Weil doch immer wieder mal für Linearbetrieb geeignete MOSFETs gesucht werden, hier ein Tipp. Nach stundenlanger Datenblattquälerei bin ich auf den hier gestoßen: https://www.littelfuse.com/products/power-semiconductors/discrete-mosfets/n-channel-linear/standard_linearmode/ixth24n50l.aspx 500V, 24A, 300W, 0,3 Ohm, TO247 Als Besonderheit hat er neben ausdrücklicher DC-Spec eine recht flache Kennlinie der Steuerspannung.
Icke ®. schrieb: > 500V, 24A, 300W, 0,3 Ohm, TO247 400W Und weil ich neugierig war, habe ich mir das mal beim Mouser angesehen. Das Teil kostet pro Stück ca. 21 € und ist derzeit nicht lieferbar. Fabriklieferzeit: 86 Wochen Icke ®. schrieb: >> Exicon hat besseres. > > Schön, teilst du dein Wissen mit uns? http://www.exicon.info/ EXICON lateral MOSFETs are designed specifically for high fidelity integrated and power amplifiers.... Scheinbar gibt es nur 8 Typen von denen. * ECW20N20 & ECW20P20 - for audio power amplifier output stage applications * ECX10N20 & ECX10P20 - for high power linear use * ECF10N20, ECF10P20, ECF20N20 & ECF20P20 - ideal for audio amplifier design Die erste beiden (ECW und ECX) sind im TO-247 Gehäuse, die ECF im TO-3 Gehäuse. *** Für meine self-made Stromsenke habe ich N-MOSFETS vom Typ VNW50N04A (ST, "OMNIFET": fully autoprotected power MOSFET) verwendet, die sind auch explizit für den Linearbetrieb geeignet (42V, 0,012 Ohm, 50 A, 208 W, TO-247) und hat eine interne Übertemperatursicherung und Kurzschlussicherung (Gate wird über einen 100 Ohm Widerstand nach Source verbunden = Status Feedback). Allerdings gibt es das Teil schon ein paar Jahre nicht mehr aber es gibt diverse Anbieter, die Restbestände verkaufen. Ich wollte es nur mal erwähnen.
K. H. schrieb: > Und weil ich neugierig war, habe ich mir das mal beim Mouser angesehen. > Das Teil kostet pro Stück ca. 21 € und ist derzeit nicht lieferbar. > Fabriklieferzeit: 86 Wochen Zwei Stück kosteten mich in der Bucht 8,90€ incl. Versand. Aber dort sind die jetzt auch nicht mehr verfügbar. Hat wohl gleich jemand leergekauft. K. H. schrieb: > Icke ®. schrieb: >>> Exicon hat besseres. >> >> Schön, teilst du dein Wissen mit uns? > > http://www.exicon.info/ Das war eher ein rhetorische Frage. Und was von deren "Audio"-MOSFETs bei ebay rumfleucht, ist jetzt auch kein Schnäppchen.
Icke ®. schrieb: > Zwei Stück kosteten mich in der Bucht 8,90€ incl. Versand. Und anschliessend folgt das naechste Gejammer "alles nur Fakes..."
Habe letztens in irgendeinem Elektronik-Bummi etwas drüber gelesen: Das Schlagwort ist, "Wide SOA Mosfet" https://eepower.com/new-industry-products/safer-linear-mode-operation-with-wide-soa-mosfets/
Bernd K. schrieb: > Habe letztens in irgendeinem Elektronik-Bummi etwas drüber > gelesen: > Das Schlagwort ist, "Wide SOA Mosfet" > https://eepower.com/new-industry-products/safer-linear-mode-operation-with-wide-soa-mosfets/ Sieht nicht schlecht aus und akzeptabler Preis. Nur das Package ist wenig DIY-freundlich. Aber irgendwas is ja immer.
Icke ®. schrieb: > Bernd K. schrieb: >> Habe letztens in irgendeinem Elektronik-Bummi etwas drüber >> gelesen: >> Das Schlagwort ist, "Wide SOA Mosfet" >> > https://eepower.com/new-industry-products/safer-linear-mode-operation-with-wide-soa-mosfets/ > > Sieht nicht schlecht aus und akzeptabler Preis. Nur das Package ist > wenig DIY-freundlich. Aber irgendwas is ja immer. Naja, für einen Schalt-Mosfet vermutlich nicht wirklich schlecht, aber Richtung höherer Uds trotzdem nicht wirklich über den gesamten Bereich Ptot-fähig wie der BUZ11 (zumindest lt. ST).
