Hi, Habe einige Datenblätter von N-MOSFETS studiert. Es steht ja jeweils der Maximalstrom "I-Drain", welcher fliessen darf. Wie knapp sind diese Werte bemessen? Habe vor einen MOSFET für das Schalten von 5.5A zu verwenden, welcher gemäss Datenblatt 5.8A maximalen dauerhaften Drainstrom haben darf. Grundsätzlich ist ja immer die Hitze der Flaschenhals eines Bauteils und eine zusammenhangslose Stromangabe nach meinem Kenntnisstand immer heikel. Die maximale Powerdissapation beträgt 1.4W und bei meiner Gatespannung von 4.5V ist das RDS(ON) kleiner als 43mOhm. Folglich wäre R*I*I die Leistung = 0.043Ohm*5.5A*5.5A = 1.3Watt Dürfte ich diesen MOSFET unter meinen gegebenen Umständen verwenden? Oder ist das schon zu nahe an der Grenze? Grund für genau diesen MOSFET ist die tiefe input capacitance von 255pF und halt das kleine RDS(ON), was ja wiederum einen tieferen Spannungsabfall über dem MOSFET bedeuten würde. Zur Frage, weshalb ich so eine tiefe input capacitance möchte: Ich dimme ein LED-Band mit 1.5kHz und möchte auf der sicheren Seite sein. Ich freue mich über zahlreiche Antoworten. Vielen Dank
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Diese Grenzwerte gelten nur wenn Du die Chiptemperatur auf 25 Grad halten kannst. Also so gut wie nie.
Manuel Neff schrieb: > Wie knapp sind diese > Werte bemessen? So gut kannst du den MOSFET in der Praxis kaum kühlen.
Manuel Neff schrieb: > Ich freue mich über zahlreiche Antoworten. Guck einmal in das Datenblatt von deinem (geheimen) MOSFET unter welchen Bedingungen die Werte gelten.
NoSound schrieb: > Manuel Neff schrieb: >> Ich freue mich über zahlreiche Antoworten. > > Guck einmal in das Datenblatt von deinem (geheimen) MOSFET unter welchen > Bedingungen die Werte gelten. Danke für deine Antwort. Habe das Datasheet angefügt. Muss ich die Kurve ganz unten Rechts auf seite 4 betrachten? (safe operation area)
Manuel Neff schrieb: > Die maximale Powerdissapation beträgt 1.4W und bei meiner > Gatespannung von 4.5V ist das RDS(ON) kleiner als 43mOhm. Wie kommst du darauf? Schon wenn du nur 1.4W in Wärme umsetzt, erhöht sich die Halbleitertemperatur gegenüber der Umgebung bei der in Note2 angegebenen Montage um 125°C. Bei einer Gehäuseinnentemperatur von 25°C ergibt sich also eine Temperatur von 150°C für den Halbleiter. Lt. Fig.6 liegt damit dein R_DS(on) bei dem 1.7-fachen des für 25°C angegebenen Wertes. Dadurch steigt die Verlustleistung gegenüber deinem Wert und die Maximaltemperatur von 150°C wird kräftig überschritten.
Nein, Figure 6 ist aussagekräftig für "durchgeschaltet", und man bleibt i.A. eher 2-3fach unterhalb Dauerdrainstrom-Maximalwert, weil man von 25°C m.o.w. weit entfernt ist. Zumindest sofern ausreichend schnell (im Sinne von steilflankig - nicht von hochfrequent) geschaltet wird, ist das SOA Diagramm für Dich von untergeordnetem Interesse. Beschreibe besser gleich Deine Anwendung (quasistatisch oder mit relevant hoher Frequenz zu schalten, muß es SOT-23 sein, etc.). Dazu gehören natürlich auch woher die Ansteuerspannung überhaupt kommt, ob Treiber (und welcher), und die Folgeschaltung also Last.
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Rechne doch mal nach überschlägig nach, nehmen wir eine maximale Junction Temperature von 100°C bei 25°C Umgebung. Laut den "Thermal Characteristics" darf man also maximal 0,842W verheizen. Das würde im schlimmsten Fall bei 5V Gate Spannung (43mOhm) also einen Strom von ca. 4,43A ergeben. Die Temperatur ist aber eindeutig schon unangenehm, zumindest wenn das Teil einfach so auf einem PCB sitzt und es alles andere schön mit heizt. Außerdem sollte das ganze nicht schnell geschaltet werden. Mehr Informationen zur Anwendung wären wohl hilfreich.
