MOSFET Avalanche rated

Heinz schrieb:

Was genau bedeutet das? Bedeutet das, dass der Mosfet im Avalanche Mode (in gewissen Grenzen) betrieben werden kann, ohne dabei beschädigt zu werden? Wenn ja, kann der dann beliebig oft in diesem Mode betrieben werden, ohne "bleibende" Schäden mitzunehmen?

Steht normalerweise (indirekt) im Datenblatt.

Einmal die maximale Energie, die pro Avalanche-Ereignis "verbraten" werden darf, zum anderen die maximale Verlustleistung (in Abhängigkeit von Kühlkörper...), die sich die Avalanche-Diode natürlich mit den Schalt-Verlusten etc. teilen muss.

Damit kannst du dir das Gesuchte ausrechnen.

Heinz schrieb:

ich weiß was der Avalanche Effekt bei MOSFETs ist - in manchen Datenblättern ist in der Übersicht nur das Kurzwort: avalanche-rated angeführt.

Zeige doch mal ein Datenblatt, wo nur das Kurzwort drin steht, ohne eine konkretere Spezifikation der Avalanche-Energie.

Heinz schrieb:

mich hätte interessiert, was nur dieses Stichwort "Avalanche Rated" genau bedeutet. Gibt es denn auch MOSFETs, die nicht im Avalanche Mode betrieben werden können? Das würde es dann erklären...

"-rated" ist englisch für "-spezifiziert". ;-) Und eine Spezifikation besteht aus... Parametern in Zahlenwerten.

Man kann alle Mosfets avalanchen lassen, aber Avalanche- Betrieb ist nicht bei allen SPEZIFIZIERT (vom Hersteller parametrisch festgehalten = vom Kunden "einforderbar").

Und:

Nicht spezifizierte Fets müßtest Du selbst analysieren & spezifizieren, obwohl man je nach genauer Energie pro Type auch schätzen könnte/zu manchen unspezifizierten Fet- (sowie BJT-) Typen auch Dokus von Versuchen anderer im Netz finden mag.

Was mich noch interessieren würde: Wie kommt der MOSFET aus dem Avalanche Mode wieder heraus? Das scheint ja ein Durchbruch zu sein, der anscheinend reversibel ist?

Von allein, wenn eine Quelle vorhanden, die weiterhin viel Strom über DS fließen ließe? Gar nicht... er stirbt (je nach Type und Energie/Strom tritt magischer Rauch in evtl. Explosionsgeschwindigkeit aus).

Avalanchen nutzt man nicht an niederohmigen DC-Quellen ganz ohne Strombegrenzung oder sogar sowas wie schnelle Überstromerkennung & -abschaltung, sondern normalerweise bei begrenzter Energie - eines C / einer L zum Bleistift.

Man kann z.B. die Spulenenergie eines Relais vom deren Strom unterbrechenden Transistor über Avalanche auf die Durchbruchspannung klemmen (/lassen).

Heinz schrieb:

danke schonmal, ich sehe im Datenblatt unten weiter schon die Avalanche parameter... mich hätte interessiert, was nur dieses Stichwort "Avalanche Rated" genau bedeutet. Gibt es denn auch MOSFETs, die nicht im Avalanche Mode betrieben werden können?

Ja. Wobei rein technologisch wohl fast alle MOSFETs das können, auch wenn es nicht explizit drin steht. Hab ich mal irgendwo aufgeschnappt. Kann stimmen, muss nicht.

Was mich noch interessieren würde: Wie kommt der MOSFET aus dem Avalanche Mode wieder heraus?

Der externe Puls endet. Damit ist das Thema durch. Ist wie eine Z-Diode. Da bleibt nix hängen wie ein gezünbdeter Thyristor.

Das scheint ja ein Durchbruch zu sein, der anscheinend reversibel ist?

Ja.

LDR schrieb:

Der Hersteller gibt dafür konkrete Werte an.

Lawinwendurchbruch machen die Bodydioden alle, wie auch andere Dioden.

Es geht gar nicht um die Bodydiode sondern den Kanal. Denn der muss die Sperrspannung aufbringen.

Falk B. schrieb:

Es geht gar nicht um die Bodydiode sondern den Kanal. Denn der muss die Sperrspannung aufbringen.

Wie sollte denn das gehen? Erklär das das bitte mal.

https://www.google.com/search?q="bildet+sich+ein+leitender+kanal+aus+elektronen"&client=opera

Wie genau soll etwas im Sperrzustand nicht vorhandenes Spannung sperren können?

Alfred B. schrieb:

Falk B. schrieb:

Es geht gar nicht um die Bodydiode sondern den Kanal. Denn der muss die Sperrspannung aufbringen.

Wie sollte denn das gehen? Erklär das das bitte mal.

https://www.google.com/search?q="bildet+sich+ein+leitender+kanal+aus+elektronen"&client=opera

Wie genau soll etwas im Sperrzustand nicht vorhandenes Spannung sperren können?

So geht das: https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_Some_key_facts_about_avalanche-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d462584d1d4a0158ba0210977cde

Heinz schrieb:

Gibt es denn auch MOSFETs, die nicht im Avalanche Mode betrieben werden können? Das würde es dann erklären...

Was mich noch interessieren würde: Wie kommt der MOSFET aus dem Avalanche Mode wieder heraus? Das scheint ja ein Durchbruch zu sein, der anscheinend reversibel ist?

MOSFETs mit eher niedriger Spannung (200V) haben meist ein eher gutmütiges Avalanceverhalten, welche mit hoher Spannung sterben schneller. Avalance bei einem MOSFET heißt, das dieser sich wie eine Zenerdiode verhält. D.h. die Spannung bleibt bei ca. 115% Nennspannung stehen und gleichzeitig fließt Strom. Das ist im Gegensatz zum 2. Durchbruch vom Bipolartransistor, der unter diesen Bedingungen blitzartig komplett durchschaltet. Als Maximalstrom bei Avalance sollte man grob den Nennstrom bei 100°C nehmen. Den normalen Spitzenstrom IDM verkraftet er Avalance eher nicht. Ist der Avalancespitzenstrom zu hoch, kann der MOSFET auch komplett durchschalten. In den meisten Schaltungen ist das dann der Tod des Transistors, ich habe aber auch Fälle gesehen, wo das ein Transistor reproduzierbar überlebt hat.