Hallo zusammen, ich muss diesen 2 1/2 Jahre alten Thread mal ausgraben. Ich suche einen N-MOSFET mit TO-247 oder TO-3P Gehäuse mit folgenden Eigenschaften: - Lineartauglich - Uds(max) min. 600V, besser 800V oder mehr - Rds(on) max. 1R, gerne deutlich weniger - Id(max) weniger relevant, da nur ca. 500mA Gleichstrom fließen - P(max) >50W Dinge wie Gate Charge oder sowas sind egal, da er als Linear-Vorregler für einen Spannungsregler dienen soll. Ich wollte eigentlich einen der MDmesh-MOSFETs von ST nehmen, aber die haben im SOA kein DC-Betrieb spezifiziert. Vielleicht hat jemand eine Idee.
Ths S. schrieb: > ich muss diesen 2 1/2 Jahre alten Thread mal ausgraben. > > Ich suche.. Nein, hättest du nicht gemusst. Du hast den Thread für deine Suche gekapert. Für dein Problem hättest du besser einen eigenen Thread aufgemacht, denn er hat nichts mit dem Sinn dessen zu zu was der TO hier zeigen wollte. User beginnen den Thread von Anfang an zu lesen..um dann auf deine Suchanfrage zu treffen;-( > Vielleicht hat jemand eine Idee. Parametrische Suche bei Mouser & Co bemühen.
:
Bearbeitet durch User
Power Depletion MOSFET von Littelfuse. Oder gleich ein SMPS, bei 50W??
Angehängte Dateien:
H. H. schrieb: > Rosa Einhorn MOSFETs. Bedenke immer, dass Deine Vorschläge auch aufgegriffen werden können.
Dieter D. schrieb: > H. H. schrieb: >> Rosa Einhorn MOSFETs. > > Bedenke immer, dass Deine Vorschläge auch aufgegriffen werden können. Hey, geil! Was nimmt man da, wenn ein Linearregler für ein Röhrengerät aufgebaut werden soll, 300 Volt. 400 mA? mfg
Eine 100er Packung davon vielleicht: LR8N3-G Microchip Technology Lineare Spannungsregler 450V Adj 3 Vielleicht kann der TO auch mit dem IGBT aus dem Thread leben, statt Mosfet: Beitrag "IGBT-Audioendstufe mit 600V/400A-Modulen möglich?"
Lotta . schrieb: > Was nimmt man da, wenn ein Linearregler für ein Röhrengerät > aufgebaut werden soll, 300 Volt. 400 mA? Natürlich Röhren & Glimmstabis! Wenn schon altertümlich, dann auch richtig.
:
Bearbeitet durch User
Mark S. schrieb: > Lotta . schrieb: >> Was nimmt man da, wenn ein Linearregler für ein Röhrengerät >> aufgebaut werden soll, 300 Volt. 400 mA? > > Natürlich Röhren & Glimmstabis! Wenn schon altertümlich, dann auch > richtig. Ach, ich wollte eigendlich den Heiztrafo und die immer müder werdenden EC360 weghaben... mfg
Hallo, Abdul K. schrieb: > Power Depletion MOSFET selbstleitende Typen kommen leider nicht in Frage - das hätte ich erwähnen müssen, sorry. Abdul K. schrieb: > Oder gleich ein SMPS, bei 50W?? Gerne, nur habe ich von der Auslegung keine Ahnung. H. H. schrieb: > Rosa Einhorn MOSFETs. Es war klar, dass irgendjemand wieder einen solchen Beitrag bringen muss. So schön das gebündelte Wissen im µC-Forum auch ist, so schlecht ist teilweise der Umgang miteinander. Schade. Dein Beitrag bringt mir leider gar nichts und ich weiß auch nicht, was mir dieser Beitrag sagen soll. Gibst Du im realen Leben auch solche Antworten? Dieter D. schrieb: > Vielleicht kann der TO auch mit dem IGBT aus dem Thread leben Da hatte ich schon drüber nachgedacht. Danke an alle, die etwas sinnvolles beigetragen haben, ich ziehe mich direkt wieder zurück.
Ths S. schrieb: > - Lineartauglich > - Uds(max) min. 600V, besser 800V oder mehr > - Rds(on) max. 1R, gerne deutlich weniger > - Id(max) weniger relevant, da nur ca. 500mA Gleichstrom fließen > - P(max) >50W Ein bisschen genauer solltest du vielleicht werden. Der Unterschied für Uds(max) von 600V zu 800V bedeuten eine zusätzliche Verlustleistung von 100W. Das passt nicht zu deinen "P(max) >50W". Was hast du für ein Eingangssignal?