Kevin M. schrieb: > Das würde im schlimmsten Fall bei 5V Gate Spannung (43mOhm) also einen > Strom von ca. 4,43A ergeben. Bei 100°C hast du aber keinen R_DS(on) von 43mΩ. Auch wenn Fig.6 für U_GS von 10V angegeben ist, dürfte der Faktor für 4.5V Ansteuerung nicht so weit davon entfernt liegen.
Wenns unbedingt der sein muß, 2 oder 3 davon parallelschalten. Besser irgendwas passenderes nehmen. Schaltverluste sind bei der Frequenz und geschalteten LED-Leisten lächerlich klein, selbst wenn du das gate nur mit +/- 3mA uC-Pins steuerst und die gate charge zehnmal so hoch ist. Dann bist aber schon bei 2mΩ-Mosfets und da bleibt eh alles kalt.
Manuel Neff schrieb: > Habe einige Datenblätter von N-MOSFETS studiert. Es steht ja jeweils der > Maximalstrom "I-Drain", welcher fliessen darf. Wie knapp sind diese > Werte bemessen? Habe vor einen MOSFET für das Schalten von 5.5A zu > verwenden, welcher gemäss Datenblatt 5.8A maximalen dauerhaften > Drainstrom haben darf. Da der Mosfet dann aber schon knapp an seiner internen Temperaturgrenze ist, bedeutet das, daß der Mosfet nicht das ewige Leben haben wird. Zumal diese Angabe auch nur bei Ta=25°C gilt. > Dürfte ich diesen MOSFET unter meinen gegebenen Umständen verwenden? Nein, bzw. nicht empfohlen, bzw. nur unter kontrollierten Bedingungen. > Oder ist das schon zu nahe an der Grenze? Ja. > Grund für genau diesen MOSFET ist die tiefe input capacitance von 255pF > und halt das kleine RDS(ON), was ja wiederum einen tieferen > Spannungsabfall über dem MOSFET bedeuten würde. > > Zur Frage, weshalb ich so eine tiefe input capacitance möchte: > Ich dimme ein LED-Band mit 1.5kHz und möchte auf der sicheren Seite > sein. Wenn man einen Mosfet-Treiber dazu nimmt, dann ist die Input-C eher uninteressant. Zumal 1,5kHz nun nicht unbedingt nach minimalster Input-C schreit, bzw. Ein/Ausschaltflanken nicht übertrieben steil sein müssen.
Wolfgang schrieb: > Bei 100°C hast du aber keinen R_DS(on) von 43mΩ. Das is richtig... daher Kevin M. schrieb: > Rechne doch mal nach überschlägig nach Eine entsprechende Sicherheitsmarge sollte man immer noch einrechnen, abgesehen davon hält der Transistor auch mehr als 100°C aus. Ob man das will, ist eine andere Sache.
Ich werfe mal diesen Typ ins Rennen: https://www.ti.com/lit/gpn/CSD16411Q3 Platzbedarf ist mit 3,3x3,3mm ähnlich klein. Ok, Ciss ist mit 440pF ein Stück höher, dafür ist Qg(@4,5V) mit 2,9nC erfreulich niedrig. Rdson, Verlustleistung, Belastbarkeit, usw. sind erheblich besser.
Kevin M. schrieb: > abgesehen davon hält der Transistor auch mehr als 100°C Das nützt überhaupt nichts, wenn der MOSFET schon bei 1.4W statischer Leistung die maximalen 150°C gnadenlos reißt. Für die Diskussion hier wäre es ganz hilfreich zu wissen, mit welchem Tastverhältnis die 1.5kHz-Schalterei stattfinden soll. Bei 10% wäre die ganze bisherige Diskussion bzgl. der thermischen Auslegung natürlich hinfällig.
Bernd K. schrieb: > Ich werfe mal diesen Typ ins Rennen: > https://www.ti.com/lit/gpn/CSD16411Q3 > Platzbedarf ist mit 3,3x3,3mm ähnlich klein. > > Ok, Ciss ist mit 440pF ein Stück höher, dafür ist Qg(@4,5V) mit 2,9nC > erfreulich niedrig. > > Rdson, Verlustleistung, Belastbarkeit, usw. sind erheblich besser. Danke für deinen Vorschlag. Wie hängen denn die beiden Werte Qg mit Ciss genau zusammen? Habe immer gedacht, dass bei PWM-ansteuerung Ciss entscheidend ist.
