Hi,
ja, ich weiß, dass das Thema hier anscheinend jede Woche mehrfach
auftaucht und ja, ich habe den Artikel hier gelesen und auch gesucht!
Ich habe aber eine eher grundsätzliche Frage:
Will man einen Transistor als Schalter benutzen, soll man ihn ja in
Sättigung betreiben. Bei den meisten Standardtransistoren (z.B. BC337)
findet man recht hohe Stromverstärkungswerte für den Linearbetrieb, aber
wenn es um den Sättigungsbetrieb geht, dann finde ich meistens nur 10
als Verstärkungsfaktor.
D.h. doch aber, dass man für Collector-Ströme >= 200 mA diese
Transistoren nicht mehr sinnvoll direkt an einem GPIO Pin eines
Mikrocontrollers (z.B. Arduino) betreiben kann, da ich damit dann
entweder an der Belastungsgrenze des µCs bin oder schon drüber, richtig?
(200 mA / 10 = 20 mA = max. Arduino-Ausgang).
Also nimmt man in solchen Fällen besser einen MOSFET oder mehrstufige
Treiber?
Gibt es auch normale Standard NPN Transistoren, die eine deutlich höhere
Sättigungsverstärkung haben? Funktionieren wird es vermutlich meist auch
mit kleineren Strömen, aber so wirklich wohldefiniert ist eine Schaltung
dann ja nicht mehr...
Danke!
noname schrieb:> dann finde ich meistens nur 10 als Verstärkungsfaktor.
Bei Kleinleistungstypen kann man gut auf 20 gehen. Letztlich hängt es
davon ab, welche Sättigungsspannung die Schaltung verträgt.
> Gibt es auch normale Standard NPN Transistoren, die eine deutlich höhere> Sättigungsverstärkung haben?
Meine Daumenregel für Bipolare: Wähle den Transistor so, dass er
mindestens das Doppelte des maximal auftretenden Stroms abkann. Sonst
lassen die Parameter nach.
Der nächste Typ jenseits des BC337 wäre beispielsweise der BC635.
Obacht, anderes Pinout.
> Also nimmt man in solchen Fällen besser einen MOSFET
ja
noname schrieb:> Will man einen Transistor als Schalter benutzen, soll> man ihn ja in Sättigung betreiben.
Richtig.
> Bei den meisten Standardtransistoren (z.B. BC337) findet> man recht hohe Stromverstärkungswerte für den Linearbetrieb,> aber wenn es um den Sättigungsbetrieb geht, dann finde> ich meistens nur 10 als Verstärkungsfaktor.
Nein.
Man findet, dass Ic/Ib = 10 als Messbedingung für die
Messung der Sättigungsspannung verwendet wird.
> Gibt es auch normale Standard NPN Transistoren, die eine> deutlich höhere Sättigungsverstärkung haben?
Es gibt keine "Sättigungsverstärkung".
Die Stromverstärkung ist der Proportionalitätsfaktor
zwischen Ib und Ic -- in der Sättigung sind Ib und Ic
aber NICHT proportional!
Im Linearbetrieb bestimmt der Transistor , wieviel
Strom fließt. Im Schalterbetrieb (=Sättigung) dagegen
bestimmt die außere Last , wieviel Strom fließt!
Es hat logisch keinerlei Sinn, den Quotienten aus Steuer-
strom und Laststrom als Eigenschaft des Transistors
anzusehen, wenn der Laststrom überhaupt nicht vom
Transistor bestimmt wird...
> Funktionieren wird es vermutlich meist auch mit kleineren> Strömen, aber so wirklich wohldefiniert ist eine Schaltung> dann ja nicht mehr...
???
Der Laststrom sollte möglichst nur 1/5 bis 1/3 des maximal
zulässigen Kollektorstromes betragen; in dem Bereich ist die
Stromverstärkung meist noch ziemlich gut. Zu großen Strömen
sackt die Stromverstärkung häufig ziemlich schnell ab; den
Bereich sollte man vermeiden.
Ja, ist ein immerwährendes Thema mit, wie du sehen wirst,
unterschiedlichsten Betrachtungsweisen.
