N-Kanal und P-Kanal JFET einfach so austauschbar ?

Gast #7193218
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Ich habe gerade zwei Mal ein und dieselbe Schaltungslösung für ein altes 
Rauschminderungsverfahren (DNL) gefunden und stelle dabei fest:

Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine 
Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und 
P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der 
Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung 
richtet.

Man kann den P-Kanal-JFET BFX82 einfach gegen den N-Kanal-JFET BF244 
tauschen.
Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit 
dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen 
kann.
Wo ist da was? Vielleicht Source rechts und Drain links, wie in der 
Schaltung mit dem BFX82 ?
Hat jemand eine Idee dazu?



Das Ganze funktioniert augenscheinlich wie ein lautstärkeabhängiger 
Klangregler. Je geringer die Lautstärke, desto mehr werden die Höhen 
beschnitten, indem ein Kondensator durch die S-D-Strecke mehr oder 
weniger wirksam wird.
Eigentlich Etwas, was man gerade bei der gehörrichtigen 
Lautstärkeregelung hingegen kompensieren möchte.
Gast #7193272
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diophantus schrieb:
> Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit
> dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen
> kann.

Die Zuordnung ergibt sich aus dem Zusammenhang in der Schaltung. Die 
Vorspannung  einstellbar über einen Einstellwiderstand liegt hier immer 
an der Source. Dies ist ein Sperrschicht-FET, das Gate muss gegenüber 
der Source immer in Sperrrichtung betrieben werden.
Der Austausch der JFET ist durch die Änderung in der Gleichrichtung 
(Diode wird umgedreht eingebaut) möglich.
Für eine optimale Betriebsweise ist eine Sicherstellung der Pegel 
notwendig. Die lauteste Stelle sollte immer den gleichen Pegel haben, 
das bei Kassettengeräten, in denen diese DNL Schaltungen verbaut waren, 
in der Regel erfüllt ist.
#7193384
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diophantus schrieb:
> Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine
> Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und
> P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der
> Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung
> richtet.

Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220 
kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen, 
wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu 
identifizieren ist.
Beitrag #7193393 wurde von einem Moderator gelöscht.
Beitrag #7193489 wurde von einem Moderator gelöscht.
Gast #7195001
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Robert M. schrieb:
> diophantus schrieb:
>> Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine
>> Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und
>> P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der
>> Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung
>> richtet.
>
> Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220
> kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen,
> wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu
> identifizieren ist.

Danke erst mal, aber vergessen kann man nur, was man schon gewußt hat.

Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren 
gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die 
Widerstände beizubehalten, aber jedoch die Basis-Vorspannung umpolen, 
wie hier die Gatespannung.

Eine Röhre sperrt ja auch, wenn das Gitter negativ wird und mit einer 
Röhrentriode wäre der N-Kanal-Typ wohl am ehesten vergleichbar, oder?

Bei der Röhre würde ich ja auch A und K vertauschen müssen, wenn das 
Potenzial gegenüber dem Gitter sich umkehrt.

So gesehen müssen bei Austausch von N-JFET und P-JFET auch D und S 
getauscht werden.

Ich hätte ja erwartet, dass man beim SFET S und D auch tauscht. Aber das 
ist nicht erkennbar.

Habe ich Schaltungen mit indifferenter Darstellung von S und D 
vorliegen, dann suche ich im Web, ob das woanders eindeutiger gezeichnet 
ist. Meist finde ich auch eine eindeutige Variante oder anhand eine 
Bestückungsplanes sehe ich im Vergleich zum Pinout, was ist was. Dass 
man D und S in vielen Schaltungen, wie etwa auch Electretkapseln 
vertauschen kann, ist mir schon einmal im praktischen Versuch 
aufgefallen. Das fand ich schon mal seltsam.

Mich befremdet eben bei SFETS = JFETS, dass man N-Kanal und P-Kanal 
Typen einfach so austauschen kann ohne Änderung der Widerstände und sich 
allein - wie hier - auf das Umpolen der Diode beschränkt.

Die Betriebsspannung ist erkennbar in beiden Schaltungen für npn 
ausgelegt und entstammt dem Kassettengerät MK43 der ungarischen Firma 
BRG.
Diese Schaltung wurde gern auch in Kurzwellenempfängern eingesetzt und 
damals mit dem nirgendwo mehr erhältlichen BFX82 nachgebaut.
Das Original hat den BF244.

Im Übringen funktionieren offizielle Vergleichslisten im Web nicht mehr 
und man dreht sich im Kreis. Sucht man das Äquivalent zum BFX82, dann 
findet man nichts und dreht sich nur im Kreise. Der BF244 ist eher zu 
finden und welche man dagegen als Austausch nehmen kann.
#7195057
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diophantus schrieb:
> Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren
> gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die
> Widerstände beizubehalten

Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und 
auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder 
hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?

Der Kanal von FETs ist dem Prinzip nach eine gleichförmige Struktur, und 
bei symmetrischen JFETs wie dem BF244 ist es auch der innere Aufbau. 
Dadurch ist dann natürlich auch die Stromrichtung irrelevant.

Bei Bipolartransistoren ist hingegen der innere Aufbau stets sehr 
asymmetrisch, weshalb eine Verpolung zwar möglich ist, aber völlig 
andere Parameter hat (Inversbetrieb).

Der Unterschied in dieser Schaltung ist nur die Polarität der 
Gatespannung gegenüber dem Kanal. Und dafür sorgt die anders gepolte 
Diode in Verbindung mit der erwähnten ebenfalls anders gepolten 
Hilfsspannung.
#7195119
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(prx) A. K. schrieb:

> Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und
> auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder
> hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?

Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht 
allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht?

Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein?
Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon 
sagen!

Gegenfrage: Warum zeichnet man in den Röhrenschaltungen die Katode 
einfach als Punkt und nicht unbedingt mehr als Halbkreis mit dem 
Heizfaden darin?
Weil das für das Verständnis der Schaltung unwesentlich ist, dass und 
wie die Röhre geheizt wird!

Wesentlich ist die Arbeitsweise: Röhre leistungslos und 
Feldeffekttransistor auch leistungslos! Nur dass die Röhre eine Heizung 
als Beschleunigung braucht, um die Elektronen durchs Vaccum zu 
schleudern und im Feldeffekttransistor sind die Elektronenbewegungen 
vereinfach für Laien erklärt an das Materialgefüge und das anliegende 
Potenzial gebunden.
Elektrostatisch wirkt es auf gewisse Weise in beiden Sytemen. Entweder 
im Vaccum oder gebunden an den Feststoff - dotiertes Kristall, 
Metalloxid ...

Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung, 
Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den 
Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute 
Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles 
Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische 
dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente.

Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder 
pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das 
einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt 
schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen 
verdrängen.
---------------------------------------------------------------
Das Einfache ist das Geniale! Optimieren hat Vorrang vor dem 
neu-Erfinden!
Gast #7195128
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Dem gibt es wohl auch nichts hinzuzufügen! Stimmt! Einfach Genial!


Hagen S. schrieb:
> (prx) A. K. schrieb:
>
>> Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und
>> auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder
>> hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?
>
> Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht
> allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht?
>
> Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein?
> Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon
> sagen!
>

> Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung,
> Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den
> Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute
> Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles
> Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische
> dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente.
>
> Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder
> pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das
> einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt
> schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen
> verdrängen.

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