Nachdem Du zur Zeit unmöglich größere Mosfets bekommst, so musst Du diesen grenzwertig betreiben. Dazu empfiehlt sich dann die Lösung, den Mosfet samt Umgebung mit Öl und Umwälzpumpe mit mind 200 L per Min. zu kühlen. das würde den Mosfet bei erträglichen 20 Grad halten. Außer Du findest doch einen passenderen, der nicht so gequält wird.
Sorry, mir war "1,5kHz" entgangen. Aber trotzdem wäre essentiell, endlich die bisherigen Rückfragen unsererseits zu beantworten, bevor Du weiter Fragen stelltest.
PC-Freak schrieb: > (...), das würde den Mosfet bei erträglichen 20 Grad halten. Den Mosfet? T_C oder T_j? Und wie kühlst Du das Öl? Also dieses Konzept scheint unfundiert, bzw. aus den Fingern gesogen, nur um bitter schmeckenden Senf dazuzugeben. Schlechte Laune? Dem TO fehlt es offenbar an Erfahrung hierzu, deswegen habe ich weiter oben konservative "2-3fach < Datenblatt@25°C" empfohlen. Man muß ihn deswegen nicht mit irgendwelchen Unfug (der selbst nicht zu funktionieren scheint, trotz Übertreibung) veralbern.
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Ich schreibe es aus dem Grund, da ja manche es hier, ohne Datenblätter zu studieren, immer wieder Bauteile an den Grenzen betreiben müssen. Im übrigen kühlt und isoliert man mit Öl Hochspannungselemente sehr wirkungsvoll mit Öl. Das ist gängige Praxis.
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Manuel Neff schrieb: > Bernd K. schrieb: >> Ich werfe mal diesen Typ ins Rennen: >> https://www.ti.com/lit/gpn/CSD16411Q3 >> Platzbedarf ist mit 3,3x3,3mm ähnlich klein. >> >> Ok, Ciss ist mit 440pF ein Stück höher, dafür ist Qg(@4,5V) mit 2,9nC >> erfreulich niedrig. >> >> Rdson, Verlustleistung, Belastbarkeit, usw. sind erheblich besser. > > Danke für deinen Vorschlag. Wie hängen denn die beiden Werte Qg mit Ciss > genau zusammen? Habe immer gedacht, dass bei PWM-ansteuerung Ciss > entscheidend ist. Ciss ist die Eingangskapazität und die Kapazität, die sich aus der Summe der Gate-Source-Kapazität Cgs und der Gate-Drain-Kapazität Cgd ergibt; es ist die Kapazität des MOSFET als Ganzes, vom Eingang aus gesehen. Diese Kapazität muss angesteuert (aufgeladen) werden, um den MOSFET zum Betrieb zu veranlassen, und ist daher ein wichtiger Parameter bei der Untersuchung der Ansteuerbarkeit eines Eingangsbauelements oder der Eingangsverluste. Qg ist die Ladungsmenge, die erforderlich ist, um Ciss anzusteuern (aufzuladen).
Manuel Neff schrieb: > Wie knapp sind diese Werte bemessen? Extrem, also eigentlich utopisch, mnache Datenblätter erwähnen gar einen theoretischen und einen 'case limited' Strom der viel geringer ist weil die Anschlussbeinchen des Transistors nicht mehr vertragen. Es braucht optimale Kühlung (Wasserbad) für diesen Strom weil schon so die Verlustleistung zu hoch wird. Auch jeder kleine Elko am Ausgang führt zu kurzfristig höherem Strom bei dem dann der Transistor kaputt gehen würde (SOA Diagramm). Man bleibt also deutlich unter diesem Datenblattwert, oder man muss jedes Detail richtig machen, z.B. maximale Gate-Spanung nutzen.