Meine:
Die Stromverstärkungsangaben im Datenblatt sollen möglichst kleine
Sättigungsspannungen UCE liefern - fürs Datenblatt. Der Hersteller nimmt
deshalb einen recht niedrigen Wert als Messbedingung.
Es hängt jetzt davon ab, ob du wirklich minimale Sättigung brauchst oder
nicht. Z.B. für eine LED, die eh einen Vorwiderstand hat, muss man nicht
unbedingt perfekt in Sättigung sein, schon gar nicht bei kleineren
Strömen. Bzw. allgemein für eine Last, bei der es auf ein paar (hundert)
mV hin oder her nicht ankommt. Selbst wenn du mit 30 oder 50 rechnest
(bei einem T der höheren Stromverstärkungsklasse wie BC547C) wirst du
nur einen geringen Unterschied für UCE feststellen können. Bei einem
2N3055 wären der Faktor 10 schon viel ...
Weniger großzügig sollte man natürlich bei größeren Kollektorströmen
sein, denn die machen bei erhöhter Sättigungsspannung halt dann noch
mehr erhöhte Verluste - der Transistor wird heiß. Und da wechselt man
dann spätestens auf MOSFETs, die man aber auch generell nehmen kann.
Einzig: es gibt wenige bedrahtete, aber wenn man SMD verarbeiten kann
darf man die gerne vorziehen.
Muss man allerdings mit geringen Steuerspannungen arbeiten, dann findest
du mehr bipolare als MOS-Transistoren.
noname schrieb:> Will man einen Transistor als Schalter benutzen, soll man ihn ja in> Sättigung betreiben.
Nur wenn man langsam schalten will und/oder den vollen möglichen
Spannungshub braucht. Wenn man schnell schalten will, vermeidet man die
Sättigung, muss dafür aber auf etwa 0,7V Spannungshub verzichten.
> Bei den meisten Standardtransistoren (z.B. BC337)> findet man recht hohe Stromverstärkungswerte für den Linearbetrieb, aber> wenn es um den Sättigungsbetrieb geht, dann finde ich meistens nur 10> als Verstärkungsfaktor.
Das ist kein Verstärkungsfaktor (!), sondern einfach das Verhältnis von
Ic/Ib, das sich aus der Übersteuerung ergibt.
noname schrieb:> Gibt es auch normale Standard NPN Transistoren, die eine deutlich höhere> Sättigungsverstärkung haben?
Natürlich, siehe Anhang.
Danke für die Rückmeldung!
Das mit I_C/I_B war mir so nicht bewusst. Das steht so halt in dem
Artikel https://www.mikrocontroller.net/articles/Basiswiderstand:
"hFE ist minimal 100 (Datenblatt) bei 2 mA Kollektorstrom. Ein Blick ins
Kennlinienfeld verrät, dass auch bei 40 mA Kollektorstrom noch in
diesem Bereich liegt. Aber, etwas versteckt bei den Daten und der
Kennlinie zu (der Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung) findet man,
dass IC/IB = 20 bei Sättigung ist, und das ist der gewünschte Zustand.
Also rechnet man mit einer Stromverstärkung in Sättigung von 20."
Das impliziert das für mich.
Wenn man also nicht von IC/IB ausgehen darf und man gleichzeitig immer
liest, dass hFE nicht bei Sättigung gilt, woher weiß man dann, was man
nehmen kann/muss/soll/darf?
noname schrieb:> Wenn man also nicht von IC/IB ausgehen darf und man gleichzeitig immer> liest, dass hFE nicht bei Sättigung gilt, woher weiß man dann, was man> nehmen kann/muss/soll/darf?
Man wählt einen für die Anwendung geeigneten Transistor nach den Angaben
im seinem Datenblatt aus. Siehe dazu das von mir angehängte Bild.
noname schrieb:> D.h. doch aber, dass man für Collector-Ströme >= 200 mA diese> Transistoren nicht mehr sinnvoll direkt an einem GPIO Pin eines> Mikrocontrollers (z.B. Arduino) betreiben kann
Ja.
Lass es 400mA sein.
Er kann aber jedenfalls nicht mehr 1A schalten.
