Ich habe gerade zwei Mal ein und dieselbe Schaltungslösung für ein altes Rauschminderungsverfahren (DNL) gefunden und stelle dabei fest: Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung richtet. Man kann den P-Kanal-JFET BFX82 einfach gegen den N-Kanal-JFET BF244 tauschen. Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen kann. Wo ist da was? Vielleicht Source rechts und Drain links, wie in der Schaltung mit dem BFX82 ? Hat jemand eine Idee dazu? Das Ganze funktioniert augenscheinlich wie ein lautstärkeabhängiger Klangregler. Je geringer die Lautstärke, desto mehr werden die Höhen beschnitten, indem ein Kondensator durch die S-D-Strecke mehr oder weniger wirksam wird. Eigentlich Etwas, was man gerade bei der gehörrichtigen Lautstärkeregelung hingegen kompensieren möchte.
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(prx) A. K. schrieb: > Der BF244 ist symmetrisch. Es gibt keine Präferenz für Source und > Drain. Bedeutet dies, die Herstellerangaben für den BF244 nicht so deutlich relevant sind?
(prx) A. K. schrieb: > Der BF244 ist symmetrisch. Es gibt keine Präferenz für Source und > Drain. Aber einfach so N-Kanal gegen P-Kanal austauschbar? Oder ist die Bedingung dass N-Kanal symmetrisch ist und P-Kanal ist sowieso unsymmetrisch? (Solche sind in Electretkapseln meist eingebaut).
diophantus schrieb: > Aber einfach so N-Kanal gegen P-Kanal austauschbar? Andere Baustelle. Bei JFETs ist es verbreitet, dass Source und Drain austauschbar sind, was sich auch im verwendeten Symbol niederschlagen sollte. P- und N-Kanal Typen sich natürlich nicht austauschbar.
Die umgedrehte Diode sorgt für die richtig gepolte Gatespannung. Bei der Schaltung mit dem P-Fet ist die Kanalspannung (über P1) aus dem Plan ersichtlich negativ. Beim N-Fet müsste sie positiv sein, ist aber außerhalb des Planausschnitts.
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diophantus schrieb: > Aber man hält es nicht für nötig, das Schaltzeichen bei der Variante mit > dem BF244 so zu zeichnen, dass man Source und Drain eindeutig zuordnen > kann. Die Zuordnung ergibt sich aus dem Zusammenhang in der Schaltung. Die Vorspannung einstellbar über einen Einstellwiderstand liegt hier immer an der Source. Dies ist ein Sperrschicht-FET, das Gate muss gegenüber der Source immer in Sperrrichtung betrieben werden. Der Austausch der JFET ist durch die Änderung in der Gleichrichtung (Diode wird umgedreht eingebaut) möglich. Für eine optimale Betriebsweise ist eine Sicherstellung der Pegel notwendig. Die lauteste Stelle sollte immer den gleichen Pegel haben, das bei Kassettengeräten, in denen diese DNL Schaltungen verbaut waren, in der Regel erfüllt ist.
diophantus schrieb: > Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine > Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und > P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der > Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung > richtet. Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220 kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen, wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu identifizieren ist.
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Robert M. schrieb: > diophantus schrieb: >> Scheinbar kann man ohne wesentlich auffällige Schaltungsänderung (eine >> Diode wurde verdreht) und ohne Umpolen der Betriebsspannung N-Kanal und >> P-Kanal SFET (JFET) gegeneinader tauschen. Die Dimensionierung der >> Schaltung bleibt 1:1 bis auf eine Diode, welche eine Regelspannung >> richtet. > > Dabei nicht die notwendige Vorspannung passender Polarität (über 220 > kOhm Widerstand) am Source-Anschluß des jeweiligen FET vergessen, > wodurch der Source- bzw. Drain-Anschluß des BF244 eindeutig zu > identifizieren ist. Danke erst mal, aber vergessen kann man nur, was man schon gewußt hat. Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die Widerstände beizubehalten, aber jedoch die Basis-Vorspannung umpolen, wie hier die Gatespannung. Eine Röhre sperrt ja auch, wenn das Gitter negativ wird und mit einer Röhrentriode wäre der N-Kanal-Typ wohl am ehesten vergleichbar, oder? Bei der Röhre würde ich ja auch A und K vertauschen müssen, wenn das Potenzial gegenüber dem Gitter sich umkehrt. So gesehen müssen bei Austausch von N-JFET und P-JFET auch D und S getauscht werden. Ich hätte ja erwartet, dass man beim SFET S und D auch tauscht. Aber das ist nicht erkennbar. Habe ich Schaltungen mit indifferenter Darstellung von S und D vorliegen, dann suche ich im Web, ob das woanders eindeutiger gezeichnet ist. Meist finde ich auch eine eindeutige Variante oder anhand eine Bestückungsplanes sehe ich im Vergleich zum Pinout, was ist was. Dass man D und S in vielen Schaltungen, wie etwa auch Electretkapseln vertauschen kann, ist mir schon einmal im praktischen Versuch aufgefallen. Das fand ich schon mal seltsam. Mich befremdet eben bei SFETS = JFETS, dass man N-Kanal und P-Kanal Typen einfach so austauschen kann ohne Änderung der Widerstände und sich allein - wie hier - auf das Umpolen der Diode beschränkt. Die Betriebsspannung ist erkennbar in beiden Schaltungen für npn ausgelegt und entstammt dem Kassettengerät MK43 der ungarischen Firma BRG. Diese Schaltung wurde gern auch in Kurzwellenempfängern eingesetzt und damals mit dem nirgendwo mehr erhältlichen BFX82 nachgebaut. Das Original hat den BF244. Im Übringen funktionieren offizielle Vergleichslisten im Web nicht mehr und man dreht sich im Kreis. Sucht man das Äquivalent zum BFX82, dann findet man nichts und dreht sich nur im Kreise. Der BF244 ist eher zu finden und welche man dagegen als Austausch nehmen kann.
