Transistorstufe, welchen Einfluss hat die Höhe der Versorgungsspannung?

[Dirk (dirki)]

Hallo,
mich interessiert folgendes:

Wenn man eine Transistorstufe mit einem Bipolartransistor aufbaut, z.B. 
in Emitterschaltung, welchen Einfluss hat dann die Versorgungsspannung 
der Stufe auf
a) die maximal mögliche Höhe der Spannungsverstärkung
b) die obere Grenzfrequenz
?

[Arno R. (arnor)]

a) kann man so einfach nicht beantworten, denn die Spannungsverstärkung 
in Emitterschaltung ist
Vu = Steilheit * differentieller Widerstand am Kollektor. Bei höherer 
Spannung kann man höhere Kollektorwiderstände einsetzen und dadurch eine 
höhere Spannungsverstärkung machen, aber mit Konstantstromquellen als 
Kollektorwiderstand bekommt man noch höhere Verstärkungen auch bei 
kleinen Spannungen.

b) die obere Grenzfrequenz steigt mit höherer Spannung an, weil die 
parasitären Kapazitäten abnehmen.

[Lutz V. (lvw)]

Ganz grob (für ohmschen Widerstand Rc):

* Spannungs-Verstärkung: Vu,max=-gm*Rc (Re überbrückt mit Ce)
* Annahmen: Uce=0,4*Uv und Ic*Rc=0,5*Uv, IC*Re=0,1*Uv (also Rc/Re=5)
* Steilheit gm=Ic/Ut (Ut: Temperaturspannung)
* Einsetzen: Vu,max=-gm*Rc=-(Ic/Ut)*Rc=-(Ic/Ut)*0,5*Uv/Ic=-0,5*Uv/Ut
* Beispiel (Uv=12V): Vu,max=-6V/25mV=-240 (weit genug oberhalb der durch 
Ce verursachten Grenzfrequenz)

[Lu (oszi45)]

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0203112.htm
Die höchste Grenzfrequenz erreichst Du bei optimalem Strom lt. 
HF-Kennlinie.
Leider hat der Strom auch Einfluss auf das Rauschen.