Dann braucht man Darlingtons oder eben MOSFETs.
noname schrieb:> Gibt es auch normale Standard NPN Transistoren, die eine deutlich höhere> Sättigungsverstärkung haben?
Ja, Superbeta.
Klassisches Beispiel: ZTX1047, schaltet 4A bei 20mA Basisstrom,
allerdings schaltet er langsam, da ist nichts mehr mit 100kHz PWM.
https://pdf1.alldatasheet.com/datasheet-pdf/view/34567/ZETEX/ZTX1047A.html
Zetex hatte viele
https://www.diodes.com/assets/App-Note-Files/zetex/an21.pdf
Leider gibt es den nicht mehr, und mir ist kein Nachfolger bekannt der
genau so vielseitig gut ist.
Es gibt welche die den Strom können.
Es gibt welche die die Stromverstärkung haben.
Es gibt welche mit geringem Einschaltspannungsverlust (low sat).
Es gibt welche die auch 35V Sperrspannung haben.
Aber eine Kombination von allem ? Heute wohl nicht mehr.
Dabei bietet viele Hersteller dünn geschliffene Transistoren an, bei
NXT/Philips heissen sie BISS, bei OnSemi NSS.
Hier z.B. 4A mit nur 0.135V Verlust bei 40V Sperrspannung aber 400mA
Basisstrom https://www.onsemi.com/pdf/datasheet/nss40601cf8-d.pdf
Wenn jemand einen aktuellen Ersatz für ZTX1047 kennt, immer her damit.
Meist ist UCE gegenüber der Versorgungsspannung der Last
vernachlässigbar. Man berechnet dann den Laststrom mit UB/RLast. Der
Transistor muss diesen Strom durchlassen können. Im Datenblatt ermittelt
man den dazu nötigen Basisstrom bei ungünstigster Temperatur und
schlechtester Stromverstärkung und schaut ob UCE bei diesem Strom noch
klein genug bleibt damit der Transistor nicht zu heiß wird. Diesen
ermittelten Basisstrom multipliziert man mit dem Faktor 5. Damit ist
sichergestellt, dass der Transistor in der Sättigung ist.
1mA am BC337 steruert ihn maximal durch und die Last bestimmt den Strom
Peter N. schrieb:> Was ist der Unterschied zwischen Beta unf HFE?
Grundsätzlich gibs da keinen, in der Lehre hat man uns wie euch auch das
Verhältnis von AC Spannungen zu DC Spannungen beigebracht. Heute
fabulieren die über den Crestfaktor im Studium und denken wooohhhh wat
dat cooles.
Leute die Elektrotechnik leben, wissen das Technik immer auf
Verhältnissen beruht und alles mit allem im Zusammenhang steht.
Michael B. schrieb:> Georg M. schrieb:>> https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ZXTN25020DZ.pdf>> Auch er wird eher mit IB=IC/10 angegeben, braucht um 3A schalten zu> könne 300mA Basisstrom.
Es wurde zwar oben schon beschrieben, aber ich fürchte, man muss es
nochmal sagen: Wenn beim entsprechenden Diagramm oder in der Tabelle ein
Verhältnis von 1:10 steht, dann bedeutet das nicht, dass man unbedingt
dieses Verhältnis einhalten muss. Es bedeutet nur, dass das Diagramm
oder der Tabellenwert für dieses Verhältnis gilt.
Aus diesem Diagramm vom verlinkten ZXT... geht hervor, dass bei 3A und
25°C zwischen 1:10 und 1:20 praktisch kein Unterschied bei Uce besteht.
Bei Ic=20mA hingegen wirkt der Unterschied dank der logarithmischen
Darstellung gross. Man sollte sich aber fragen, ob es in der Schaltung
relevant ist, ob Uce bei 4mV oder bei 8mV liegt.
(prx) A. K. schrieb:> Es wurde zwar oben schon beschrieben, aber ich fürchte, man muss es> nochmal sagen
Hobbyistengeschwätz muss man nicht wiederholen.
Nur die Daten, die im Datenblatt tabellarisch angegeben werden, sind vom
Hersteller getestet und garantiert.
Diagramme sind immer nur 'typisch' (an einem Exemplar aufgezeichnet) und
Exemplare schwanken erheblich. Richtige Schaltungen müssen aber immer
funktionieren.
