soll das gehen? Der Transistor hat schon 0,9°C/W
Übergangswiderstände, was bei 375 Watt, 40°C Umgebungstemperatur und
einem unendlich großen Kühlkörper satte 378°C ergibt.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Wie soll das gehen?
Indem man das Datenblatt liest, und es VERSTEHT.
Nochmal für dich:
0.4 C/W junction to case. UND max. 175 C junction temperatur:
So wird das weltweit gerechnet. Von allen Halbleiterherstellern.
Und ja, es ist ein Rechenwert. Das wissen alle, die solche Datenblätter
regelmäßig nutzen.
Und im Forum erklären wir es alle 2 Wochen neu.
Und ja, in der Praxis und einem 1K/W Kühlkörper bringt man bis Tu <=
40C
Ptot = 60W mit etwas Sicherheitsmarge bei diesem Transistor weg.
Ob das reicht, muss der TE bedenken -- nur er kennt seien Anwendung.
Andrew T. schrieb:> Indem man das Datenblatt liest, und es VERSTEHT.> Nochmal für dich
Du must mir das nicht erklären. Ich weiß dass die Angabe im Datenblatt
unrealistisch ist, deswegen wies ich darauf hin.
Andrew T. schrieb:> 0.4 C/W junction to case. UND max. 175 C junction temperatur
D.h. man muß daß Gehäuse nur auf 25°C kühlen und schon schafft man die
375W.
Da -55°C erlaubt sind, müßten sogar 575W gehen.
Peter D. schrieb:> Andrew T. schrieb:>>> 0.4 C/W junction to case. UND max. 175 C junction temperatur>> D.h. man muß daß Gehäuse nur auf 25°C kühlen und schon schafft man die> 375W.> Da -55°C erlaubt sind, müßten sogar 575W gehen.
Klappt nicht, der Bonddraht zum Source ist nicht so gut thermisch
angebunden.
Stefan ⛄ F. schrieb:> Andrew T. schrieb:>> Indem man das Datenblatt liest, und es VERSTEHT.>> Nochmal für dich>> Du must mir das nicht erklären. Ich weiß dass die Angabe im Datenblatt> unrealistisch ist, deswegen wies ich darauf hin.
Doch, Dir muß man das ewig erklären, da Du ja immer wieder mit dem
Blödsinn kommst. Du kannst noch nicht mal die 0,4K/W aus dem DB richtig
lesen, und behauptest was von 0,9K/W.
Wie Andrew T. schon schrieb, das sind Kenn-/Rechenwerte, anhand derer
man alles Nötige für die Praxis errechnen kann. Kein Mensch behauptet,
daß man die Werte pure und bedingungslos so in der Praxis nutzen kann.
