Ich habe gerade zwei Mal ein und dieselbe Schaltungslösung für ein altes
Rauschminderungsverfahren (DNL) gefunden und stelle dabei fest:
Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine
Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und
P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der
Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung
richtet.
Man kann den P-Kanal-JFET BFX82 einfach gegen den N-Kanal-JFET BF244
tauschen.
Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit
dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen
kann.
Wo ist da was? Vielleicht Source rechts und Drain links, wie in der
Schaltung mit dem BFX82 ?
Hat jemand eine Idee dazu?
Das Ganze funktioniert augenscheinlich wie ein lautstärkeabhängiger
Klangregler. Je geringer die Lautstärke, desto mehr werden die Höhen
beschnitten, indem ein Kondensator durch die S-D-Strecke mehr oder
weniger wirksam wird.
Eigentlich Etwas, was man gerade bei der gehörrichtigen
Lautstärkeregelung hingegen kompensieren möchte.
(prx) A. K. schrieb:> Der BF244 ist symmetrisch. Es gibt keine Präferenz für Source und> Drain.
Bedeutet dies, die Herstellerangaben für den BF244 nicht so deutlich
relevant sind?
(prx) A. K. schrieb:> Der BF244 ist symmetrisch. Es gibt keine Präferenz für Source und> Drain.
Aber einfach so N-Kanal gegen P-Kanal austauschbar?
Oder ist die Bedingung dass N-Kanal symmetrisch ist und P-Kanal ist
sowieso unsymmetrisch? (Solche sind in Electretkapseln meist eingebaut).
diophantus schrieb:> Aber einfach so N-Kanal gegen P-Kanal austauschbar?
Andere Baustelle. Bei JFETs ist es verbreitet, dass Source und Drain
austauschbar sind, was sich auch im verwendeten Symbol niederschlagen
sollte. P- und N-Kanal Typen sich natürlich nicht austauschbar.
Die umgedrehte Diode sorgt für die richtig gepolte Gatespannung.
Bei der Schaltung mit dem P-Fet ist die Kanalspannung (über P1) aus dem
Plan ersichtlich negativ. Beim N-Fet müsste sie positiv sein, ist aber
außerhalb des Planausschnitts.
diophantus schrieb:> Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit> dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen> kann.
Die Zuordnung ergibt sich aus dem Zusammenhang in der Schaltung. Die
Vorspannung einstellbar über einen Einstellwiderstand liegt hier immer
an der Source. Dies ist ein Sperrschicht-FET, das Gate muss gegenüber
der Source immer in Sperrrichtung betrieben werden.
Der Austausch der JFET ist durch die Änderung in der Gleichrichtung
(Diode wird umgedreht eingebaut) möglich.
Für eine optimale Betriebsweise ist eine Sicherstellung der Pegel
notwendig. Die lauteste Stelle sollte immer den gleichen Pegel haben,
das bei Kassettengeräten, in denen diese DNL Schaltungen verbaut waren,
in der Regel erfüllt ist.
diophantus schrieb:> Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine> Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und> P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der> Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung> richtet.
Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220
kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen,
wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu
identifizieren ist.
Robert M. schrieb:> diophantus schrieb:>> Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine>> Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und>> P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der>> Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung>> richtet.>> Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220> kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen,> wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu> identifizieren ist.
Danke erst mal, aber vergessen kann man nur, was man schon gewußt hat.
Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren
gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die
Widerstände beizubehalten, aber jedoch die Basis-Vorspannung umpolen,
wie hier die Gatespannung.
Eine Röhre sperrt ja auch, wenn das Gitter negativ wird und mit einer
Röhrentriode wäre der N-Kanal-Typ wohl am ehesten vergleichbar, oder?
Bei der Röhre würde ich ja auch A und K vertauschen müssen, wenn das
Potenzial gegenüber dem Gitter sich umkehrt.
So gesehen müssen bei Austausch von N-JFET und P-JFET auch D und S
getauscht werden.
Ich hätte ja erwartet, dass man beim SFET S und D auch tauscht. Aber das
ist nicht erkennbar.
Habe ich Schaltungen mit indifferenter Darstellung von S und D
vorliegen, dann suche ich im Web, ob das woanders eindeutiger gezeichnet
ist. Meist finde ich auch eine eindeutige Variante oder anhand eine
Bestückungsplanes sehe ich im Vergleich zum Pinout, was ist was. Dass
man D und S in vielen Schaltungen, wie etwa auch Electretkapseln
vertauschen kann, ist mir schon einmal im praktischen Versuch
aufgefallen. Das fand ich schon mal seltsam.