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Anbei der komplette Schaltplan der originalen Quelle mit A244, weil Jemand meinte, es sei nicht erkennbar, welche Vorspannung.
diophantus schrieb: > Ich würde auch nicht auf die Idee kommen, pnp- und npn-Transistoren > gegeneinander auszutauschen und dabei die Lage von C und E, wie auch die > Widerstände beizubehalten Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen? Der Kanal von FETs ist dem Prinzip nach eine gleichförmige Struktur, und bei symmetrischen JFETs wie dem BF244 ist es auch der innere Aufbau. Dadurch ist dann natürlich auch die Stromrichtung irrelevant. Bei Bipolartransistoren ist hingegen der innere Aufbau stets sehr asymmetrisch, weshalb eine Verpolung zwar möglich ist, aber völlig andere Parameter hat (Inversbetrieb). Der Unterschied in dieser Schaltung ist nur die Polarität der Gatespannung gegenüber dem Kanal. Und dafür sorgt die anders gepolte Diode in Verbindung mit der erwähnten ebenfalls anders gepolten Hilfsspannung.
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Dieter W. schrieb: > Bei der Schaltung mit dem P-Fet ist die Kanalspannung (über P1) aus dem > Plan ersichtlich negativ. Beim N-Fet müsste sie positiv sein, ist aber > außerhalb des Planausschnitts. P102 ist auf dem 2. Plan doch eindeutig erkennbar!? Gruß Jobst
Jobst M. schrieb: > P102 ist auf dem 2. Plan doch eindeutig erkennbar!? P102 hilft weniger. Der Elko C129 daneben hingegen signalisiert bereits in der ersten geposteten Version eine positive Spannung.
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(prx) A. K. schrieb: > Und genau da der liegt > Hund begraben. Naja, da hängt im Gegansatz zur alten Schaltung ein Add-on dran (R34 und R35 parallel schalten und damit tot legen.). Ansonsten ist es wie in der alten Schaltung, nur eben mit anderer Polarität. Gruß Jobst
(prx) A. K. schrieb: > Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und > auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder > hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen? Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht? Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein? Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon sagen! Gegenfrage: Warum zeichnet man in den Röhrenschaltungen die Katode einfach als Punkt und nicht unbedingt mehr als Halbkreis mit dem Heizfaden darin? Weil das für das Verständnis der Schaltung unwesentlich ist, dass und wie die Röhre geheizt wird! Wesentlich ist die Arbeitsweise: Röhre leistungslos und Feldeffekttransistor auch leistungslos! Nur dass die Röhre eine Heizung als Beschleunigung braucht, um die Elektronen durchs Vaccum zu schleudern und im Feldeffekttransistor sind die Elektronenbewegungen vereinfach für Laien erklärt an das Materialgefüge und das anliegende Potenzial gebunden. Elektrostatisch wirkt es auf gewisse Weise in beiden Sytemen. Entweder im Vaccum oder gebunden an den Feststoff - dotiertes Kristall, Metalloxid ... Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung, Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente. Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen verdrängen. --------------------------------------------------------------- Das Einfache ist das Geniale! Optimieren hat Vorrang vor dem neu-Erfinden!
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Dem gibt es wohl auch nichts hinzuzufügen! Stimmt! Einfach Genial! Hagen S. schrieb: > (prx) A. K. schrieb: > >> Feldeffekttransistoren sind weder zu Bipolartransistoren ähnlich, und >> auch der Vergleich mit Trioden hat Grenzen - wie hier ersichtlich. Oder >> hast du schon mal einen FET mit Sourceheizung gesehen? > > Eine Binsenweisheit! Aber wenn man wenig weiß, dann bleibt nicht > allzuviel mehr für das Denken übrig, nicht? > > Und soll das mit der "Sourceheizung" ein unsachlicher Witz sein? > Toller Beitrag! Bringt uns wirklich sehr viel weiter, ich muss schon > sagen! > > Befasse Dich mal damit, warum die Begriffe: Elektrische Urspannung, > Innenwiderstand und die Widerstandsänderungen in den > Verstärkerbauelementen, wie auch immer sie aufgebaut sind die absolute > Grundlage sind, um die Wirkung eines Verstärkers zu erklären. Alles > Andere sind genial nutzbare Feinheiten, Kennlinine usf. sind logische > dynamische Verhaltensbeschreibungen der Bauelemente. > > Wir brauchen im Übrigen auch keine neuen Begriffe erfinden oder > pseudo-Englisch. Das ist Junk und Müll im Wissen. Volumenviren, die das > einfachste Grundwissen zu kompliziert machen. Wuchtige, nicht unbedingt > schöne Worte vor einem leeren Wissensspeicher, die das essetielle Wissen > verdrängen.
Hagen S. schrieb: > Befasse Dich mal damit Dann lies die Bücher von Rolf Wiegand "So arbeiten unsere Röhren" (insgesamt drei Bände).
Hagen S. schrieb: > Eine Binsenweisheit! Falscher Adressat, zurück an den Absender.
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