Forum: HF, Funk und Felder Wofür Diode von Gate auf GND beim Colpitts Oszillator?


von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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Hallo zusammen,

in manchen Colpitts Oszillator Schaltungen sieht man zusätzlich eine 
Diode verbaut, z. B. zwischen Gate und GND (bei FETs).

Meine Frage:
Welchen Zweck hat diese Diode genau? Gehört sie zur Schwingbedingung, 
zur Begrenzung, oder dient sie nur zur Stabilisierung?

Ich frage, weil meine eigene JFET-Colpitts-Schaltung auch ohne Diode 
stabil schwingt frage mich aber, was ich da eventuell übersehe oder ob 
die Diode nur unter bestimmten Bedingungen (z. B. Temperatur, ESD, hohe 
Amplitude) nötig ist und gibt es irgendwelche Verbesserungsvorschläge 
für meine Schaltung :-)

von Bernhard S. (gmb)


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Du meinst vielleicht die Kapazitätsdiode? Die dient zur 
Frequenzverstimmung.

von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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von Joachim B. (jar)


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ist eine Z-Diode die die negative Spannung am Gate begrenzt um den FET 
zu schützen.

von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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Vielen Dank!, sollte ich sowas bei mir auch einbauen?

von Joachim B. (jar)


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welche maximale Amplitude erwartest du am Gate, was sagt das Datenblatt 
zum Fet?

von Dirk (dirki)


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https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/c/ca/VFO_Colpitts_Oszillator.svg

Die D1 hier ist eine Schottky-Diode, Schaltzeichen nach DIN EN 
60617-5:1996 (05-02-01).
s.a.:
https://de.wikipedia.org/wiki/Schottky-Diode

Sie soll wahrscheinlich die Amplitude begrenzen, in diesem Fall auf etwa 
0,3V Spitze.
Mit eine Si-Diode wie der 1N4148 käme man auf etwa 0,7V Spitze.

Ohne die Diode kann es sein, dass die Amplitude bei unterschiedlichen 
Frequenzen (Bandanfang und Bandende) und/oder bei unterschiedlichen 
Temperaturen sehr unterschiedliche Amplituden liefert.

Die Begrenzung einer Halbwelle reicht hier aus, weil deren einseitige 
Begrenzung schon dafür sorgt, das Aufschaukeln der Amplitude zu 
verhindern.

Allerdings bringt so eine Diode auch Probleme mit. z.B. ist die 
Amplitude dann von der Temperatur von D1 abhängig.
Und wenn D1 vergleichsweise hart begrenzen muss, entstehen im 
Ausgangssignal gradzahlige Harmonische, die man bei einem Sinussignal 
oft nicht haben will (eventuelle ungradzahlige Harmonischen auch nicht).

von Günter L. (Firma: Privat) (guenter_l)


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von Alexander M. schrieb:
>Meine Frage:
>Welchen Zweck hat diese Diode genau?

Sie richtet die HF gleich und läd die Gatekondensatoren
negativ auf. Dadurch entsteht eine leichte Amplituden-
stabilisierung. Bei steigender negativer Spannung
am Gate, verringert sich der Gleichstrom durch den FET,
der Arbeitspunkt ändert sich, die Verstärkung verringert
sich. Es gibt aber keine Amplitudenbegrenzung, die
Amplitude ist größer als 0,3V und auch größer als 0,7V.
Bei verringerung der Amplitude entladen sich die
Kondensatoren langsam wieder durch den Gatewiderstand,
und die Verstärkung wird wieder größer.
Diesen Efekt gibt es auch automatisch bei Röhrenoszillatoren,
bei großer Amplitude entsteht da eine Gittergleichrichtung.

von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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Perfekt, also schützt sie das Gate und Stabilisiert die Amplitude, 
Welche Schottky Diode sollte ich nehmen?

von Hp M. (nachtmix)


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Alexander M. schrieb:
> Welche Schottky Diode sollte ich nehmen?

Wozu überhaupt? Nimm den JFET wie im Schaltbild und gut ist.

von Hp M. (nachtmix)


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Günter L. schrieb:
> Diesen Efekt gibt es auch automatisch bei Röhrenoszillatoren,
> bei großer Amplitude entsteht da eine Gittergleichrichtung.

Und beim JFET auch.
Bei zunehmend negativer Gatevorspannung verringert sich die Verstärkung 
allmählich und begrenzt so die Amplitude und vermeidet eine 
Übersteuerung des Transistors (Oberwellen!).