(prx) A. K. schrieb:> Aus diesem Diagramm vom verlinkten ZXT... geht hervor, dass bei 3A und> 25°C zwischen 1:10 und 1:20 praktisch kein Unterschied bei Uce besteht
Ja nun, das eine Exemplar erricht die Kurve, das andere hat halbe
Verstärkung, schon sein deine '10mA reichen auch' Makulatur.
Der https://www.diodes.com/assets/Datasheets/ZXTN2018FQ.pdf sagt z.B
Damit bei 5A Kollektorstrom ein Spannungsabfall von maximal 0.17V
erreicht wird damit die Verlustleistung unter 0.85W bleibt (RJC 125
GradC/W = 40 GradC Umgebungstemp + 106 GradC Steigerung + Basisstrom =
150 GradC Chip was dessen Maximaltemp entspricht) braucht man IB =
250mA. Mit weniger Basisstrom wird die Sättigungsspannung höher und die
Verlustleistung übersteigt das, was das Gehäuse abführen kann.
Michael B. schrieb:> Ja nun, das eine Exemplar erricht die Kurve, das andere hat halbe> Verstärkung, schon sein deine '10mA reichen auch' Makulatur.
Es ging oben um Ic=3A und Ic/Ib=10 oder 20, somit um Ib=300mA oder
Ib=150mA. Nicht Ib=10mA.
> Damit bei 5A Kollektorstrom ein Spannungsabfall von maximal 0.17V> erreicht
Wer einen 5A-Typ als Schalter für 5A verwendet, liegt an der Grenze
dessen, was der kann. Da sind dann auch andere Eigenschaften an der
Grenze, ganz besonders die thermische Grenze beim SOT23 Gehäuse. Ich
hatte oben schon erwähnt, dass ich es im Regelfall für klüger halte,
deutlich Abstand von der Grenze zu halten.
Das ist doch keine Geisteswissenschaft, wo jeder seine eigene Meinung
hat! Es muss doch (mind.) einen korrekten Weg geben, Transistoren
richtig auszuwählen?!?! Kann doch nicht sein, dass jeder was anderes
sagt und der Artikel anscheinend auch net stimmt :/
noname schrieb:> Das ist doch keine Geisteswissenschaft, wo jeder seine eigene Meinung> hat!
Auch bei exakten Wissenschaften sind unterschiedlichen Meinungen nicht
selten anzutreffen. ;-)
noname schrieb:> Das ist doch keine Geisteswissenschaft, wo jeder seine eigene Meinung> hat!
Ein Problem dabei ist schon der Begriff "Sättigung". Man kann das als
jenen Zustand definieren, in dem zusätzlicher Basisstrom reinweg nichts
mehr ändert. Wirst du oft so definiert finden. Viele gehen im realen
Leben jedoch etwas pragmatischer (lies: billiger) zu Sache und sind
schon zufrieden, wenn zusätzlicher Basisstrom nur noch so wenig ändert,
dass es für die Schaltung nicht relevant ist. Und nennen auch das
"Sättigung", weil bereits weit im übersteuerten Bereich, nur noch nicht
ganz am Limit. Und schon geht der Krieg los. ;-)
(prx) A. K. schrieb:> Ein Problem dabei ist schon der Begriff "Sättigung". Man kann das als> jenen Zustand definieren, in dem zusätzlicher Basisstrom reinweg nichts> mehr ändert.
Der Basisstrom "ändert" sowieso nie etwas direkt - es ist die damit
verknüpfte Basis-Emitter-Spannung, welche einen so großen
Kollektorstrom ermöglicht, der die Spannung am Kollektor dann kleiner
als die Basisspannung werden lässt.
Damit ist dann auch die Basis-Kollektor-Diode leitend - und genau DAS
ist die Definition von Sättigung.
Damit fließen jetzt also zwei Ströme in die Basis (einer zum Emitter und
einer zum Kollektor.) Damit ist der Basisstrom nur das Ergebnis der
Spannungs-Situation, aber nicht deren Ursache.
Und das ist auch der Grund für die Nicht-Anwendbarkeit der sog.