Mich befremdet eben bei SFETS = JFETS, dass man N-Kanal und P-Kanal
Typen einfach so austauschen kann ohne Änderung der Widerstände und sich
allein - wie hier - auf das Umpolen der Diode beschränkt.
Die Betriebsspannung ist erkennbar in beiden Schaltungen für npn
ausgelegt und entstammt dem Kassettengerät MK43 der ungarischen Firma
BRG.
Diese Schaltung wurde gern auch in Kurzwellenempfängern eingesetzt und
damals mit dem nirgendwo mehr erhältlichen BFX82 nachgebaut.
Das Original hat den BF244.
Im Übringen funktionieren offizielle Vergleichslisten im Web nicht mehr
und man dreht sich im Kreis. Sucht man das Äquivalent zum BFX82, dann
findet man nichts und dreht sich nur im Kreise. Der BF244 ist eher zu
finden und welche man dagegen als Austausch nehmen kann.
diophantus schrieb:> Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren> gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die> Widerstände beizubehalten
Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und
auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder
hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?
Der Kanal von FETs ist dem Prinzip nach eine gleichförmige Struktur, und
bei symmetrischen JFETs wie dem BF244 ist es auch der innere Aufbau.
Dadurch ist dann natürlich auch die Stromrichtung irrelevant.
Bei Bipolartransistoren ist hingegen der innere Aufbau stets sehr
asymmetrisch, weshalb eine Verpolung zwar möglich ist, aber völlig
andere Parameter hat (Inversbetrieb).
Der Unterschied in dieser Schaltung ist nur die Polarität der
Gatespannung gegenüber dem Kanal. Und dafür sorgt die anders gepolte
Diode in Verbindung mit der erwähnten ebenfalls anders gepolten
Hilfsspannung.
Dieter W. schrieb:> Bei der Schaltung mit dem P-Fet ist die Kanalspannung (über P1) aus dem> Plan ersichtlich negativ. Beim N-Fet müsste sie positiv sein, ist aber> außerhalb des Planausschnitts.
P102 ist auf dem 2. Plan doch eindeutig erkennbar!?
Gruß
Jobst
Jobst M. schrieb:> P102 ist auf dem 2. Plan doch eindeutig erkennbar!?
P102 hilft weniger. Der Elko C129 daneben hingegen signalisiert bereits
in der ersten geposteten Version eine positive Spannung.
(prx) A. K. schrieb:> Und genau da der liegt> Hund begraben.
Naja, da hängt im Gegansatz zur alten Schaltung ein Add-on dran (R34 und
R35 parallel schalten und damit tot legen.). Ansonsten ist es wie in der
alten Schaltung, nur eben mit anderer Polarität.
Gruß
Jobst
(prx) A. K. schrieb:> Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und> auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder> hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?
Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht
allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht?
Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein?
Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon
sagen!
Gegenfrage: Warum zeichnet man in den Röhrenschaltungen die Katode
einfach als Punkt und nicht unbedingt mehr als Halbkreis mit dem
Heizfaden darin?
Weil das für das Verständnis der Schaltung unwesentlich ist, dass und
wie die Röhre geheizt wird!
Wesentlich ist die Arbeitsweise: Röhre leistungslos und
Feldeffekttransistor auch leistungslos! Nur dass die Röhre eine Heizung
als Beschleunigung braucht, um die Elektronen durchs Vaccum zu
schleudern und im Feldeffekttransistor sind die Elektronenbewegungen
vereinfach für Laien erklärt an das Materialgefüge und das anliegende
Potenzial gebunden.
Elektrostatisch wirkt es auf gewisse Weise in beiden Sytemen. Entweder
im Vaccum oder gebunden an den Feststoff - dotiertes Kristall,
Metalloxid ...
Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung,
Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den
Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute
Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles
Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische
dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente.
Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder
pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das
einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt
schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen
verdrängen.
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Das Einfache ist das Geniale! Optimieren hat Vorrang vor dem
neu-Erfinden!
Dem gibt es wohl auch nichts hinzuzufügen! Stimmt! Einfach Genial!
Hagen S. schrieb:> (prx) A. K. schrieb:>>> Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und>> auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder>> hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen?>> Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht> allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht?>> Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein?> Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon> sagen!>> Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung,> Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den> Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute> Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles> Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische> dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente.>> Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder> pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das> einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt> schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen> verdrängen.