Manuel Neff schrieb: > weshalb ich so eine tiefe input capacitance möchte: > Ich dimme ein LED-Band mit 1.5kHz Putzig. Das ist ja fast noch DC. Also da brauchst Du Dir um Gate Kapazitäten keine Sorgen machen. Mit grenzwertigen Strom betreben ist ein blöde Idee. Meine Vorposter haben das ja detailiert dargelegt. Logic Level Fets mit weit besserem RDSon sind massig für kleinstes Geld in DPAK verfügbar. Z.B.: https://www.tme.eu/de/details/irlr2705trpbf/n-kanal-transistoren-smd/infineon-technologies/ SOT23 kannst Du bei dem Dauerstrom vergessen.
SOT23 ist nicht für Leistung gedacht. Nimm Power-SO8 oder DPAK.
SO8 ist mit 1W Verlustleistung spezifiziert. Dabei muss man sich aber Muehe geben. Denn die Kupferflaeche unter dem Print sollte 2 lagig mindestestens je 1 Quadratzoll sein. Besser 2 davon parallel, dann sinkt die gesammte Verlustleistung auf die Haelfte. Ich wuerd etwas wie den SI4840 empfehlen. 40V, 14A, 12mOhm
Purzel H. schrieb: > SO8 ist mit 1W Verlustleistung spezifiziert. Power-SO8 (SOT669, LFPAK) kann deutlich mehr Leistung. Z.B. der PSMN016-100YS kann bis 117W.
Max M. schrieb: > Peter D. schrieb: >> Power-SO8 ... bis 117W. > Das Kühlkonzept würde ich aber gerne sehen ;-) Wie gehabt: Wenn Du den auf 25°C halten kannst (Fig.2). Wie auch immer (auf der Schattenseite des Mondes z.B.) ;-)
Peter D. schrieb: > Purzel H. schrieb: >> SO8 ist mit 1W Verlustleistung spezifiziert. > > Power-SO8 (SOT669, LFPAK) kann deutlich mehr Leistung. Ja, aber: > Z.B. der PSMN016-100YS kann bis 117W. "Kann" ist hier der falsche Ausdruck, weil eben Andreas B. schrieb: > Max M. schrieb: >> Peter D. schrieb: >>> Power-SO8 ... bis 117W. >> Das Kühlkonzept würde ich aber gerne sehen ;-) > > Wie gehabt: Wenn Du den auf 25°C halten kannst (Fig.2). Wie auch immer > (auf der Schattenseite des Mondes z.B.) ;-) 25°C (unter normalen Bedingungen) total unrealistisch sind. Fast sämtliche Angaben/Parameter, die von 25°C ausgehen, sind (zwar nicht wie manche unterstellen "reines Marketing", aber) als "Absolute Maximum Ratings" eben nur Berechnungsgrundlagen (außer man hielte die im DaBla angegebenen Bedingungen ein). Aus welchen dann (unter Kenntnis aller Bedingungen betreffender Anwendung...) ziemlich genau hervorgeht, wie es sich in der realen Anwendung schließlich verhält. Aber kennt man nicht alle Bedingungen, z.B. weil der TO sie nicht offenlegt, ist keine konkrete/zielgerichtete Berechnung möglich, sondern nur (wie geschehen) Beispielrechnungen oder konservative(re) sprich m.o.w. Über-Dimensionierung. Die Wahl liegt bei Dir, @Manuel.