"Stromverstärkung B", denn die ist das Verhältnis Ic/Ib im sog.
Verstärkerbetrieb.
Dieser Wert B wird aber oft einfach als Bezugswert angesehen, und man
tut so als ob wegen des nun so großen Basisstroms der B-Wert viel
kleiner gewählt werden muss. Das funktioniert ja auch in der Praxis -
ist aber eben physikalisch nicht korrekt, denn man speist ja keinen
Basisstrom ein (das ist mehr oder weniger "Laborsprache").
Man legt nur die schaltende Spannungsquelle und den notwendigen
Vorwiderstand so aus, dass bei dem jeweiligen (großen) Basisstrom dann
auch der oben erwähnte Sättigungszustand eintreten kann.
Hp M. schrieb:> ZTX1048A verfügbar, nahezu identisch, aber gut für 50V.
17.5V ist halt oft etwas knapp, aber die alte Zetex-Reihe kenne ich
natürlich, ist wohl bloss eine andere Sortierung.
(prx) A. K. schrieb:> Es ging oben um Ic=3A und Ic/Ib=10 oder 20, somit um Ib=300mA oder> Ib=150mA. Nicht Ib=10mA.
Damit alle unbrauchbar. Aber ich weiss, hier wollte auch Jemand den
BC337 mit 1mA 'ausreichend versorgen'.
Relevant ist: Es gibt sie, die Bipolartransistoren die mit dem Strom
eines I/O Pins von maximal 20mA einen deutlichen Strom schalten können,
ob nun 1A oder 4A. Aber leider selten. Sicher weil es dafür inzwischen
sehr gute MOSFETs als Ersatz gibt.
(prx) A. K. schrieb:> Wer einen 5A-Typ als Schalter für 5A verwendet, liegt an der Grenze> dessen, was der kann. Da sind dann auch andere Eigenschaften an der> Grenze, ganz besonders die thermische Grenze beim SOT23 Gehäuse. Ich> hatte oben schon erwähnt, dass ich es im Regelfall für klüger halte,> deutlich Abstand von der Grenze zu halten.
Damit du, weil du ein Bauteil nur zu 10% auslastest, auch mit viel zu
knappem Basisstrom noch irgendwie durchkommst ? Er hat dann nicht mehr
0.17V Verlust sondern vielelicht 1.7V, er hält dann keine Ampere mehr
aus sondern nur noch Milliampere, alles egal, Hauptsache du biegst dir
deine Welt irgendwie zurecht ?
(prx) A. K. schrieb:> ganz besonders die thermische Grenze beim SOT23 Gehäuse.
Lass' es lieber, das ist nicht Deine Welt.
Michael B. schrieb:> Es gibt sie, die Bipolartransistoren die mit dem Strom> eines I/O Pins von maximal 20mA einen deutlichen Strom schalten können,> ob nun 1A oder 4A. Aber leider selten.
Vermutlich so selten, dass nur Du diese kennst.
4A gegen 20mA wäre eine Verstärkung um 200. Vielleicht machbar, wenn Du
U(CE) 1 Volt akzeptierst und einen Kühlkörper anbaust. Ordentlich in der
Sättigung mit U(CE) kleiner 300 mV möchte ich sehen, kannst Du mir einen
zwecks Nachmessung zusenden?
Bei wenigen hundert Milliampere kann man noch Glück haben, Exemplare zu
erwischen, die mit B=50 gesättigt sind, aber kein Datenblatt, was das
für eine Serie garantiert.
Michael B. schrieb:> Hauptsache du biegst dir deine Welt irgendwie zurecht ?
Das könnt Ihr Euch gegenseitig vorwerfen.
Herr noname liegt mit dem Faktor 10 so, dass es jeder beliebige NPN
sicher kann, ein BC_irgendwas genauso wie ein 2N3055.
Nun ja, im Jahre 2022 muß ich mich damit nicht mehr plagen, MOS-FETs mit
ein paar Dutzend Milliohm R(DS) gibt es an jeder Ecke.
Michael B. schrieb:> Hp M. schrieb:>> ZTX1048A verfügbar, nahezu identisch, aber gut für 50V.>> 17.5V ist halt oft etwas knapp, aber die alte Zetex-Reihe kenne ich> natürlich, ist wohl bloss eine andere Sortierung.
