Ich möchte mit LTspice eine Schaltung mit Silizium Dioden und Transistoren simulieren. Diese Bauteile haben bekanntlich einen Temperaturkoeffizienten von 2mV pro Grad. Die Halbleiter würden in der "Realität" sicherlich Kühlkörper mit verschiedenen Wärmewiderständen (°K pro Watt) und verschiedener Wärmekapazität bekommen. Wie kann ich in LTspice die verschiedenen sich daraus ergebenden thermischen Zeitkonstanten berücksichtigen?
H. H. schrieb: > https://spiceman.net/ltspice-temp-analysis/ Das sehe ich den Einfluss der Temperatur auf das Schaltungsverhalten, aber keine Simulation für die Temperatur der Bauteile, wie sie sich aus Verlustleistung und Wärmeabgabe ergibt. Oder habe ich da etwas übersehen? Peter T. schrieb: > Die Halbleiter würden in der "Realität" sicherlich Kühlkörper mit > verschiedenen Wärmewiderständen (°K pro Watt) und verschiedener > Wärmekapazität bekommen. Vor allem Dingen brauchst du auch das Leiterplattenlayout und Daten zur Luftströmung in deinem Aufbau/Gehäuse.
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Rainer W. schrieb: > H. H. schrieb: >> https://spiceman.net/ltspice-temp-analysis/ > > Das sehe ich den Einfluss der Temperatur auf das Schaltungsverhalten, > aber keine Simulation für die Temperatur der Bauteile, wie sie sich aus > Verlustleistung und Wärmeabgabe ergibt. Oder habe ich da etwas > übersehen? Das müsste man umständlich dazu basteln.
Ob der Temperaturkoeffizient der Diodenspannung einen Einfluss hat ergibt sich aus der Funktion. Bei Gleichrichtern, ja. Der diese Abhaengigkeit verbietet Gleichrichterdioden parallel zu schalten. Das Design muss also mit jeweils einer Diode auskommen und sowohl den Average Strom, wie auch den Puls Strom gut vertragen. Weshalb duerfen Gleichrichter dioden nicht parallel geschalten werden ? Wenn von 2 Dioden mit exakt gleicher Spannungscharakteristik, was nicht der Fall ist, eine etwas waermer, so senkt diese die spannung ab, und bekommt so mehr Strom. Was sie wiederumg mehr Strom bekommen laesst, bis sie eben durchbrennt. Das koennte mit Seriewiderstaenden verhindert werde, sodass ein erhoehter Strom auch zu mehr Spannung ueber der Diode fuehrt. Diese Widerstaende haben dann einen allenfalls ungewollten Verlust. Dasselbe gilt fuer die Parallelschaltung von NPN, resp PNP Transistoren in Emitter schaltung. Dort ist die Basis Emitter Spannung eine Diodenspannung, welche sich mit zunehmender Temperatur absenkt, und so mehr Strom durch die Collektor Emitter Strecke laesst. Auch hier wird diese Abhaengigkeit mit einzelnen Emitterwiderstaenden kompensiert.
Peter T. schrieb: > Die Halbleiter würden in der > "Realität" sicherlich Kühlkörper mit verschiedenen Wärmewiderständen (°K > pro Watt) und verschiedener Wärmekapazität bekommen. Wie kann ich in > LTspice die verschiedenen sich daraus ergebenden thermischen > Zeitkonstanten berücksichtigen? Hiermit habe ich es erfolgreich für meine Systeme in LT simuliert: https://www.youtube.com/watch?v=5CcDjbdaAM8
Ein Tutorial für elektro-thermische Simulation (mit ngspice) findet sich hier: https://ngspice.sourceforge.io/ngspice-electrothermal-tutorial.html
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