Ich habe mich erst seit kurzem mit SiC-Mosfets beschäftigt. Dabei fällt auf, dass sie oft 4 Anschlüsse haben, im Gegensatz zu den üblichen Silizium-Dreibeinern. Auf dem Datenblatt sieht es so aus, als ob die Rückwärtsdiode getrennt herausgeführt ist (Pin SS). Ich glaube aber eher, dass dort ein Punkt fehlt und es sich um einen zweiten Sourceanschluss, handelt. Wozu ist der da? Temperatur- oder Strommessanschluss? Oder sind die beiden Pins intern verbunden?
Bezugspunkt für die Gatespannung, unter vermeidung der Parasitären eigenschaften der Bonddrähte im Leistungspfad.
Fritz G. schrieb: > Ich habe mich erst seit kurzem mit SiC-Mosfets beschäftigt. Dabei fällt > auf, dass sie oft 4 Anschlüsse haben, im Gegensatz zu den üblichen > Silizium-Dreibeinern. Das ist ein Vierdrahtanschluss, damit der Spannungsabfall auf der Sourceleitung nicht in das Steuersignal am Gate reinspuckt. Das ist vor allen bei den noch schneller schaltenden SiC MOSFETs nötig bzw. vorteilhaft. U = L * di/dt Bei den extremen Stromänderungsgeschwindigeiten spielt die scheinbar kleine Source-Induktivität (ca. 10nH) eine meßbare Rolle! > Auf dem Datenblatt sieht es so aus, als ob die > Rückwärtsdiode getrennt herausgeführt ist (Pin SS). Ich glaube aber > eher, dass dort ein Punkt fehlt und es sich um einen zweiten > Sourceanschluss, handelt. Ja. > Strommessanschluss? Oder sind die beiden Pins intern verbunden? Sicher, auf dem Chip. Letztendlich sind diese alten TO247 Gehäuse für so moderne und RATTENSCHNELLE Transistoren grenzwertig bis unbrauchbar. Der Vierdrahtanschluss rettet sie leidlich. Moderne, sauschnelle Transistoren haben deutlich bessere SMD-Gehäuse, da sind die parasitären Induktivitäten deutlich geringer.
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