Ths S. schrieb: > - Lineartauglich > - Rds(on) max. 1R, gerne deutlich weniger > - Id(max) weniger relevant, da nur ca. 500mA Gleichstrom fließen Warum ist dir da ein besonders niedriger R_dson wichtig? Im Linearbetrieb arbeitet das Teil eh als Stromquelle mit möglichst hohem Innenwiderstand. Ein niedriger R_dson deutet auf ein Leistungsbauteil für Schaltbetrieb hin mit vielen parallel geschalteten MOSFET-Zellen. Das ist für Linearbetrieb kontraproduktiv.
Wie kritisch sind die 1 Ohm, und "wo"? Der IGW40N65F5 * hat eine DC-Linie bei der SOA, , nur der Hinweis "Recommended use at VGE>= 7.5V". * hat leider bis zu 2mA Leckstrom, wenns warm wird * ist kein Mosfet sondern ein IGBT, der Widerstand bei kleinen Strömen ist also höher als 1 Ohm Den hatte ich nur im Kopf, weil es den bei Pollin gibt https://www.pollin.de/p/infineon-igbt-igw40n65f5-131155 und ich genau wegen der DC-Spec schonmal bei sowas reinschauen. Gibt sicher hunderte weitere IGBTs, die das auch haben/können.
Ths S. schrieb: > Abdul K. schrieb: >> Power Depletion MOSFET > > selbstleitende Typen kommen leider nicht in Frage - das hätte ich Warum nicht? Wie sieht die Quelle und Last genau aus? > erwähnen müssen, sorry. > Abdul K. schrieb: >> Oder gleich ein SMPS, bei 50W?? > > Gerne, nur habe ich von der Auslegung keine Ahnung. Irgendein Netzteil dafür wird's doch fertig geben. > H. H. schrieb: >> Rosa Einhorn MOSFETs. > > Es war klar, dass irgendjemand wieder einen solchen Beitrag bringen muss Na weil die Spec unrealistisch, exotisch oder nicht baubar erscheint!
Ths S. schrieb: >> Rosa Einhorn MOSFETs. > > Dein Beitrag bringt mir leider gar nichts und ich weiß auch nicht, > was mir dieser Beitrag sagen soll. Vielleicht die Erkenntnis, das lineare FETs eine aussterbende Spezies sind?
Ths S. schrieb: > - Lineartauglich > - Uds(max) min. 600V, besser 800V oder mehr > - Rds(on) max. 1R, gerne deutlich weniger > - Id(max) weniger relevant, da nur ca. 500mA Gleichstrom fließen > - P(max) >50W Woran erkennt man nun eigentlich genau, dass ein MOSFET lineartauglich ist? Ist da die in der SOA eingezeichnete DC-Kennlinie das einzige Kriterium? Von https://www.aosmd.com/ gibt es etliche MOSFETs, bei denen in der SOA die DC-Kennlinie bis zur maximalen Betriebsspannung geht. Die Kombination 600 V mit Rds(on) deutlich kleiner als 1 Ohm lässt sich hier problemlos finden, bei 900 V wären es 1,3 Ohm: https://www.aosmd.com/sites/default/files/res/datasheets/AOK9N90.pdf Allerdings steht nirgends, dass die MOSFETs für Linearbetrieb gedacht sind, es sind eigentlich Schalttransistoren. Ist da noch irgendwo ein Haken, den ich übersehe?
:
Bearbeitet durch User
Harald W. schrieb: > Vielleicht die Erkenntnis, das lineare FETs > eine aussterbende Spezies sind? Ist das tatsächlich so oder eine Annahme? Thomas B. schrieb: > Woran erkennt man nun eigentlich genau, dass ein MOSFET lineartauglich > ist? Das habe ich mich auch schon mehrfach gefragt. Meine Annahme ist, dass es im Datenbladl genannt wird. > Ist da die in der SOA eingezeichnete DC-Kennlinie das einzige > Kriterium? Nein. Kurz: Die beim Linearbetrieb entstehende Wärme im "Reaktorkern" aka Die wird lokal zu hoch was zu anderen Betriebsparametern führt was wiederum eine Art Kettenreaktion auslöst und den "Reaktorkern" zum schmelzen bringt. Thomas B. schrieb: > Ist da noch irgendwo ein > Haken, den ich übersehe? Ja, genau die Sache mit dem internen Aufbau und die verschiedenen Betriebsparameter bei Kälte und Wärme. Mehr ausführlich (dummerweise ist jetzt die Formatierung im Arsch): **Q:** Can any MOSFET handle linear mode? If not, why? **A:** Not all MOSFETs can safely operate in linear mode, and most standard power MOSFETs are poorly suited for it. The main limitation is **electro-thermal instability (ETI)**, which makes typical switching MOSFETs prone to self-destruction when used in linear operation. #### Why Standard MOSFETs Struggle in Linear Mode In the linear (or saturation) region, the MOSFET behaves like a voltage-controlled current source, and both its drain current ($$I_D$$) and drain-source