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Dass der Transistor ungeeignet ist, war längst klar. Ich möchte dennoch mal aufzeigen, wie ich das Schrittweise angehe. Bei Leistungstransistoren gehe ich von einer Erwärmung auf bis zu 100°C aus. Heißer will ich nicht, weil andere Bauteile drumherum dann mit leiden. Mit den 100°C beginne ich meine Rechnung, denn das scheint mir der einfachste Weg zu sein. Für den BLM3404 mit 4,5 V Ansteuerung und 5,5 A Last heißt das: Bei RdsOn interessiert der maximale Wert, multipliziert mit dem temperaturabhängigen Faktor aus Figure 6: RdsOn = 43 mΩ · 1.45 = 63 mΩ Uds = 63 mΩ · 5.5 A = 347 mV P = 347 mV · 5.5 A = 1,9 W Maximum Power Dissipation ist aber 1,4 W bei 25°C, also schon doppelt verkackt. Pi mal Daumen Erfahrungswert: Ohne besondere Maßnahme vertragen Transistoren in diesem Gehäuse langfristig nur 250 mW. Mit Kühlflächen die aber schon ein vielfaches größer als der Transistor sind kommt man realistisch auf 500 mW. Aufgrund der kleinen Masse können diese Transistoren höhere Leistungen nur für wenige Millisekunden aufnehmen. Aber nicht die im Datenblatt genannten 1,4 W, weil die ja von unrealistischen 25°C ausgehen. Ein größeren Transistor mit Kühlkörper-Anschluss kann man mit aktiver Kühlung vielleicht so kühl halten, aber nicht diesen. Wenn der Transistor an einen Kühlkörper angeschraubt wäre, würde ich mit der oben berechneten Verlustleistung (den 1,9 Watt) nun ausrechnen, wie warm er wird. Und zwar ausgehend von 40°C Umgebungstemperatur. Mit einem Lüfter bzw. außen liegenden Kühlkörper ist das realistisch machbar. Dabei brauche ich 3 Wärmewiderstände: - Den Wärmewiderstand innerhalb des Transistors (steht bei geeigneten Modellen im Datenblatt) - Transistor-zu-Kühlkörper (0,5W) - Wärmewiderstand des Kühlkörpers (z.B. 10 K/W) Die drei Wärmewiderstände addiere ich, und multipliziere sie mit der Verlustleistung und addiere schließlich meine 40°C Umgebungstemperatur. Zum Beispiel (bei einem fiktiven anderen Transistor): ( 2,2 K/W + 0,5 K/W + 10 K/W ) · 1,9 W + 40°C = 64 °C Damit bin ich weit unter den 100°C die ich mir als Obergrenze gesetzt habe, der Kühlkörper reicht also aus.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Dass der Transistor ungeeignet ist, war längst klar. Ich möchte > dennoch > mal aufzeigen, wie ich das Schrittweise angehe. > > Bei Leistungstransistoren gehe ich von einer Erwärmung auf bis zu 100°C > aus. Heißer will ich nicht, weil andere Bauteile drumherum dann mit > leiden. Mit den 100°C beginne ich meine Rechnung, denn das scheint mir > der einfachste Weg zu sein. Für den BLM3404 mit 4,5 V Ansteuerung und > 5,5 A Last heißt das: > > Bei RdsOn interessiert der maximale Wert, multipliziert mit dem > temperaturabhängigen Faktor aus Figure 6: > > RdsOn = 43 mΩ · 1.45 = 63 mΩ > > Uds = 63 mΩ · 5.5 A = 347 mV > > P = 347 mV · 5.5 A = 1,9 W > > Maximum Power Dissipation ist aber 1,4 W bei 25°C, also schon doppelt > verkackt. > > Pi mal Daumen Erfahrungswert: > Ohne besondere Maßnahme vertragen Transistoren in diesem Gehäuse > langfristig nur 250 mW. Mit Kühlflächen die aber schon ein vielfaches > größer als der Transistor sind kommt man realistisch auf 500 mW. > > Aufgrund der kleinen Masse können diese Transistoren höhere Leistungen > nur für wenige Millisekunden aufnehmen. Aber nicht die im Datenblatt > genannten 1,4 W, weil die ja von unrealistischen 25°C ausgehen. Ein > größeren Transistor mit Kühlkörper-Anschluss kann man mit aktiver > Kühlung vielleicht so kühl halten, aber nicht diesen. > Danke für deine Antwort. Toll, dass es solche gibt, die auch erklären, statt nur die Tatsachen preiszugeben. Hab im Anhang ein Datenblatt eines MOSFETs, mit welchem ich mal das ganze nachrechne: RdsOn bei 4.5VGS konnte ich nicht entnehmen. Habe einen Widerstand von 200mΩ bei 20°C angenommen. -->Bei 100°C wären das 200mΩ * 1.7 = 340mΩ Uds= 340mΩ * 5.5A = 1.87V P= 1.87V * 5.5A = 10.285W Maximum Power Dissipation sind 40W...also 30W Reserve. Gehäuse ist ein TO252. Wäre das so also zulässig oder nicht? Den RdsOn von 200mΩ habe ich natürlich nur angenommen. Ich kann nicht sehr gut einschätzen ob das ungefähr richtig geschätzt ist. Der typische RdsOn läge bei 110mΩ bei 10VGS. Ich freue mich über eure Einschätzung, ob der MOSFET geeignet ist oder nicht. Vielen Dank
Manuel Neff schrieb: > Wäre das so also zulässig oder nicht? Ja schon, aber willst du wirklich so viel Energie verheizen? > Den RdsOn von 200mΩ habe ich natürlich nur angenommen. Ich kann > nicht sehr gut einschätzen ob das ungefähr richtig geschätzt ist. > Der typische RdsOn läge bei 110mΩ bei 10VGS. Wenn das Datenblatt keinen Wert für 4,5V angibt, dann ist der Transistor für 4,5V nicht gut geeignet.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Manuel Neff schrieb: >> Wäre das so also zulässig oder nicht? > > Ja schon, aber willst du wirklich so viel Energie verheizen? Gäbe es denn einen "besseren" MOSFET für meine Anwendung? Wahrscheinlich ja schon irgendwo? Wie findest du denn unter den unzähligen MOSFETs den richtigen für deine Anwendung? Oder ist es besser, wenn ich zwei MOSFETS parallel nehme?
