Stromsenke OPV schwingt

[Eric (holofire)]

Hallo,

das ist mein erster Post. Verzeiht mir bitte, falls ich mich erst noch 
zurecht finden muss.

Ich möchte eine Stromsenke bauen. Dafür habe ich mich an einem PDF von 
TI orientiert: 
https://www.ti.com/lit/eb/slyc147a/slyc147a.pdf?ts=1685933138160&ref_url=https%253A%252F%252Fwww.ti.com%252Fproduct%252FTL431

Ziel des ganzen ist es mit einem DAC (hier V3) mit einem 
Spannungsbereich von 0 - 3,3V den Strom durch den R1 von 0mA bis 600mA 
steuern zu können. In der Simulation klappt das ganze auch. Leider 
funktioniert es im realen Aufbau nicht und der OPV fängt an zu 
schwingen.

Was ich schon probiert habe:
statt dem DAC eine 2,5V Spannungsreferenz angeschlossen. Damit sollte 
das Rauschen des DACs keine Ursache sein.

Was ich noch probieren würde:
R2 etwas hochohmiger wählen (1k), wobei der Mosfet ihm Ohmschen Betrieb 
gefahren wird und damit keine wirklichen Schaltvorgänge vorliegen.
Ein C zwischen R2 und R3 vorsehen (20pF oder so ähnlich).

Habt ihr noch irgendwelche Ideen, mit denen ich das Problem lösen kann?

Grüße

[Michael B. (laberkopp)]

Eric schrieb:
> und der OPV fängt an zu schwingen.

Klar, OpAmps sind nur bei gain 1 stabil, wenn nicht zusätzlich noch eine 
Phasendrehung durch die Gate-Kapazität des MOSFETs hinter dem 
Gate-Widerstand erfolgt.

Daher sehen alle realen gesteuerten Stromquellen so aus

+-------------------------------+--o Akku
  |                               |
  |                LMP7731       LED
MAX6120--12k--+-----|+\           |
  |           |     |  >--+-100R-|I IRLML6344
  |           |  +--|-/   |       |S  
  |           |  |       10n      |
  |           |  |        |       |
  |           |  +--------+--10k--+
  |           |                   |
  |          1k                 0.27R
  |           |                   |
  +-----------+-------------------+--o

und weil der OpAmp erst spät reagiert wenn man einschaltet manchmal noch 
so

        +12V
         |
  +------(---------R------------+--o Last
  |      |                      |
Poti----|+\                     |
  |     |  >--+--R6---+--------|I PowerMOSFET
  |  +--|-/   |       |         |S  auf KK
  |  |   |    Ci      |BC547    |
  |  |   |    |       >|--100R--+
  |  |   |    Rp     E|         |
  |  |   |    |       |         |
  |  +---(----+--Rx---(---------+
  |      |            |         |
  |      |            |       Shunt
  |      |            |         |
  +------+------------+---------+- GND

Rx und Ci mit manchmal Rp kämpfen gegen die phasendrehung, man legt sie 
experimentell auf schnelle Reaktion ohne Schwingungen aus, 10k 10n sind 
ein konservativer Startpunkt.