voltage ($$V_{DS}$$) can be relatively high simultaneously, leading to significant power dissipation ($$P = I_D \times V_{DS}$$). In switching applications, this condition is brief, but in linear mode, the device must sustain it continuously. [3] The problem is **non-uniform heating across the silicon die**. As temperature locally rises: - The **threshold voltage $$V_{GS(th)}$$ decreases** (MOSFETs have a negative temperature coefficient). - This locally increases current density. - Higher current density increases local power and temperature even more. This positive feedback loop — **electro-thermal instability (ETI)** — can create current “hot spots” that destroy the device. [1] #### Linear-Mode MOSFETs and Design Considerations Some specialized **linear-mode MOSFETs** exist, designed with die architectures and doping profiles to mitigate ETI and improve thermal uniformity. For general-purpose MOSFETs, manufacturers define a **Safe Operating Area (SOA)**, which limits allowable voltage, current, and duration of linear operation. Operating outside this area risks failure due to local overheating or activation of parasitic (bipolar) structures. [2][9][1] #### Summary | Type | Able to Handle Linear Mode? | Limitations | | :-- | :-- | :-- | | Standard power MOSFET | Rarely and only briefly | High risk of thermal runaway (ETI), current crowding, SOA violations [1][5] | | Specialized linear MOSFET | Yes | Designed for uniform temperature and wide SOA [3][9] | In essence, ordinary MOSFETs cannot reliably handle linear mode due to their inherent **thermal and electro-structural weaknesses**, but **purpose-built linear MOSFETs** with enhanced SOA and thermal design can. #### Citations [1] https://eepower.com/technical-articles/understanding-linear-mosfets-and-their-applications/ [2] https://www.mouser.com/pdfDocs/PowerMOSFETsinlinearmode.pdf [3] https://www.nexperia.com/applications/interactive-app-notes/IAN50006_Power_MOSFETs_in_linear_mode [4] https://www.mouser.com/pdfDocs/AN50006-2.pdf [5] https://www.mouser.com/pdfDocs/Infineon-MOSFET_CoolMOS_7_linear_mode_at_high_voltage-ApplicationNotes-v01_00-EN.pdf [6] https://www.eevblog.com/forum/beginners/transistor-vs-mosfet-for-linear-power-supply/ [7] https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-Linear_Mode_Operation_of_Radiation_Hardened_MOSFETS-ApplicationNotes-v01_01-EN.pdf?fileId=8ac78c8c84f2c0670184f501d5c01463 [8] https://www.reddit.com/r/ElectricalEngineering/comments/1bgm9ha/do_i_need_a_linear_mosfet_or_can_i_do_this_with/ [9] https://www.infineon.com/dgdl/Infineon-ApplicationNote_Linear_Mode_Operation_Safe_Operation_Diagram_MOSFETs-AN-v01_00-EN.pdf?fileId=db3a30433e30e4bf013e3646e9381200 [10] https://www.eevblog.com/forum/beginners/linear-mode-operation-and-mosfet-fbsoa-question/
:
Bearbeitet durch User
> **electro-thermal instability (ETI)**, which makes typical switching > MOSFETs prone to self-destruction when used in linear operation. Das ist ja grundsaetzlich bekannt. Die Frage ist nur ob man dem entgehen kann indem man einfach mit seiner Leistung DEUTLICH unter den Maximalwerten des Herstellers bleibt. Klar, beruflich haette ich bedenken wenn ein Datenblatt das nicht erlaubt, aber bei privaten Bastelaktionen wuerde ich es machen und hoechstens die halbe Spannung, die halbe Leistung und ein drittel des maximalen Strom als Grenze betrachten und dann mal schauen was passiert. Eine Sache ist mir gerade noch durch den Kopf gegangen. Ein Entwicklungsziel bei einem Transistor der explizit fuer Schaltbetrieb entwickelt wurde, duerfte wohl seine Geschwindigkeit sein. Ich wuerde also im Linearbetrieb sehr genau hinschauen ob der nicht irgendwo mal etwas schwingt. Vanye
:
Bearbeitet durch User
Thread beobachten
Seitenaufteilung abschaltenBitte melde dich an um einen Beitrag zu schreiben. Anmeldung ist kostenlos und dauert nur eine Minute.
Bestehender Account
Schon ein Account bei Google/GoogleMail? Keine Anmeldung erforderlich!
Mit Google-Account einloggen
Mit Google-Account einloggen
Noch kein Account? Hier anmelden.