Manuel Neff schrieb: > Gäbe es denn einen "besseren" MOSFET für meine Anwendung? Schwer zu sagen ohne zu wissen a) welchen du dir da jetzt heraus gesucht hast. b) welche Anforderungen hast. Strom ist bekannt, aber die Spannung nicht. Hast du weitere Anforderungen? c) was du damit tun willst. > Oder ist es besser, wenn ich zwei MOSFETS parallel nehme? Das kann kompliziert werden. Denn wenn die sich nicht gleichmäßig erwärmen steigt der Innenwiderstand des wärmeren stärker an, so dass er noch wärmer wird. Ohne Gegenmaßnahme wird sich der Strom nicht gleichmäßig verteilen.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Manuel Neff schrieb: >> Gäbe es denn einen "besseren" MOSFET für meine Anwendung? > > Schwer zu sagen ohne zu wissen > > a) welchen du dir da jetzt heraus gesucht hast. > b) welche Anforderungen hast > c) was du damit tun willst. Also: Ich möchte über einen I²C-PWM-Expander namens PCA9685 meine MOSFETs mit einer Gatespannung von 4.5V und einer Frequenz von 1.5kHz zum Ansteuern von 11Meter LED-Band nehmen, welches 12W/Meter, sprich 5.5A bei 24V aufnimmt. Einige MOSFETs fallen ja schonmal raus, da diese nur für Uds bis maximum 20V ausgelegt sind. Von den übrigen können die meisten bei dem oben genannten Ugs von 4.5V nur knapp oder gar nicht meine 5.5A fliessen lassen (gemäss Datenblatt natürlich). Und bei 1.5kHz, welche ich nur ungern senken möchte, müssen die MOSFETs auch eine eher geringe Eingangskapazität aufweisen. Des weiteren sollten sie aber ja auch ein tiefes RdsOn haben. (Meiner ist ja gemäss der obigen Rechnung am oberen Limit) Die suche könnte erweitert werden, wenn ich wüsste, welche Eingangskapazität mein MOSFET für eine saubere Dimmung von 1.5Khz noch aufweisen darf. Der obige MOSFET hat 255pF und ein Gate-Charge von 4nC bei 10VGS.
Schau mal http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf In Kapitel 2.2.2 wird der IRF3708 empfohlen, der passt doch wie Deckel auf Topf. Aber Vorsicht, bei Aliexpress werden schlechtere Fälschungen verkauft. Der hier oft diskutierte IRLIZ44N würde wohl auch gut passen. Bei Reichelt gibt es den IRLI3705, der geht auch. Hat sogar nur 0,018Ω bei 25°C.