Ja.
Wahrscheinlich ist durch bessere Materialien und Fertigungsverfahren die
Ausbeute an 50V Transistoren so hoch geworden, dass man den 35V-Typ
ZTX1047A aufgeben konnte.
Aber der ZTX1048A ist als 1:1 Ersatz geeignet und vor allem: Er ist
lieferbar.
Andere Möglichkeiten wurden ja schon aufgezeigt, erfordern aber
wahrscheinlich ein Redesign der Schaltung.
noname schrieb:> Will man einen Transistor als Schalter benutzen, soll man ihn ja in> Sättigung betreiben. Bei den meisten Standardtransistoren (z.B. BC337)> findet man recht hohe Stromverstärkungswerte für den Linearbetrieb, aber> wenn es um den Sättigungsbetrieb geht, dann finde ich meistens nur 10> als Verstärkungsfaktor.
Warum in der Sättigung betreiben?
Dafür hast du sicher keinen Grund.
Linearbetrieb findest du in keinem Datenblatt.
HildeK schrieb:> Die Stromverstärkungsangaben im Datenblatt sollen möglichst kleine> Sättigungsspannungen UCE liefern - fürs Datenblatt. Der Hersteller nimmt> deshalb einen recht niedrigen Wert als Messbedingung.> Es hängt jetzt davon ab, ob du wirklich minimale Sättigung brauchst oder> nicht. Z.B. für eine LED, die eh einen Vorwiderstand hat, muss man nicht> unbedingt perfekt in Sättigung sein, schon gar nicht bei kleineren> Strömen. Bzw. allgemein für eine Last, bei der es auf ein paar (hundert)> mV hin oder her nicht ankommt.
So ist es.
Und was ist unverständlich an einer Stromverstärkung von 500?
Man prägt einen Strom an der Basis ein und hat einen 500-fachen Strom am
Kollektor.
Natürlich in der Meßschaltung ohne Kollektorwiderstand.
Danke für die vielen Antworten.
Wenn man sich an die „Regel“ hält, dass man den kleinsten hFE im
Datenblatt sucht, damit IB ausrechnet und den zur Sicherheit noch um den
Faktor 5-10 vergrößert, dann komme ich bei meinen Stichproben meistens
in den Bereich, den ich mit IC/IB=10 auch bekommen hätte… völlig
unabhängig wann welcher Wert tatsächlich Gültigkeit hat^^ ergo: ich
nehme MOSFETs :D
noname schrieb:> Will man einen Transistor als Schalter benutzen, soll man ihn ja in> Sättigung betreiben.noname schrieb:> Also nimmt man in solchen Fällen besser einen MOSFET
Das 'T' in "MOSFET" steht für *Transistor". Und ja, damit der sauber
schaltet muss die Spannung am Gate zum Schalten so gesteuert werden,
dass der lineare Bereich ausreichend schnell durchfahren wird. Sonst
steigt die mittlere Verlustleistung kräftig an. Dazu gibt es im
Datenblatt immer die Ausgangskennlinienschar mit U_GS als Parameter.
noname schrieb:> dann komme ich bei meinen Stichproben meistens> in den Bereich, den ich mit IC/IB=10 auch bekommen hätte… völlig> unabhängig wann welcher Wert tatsächlich Gültigkeit hat^^
Die Annahme B=10 erfüllt jeder beliebige NPN-Transistor, sogar der gute,
alte, BC107A, habe ich vmtl. noch vorrätig.
> ergo: ich nehme MOSFETs :D
Ich nicht!
Wie auch zu Deinem Basiswiderstand gibt es diverse MOS-Threads, wo die
Dinger nicht ordentlich schalten. Sie schalten nicht vollständig durch,
wenn die Gatespannung zu gering ist, was bei vielen Typen für 10V U(GS)
definiert wird. Wenn Du mit Mikrocontrollern bastelst, müssen zwingend
Logik-Level-FETs her. Auch da muß man gucken, ob diese ab 4,5V oder
geringer spezifiziert sind (µC mit 3,3 Volt).
