Gibt es Vor- oder Nachteile, wenn man Gate per Pull-Down direkt nach Ground zieht bzw. Gate und Source direkt mit dem Widerstand verbindet? Ich meine, dazu irgendetwas gelesen zu haben, finde es aber nicht mehr.
Ist sogar zwingend notwendig. Wenn die Spannungsversorgung vom Gate Treiber ausfällt, dann würde das Gate floaten und der MOSFET evtl. thermisch zerstören.
Du brauchst (beim N-MOSFET) den pull down unbedingt wenn die Zuleitung zum Gate auch mal offen (unangeschlossen) sein kann, wie bei einem uC-Ausgsng der noch auf Input steht. Du brauchst ihn nicht, wenn der angelötete Ausgang nicht abschaltbar ist, wie aus einen 74HC04.
Du brauchst den Gate Vorschaltwiderstand unbedingt, wenn aus einem Ausgang mehrere MOSFET parallel geschaltet werden, weil jeder sein eigenes Miller-Niveau hat.
Bei schnell schaltenden Ausgängen kann er auch bei 1 MOSFET sinnvoll sein um Resonanzen des Schwingkreises Zuleitungsinduktivität + Gatekapazität zu bedämpfen, oder um langsames Umschalten zu erzwingen.
https://dse-faq.elektronik-kompendium.de/dse-faq.htm#F.22.2
Es ist egal ob der pull down vor oder nach dem Gate-Widerstand angeschlossen wird. Nutzt man beide Widerstände als Spannungsteiler einer eigentlich zu hohen Steuerspannung, muss er natürlich danach.
Gibt es Vor- oder Nachteile, wenn man Gate per Pull-Down direkt nach Ground zieht bzw. Gate und Source direkt mit dem Widerstand verbindet? Ich meine, dazu irgendetwas gelesen zu haben, finde es aber nicht mehr.
Deine Frage und der Betreff sind uneindeutig.
In der Regel soll der Widerstand den MOSFET sicher gesperrt halten, auch wenn das Gate nicht anderweitig angesteuert wird. Z.B. wenn das Steuersignal über einen Steckverbinder geführt ist oder wenn das Signal von einem µC-Pin kommt, der auch mal floaten kann (z.B. im Reset).
Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt der Widerstand zwischen Gate und GND.
In der Regel ist es am besten, den Widerstand direkt am MOSFET zu plazieren, um Leiterbahnunterbrechungen auszuschließen. Die Grundregel ist einfach: das Gate eines MOSFET darf nie einen undefinierten Pegel haben.
Da das Gate sehr hochohmig ist, reicht dazu im Prinzip ein 10MΩ Widerstand. In der Praxis nimmt man meist weniger, weil das Gate auch eine Kapazität hat. Damit die Gate-Source Spannung im Fehlerfall schnell auf 0 sinkt und der MOSFET nur kurze Zeit im "halboffenen" Zustand bleibt.
Der Widerstand gehört dann zwischen Gate und Source des MOSFET. Denn die Gate-Source Spannung ist es, die den Zustand des MOSFET steuert. Nur im Fall, daß Source auf GND liegt (der Normalfall für n-Kanal MOSFET) liegt der Widerstand zwischen Gate und GND.
Genau den Fall meine ich. Wenn man Gate statt mit GND mit Source verbindet, macht das einen Unterschied? Source liegt schließlich auch auf GND.
Genau den Fall meine ich. Wenn man Gate statt mit GND mit Source verbindet, macht das einen Unterschied? Source liegt schließlich auch auf GND.
Das macht elektrisch doch keinen Unterschied. Zumindest solange nicht gleichzeitig irgendein Problem auftritt. Z.B. eine durch Überlastung verursachte Unterbrechung in der Source-GND Leiterbahn.
Ich danke Dir. Das dachte ich auch – trotzdem hatte ich irgendwie in Erinnerung, dass es irgendwelche Unterschiede gab (jetzt abgesehen von der einfacheren Lötbarkeit). Vermutlich irre ich mich.
trotzdem hatte ich irgendwie in Erinnerung, dass es irgendwelche Unterschiede gab
Je nach Anwendung und Schaltung, auch abhängig davon welche Länge, Breite und (Kupferkaschierungs-)Dicke dieses Stück Leiterbahn zwischen Source und einem als "GND" definierten Punkt hat, KANN das alles evtl. "einen Unterschied machen".
Vor allem halt bei hohen Strömen und/oder hohen Spannungs- und daher Strom- Änderungsgeschwindigkeiten (Schaltbetrieb mit halbwegs steilen Schaltflanken).
Sag einfach mal, um welche Verwendung es geht. Was präzise soll welcher exakte Mosfet in welcher genauen Schaltung (mit Schaltplan und Layout, vorzugsweise) tun bzw. "können"?
DANN wüßte man hier /schnell/ bescheid, ob es da irgendeinen "wesentlichen Unterschied" gäbe (und könnte Dir auch sagen, was Du am besten tun solltest - sowie v. a. auch, WARUM...).
Ich schalte tatsächlich nur für wenige Millisekunden ein bistabiles Relais (5 V, 167 Ohm: HFD2/005-S-L2-D) um und zwar auf Knopfdruck, also nicht häufig.
Gibt es Vor- oder Nachteile, wenn man Gate per Pull-Down direkt nach Ground zieht bzw. Gate und Source direkt mit dem Widerstand verbindet?
Diese Frage ist irgendwie nicht ganz klar. Meinst Du wirklich einen Unterschied zw. diesen beiden Fällen:
- Gate per Pull-Down direkt nach Ground
- Gate und Source direkt mit dem Widerstand verbindet ? In dem Falle gibt es keinen Unterschied, gesetzt den Fall, Source ist mit Ground verbunden.
Oder meinst Du einfach nur die Unterscheidung zw. mit und ohne Pulldown-Widerstand?
Ich schalte tatsächlich nur für wenige Millisekunden ein bistabiles Relais (5 V, 167 Ohm: HFD2/005-S-L2-D) um und zwar auf Knopfdruck, also nicht häufig.
Ok, selten geschaltet, und steile Flanken auch unnötig, sowie relativ wenig Strom im Spiel.
Bzgl. o. g. völlig unkritisch. Und /vermutlich/ (meist wird das heutzutage so gemacht) arbeitet Dein FET weit weg von seiner therm. Belastungsgrenze. So daß Du ihn auch noch recht langsam auf- und zusteuern kannst / das wenigstens könntest (= EMV-mäßig "extrem leise"), indem Du R_G(vor) [nicht R_GS] nicht kleiner als nötig machst.
In dem Falle gibt es keinen Unterschied, gesetzt den Fall, Source ist mit Ground verbunden.
Korrekt, das meine ich. Damit wäre meine Frage beantwortet. Danke!
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