Ich habe in einer Schaltung einen Hi-Side P-Kanal MOSFET als "Schalter", der von einem Mikrocontroller angesteuert wird. Das funktioniert soweit auch gut. Zum Kontext: Geschaltet werden 5-10V, die Schaltspannung ist im Bereich von 3-4V bezogen auf dasselbe Massepotential. Nun möchte ich dasselbe machen, aber möchte höhere Schaltgeschwindigkeiten erreichen (so im 100kHz-Bereich). Mein Verständnis ist nun, dass t(on) ok sein wird, aber t(off) langsam, da die Gate-Kapazität nur über den Gate-Source-Widerstand "umgeladen" werden wird. Wie kann ich diese Schaltgeschwindigkeit erhöhen? Klar kann ich den Widerstand verkleinern, aber auch da gibt es Grenzen... Einerseits hatte ich die Idee, einen Kondensator zu verwenden, um den Gleichspannungsanteil zu "entkoppeln". Aber das stelle ich mir nicht so einfach vor, da die Periodendauer variabel sein soll. Gibt es da "Standardlösungen"?
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switcher schrieb: > Wie kann ich diese Schaltgeschwindigkeit erhöhen? Klar kann ich den > Widerstand verkleinern, aber auch da gibt es Grenzen... switcher schrieb: > Gibt es da "Standardlösungen"? Nimm einen MOSFET-Treiber
switcher schrieb: > Wie kann ich diese Schaltgeschwindigkeit erhöhen? Mit einer push pull Endstufe. switcher schrieb: > Gibt es da "Standardlösungen"? MOSFET Treiber, du brauchst einen, dessen UVLO unter 4.6V liegt.
Es gibt sogar Gate-Treiber mit eingebauter Ladungspumpe, so daß man einen billigeren und besseren N-MOSFET als HiSide Switch verwenden kann. Nur darauf achten, keinen mit Boost-Kondensator zum Ausgang zu nehmen, die sind nicht für statische Ansteuerung geeignet, sondern erfordern ständiges Schalten, wie z.B. in Schaltwandlern.
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DIY ist mit npn und pnp als Treiber. Besser gehts mit integriertem Mosfet-Treiber wie z.B. UCC27518, der dürfte hier reichen.
Helge schrieb: > DIY ist mit npn und pnp als Treiber. Besser gehts mit integriertem > Mosfet-Treiber wie z.B. UCC27518, der dürfte hier reichen. Den PNP kann man auch durch eine Diode ersetzen, da der NMOSFET schon ausreichend nach GND zieht.
Danke für alle Hinweise soweit, genau so was ähnliches brauche ich. Ich bin am Suchen, aber für meine Spezifikationen scheint es nicht allzuviele Driver zu geben. Falls jemand also gerade ein geeignetes Bauteil kennt bin ich froh um Hinweise. Der UCC2751x selbst sieht gut aus, scheint ein low-side Treiber zu sein, mit Eingangsleveln, die von der zu schaltenden Spannung abhängen. Auch ist bei "undervoltage" der Output low. Deshalb nicht ideal. Meine Anforderungen sind: Auf der Input-Seite Levels von ca. 3.0 bis 5.0V (der uC hat eine variable Spannungsversorgung, die in diesem Bereich liegt). Auf der Schaltseite sollte der Treiber ab 4.5V arbeiten. Es wäre auch gut, wenn er bei fehlender zu schaltenden Spannung keinen Schaden nehmen würde. Klar kann das alles "extern" gelöst werden, wenn es aber ein IC gibt, dass dies "selbst" macht, wäre das sehr praktisch.
switcher schrieb: > Danke für alle Hinweise soweit, genau so was ähnliches brauche ich. > > Ich bin am Suchen, aber für meine Spezifikationen scheint es nicht > allzuviele Driver zu geben. Falls jemand also gerade ein geeignetes > Bauteil kennt bin ich froh um Hinweise. Für deine Anforderungen tut es praktisch JEDER 08/15 Treiber! > Meine Anforderungen sind: Auf der Input-Seite Levels von ca. 3.0 bis > 5.0V (der uC hat eine variable Spannungsversorgung, die in diesem > Bereich liegt). Viele schalten KONSTANT bei TTL-Pegeln, also ~1,5V. Z.B. der Oldie ICL7667. https://www.mikrocontroller.net/articles/MOSFET-%C3%9Cbersicht#MOSFET-Treiber > Auf der Schaltseite sollte der Treiber ab 4.5V arbeiten. Machen auch die meisten. > Es wäre auch gut, wenn er bei fehlender zu schaltenden Spannung keinen > Schaden nehmen würde. Das ist weniger ein Treiberproblem als eins für den MOSFET. Meist reicht ein Pull-Down Widerstand zwischen Gate und Source, so im Bereich 10k.
switcher schrieb: > Ich habe in einer Schaltung einen Hi-Side P-Kanal MOSFET als "Schalter", > der von einem Mikrocontroller angesteuert wird. Das funktioniert soweit > auch gut. Zum Kontext: Geschaltet werden 5-10V, die Schaltspannung ist > im Bereich von 3-4V bezogen auf dasselbe Massepotential. > > Nun möchte ich dasselbe machen, aber möchte höhere > Schaltgeschwindigkeiten erreichen (so im 100kHz-Bereich). Wozu_genau soll überhaupt ein Mosfet highside mit 100kHz getaktet werden, bzw. was soll das Ganze insgesamt darstellen/"können"? (Und in welchem Strom- bzw. Leistungsbereich?) (Auch wenn "Signalquelle = µC-I/O" und "HS-Mosfet" gleich bleiben, liegt es an ALLEM gerade erfragten, wie man das am besten macht. Sowohl wie dick man dimensionieren muß -und ob daher NMOS deutlich besser oder PMOS reicht- als auch wie infolgedessen die Ansteuerung am besten umzusetzen wäre.)
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Bearbeitet durch User
Grundsätzlich wirst Du auf ein Füllhorn von Problemen stoßen wenn Du einen MOSFET mit 100kHz schalten möchtest, gleichzeitig hier aber die Frage stellst wie das geht. Nicht böse gemeint, nur zur allgemeinen Einschätzung….
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