Die Vorspannungserzeugung mit SD im Schaltbild beginnt nur etwas früher, 
und wartet nicht auf die Gleichrichtung am Gate. Dadurch wird in dieser 
Schaltung der Einfluss von Speisespannungsschwankungen verringert. 
(Wegen des von Ub abhängigen Spannungsabfalls an R4)

Falls man da eine SD einbauen will, dann einen Typ mit vllt 20V 
Sperrspannung und möglichst geringer Sperrschichtkapazität.

: Bearbeitet durch User
von Mawi (Gast)


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: Wiederhergestellt durch Moderator
von Klaus (habnix)


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Hallo,
diese Diode wurde eingebaut, um das Seitenbandrauschen zu verringern. 
Der Gedanke war, dass der JFet nicht in die Begrenzung gehen sollte. Der 
Herr Rohde (R&S) hatte mal mit dem ARRL-Simulationsprogramm Name? vor 
Jahren Untersuchungen durchgeführt und veröffentlicht. Wenn ich es noch 
richtig in Erinnerung habe, Diode weglassen, wenn man es nicht messen 
kann. Auch die Cutoff-Spannung des JFets war zu beachten (andere 
Veöffentlichung). Ich werde mal suchen.

Schönen Sonntag

von Klaus (habnix)


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Nachtrag: Das Programm hieß ARD "ARRL Radio Designer".
Veröffentlichung der Untersuchung in der QST:
https://www.arrl.org/files/file/Technology/ard/rohde94.pdf

von Jens G. (jensig)


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Interessant. Tausende Begründungen, aber fast alle am Thema vorbei, weil 
der TO es nicht für nötig erachtete, eine Diode an der richtigen Stelle 
in seinem initialen Schaltbild zu zeigen.
Und dann kommt das hier:

Alexander M. schrieb:
> https://upload.wikimedia.org/wikipedia/commons/c/ca/VFO_Colpitts_Oszillator.svg
> so wie hier D1

Somit hat nur er hier recht:

Bernhard S. schrieb:
> Du meinst vielleicht die Kapazitätsdiode? Die dient zur
> Frequenzverstimmung.

Alexander M. schrieb:
> Vielen Dank!, sollte ich sowas bei mir auch einbauen?

Natürlich nicht ...

: Bearbeitet durch User
von Robert M. (r0bm)


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Alexander M. schrieb:
> Perfekt, also schützt sie das Gate und Stabilisiert die Amplitude,
> Welche Schottky Diode sollte ich nehmen?

Die zusätzliche Diode verhindert auch dass die intrinsische JFET 
Gate-Source Diode während den Spannungsspitzen leitet, den Schwingkreis 
dadurch bedämpft und das Phasenrauschen verschlechtert.

Darauf achten die Schleifenverstärkung nicht zu hoch auszulegen falls 
auf der zusätzlichen Diode verzichtet wird. Eine Verstärkung von etwa 2 
(C1=C2), wie in deinem Bsp., ist schon zu viel des Guten. Üblicherweise 
legt man diese deutlich geringer aus, sodass die Schwingamplitude am 
Gate- stets unterhalb der Amplitude am Sourceanschluß liegt.

Solltest du eine Diode zur Amplitudenstabilisierung vorsehen wollen, 
müsste deine Schaltung leicht modifiziert werden. Enweder du machst 
einen Clapp-Oszillator (L/C-Serienschwingkreis) daraus oder koppelst den 
Schwingkreis über einen kleinen Kondensator an das Gate an. Der 
Gateanschluß wird dann über die Diode und einen hochohmigen Widerstand 
geerdet. Anstatt die Diode zu erden, ließe sich diese, als Alternative, 
auch an einer positiven Spannung klemmen.

von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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hätte eine 1N4148 noch rumliegen zum testen das sollte nicht so arg die 
amplitude kappen

von Alexander M. (Firma: WAIFU HEAVEN UG) (deathmouse)


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mir geht es um den schutz des jfets

von Robert M. (r0bm)


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Wovor genau soll der JFET geschützt werden?

von Jens G. (jensig)


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Alexander M. schrieb:
> mir geht es um den schutz des jfets

Davon war bisher noch keine Rede ...

von Jens G. (jensig)


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Alexander M. schrieb:
> mir geht es um den schutz des jfets

Davon war bisher noch keine Rede ...
Auserdem - wovor willst Du den schützen?

von Enrico E. (pussy_brauser)


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Alexander M. schrieb:
> mir geht es um den schutz des jfets

Dann kannst du die Schottkydiode D1 auch gleich ganz weglassen, den D1 
ist im Gegensatz zu den anderen Bauteilen sowieso nur grau eingezeichnet 
und somit auch nicht zwingend erforderlich.

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