Transistorstufe, welchen Einfluss hat die Höhe der Versorgungsspannung?

a) kann man so einfach nicht beantworten, denn die Spannungsverstärkung in Emitterschaltung ist Vu = Steilheit * differentieller Widerstand am Kollektor. Bei höherer Spannung kann man höhere Kollektorwiderstände einsetzen und dadurch eine höhere Spannungsverstärkung machen, aber mit Konstantstromquellen als Kollektorwiderstand bekommt man noch höhere Verstärkungen auch bei kleinen Spannungen.

b) die obere Grenzfrequenz steigt mit höherer Spannung an, weil die parasitären Kapazitäten abnehmen.

Ganz grob (für ohmschen Widerstand Rc):

• Spannungs-Verstärkung: Vu,max=-gm*Rc (Re überbrückt mit Ce)
• Annahmen: Uce=0,4Uv und IcRc=0,5Uv, ICRe=0,1*Uv (also Rc/Re=5)
• Steilheit gm=Ic/Ut (Ut: Temperaturspannung)
• Einsetzen: Vu,max=-gm*Rc=-(Ic/Ut)Rc=-(Ic/Ut)0,5Uv/Ic=-0,5Uv/Ut
• Beispiel (Uv=12V): Vu,max=-6V/25mV=-240 (weit genug oberhalb der durch Ce verursachten Grenzfrequenz)

https://www.elektronik-kompendium.de/sites/bau/0203112.htm Die höchste Grenzfrequenz erreichst Du bei optimalem Strom lt. HF-Kennlinie. Leider hat der Strom auch Einfluss auf das Rauschen.

Prima, vielen Dank für die guten Antworten, genau das wollte ich wissen!

Lu schrieb:

Die höchste Grenzfrequenz erreichst Du bei optimalem Strom lt. HF-Kennlinie.

Oder bei "optimaler" Spannung. Man kann beides herauslesen ...
Wobei "optimal" ohnehin ein eher subjektiver Begriff ist.