Wenn ich jetzt eine LED an einer LiIon-Zelle schalten will, sagen wir
mal mit 1 mA, werde ich da einen bipolaren NPN mit 27k an der Basis
einsetzen.
Wenn ich ein Relais an 12 Volt habe, interessiert es mich nicht, ob am
Transistor nun 0,3 oder 0,6 Volt abfallen. Für angenommene 40 mA
Relaisstrom reicht dann auch 1 mA in die Basis - also kommt bei mir ein
BC_irgendwas rein. Nehmen wir 0,6 Volt an, bleiben am Transistor 24 mW
Verlustleistung, uninteressant.
Interessant werden MOS-FETs bei größeren Strömen. Ich sage nicht
pauschal, NPN oder FET, ich entscheide es nach Anforderung.
Aktuell kommt ein Beschaffungsproblem hinzu: BC_irgendwas hat man da
oder bekommt sie an jeder Ecke, bei den MOS-FETs sind diverse
'Bastlers-Lieblinge' nicht oder nur überteuert lieferbar.
myName schrieb:> Dazu gibt es im> Datenblatt immer die Ausgangskennlinienschar mit U_GS als Parameter.
Jou! Wenn man mit 3,3V-Logik spielt, sollte es ein Typ sein, der ab 2,7
Volt spezifiziert ist.
Hp M. schrieb:> Ja.> Wahrscheinlich ist durch bessere Materialien und Fertigungsverfahren die> Ausbeute an 50V Transistoren so hoch geworden, dass man den 35V-Typ> ZTX1047A aufgeben konnte.> Aber der ZTX1048A ist als 1:1 Ersatz geeignet und vor allem: Er ist> lieferbar.
Auch du kannst ein Datenblatt nicht lesen.
Der ZTX1047 hält nur 17.5V aus, der ZTX1047 nur 10V und der ZTX1049
immerhin 25V. Klar sind die alle eine Serie. Aber man könnte ja denken,
daß in den letzen 30 Jahren ein besserer Nachfolger geschaffen wurde.
Scheint umgekehrt zu sein, es wird immer schlechter.
Immerhin bei nur unrelevanten hFE Variationen.
Manfred schrieb:> Wie auch zu Deinem Basiswiderstand gibt es diverse MOS-Threads, wo die> Dinger nicht ordentlich schalten. Sie schalten nicht vollständig durch,> wenn die Gatespannung zu gering ist, was bei vielen Typen für 10V U(GS)> definiert wird. Wenn Du mit Mikrocontrollern bastelst, müssen zwingend> Logik-Level-FETs her. Auch da muß man gucken, ob diese ab 4,5V oder> geringer spezifiziert sind (µC mit 3,3 Volt).
So sind die Spielregeln. Bei einem BJT hast du ein ähnliches Problem -
nur geht es da um den Strom und die Stromverstärkung.
Das in vielen MOS-Threads angesprochene Problem resultiert daraus, dass
Leute das Datenblatt nicht lesen (können) und sich an der Gate
Schwellspannung (Gate Threshold Voltage) U_GS(th) festbeißen, die an
dieser Stelle aber gar keine Bedeutung hat.
Wolfgang schrieb:> Bei einem BJT hast du ein ähnliches Problem -> nur geht es da um den Strom und die Stromverstärkung.
Na ja......
In meinem Beitrag vom 02.11 (21:07) hab ich versucht darzustellen, dass
man bei der Auslegung der Ansteuer-Mimik durchaus so tun kann, als ob es
der Strom wäre, der den Schaltvorgang (Sättigung) auslöst, dass das aber
eine vereinfachte (und physikalisch nicht zutreffende) Vorstellung ist.
Der vergrößerte Basisstrom ist immer das ERGEBNIS der geöffneten
Basis-Kollektor-Diode, aber nicht deren Ursache!
Andersrum kann man darum sagen, dass der vergrößerte Basisstrom
(verglichen mit Ib=Ic/B) ein INDIZ ist für den Sättigungszustand.
Manchmal ist es ja ganz hilfreich zu wissen, was physikalisch passiert -
auch wenn man bei der Rechnung das dann mal kurzzeitig vergisst.