Stefan ⛄ F. schrieb: > Schau mal > http://stefanfrings.de/mikrocontroller_buch/Einstieg%20in%20die%20Elektronik%20mit%20Mikrocontrollern%20-%20Band%202.pdf > > In Kapitel 2.2.2 wird der IRF3708 empfohlen, der passt doch wie Deckel > auf Topf. Aber Vorsicht, bei Aliexpress werden schlechtere Fälschungen > verkauft. > > Der hier oft diskutierte IRLIZ44N würde wohl auch gut passen. > > Bei Reichelt gibt es den IRLI3705, der geht auch. Hat sogar nur 0,018Ω > bei 25°C. Danke für deine Vorschläge. Ich glaube hiermit finde ich vorerst zurecht :) mfg Manuel
Komisch, irgendwie ist mein Vorschlag vom 26.09. untergegangen. https://www.ti.com/lit/gpn/CSD16411Q3 Hat doch alles, was gefordert wurde: Continuous Drain Current 14A bezogen auf Cu Fläche Rdson = 12 mOhm @Vgs=4,5V CIss = 440pF Qg = 2,9nC (Wichtig für minimale Treiberleistung) geringer Platzbdarf (3,3x3,3mm) Aktuell lieferbar bei Mouser
Stefan ⛄ F. schrieb: > In Kapitel 2.2.2 wird der IRF3708 empfohlen, der passt doch wie Deckel > auf Topf. Aber Vorsicht, bei Aliexpress werden schlechtere Fälschungen > verkauft. Der wird nicht mehr hergestellt. Letzter Termin für Bestellungen bei Infineon durch die Distributoren war der 31.10.2020, letzter Auslieferungstermin der 30.4.2021. Eine PDN (Product Discontinuation Notification) habe ich nur bei Mouser und Avnet gefunden. Darin wird als Grund für das Herstellungsende für diesen und viele weiter MOSFETs von Infineon/IRF genannt: "Reason: Phase out of Infineon Frontend Site Temecula according to Infineon strategy". https://www.mouser.com/PCN/Infineon_cPD_084_20_1st_update.pdf Bei den Distributoren gibt keine mehr. Einzelne Händler, die rechtzeitig ausreichende Mengen bestellt haben, können noch Restbestände haben. Als ich neulich gesucht habe hatten Conrad/Völkner, Kessler und ELV noch welche. Der zweite Satz aus dem Zitat sollte besser lauten:"Aber Vorsicht, bei Aliexpress werden nur schlechtere Fälschungen verkauft."
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Stefan K. schrieb: > Der zweite Satz aus dem Zitat sollte besser lauten:"Aber Vorsicht, bei > Aliexpress werden nur schlechtere Fälschungen verkauft." Ich habe neulich 20 Stück gekauft, die mir durchaus brauchbar vorkommen. Der Rdson Wert ist höher als beim Original, aber sonst fande ich sie OK.
1 | Test Vdss: mit 32V bestanden |
2 | |
3 | Rdson bei 3V 5A: 72mΩ |
4 | Rdson bei 5V 5A: 28mΩ |
5 | |
6 | Ugs -> Ids |
7 | 1,8V 0,003A |
8 | 1,9V 0,172A |
9 | 2,0V 0,177A |
10 | 2,1V 0,180A |
11 | 2,2V 0,198A |
12 | 2,3V 0,239A |
13 | 2,4V 0,269A |
14 | 2,5V 1,0A |
15 | 2,6V 1,7A |
16 | 2,7V 2,5A |
17 | 2,8V 4,0A |
18 | 2,9V mehr als 5,0A |
19 | |
20 | Kapazität Ciss: 1.4nF |
Dies war das Angebot: https://de.aliexpress.com/item/32937065447.html
Stefan K. schrieb: > Der zweite Satz aus dem Zitat sollte besser lauten:"Aber Vorsicht, bei > Aliexpress werden nur schlechtere Fälschungen verkauft." Stefan ⛄ F. schrieb: > Ich habe neulich 20 Stück gekauft, die mir durchaus brauchbar vorkommen. Also ändern wir den Satz nochmal: "Bei Aliexpress werden nur Fälschungen verkauft, die einem teilweise durchaus brauchbar vorkommen können"
Stefan ⛄ F. schrieb: >> Oder ist es besser, wenn ich zwei MOSFETS parallel nehme? > > Das kann kompliziert werden. Denn wenn die sich nicht gleichmäßig > erwärmen steigt der Innenwiderstand des wärmeren stärker an, so dass er > noch wärmer wird. Ohne Gegenmaßnahme wird sich der Strom nicht > gleichmäßig verteilen. Das solltest Du Dir nochmal genauer überlegen, denn das ist falsch. Parallelschaltung von Mosfets im Schaltbetrieb ist eher unkritisch, und strom-/wärmeverteilungstechnisch "selbstregulierend".
Jens G. schrieb: > Das solltest Du Dir nochmal genauer überlegen, denn das ist falsch. Ja stimmt, ich sehe es ein. Wenn der Widerstand steigt sinkt ja der Strom.
Conrad hat noch 1400 Stück IRF3708. https://www.conrad.de/de/p/infineon-technologies-irf3708pbf-mosfet-1-n-kanal-87-w-to-220-162394.html
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